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1、会计学1材料科学材料科学第一页，共32页。固溶体、混合物、化合物的区别固溶体、混合物、化合物的区别 （1）当晶体）当晶体A和和B形成固溶体，形成固溶体，A、B之间是以原子尺寸混之间是以原子尺寸混合的，这种混合式以不破坏主晶结构为前提的，因此固溶体是合的，这种混合式以不破坏主晶结构为前提的，因此固溶体是均匀的单相晶态物质，其晶体结构和主晶一致；在组成上，均匀的单相晶态物质，其晶体结构和主晶一致；在组成上，A和和B之间不存在确定的化学之间不存在确定的化学(huxu)比，可在一定范围内比，可在一定范围内。（2）固溶体和机械混合物的区别：当晶体）固溶体和机械混合物的区别：当晶体A和和B形成机械混形成机
2、械混合物时，它们不可能是原子尺度的混合，分别保持本身的结构合物时，它们不可能是原子尺度的混合，分别保持本身的结构和性能，它们不是形成均匀的单相物质，而是形成两相或多相。和性能，它们不是形成均匀的单相物质，而是形成两相或多相。（3）固溶体和一般的化合物的本质区别）固溶体和一般的化合物的本质区别:如果如果A、B之间形之间形成化合物成化合物AmBn，虽然也是均匀的单相物质，但化合物，虽然也是均匀的单相物质，但化合物AmBn的的结构既不同于结构既不同于A，也不同于，也不同于B，而有其固有的晶体结构，且，而有其固有的晶体结构，且AB之间按确定的物质的量之比之间按确定的物质的量之比m:n化合。化合。例如例
3、如MgO(NaCl结构结构)和和-Al2O3（刚玉结构）生成化合物（刚玉结构）生成化合物尖晶石尖晶石MgAl2O4（尖晶石结构），组成（尖晶石结构），组成MgO和和Al2O3物质的量物质的量之比为之比为1:1。第1页/共32页第二页，共32页。固溶体的形成固溶体的形成固溶体的形成固溶体的形成(xngchng)(xngchng)从热力学角度分析固溶体形成从热力学角度分析固溶体形成从热力学角度分析固溶体形成从热力学角度分析固溶体形成由由由由 G G H HT T S S 关系式讨论：关系式讨论：关系式讨论：关系式讨论：(1)(1)溶质原子溶入溶剂晶格内，使溶质原子溶入溶剂晶格内，使溶质原子溶入溶剂
4、晶格内，使溶质原子溶入溶剂晶格内，使 H H大大大大大大大大(d d)(d d)提高提高提高提高不能生成固不能生成固不能生成固不能生成固溶体。溶体。溶体。溶体。(2)(2)溶质原子溶入溶剂晶格内溶质原子溶入溶剂晶格内溶质原子溶入溶剂晶格内溶质原子溶入溶剂晶格内大大大大大大大大(d d)(d d)地降低地降低地降低地降低 H H，系统趋向于，系统趋向于，系统趋向于，系统趋向于形成一个有序的新相，即生成化合物。形成一个有序的新相，即生成化合物。形成一个有序的新相，即生成化合物。形成一个有序的新相，即生成化合物。(3)(3)溶质原子溶入溶剂晶格内溶质原子溶入溶剂晶格内溶质原子溶入溶剂晶格内溶质原子溶
5、入溶剂晶格内 H H没有大的升高，而使熵没有大的升高，而使熵没有大的升高，而使熵没有大的升高，而使熵 S S增加，增加，增加，增加，总的能量总的能量总的能量总的能量 G G下降或不升高，可能生成固溶体。固溶后并不破坏原有晶下降或不升高，可能生成固溶体。固溶后并不破坏原有晶下降或不升高，可能生成固溶体。固溶后并不破坏原有晶下降或不升高，可能生成固溶体。固溶后并不破坏原有晶体的结构。体的结构。体的结构。体的结构。第2页/共32页第三页，共32页。形成条件：形成条件：形成条件：形成条件：（1 1）结构）结构）结构）结构(jigu)(jigu)类型相同；类型相同；类型相同；类型相同；（2 2）化学性质
6、相似；）化学性质相似；）化学性质相似；）化学性质相似；（3 3）置换质点大小匹配。）置换质点大小匹配。）置换质点大小匹配。）置换质点大小匹配。形成过程形成过程形成过程形成过程(guchng)(guchng)：(1)(1)在晶体生长过程在晶体生长过程在晶体生长过程在晶体生长过程(guchng)(guchng)中形成；中形成；中形成；中形成；(2)(2)在熔体析晶时形成；在熔体析晶时形成；在熔体析晶时形成；在熔体析晶时形成；(3)(3)通过烧结过程通过烧结过程通过烧结过程通过烧结过程(guchng)(guchng)的原子扩散而形成。的原子扩散而形成。的原子扩散而形成。的原子扩散而形成。第3页/共3
7、2页第四页，共32页。例如：例如：Al2O3晶体中溶入晶体中溶入0.52Wt%的的Cr3+后，由刚玉转变为有激光性能的红宝石；后，由刚玉转变为有激光性能的红宝石；PbTiO3和和PbZrO3固溶生成锆钛酸铅压电陶瓷，广泛应用于电子固溶生成锆钛酸铅压电陶瓷，广泛应用于电子(dinz)、无损检测、医疗等技术领域。、无损检测、医疗等技术领域。固溶体的应用固溶体的应用-固溶体普遍存在于无机固体材料中，现代固溶体普遍存在于无机固体材料中，现代(xindi)无无论是功能材料，还是结构材料都是利用生成固溶体的条件，论是功能材料，还是结构材料都是利用生成固溶体的条件，调整材料的性能。调整材料的性能。第4页/共
8、32页第五页，共32页。固溶体的分类固溶体的分类(1)按溶质原子在溶剂晶格中的位置划分：按溶质原子在溶剂晶格中的位置划分：置换型固溶体、间隙型固溶体。置换型固溶体、间隙型固溶体。特点：形成间隙型固溶体体积基本不变或略有特点：形成间隙型固溶体体积基本不变或略有(l yu)膨胀；膨胀；形成置换型固溶体后体积应比基质大。形成置换型固溶体后体积应比基质大。第5页/共32页第六页，共32页。(2)按溶质原子在溶剂按溶质原子在溶剂(rngj)晶体中的溶解度分类晶体中的溶解度分类：连续型固溶体连续型固溶体(完全互溶固溶体）、完全互溶固溶体）、有限型固溶体。有限型固溶体。特点：对于有限型固溶体，溶质在有限范围
9、内特点：对于有限型固溶体，溶质在有限范围内 溶解度随温度升高而增加。溶解度随温度升高而增加。例如Mg2+和Co2+可无限置换成MgO-CoO连续固溶体，而Mg2+只能有限地置换CaO晶格(jn)中的Ca2+，形成有限固溶体。第6页/共32页第七页，共32页。1、形成置换固溶体的条件、形成置换固溶体的条件(tiojin)和影响溶解度因素和影响溶解度因素:(1)离离 子子 大大 小小(2)晶体的结构晶体的结构(jigu)类型类型(3)离离 子子 电电 价价(4)电电 负负 性性第二节第二节 置换置换(zhhun)型固溶体型固溶体第7页/共32页第八页，共32页。（1 1）离子大小）离子大小）离子大
10、小）离子大小 相互取代的离子尺寸越接近，就越容易形成固溶体；相互取代的离子尺寸越接近，就越容易形成固溶体；相互取代的离子尺寸越接近，就越容易形成固溶体；相互取代的离子尺寸越接近，就越容易形成固溶体；原子半径相差越大，溶解度越小。原子半径相差越大，溶解度越小。原子半径相差越大，溶解度越小。原子半径相差越大，溶解度越小。若以若以若以若以r1 r1和和和和r2r2分别代表溶剂或溶质分别代表溶剂或溶质分别代表溶剂或溶质分别代表溶剂或溶质(rngzh)(rngzh)离子半径，离子半径，离子半径，离子半径，则：则：则：则：30%不能形成固溶体不能形成固溶体第8页/共32页第九页，共32页。(2)晶体的结构
11、类型晶体的结构类型 形成连续固溶体，两个形成连续固溶体，两个(lin)组分应具有相同的晶体结构或化学式类似。组分应具有相同的晶体结构或化学式类似。如：如：MgO和和NiO（NaCl结构）、结构）、Al2O3和和Cr2O3（刚玉结构）、（刚玉结构）、Mg2SiO4和和Fe2SiO4（尖晶石结构）等。（尖晶石结构）等。PbZrO3和和PbTiO3的的Zr4+(0.072nm)与与Ti4+(0.061nm)，比值，比值：Fe2O3和和Al2O3(0.0645nm 和和0.0535nm),比值比值(bzh)：虽然虽然(surn)结构同为刚玉型，但它们只能形成有限固溶体；结构同为刚玉型，但它们只能形成有
12、限固溶体；高温立方相稳定，所以为连续高温立方相稳定，所以为连续SS第9页/共32页第十页，共32页。TiO2（红金石型结构）和（红金石型结构）和SiO2（石英结构）结（石英结构）结构类型不同，不能形成连续构类型不同，不能形成连续(linx)SS，但能形，但能形成有限的成有限的 SS。在钙钛矿和尖晶石结构中，在钙钛矿和尖晶石结构中，SS特别易发生。它特别易发生。它们的结构们的结构 基本上是基本上是较小的阳离子占据在大较小的阳离子占据在大离子的骨架的空隙离子的骨架的空隙 里，只要保持电中性，只要里，只要保持电中性，只要这些阳离子的半径在允许的界限内，阳离子种这些阳离子的半径在允许的界限内，阳离子种
13、类无关紧要的。类无关紧要的。第10页/共32页第十一页，共32页。(3)离子电价离子电价离子价相同或离子价态和相同，这形成离子价相同或离子价态和相同，这形成(xngchng)连续固溶体。连续固溶体。例如例如 是是 的的B位取代。位取代。复合复合(fh)钙钛矿型压电陶瓷材料钙钛矿型压电陶瓷材料(ABO3型型)中，中，是是 的的A位取代。位取代。钠长石钠长石NaAlSi3O8钙长石钙长石CaAl2Si2O8,离子离子(lz)电价总和为电价总和为+5价：价：第11页/共32页第十二页，共32页。（4）电负性）电负性电负性相近电负性相近有利于有利于SS的形成，的形成，电负性差别大电负性差别大趋向生成化
14、合物。趋向生成化合物。Darken认为电负性差认为电负性差 0.4 的，一般具有很大的固溶度，的，一般具有很大的固溶度，是固溶溶解度大小的一条边界。是固溶溶解度大小的一条边界。比离子半径相对差比离子半径相对差15%的系统中，的系统中，90%以上是不能生成以上是不能生成SS的。的。总之，对于氧化物系统，总之，对于氧化物系统，SS的生成主要决定的生成主要决定(judng)于离子尺寸于离子尺寸与电价的因素。与电价的因素。第12页/共32页第十三页，共32页。半径差半径差15%电电负负性性差差0.4椭圆内椭圆内65%固溶度很大固溶度很大外部外部85%固溶度固溶度CaF2TiO2MgO第18页/共32页
15、第十九页，共32页。(2)(2)保持保持保持保持(boch)(boch)结构中的电中性：结构中的电中性：结构中的电中性：结构中的电中性：a.a.原子填隙：例如原子填隙：例如原子填隙：例如原子填隙：例如CC在在在在FeFe中间隙中间隙中间隙中间隙SSSS。过渡元素与。过渡元素与。过渡元素与。过渡元素与CC、BB、NN、SiSi等形成的硫化物、硼化物、氮化物、硅化物等本质是等形成的硫化物、硼化物、氮化物、硅化物等本质是等形成的硫化物、硼化物、氮化物、硅化物等本质是等形成的硫化物、硼化物、氮化物、硅化物等本质是SSSS。在金属结构中，。在金属结构中，。在金属结构中，。在金属结构中，CC、B B、NN
16、、Si Si占据占据占据占据“四孔四孔四孔四孔”和和和和“八孔八孔八孔八孔”，称金属硬质材料，它们有高硬或超硬性能，熔点极高。例如：，称金属硬质材料，它们有高硬或超硬性能，熔点极高。例如：，称金属硬质材料，它们有高硬或超硬性能，熔点极高。例如：，称金属硬质材料，它们有高硬或超硬性能，熔点极高。例如：HfC(HfC(碳化铪碳化铪碳化铪碳化铪)熔点熔点熔点熔点38903890,TaN(,TaN(氮化钽氮化钽氮化钽氮化钽)熔点熔点熔点熔点30903090,HfB2(,HfB2(硼化铪硼化铪硼化铪硼化铪)熔点熔点熔点熔点32503250,80%mol TaC+20%mol HfC m.p=3930,8
17、0%mol TaC+20%mol HfC m.p=3930。b.b.离子填隙离子填隙离子填隙离子填隙 阳离子填隙：阳离子填隙：阳离子填隙：阳离子填隙：阴离子填隙阴离子填隙：第19页/共32页第二十页，共32页。定义：把原子或离子定义：把原子或离子(lz)(lz)的比例不成简单整数比或固定的比例不成简单整数比或固定 的比例关系的的比例关系的 化合物称为非化学计量化合化合物称为非化学计量化合 物。物。实质：同一种元素的高价态与低价态离子实质：同一种元素的高价态与低价态离子(lz)(lz)之间的置之间的置 换型固溶体。换型固溶体。例例 ：方铁矿只有一个近似的组成：方铁矿只有一个近似的组成Fe0.95
18、OFe0.95O，它的结，它的结 构中总是有阳构中总是有阳 离子离子(lz)(lz)空位存在，为保持结构电空位存在，为保持结构电 中性，每形成一个中性，每形成一个 ,必须有必须有2 2个个Fe2+Fe2+转变转变 为为Fe3+Fe3+。第四节第四节 非化学非化学(huxu)(huxu)计量化合物计量化合物第20页/共32页第二十一页，共32页。非化学计量非化学计量(jling)化合物可分为四种类型：化合物可分为四种类型：阳离子填隙型阳离子填隙型阴离子间隙阴离子间隙(jin x)型型阳离子空位阳离子空位(kn wi)型型阴离子缺位型阴离子缺位型第21页/共32页第二十二页，共32页。TiO2晶体
19、在缺晶体在缺O2条件下，在晶体中会出现条件下，在晶体中会出现(chxin)氧空位。缺氧的氧空位。缺氧的TiO2可以看作可以看作Ti4+和和Ti3+氧化物的氧化物的SS，缺陷反应为：，缺陷反应为：Ti4+e Ti3+,电子电子e并不固定在一个特定的并不固定在一个特定的Ti4+上，可把上，可把e看看作作 在在 负离子空位周围。因为负离子空位周围。因为 是带正电的，在电场作用下是带正电的，在电场作用下e可以可以 迁迁 移，形成电子导电，易形成移，形成电子导电，易形成色心色心。氧分压与空位浓度氧分压与空位浓度(nngd)关系：关系：色心的形成色心的形成(xngchng)：1、阴离子缺位型、阴离子缺位型
20、 TiO2x第22页/共32页第二十三页，共32页。2、阳离子填隙型、阳离子填隙型 Zn1+xO ZnO 在在Zn蒸汽中加热，颜色加深蒸汽中加热，颜色加深(jishn)，缺陷反应为：缺陷反应为：第23页/共32页第二十四页，共32页。3 3、阴离子间隙、阴离子间隙(jin x)(jin x)型型很少，只有很少，只有UO2+x可以看作可以看作U3O8（2UO3.UO2)在在UO2中的中的SS。由于结构中有间隙阴离子，为保持由于结构中有间隙阴离子，为保持(boch)电中性，结构中出现电子电中性，结构中出现电子空穴，反应式为：空穴，反应式为：同样，同样，也不局限于特定的正离子，它在电场下运动，所以是
21、也不局限于特定的正离子，它在电场下运动，所以是P型半导体。型半导体。第24页/共32页第二十五页，共32页。为了保持电中性在正离子空位周围捕获为了保持电中性在正离子空位周围捕获(bhu),是是P型半导体。缺陷反应为：型半导体。缺陷反应为：为保持为保持(boch)电中性，两个电中性，两个综上所述，非化学综上所述，非化学(huxu)计量化合物组成与缺陷浓度有关，并与氧分压有关，或与气氛有关。计量化合物组成与缺陷浓度有关，并与氧分压有关，或与气氛有关。4、阳离子空位型、阳离子空位型 如如Fe1xO ,Cu2xO第25页/共32页第二十六页，共32页。第五节第五节第五节第五节 固溶体的研究固溶体的研究
22、固溶体的研究固溶体的研究(ynji)(ynji)方法方法方法方法举例举例举例举例(j(j l)l)：CaOCaO加到加到加到加到ZrO2ZrO2中，在中，在中，在中，在16001600该固溶体为立方萤石结构。经该固溶体为立方萤石结构。经该固溶体为立方萤石结构。经该固溶体为立方萤石结构。经x x射线分析测定，当溶入射线分析测定，当溶入射线分析测定，当溶入射线分析测定，当溶入0.150.15分分分分子子子子CaOCaO时晶胞参数时晶胞参数时晶胞参数时晶胞参数a=0.513nm,a=0.513nm,实验测定的密度值实验测定的密度值实验测定的密度值实验测定的密度值DD5.477g/cm3.5.477g
23、/cm3.解：从满足电中性要求考虑，可以写出两种固溶方式：解：从满足电中性要求考虑，可以写出两种固溶方式：解：从满足电中性要求考虑，可以写出两种固溶方式：解：从满足电中性要求考虑，可以写出两种固溶方式：如何如何(rh)确定其固溶方式？确定其固溶方式？固溶体能否形成，可根据固溶体形成条件及影响固溶体溶解度的因素进行估计。也可以用各中相分析及结构方法进行研究。1、最基本的方法最基本的方法：用：用x射线结构分析测定晶胞参数，射线结构分析测定晶胞参数，并测试并测试SS的密度和光学性能来判别的密度和光学性能来判别SS的类型。的类型。第26页/共32页第二十七页，共32页。实测实测D5.477 g/cm3
24、 接近接近d计算计算2说明方程说明方程(2)合理，合理，固溶体化学式固溶体化学式 ：Zr0.85Ca0.15O1.85 为氧空位型固溶体。为氧空位型固溶体。附：当温度在附：当温度在1800 急冷后所测的急冷后所测的D和和d计算比较，发现该固溶体为阳离子填隙形式，而且缺陷类型随着计算比较，发现该固溶体为阳离子填隙形式，而且缺陷类型随着CaO溶入量或固溶体的组成溶入量或固溶体的组成(z chn)发生明显的变化。发生明显的变化。第27页/共32页第二十八页，共32页。第五节第五节 固体固体(gt)的性质及应用的性质及应用 任何一种晶体材料，其性能总是决定于化学组成和结构(jigu)这两方面。固溶体正
25、是在组成和结构(jigu)两方面对材料的结构(jigu)敏感性起作用。如强度、磁性能、电性能、光性能及扩散等。固溶体的组成与结构(jigu)的关系，可以用固溶体的组分与晶胞参数的关系来总结其规律，包括：卫格定律和雷格定律。第28页/共32页第二十九页，共32页。1、卫格定律和雷格定律 卫格定律（Vegar Law)“固溶体晶胞(jn bo)参数是杂质浓度的线性函数”其表达式为：ass=a1c1+a2c2 式中ass、a1c1、a2c2 分别表示固溶体及两个构成固溶体组分的晶胞(jn bo)参数。c1、c2分别表示两个组分浓度。雷格定律：表示晶胞(jn bo)体积的加和性：式中ass、a1c1、a2c2 分别表示固溶体及两个构成固溶体组分(zfn)的晶胞参数。c1、c2分别表示两个组分(zfn)浓度。第29页/共32页第三十页，共32页。2、固溶体的力学定律 通常固溶体的强度随溶质浓度的增加而提高。3、固溶体的电学定律 金属中的杂质使电阻率增加，导电能力(nngl)下降；绝缘体和半导体的缺陷一般使导电能力(nngl)大大增加。4、固溶体的光学定律 利用固溶体的特性可以制造透明陶瓷。第30页/共32页第三十一页，共32页。END第31页/共32页第三十二页，共32页。