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1、关于采用紫外可见光谱法求取禁带宽度第1页，此课件共36页哦一一 半导体禁带求导公式半导体禁带求导公式第2页，此课件共36页哦通常(ahv)是有单位的，(eV)1/2.cm-1/2或(eV)1/2.cm-1/2。由上述公式可知，（ahv）1/2 和(ahv)2 只与hv成线性关系，能用于估算Eg。由朗伯-比尔定律知，A=abc，a是吸光系数，b是比色皿或者薄膜样品厚度，c是浓度。b，c是固定值，a=A/bc=A/K。禁带公式可写成如下形式：第3页，此课件共36页哦第4页，此课件共36页哦n nK值的大小对Eg没有影响，以hv为横坐标，以 或 为纵坐标，作图，再做切线，即可得到Eg。hv用1024
2、/波长代替。前者为直接半导体禁带宽度值，后者为间接半导体禁带宽度值。A(Absorbance)即为紫外可见漫反射中的吸光度。第5页，此课件共36页哦Kubelka-Munk公式公式A=-lg(R)（1）F(r)=(1-R)2/2R=a/s（2）R为反射率,a吸收系数，s反射系数 求禁带宽度：利用第一个公式求每个吸光度对应的R，用E1240/波长，做横坐标，利用第二个公式求F（R），再用 做纵坐标，做图，再做切线，即得带隙图谱 第6页，此课件共36页哦二 求半导体禁带实例 将紫外可见分光漫反射数据导入到excell，然后进行数据处理，下面用第一个公式进行数据处理：第7页，此课件共36页哦第8页，
3、此课件共36页哦第9页，此课件共36页哦第10页，此课件共36页哦n n下面用下面用Kubelka-Munk公式处理：公式处理：第11页，此课件共36页哦第12页，此课件共36页哦第13页，此课件共36页哦三 关于K值大小对结果的影响第14页，此课件共36页哦同一组数据在不同的处理方同一组数据在不同的处理方法下得到的法下得到的Eg.Eg.以下也是这以下也是这一组数据的处理一组数据的处理第15页，此课件共36页哦第16页，此课件共36页哦第17页，此课件共36页哦 由上图可见，密度，厚度等因素影响由上图可见，密度，厚度等因素影响K K的大小，的大小，但并不影响所求的但并不影响所求的Eg.Eg.第
4、18页，此课件共36页哦由由UV-vis 光谱求样品的光谱求样品的Eg第19页，此课件共36页哦一一 半导体禁带求导公式半导体禁带求导公式第20页，此课件共36页哦通常(ahv)是有单位的，(eV)1/2.cm-1/2或(eV)1/2.cm-1/2。由上述公式可知，（ahv）1/2 和(ahv)2 只与hv成线性关系，能用于估算Eg。由朗伯-比尔定律知，A=abc，a是吸光系数，b是比色皿或者薄膜样品厚度，c是浓度。b，c是固定值，a=A/bc=A/K。禁带公式可写成如下形式：第21页，此课件共36页哦第22页，此课件共36页哦n nK值的大小对Eg没有影响，以hv为横坐标，以 或 为纵坐标，
5、作图，再做切线，即可得到Eg。hv用1024/波长代替。前者为直接半导体禁带宽度值，后者为间接半导体禁带宽度值。A(Absorbance)即为紫外可见漫反射中的吸光度。第23页，此课件共36页哦Kubelka-Munk公式公式A=-lg(R)（1）F(r)=(1-R)2/2R=a/s（2）R为反射率,a吸收系数，s反射系数 求禁带宽度：利用第一个公式求每个吸光度对应的R，用E1240/波长，做横坐标，利用第二个公式求F（R），再用 做纵坐标，做图，再做切线，即得带隙图谱 第24页，此课件共36页哦二 求半导体禁带实例 将紫外可见分光漫反射数据导入到excell，然后进行数据处理，下面用第一个公式进行数据处理：第25页，此课件共36页哦第26页，此课件共36页哦第27页，此课件共36页哦第28页，此课件共36页哦n n下面用下面用Kubelka-Munk公式处理：公式处理：第29页，此课件共36页哦第30页，此课件共36页哦第31页，此课件共36页哦三 关于K值大小对结果的影响第32页，此课件共36页哦同一组数据在不同的处理同一组数据在不同的处理方法下得到的方法下得到的Eg.Eg.以下也是以下也是这一组数据的处理这一组数据的处理第33页，此课件共36页哦第34页，此课件共36页哦第35页，此课件共36页哦感感谢谢大大家家观观看看第36页，此课件共36页哦