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1、由UV-vis 光谱求样品的Eg,一 半导体禁带求导公式,通常(ahv) 是有单位的，(eV)1/2.cm-1/2 或(eV)1/2.cm-1/2。 由上述公式可知，（ahv）1/2 和(ahv) 2 只与hv成线性关系，能用于估算Eg。 由朗伯-比尔定律知，A=abc，a是吸光系数，b是比色皿或者薄膜样品厚度，c是浓度。b，c是固定值，a=A/bc=A/K。禁带公式可写成如下形式：,K值的大小对Eg没有影响，以hv为横坐标，以 或 为纵坐标，作图，再做切线，即可得到Eg。hv用1024/波长代替。前者为直接半导体禁带宽度值，后者为间接半导体禁带宽度值。A (Absorbance) 即为紫外可
2、见漫反射中的吸光度。,Kubelka-Munk公式,A = - lg (R)（1） F(r) = (1-R)2/2R = a / s （2） R为反射率, a吸收系数，s反射系数 求禁带宽度：利用第一个公式求每个吸光度对应的R，用E1240/波长，做横坐标，利用第二个公式求F（R），再用 做纵坐标，做图，再做切线，即得带隙图谱,二 求半导体禁带实例,将紫外可见分光漫反射数据导入到excell，然后进行数据处理，下面用第一个公式进行数据处理：,下面用Kubelka-Munk公式处理：,三 关于K值大小对结果的影响,同一组数据在不同的处理方法下得到的Eg.以下也是这一组数据的处理,由上图可见，密度，厚度等因素影响K的大小，但并不影响所求的Eg.,