《采用紫外可见光谱法求取禁带宽.pptx》由会员分享，可在线阅读，更多相关《采用紫外可见光谱法求取禁带宽.pptx（36页珍藏版）》请在taowenge.com淘文阁网|工程机械CAD图纸|机械工程制图|CAD装配图下载|SolidWorks_CaTia_CAD_UG_PROE_设计图分享下载上搜索。
1、一 半导体禁带求导公式第1页/共36页通常(ahv)是有单位的，(eV)1/2.cm-1/2或(eV)1/2.cm-1/2。由上述公式可知，（ahv）1/2 和(ahv)2 只与hv成线性关系，能用于估算Eg。由朗伯-比尔定律知，A=abc，a是吸光系数，b是比色皿或者薄膜样品厚度，c是浓度。b，c是固定值，a=A/bc=A/K。禁带公式可写成如下形式：第2页/共36页第3页/共36页K值的大小对Eg没有影响，以hv为横坐标，以 或 为纵坐标，作图，再做切线，即可得到Eg。hv用1024/波长代替。前者为直接半导体禁带宽度值，后者为间接半导体禁带宽度值。A(Absorbance)即为紫外可见漫
2、反射中的吸光度。第4页/共36页Kubelka-Munk公式A=-lg(R)（1）F(r)=(1-R)2/2R=a/s（2）R为反射率,a吸收系数，s反射系数 求禁带宽度：利用第一个公式求每个吸光度对应的R，用E1240/波长，做横坐标，利用第二个公式求F（R），再用 做纵坐标，做图，再做切线，即得带隙图谱 第5页/共36页二 求半导体禁带实例 将紫外可见分光漫反射数据导入到excell，然后进行数据处理，下面用第一个公式进行数据处理：第6页/共36页第7页/共36页第8页/共36页第9页/共36页下面用Kubelka-Munk公式处理：第10页/共36页第11页/共36页第12页/共36页三
3、 关于K值大小对结果的影响第13页/共36页同一组数据在不同的处理同一组数据在不同的处理方法下得到的方法下得到的Eg.Eg.以下也以下也是这一组数据的处理是这一组数据的处理第14页/共36页第15页/共36页第16页/共36页 由上图可见，密度，厚度等因素影响K K的大小，但并不影响所求的Eg.Eg.第17页/共36页由UV-vis 光谱求样品的Eg第18页/共36页一 半导体禁带求导公式第19页/共36页通常(ahv)是有单位的，(eV)1/2.cm-1/2或(eV)1/2.cm-1/2。由上述公式可知，（ahv）1/2 和(ahv)2 只与hv成线性关系，能用于估算Eg。由朗伯-比尔定律知
4、，A=abc，a是吸光系数，b是比色皿或者薄膜样品厚度，c是浓度。b，c是固定值，a=A/bc=A/K。禁带公式可写成如下形式：第20页/共36页第21页/共36页K值的大小对Eg没有影响，以hv为横坐标，以 或 为纵坐标，作图，再做切线，即可得到Eg。hv用1024/波长代替。前者为直接半导体禁带宽度值，后者为间接半导体禁带宽度值。A(Absorbance)即为紫外可见漫反射中的吸光度。第22页/共36页Kubelka-Munk公式A=-lg(R)（1）F(r)=(1-R)2/2R=a/s（2）R为反射率,a吸收系数，s反射系数 求禁带宽度：利用第一个公式求每个吸光度对应的R，用E1240/
5、波长，做横坐标，利用第二个公式求F（R），再用 做纵坐标，做图，再做切线，即得带隙图谱 第23页/共36页二 求半导体禁带实例 将紫外可见分光漫反射数据导入到excell，然后进行数据处理，下面用第一个公式进行数据处理：第24页/共36页第25页/共36页第26页/共36页第27页/共36页下面用Kubelka-Munk公式处理：第28页/共36页第29页/共36页第30页/共36页三 关于K值大小对结果的影响第31页/共36页同一组数据在不同的处理同一组数据在不同的处理方法下得到的方法下得到的Eg.Eg.以下也以下也是这一组数据的处理是这一组数据的处理第32页/共36页第33页/共36页第34页/共36页 由上图可见，密度，厚度等因素影响K K的大小，但并不影响所求的Eg.Eg.第35页/共36页谢谢您的观看！第36页/共36页