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1、半导体物理期末复习第三章 半导体中载流子的统计分布2物理与光电工程学院1.简述下列概念:(1)简并性系统和非简并性系统;答：必须用费米分布函数来描述的电子系统为简并系统；可以用玻尔兹曼分布来描述的系统为非简并系统。(2)量子态密度和状态密度;答：单位K空间中的量子态数目称为量子态密度；单位能量间隔内的量子态数目称为状态密度。3物理与光电工程学院(3)导带有效状态密度和价带有效状态密度答：对于非简并的半导体，平衡态时导带中的电子浓度可以等价于能量处于导带低E c的Nc个量子态中的总电子数，即：式中：称为价带的有效状态密度。这里为NC导带的有效状态密度，是温度的函数。类似地，对于非简并的半导体，平
2、衡态时价带中的空穴浓度可以等价于能量处于价带顶E v的Nv个量子态中的总电子数，即：4物理与光电工程学院2.载流子浓度乘积n0p0与哪些因素有关?答：平衡态时载流子浓度的乘积与半导体的材料和温度有关，与半导体的杂质浓度无关。思考：若简并，则结果如何？5物理与光电工程学院3*、证明单掺杂n型半导体中，费米能级随温度的增加达到最大值，写出其最大值。对于单掺杂的p型半导体，推导相应的条件和相应的极值。6物理与光电工程学院P90.1.计算能量在E=Ec到 之间单位体积中的量子态数。解：7物理与光电工程学院P90：18、掺磷的n型硅，已知磷的电离能为0.044eV，求室温下杂质一半电离时费米能级的位置和磷的浓度。解：n型硅，ED0.044eV，依题意得：8物理与光电工程学院