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1、第 2 1 卷 第6 期 V0 l _ 21 No 6 钦州学院学报 J OU RN A L OF Q I N Z HOU U NI V E R S I T Y 2 0 0 6年 1 2月 D e c ，2 0 0 6 导 电 高分 子 材 料 在 电磁 屏 蔽 的 效 能 分 析 梁 韶 华(钦州学院 物理与电子工程系，广西 钦州 5 3 5 0 0 0)摘要 导电高分子材料在电磁屏蔽领域有着广阔的应用前景 按结构及制备方法不同，可将导电高 分子材料分为本征型与复合型两大类 导电填料高分子基体和复合工艺是影响导电高分子材料电磁效能的重 要 因素 关键词 电磁屏蔽；导电高分子复合材料；屏蔽效能
2、 中图分类号T Q 3 1 7 文献标识码A 文章编号1 6 7 3 8 3 1 4(2 0 0 6)0 6 0 0 5 4 0 5 近 年来，随着 科 学技 术 和 电子 工 业 的 高速 发 展，各 种数字 化、高频化 的 电子 电器设 备在 工作 时 向空 间辐射 了 大量 不 同波 长 和 频率 的 电磁 波，从 而导致 新 环 境 污 染 电磁 波 干 扰(E l e c t r o ma g-n e t i c I n t e r f e r e n c e，E MI)和放 射频 率 干 扰(Ra d i o F r e q u e n c y I n t e r f e r e
3、n c e，RF I)与此 同时，电 子元 器 件 也正 向着小 型化、轻量 化、数 字 化 和高密 度集 成 化方 向发展，灵 敏度 越来 越高，很 容易 受到 外界 电 磁 波干 扰而 出现误 动、图像 障碍等 电磁辐 射产 生 的 电磁 干扰不 仅 影 响 到 电子 产 品 的性 能 实 现，而 且 由此 而引起 的 电磁污 染会对 人类 和其它 生物 体 造成 严 重的伤 害 为解 决 电磁 波辐 射 造 成 的干 扰 和 泄漏，主要采 用 电磁屏 蔽材 料进 行屏 蔽，实现 电 子 电器设 备与 环 境 相 调 和，相共 存 的 电磁 兼 容 环 境(E l e c t r oma
4、g n e t i c C o mp a t i b i l i t y)电磁 屏 蔽 技 术 通 常使 用 标 准 金 属 及 复合 材 料，它们 的屏蔽 效 能很 好，但 是 存 在 重 量 大、价 格 昂贵、易腐 蚀、难 于 调节 屏 蔽 效 能 等 缺 点 导 电高 分子 材 料(C o n d u c t i n g P o l y me r s，CP s)具 有 同样 电 磁 屏蔽 性 能且 重 量 轻、韧 性 好、易 加 工、电导 率 易 调 节、成 本低、易 大 面积 涂 敷、施 工 方 便 因 此，它 是 一种 非常 理想 的替 代传 统金 属 的新 型 电磁 屏蔽 材 料，
5、可应用 在计 算 机房、手机、电视机、电脑 和 心 脏 起搏 器等 电 子 电器 元件 上 -2 1 电磁 屏 蔽 原 理 电磁 屏蔽 主要 用 来 防止 高频 电磁 场 的影 响，从 而有 效 地控 制 电磁波 从某 一 区域 向另一 区域 进 行辐 射传播 其 基本 原 理是：采用低 电阻值 的导 电 材料，并利 用 电磁 波 在屏 蔽 导 体 表 面 的 反射 和 在 导体 内部 的 吸收，以及 传 输 过 程 的损 耗 而 产 生 屏 蔽作 用，通 常 用 效 能(S E)表示 所 谓 屏 蔽 效 能 是 指没有 屏蔽 时 入射 或发 射 电磁波 与在 同一 地点 经 屏 蔽后 反 射
6、或 透 射 电磁 波 的 比值，即 为屏 蔽 材 料 对 电磁 信 号 的 衰 减 值，其 单 位 用 分 贝(d B)表 示，可写成 如 下方 程式 J：S E=2 0 l o g(E6 E。)S E=2 0 l o g(日a)(1)S E=2 0 l o g(P6 P )式 中、E。分 别 表 示 屏 蔽 前、后 电场 强 度，为屏 蔽 前、后 的磁场 强 度，、P 为屏 蔽 前、后 的能量 场 强 度 衰 减 值 越 大，表 明 屏 蔽 效 能 越 好 根 据 S c h e l k u n o ff电磁屏 蔽理论，金 属材 料 的屏 蔽 效 能可 用下式 表示：S E=R+A+口 (2
7、)式 中 为 电磁 波 的反 射损 耗。A为 电磁 波 的 吸收损 耗，口为 电磁 波 在 贫 比材 料 内部 多 次 反 射 过 程 中的 损耗 当 Al O d B时，口 可忽 略 不计，故 收稿日期2 0 0 6 0 91 5 作者简介粱韶华(1 9 6 7 一)，女，广西钦州人，钦州学院物理与电子工程系讲师 维普资讯 http:/ 第6 期 梁韶华：导电高分子材料在电磁屏蔽的效能分析 5 5 式(2)可表 示 为：S E=R+(3)其 中：R=1 6 81 0 1 o g(f b*，t r，)(4)A=1 3 1(，t r，)(5)式 中，为屏 蔽材 料 的相对磁 导 率，o r，为相
8、 对 电导率 为 电磁 波 频率(Hz)，z为屏 蔽 材 料 厚 度(c m)由式(4)、(5)可 知，对 于 银、铜、铝 等 良导 体，r，大，则 R值 大 即在 高 频 电磁 场作 用 主 耍 取 决 于表 面反 射损 耗，且 金 属 的 o r，越 大，屏 蔽 效 能 越好；而对 于铁 和铁镍 合金 等 高磁 导率，大则 A 值 大，这表 明 当屏 蔽 材料 衰减 的低频 电磁 场 时，吸 收损 耗将起 主要 作用 因此，凡 做低 频屏蔽 的导 电 层必 须具有 良好 的 电导 率 和 磁 导 率，并 且要 有 足 够厚 度 通常，屏蔽 效能 的具 体分 类 为：01 0 d B几 乎
9、没有 屏蔽作 用；1 03 0 d B有 较 小 的屏 蔽 作 用；3 0 6 0 d B为 中等屏 蔽效 能，可 用 于一 般 工业 或商 业 用 电子产 品；6 09 0 d B则 屏 蔽 效 能 较 高，可 用 于 航 空航 天及军 用仪器 设 备 的屏 蔽；9 0 d B以上 的屏 蔽材 料 则具有 最 佳 屏 蔽 效 能，适 用 耍 求 苛 刻 的 高 精度、高敏 感 度产 品 根 据 实 用 需 要，对 于 大 多 数 电子产 品的屏 蔽材 料，在 3 0I O 0 0 MH z 频 率 范 围 内，其 S E至 少 达 到 3 5 d B 以上(相 对 应 的体 积 电 阻 率
10、P 在 1 0。n c m 以 下)，就 认 为是 有 效 的 屏 蔽 4 导 电高 分子 复合 材 料通 常 由导 电填 料、高 分 子 基体 及其 它 助剂 所 组 成，经 注 射 成 型或 挤 出 成 型等工 艺过 程制成 具 有一定 导 电性 能的 电磁屏 蔽 材 料 由于导 电高 分 子 复合 材 料 具 有 成 型加 工 和 屏 蔽一 次完 成 的特 点，从 而可 以大 大 缩短 工 艺 过 程，降 低生产 成 本，便 于 大 批量 生 产，提高 产 品 的 可 靠性，因此 是 目前 具有 发展 前 途 的 新 型 电磁 屏 蔽 材料 2 导 电高分 子材 料 导 电机 理 按 结
11、 构 和制 备 方法 不 同，可 将 导 电高 分子 材 料(C P s)分为 本 征(结 构)型 与 复合 型 两 大类 导 电高 分子 材料 具有 特殊 的结构 和优 异 的物理 化学 性质，其 室温 电导 率 可 在 绝 缘 体一 半 导 体一金 属 导体 范 围 内变 化(1 0一S c m 一1 0 S c m)其 导 电特 性是 它在抗 静 电、电磁 屏 蔽 和 吸 波材 料 上 的 重 要 应用 基础 2 1 本 征 型 导 电 高 分 子 材 料 导 电 机 理 本 征 型 导 电 高 分 子 材 料(I n t r i n s i c c o n d u c t i n g
12、p o l y me r s，I C P s)是 由具体共 轭 仃键 的聚合 物，经 化 学或 电化学“掺 杂”后 形 成 导 电，导 电性 显示 强 烈 的各 向异 性，通 过 大 分子 仃键 电子 云交 叠形 成 导带 共轭 分子 键 的方 向就 是 导 带方 向 从 导 带 载 流子 的种类 来看，又 被分 为离子 型 和电子 型两类 离 子型导 带高分 子材 料通 常又 叫高分 子 固体 电解 质，其导 电时 的载流 子主要 是离 子；电子 型导 电高 分子 材料 指 的 是 以 共 轭 仃 键 大 分 子 为主 体 的导 电高分 子材料，导 电时 载流 子是 电子(空穴)或 孤 子(
13、S o l i t o n)高 分子 聚 合 物 导 电必 须 具 备 两 个 条 件：(1)要 能产 生足够 数量 的载 流子(电子、空 穴 或离 子、孤 子 等)；W P S U J R S c h r i e f f e r和 A J He e g e r 于 1 9 7 9年 提 出孤 子(S o l i t o n)理 论(简 称 S S H 理 论)根 据 这 一 理 论，孤 子、极 化 子(P o l a r o n)和双 极 子化(B i p o l a r o n)被 视为 导 电高分子 的导 电载 流 子 试 验证 实，“掺 杂”是 实 现 高 分 子 导 电 的有 效 途
14、 径，而且 证 实 了它 的可 靠 性 和 实 用 性 “掺 杂”是氧 化还原 过程，其 实 质 是 电荷 转 移；其 次，导 电 高分 子 的“掺杂”量 很 大，可 高达 5 0 ；再次，导 电 高分子 有“脱 掺杂”过 程，而且“掺 杂一脱 掺 杂”过 程完 全可逆 “掺 杂”所 用 方 法 包 括 化 学方 法、电 化学 方法 以及 无离 子 引 入 的 暂态 掺 杂 法 等 无 论 在掺 杂实 质、掺 杂 量、掺 杂 后形 成 的载 流 子 性 质、掺杂 脱掺 杂可逆 等 方 面 与无 机半 导 体 的“掺杂”概念 有着本 质 的 区别 因此，深 入 了解“掺 杂”实 质、导 电机理，
15、探 索新 的“掺 杂”方 法，为新 型导 电 高分 子 材料应 用打下 坚实 的基 础 2 2 复合型导 电高分 子材 料导 电机 理 复合 型导 电高 分子 材 料(C o n d u c t i n g P o l y me r C o mp o s i t e s，C P CS)是指 物 理改 性 后 具 有 导 电性 的高分子 复合 材 料，它 以非导 电 型高 分 子材 料 为 基体，加入一 定 数 量 的导 电材 料(如 碳 黑、石 墨、碳 纤维、金属 粉、金 属 纤 维、金 属 氧 化 物 等)组 合 而成 复合方 法主要 有 两种，一 种是 对 已经成 型 的 朔料壳 体进行
16、表 面处 理 的表 面导 电膜 形 成法，包 括 金属 喷镀、真空镀、溅 射镀、贴金 属箔、湿法 化 学 镀 或 电镀等；另 一 种称 为 电镀 填 料机 械 加 工 共 混 复合 法，即将 导 电填 料 均 匀 分 散 于 聚合 物 基 体 中 制成 导 电涂 料或 导 电塑料 复合 型导 电高 分 子 材 料 的导 电 机 理 比较 复 杂 一 般可 分为导 电回路如何 形 成，以及 回路形成 后如 何导 电两个 方 面 Mi y a s a k a等认 为 高 分子 树 脂基 体 与导 电填料 之间 的界面效 应对 复合 体系 中 导 电 回路的形 成 具 有很 大 的影 响，复合 型导
17、 电高 分 子形 成导 电 回路 后，导 电性 主 要 取决 于分 布 于 高 分子 树脂基 体 中 的导 电填 料 的 电子传 输 总 的 说 来。其导 电性 能 主 要 是 三 种 导 电 机 理(导 电通 维普资讯 http:/ 5 6 钦州学院学报 第2 1 卷 道 效应、隧 道 效应、场 致 效应)相 互 竞 争 的 作 用 在 不 同情况下 出现 以其 中一种 机 理为 主导 的导 电 现象 3 导 电填 料 对 屏 蔽 效 能 的影 响 3 1导 电填料 的 性质 电磁屏蔽 用导 电高分子 复合 材料 的导 电填 料 主要是 一些 导 电性 能优 良金 属粉 末、金属 片或 金
18、属纤维，镀金 属 的碳纤 维、石 墨纤 维 和云母 以及 炭 黑、石 墨等非金 属 填料 仅从 单一 物质 的导 电性 而 言，使用 金属粉 末 或金 属 片 当然 是 既有 效 又 经 济 的选 择 尤其 当需要 特别 高 的 电导 率 时，最 好选 用 银 粉或 金粉 做导 电填 料 银 粉 在 高 分 子基 体 中 的 含量为 5 0 5 5 时，复合 材料 的 p 约为 l O 一 l O n c m，屏 蔽 效 能 高 达 8 0 d B以 上 但 由于 银 粉 或金 粉价格 昂 贵，仅 限 于某 些特 殊场 合下 使 用 铜 是优 良的导 电体，且价 格适 中，但她 容易 被氧 化
19、 而降低 导 电性 能 为 了解 决这 一 问题，通常 采用 抗 氧化剂 对铜 粉进 行 表 面 处 理 抗 氧 化剂 包 括 有 机 胺、有 机硅、有 机钛、有 机磷 等化合 物；或用 较不 活 泼 的金 属包覆 铜粉 和镍、银混 合使 用，均可 达到 理 想 的屏 蔽效 能 铝 片则 具 有 密 度 小、颜 色 浅、价 格 低 等优 点，并具 有较 大 的长径 比，容易 在高 分子 基 体 中形 成导 电 网络 但 是铝 的导 电性 不太 高，如添 加 3 0 铝 片 的 尼 龙 复 合 材 料，其 屏 蔽 效 能 在 O 51 0 0 0 MHz范 围内仅 为 1 51 8 d B 近
20、年来，国 内外对 金 属纤 维填 充 高分 子 复 合 材 料 的研究进 展迅 速 与金属 粉末 相 比，金 属纤 维 有 较大 的长径 比 和接 触 面积 因 此 在相 同 的填 充 量 的情 况下，金 属纤 维 易形成 导 电 网络，其 点 电导 率 较高，屏蔽 效 能 较 好 J 例 如，采 用 为 震 动 切 割 技 术制 得 的黄 铜 纤 维 填 充 尼 龙，当 填 充 量 为 l O ()时，复合 材 料 的体 积 电阻 率 1 0一l-e m，屏 蔽效 能可 达 6 0 d B 用 铁 纤 维 填 充 尼 龙、P P、P C等 高分子 制 成 的 复 合 材 料，当填 充 量 为
21、2 O()2 7()时，屏蔽 效 能 也 高达 6 O一8 0 d B 此 外，不 锈钢 纤 维具 有 耐 腐、抗 氧 化 性 好、导 电 性 高 等 优 点。虽然价 格 较高，但用 量少，因 而也得 到 广泛 应 用 例 如，对 于直 径 为 7 m左 右 的不 锈钢 纤 维，当 填 充量 为 6(t)时，与 P C、P S等高 分 子 制 成 的 复合材 料，其 屏 蔽 效 能 为 4 0 d B，随着 填 充 量 的 增 加，屏 蔽效 能也会 相应 提 高H J 除 上述 金 属纤 维作 为 导 电填 料 外，还 有镀 金 属 的碳纤维、石 墨纤 维 和 云母 片等 也 有 很 好 的
22、导 电性 能，利用 这 类 复 合 填料 制 备 的导 电高 分子 复 合 材 料成本 低、屏蔽 效 能 高 例 如，用 1 5(w t)镀 镍 碳 纤 维 填 充 P A、P C等高 分 子 基 体 制成 的复 合 材料，屏蔽 效 能可 达 4 0 d B以上 采 用 镀镍 率 2 5 加镀 铜率 2 5 的云母 片，当填充 量 为 l 7 5()时，与 P P制成 的复合 材料在 01 0 0 0 MH z频率 范 围 内的屏 蔽效 能可 达 4 06 0 d B，即在 高 频 区域 的 屏蔽效 能 尤 为明显 此 外，美 国和 日本 近年 开发 一 些 超 细碳 黑 也 可用 于制 造
23、导 电高 分 子 复合 材 料，它 们 与 PP复 合后 的屏 蔽 效 能在 5 01 0 0 0 MH z范 围 内，4 0 d B，且体 积 电阻率 可在 1 O1 O n c m 范 围 内调 节，材料 重量 轻，比重 仅 为 1 8 r Vc m。若将 石 墨 粉 渡 镍 后 制成 的导 电填 料 与 高 分 子材 料 复合，还 可 进 一步 提高 复合 材料 的屏 蔽效 能 3 2导 电填料 的 形态 导 电填 料 的形 态，尤 其 是 长径 比对 导 电高 分 子复 合材 料 的屏 蔽 效 能 有 显 著 的影 响 长 径 比越 大，则 导 电性越 好 目前 常用 的金 属纤 维
24、的长径 比 一般 为 5 O6 O，当填 充 量 为 l O()一l 5()时便 具有 足够 的导 电性 能，而 粉 末 状 导 电填 料 的 填充 量则 要达 到 4 0()左 右，这样 就 会 影 响 到 复合 材料 的力 学性 能 长径 比越 大，表 明更容 易 形 成导 电 网络 因此在 填 充量相 对较 低 的情况 下，能 够保证 较好 的导 电性 能和 电磁 屏蔽 效 能 例 如，长 径 比为 1 2 5的 金 属 纤 维，当 填 充 量 为 1 5()时，复合 材料 的屏 蔽效 能为 4 0 d B；而长径 比为 2 5 0 的纤 维状 导 电填 料，其用 量 仅 需 O 4()
25、左 右，便 可 达到 同样 的屏 蔽 效 能 这 样 既 可 以降 低 成 本，又使 材 料 的 比重 下 降，而 力 学 性 能 明 显提 高 因此，采用 长径 比大 的金 属 纤 维 对提 高 导 电高 分 子 复 合材 料 的屏 蔽 效 能十分 有利 此外，导 电填 料 的表 面形 态 以及 在 高分 子基 体 中的分 散状 况也 会 影 响 复合 材料 的屏 蔽效 能 若 采用 多孔 质、比表 面 大 以及 分散 性 好 的导 电填料，则 容 易获 得 较 好 的 屏 蔽效 能 3 3导 电填料 的 用量 试 验 研究 表 明，导 电高 分 子复 合 材 料是 通 过 导 电填 充之
26、间相 互 接触 形成 的导 电通路 而 实现 电 流传导 的 随着 导 电填料 的增 加，复合材 料 的体 积 电阻率 不 断下 降，在 电 阻率一 导 电填 料 曲线 上 出 现一个 突 变 区域，导 电填 料 用量 的微 小 变 化 会 导 致 电阻率 的显著 改 变 超 过这 一 临界值 后，电阻 率 随导 电填料 用 量 的变 化 又趋 于缓 慢，通 常 将 导 电 填 料 的这一 临界 含量 称 为“渗 虑 阀值”通 过 电子显 微镜 技术 观察 导 电高分 子 复合 材 料 的结 构发 现，当导 电填料 用量 较少 时，填料 分 散 在 高分 子基 体 中互 相接 触很 少，故 导
27、 电性较 差 随 维普资讯 http:/ 第6 期 梁韶华：导电高分子材料在电磁屏蔽的效能分析 5 7 着 导 电填料 用量 的增 加，填 料 之 间 相互 接 触 的 机 会 增多，使导 电性 逐 渐提 高 当导 电填 料 达到“渗 虑 阀值”时，填料相 互 接 触 形 成 了无 限 网链 这 个 网链 就像 金 属 网贯 穿 于 高 分 子基 体 中，即形 成 了 导 电通路 不 同 的导 电填料有 不 同 的临界填 充量，而 同一 导 电填 料 填 充 不 同 的 高 分 子 基 体 时，其“渗 虑 阀值”也 不 同 一 般 说 来，导 电填 充 的 用 量 增加，复合 填 料 的导 电
28、性 能 和屏 蔽 效 能也 相对 提 高，但 导 电填 料 的用 量 不 仅 影 响 复合 材 料 的 屏 蔽 效 能，而 且影 响材料 的力学性 能 对于 导 电性 较 差 的 导 电填 料，为 了达 到一定 的屏蔽 效能，必须 增 大 达 到填料 的填 充 量，但 由此 会 导致 复合 材 料 力 学 性 能的下 降 对 常用 的金 属纤 维来 说，其用量 一 般 以 1 2()2 0()为宜 3 4 高分 子基体 对 屏蔽 效能 的影 响 高 分 子 作 为复 合 材 料 的连 续 相 和粘 结基 体，其种 类 和结 构 对 材 料 的屏 蔽 效 能 也 有 明显 的 影 响 一般来 说
29、，以不 同种 类高 分子 材料 为基体 制 成 的 复合材 料，随着 高分子 材料 表 面张力 的减 小，其 导 电性能 和 电磁 屏 蔽 相 应 提 高；而 对 于 同一种 类 高分 子材 料 为基 体 的 复 合 材料，其 导 电性 能 随 高 分子 粘度 的 降低而 升 高 这是 由于粘度 越低，导 电 填料 的分 散效 果 就 越 好 高 分 子基 体 的结 晶 度 越 大，则导 电性 能越 好 这 可 以理 解 为，导 电填 料 主 要分 布在 高分 子 基 体 的 非 晶 区，所 以 当结 晶相 对 比例增 D,-J-，在填料 用量 相 同的情 况下，高分 子 非 晶 区导 电填料
30、 的含 量 就 相对 增 大，则形 成 导 电 通 路 的 n 率就 越 大 例 如，以不 锈 钢 纤 维 为 导 电填 料，分别 与 A B S和 P P两 种 高分 子 材 料 复 合 制 成 电磁屏 蔽 用 导 电复合 材 料 结 构 发 现，结 晶性 P P 基 体 比无 定 型 的 A BS基 体 所 需 的 纤 维 临 界填 充 量低，即在相 同的不 锈 钢纤维 含量 条件 下，结 晶性 P P基 复合材 料 的导 电性 能 和屏 蔽 效 能 均 优 于 无 定 型 的 AB S基 复合 材料 J 此 外，高分 子 基 体 的 聚合 度 和交 联 度也 会 影 响到复 合材 料 的
31、 导 电性 能 聚 合 度 越 高，价 带 和导 电带 的能 隙越 小，导 电性 越 高，但 聚合 度太 高 叉会 影 响复 合 体 系 的相 容 性 交 联 使 复合 材 料 的 导 电性 下降 这 是 由于 一方 面 交 联 使 高分 子 基 体 的结 晶性降 低，而 非 晶部分 增 大，另一 方 面交联 影 响和 阻碍 了导 电粒 子 的迁 移和 运动 能力 因此，选 择 高分 子基 体 时，应 根 据各 组 份 性 能 及 其 它条 件 综合考 虑，目前 常 用 的 高 分 子 基 体 有 A B S、P P、P P O、P C、P V C、P E以及 P A等等 3 5 复 合 工
32、艺 对 屏 蔽 效 能 的 影 响 复合材 料 的导 电性 能 和屏 蔽 效能很 大程 度上 取 决于 导 电填 料与高 分 子基体 的 分散状 况 和导 电 结 构 的形 成过 程 为保证 各组 分充 分混合，复合 体 系 必须 进行 混炼，但 混 炼 往 往 又会 破 坏 导 电 填料 的组织结 构，从 而 影 响 导 电性 能 因 此，选 择合 理 的混炼 工 艺 参 数 和混 炼 设 备 的 技 术 参 数 十分 关 键 例如，挤 出时，受 力应尽 可 能小，剪切 速度 尽 可 能低，以保 持导 电组 织结 构的 完整性 加工 温 度 升 高 或流体 熔体 直 数增 大，可 以 降低
33、复 合 体 系 的粘 度 和剪 切应力 延 长 成 型 时 间也 有 利 于 保持 导 电 结构 的 完整性 1 l 当用 金属 纤 维 做导 电填 料 时，由 于其 与 高分 子基 体 的结合 力 较差，造 成金 属 纤 维 在 基体 中分 散不 好且 纤维 容 易折 断 而 降低 长 径 比 为 了解 决 这一 问题，B a y e r 公 司将金 属纤 维在 距料 简末端 前 方 约 3 D(D为螺杆 直径)处加 料，认 为此 处具有 足 够 的压力使 物 料 均化，同 时也 减 少 了 因强烈 的剪 切作 用而 引起 的纤维 磨 损 日本 东 芝 化 学公 司采 用特 殊母 粒法，使
34、填 充长纤 维成 为可 能 由这种 复 合工 艺制 得 的铜 纤 维 P P 0复合 材 料 具有 填 充 量 少、填料 分散均 匀、成 本 低、屏 蔽效 能 好 等 突 出 的 优点，因此是一 种先 进 的复合工 艺 综 上 所述，影 响导 电 高分 子 复合 材 料 的 电磁 屏蔽 效能 的 因素是多 种多样 的 除上 述 因素外，复 合体 系 中的各种 助剂、成 型加工 模具、使用 环境 及 使用 时 间等都会 在一 定程 度上影 响复合材 料 的屏 蔽效 能 为 了进一 步 开发 和使用 更 多性 能 优异、成 本低、屏蔽 效能 高 的导 电高分子 复合 材料，必 须充 分考 虑性 能
35、、价 格 和加工性 等综 合 因素，以满 足 电 子工 业 和信息 技术等 产业 高速 发展 的要 求 参 考 文 献 1 赖祖武 电磁干扰防护与电磁兼容 M 北京：原子能出版 社，1 9 9 3 2 王锦成 电磁屏蔽材料的屏蔽原理及研究现状 J 化工新 型材料，2 0 0 2，3 0(7)：1 61 8 3 沙皮罗著+甘得午译 电磁屏蔽的理论基础 M 北京：国防 工业 出版社，1 9 8 3 4C h r i s t s i a mi s，J o l m E M o c a s h i e U S P a t e n t，4 5 8 2 7 2 9 5 陈碗，梁成浩，谢阳 本征导电聚合物开发
36、的最新进展 J 电化学，2 0 0 1，7(4)：3 9 6 4 0 2 6 付东升，张康助，张强 导电高分子材料研究进展 J 现代 靼料加工应用，2 0 0 4，1 6(1)：5 5 5 9 7 肖华庭，诸昌清，雷有华 电磁兼容原理 M 北京：电子工业 出版社，1 9 8 5 8 C Y L e e，H G S o n g。K S J a n g e t a 1 E l e c t r o m a g n e t i c I n t e r f e r-e n c e S h i e l s i n g Ef fi c e n c y o f P o l y a n i l i n e Mi
37、 x t u r e s a n d Mu l t i p l a y e r 维普资讯 http:/ 5 8 钦州学院学报 第2 1 卷 F i l m s J S y n t h e t i c M e t a l s，1 9 9 9，1 0 2：1 3 4 6 1 3 4 9 9 谭松庭，张明秋，曾汉民 屏蔽 E M I 用导电性高分子复合材 料 M 材料工程，1 9 9 8，5：6 9 1 O 万剐。李荣德 电磁屏蔽材料的进展 J 安全与电磁兼容，2 0 03，1：4 0 41 1 1 贾向明。李光宪。陆玉本等 本征导电高分子复合材料的研 究进展 J 塑料科技，2 o 6 3。2：4
38、3 4 6 S t u d y o n t h e Effe c t i v e n e s s o f El e c t r o ma g n e t i c I n t e rfe r e n c e S h i e l d i n g o f El e c t r i c Co n d u c t i v e P o l y me r Co mp o s i t e s L I ANG S h a o h u a (D e p a r t m e n t o fP h y s i c s a n d E le c t r o n i c I n f o r m a t io n E n
39、g in e e r i n g，Q i n z h o u U n i v e r s it y，Q in z h o u 5 3 5 0 0，C h i n a)A b s t r a c t：E l e c t ri c c o n d u c t i n g p o l y me r i s o n e o f t h e m o s t p r o m i s i n g m a t e ri a l s f o r e l e c t r o m a g n e t i c i n t e r f e r e n c e(E MI)s h i e l d i n g Ac c o
40、r d i n g t o t h e s t r u c t u r e a n d p r e p a r a t i o n，e l e c t ri c c o n d u c t i v e p o l y me r c a n b e d i v i d e d i n t o t wo c a t e g o ri e s：i n t r i n s i c an d c o m p l e x T h e m a i n b o d y and c o m p o u n d t e c h n i q u e o f e l e c t r i c c o n d u c t
41、 o r fi l l ed p o l y me r are t h e m a j o r f a c t o r s t h a t a ff e c t t h e e l e c-t r o ma g n e t i c e ff e c t i v e n e s s o f e l e c t r i c co n d u c t i v e p o l y me r c o mp o s i t e s Ke y wo r d s：e l e c t roma g n e t i c i n t e rfe r e n c e s h i e l d i n g；e l e c
42、 t ri c c o n d u c t i v e pol y me r c o mp o s i t e s；s h i e l d i n g e ff e c t i v e n e s s 责任编辑江元杪 (上接 第 4 9页)3 边肇祺，张学工等 模式识别 M 北京：清华大学出版社。1 9 9 9 4 辛义周，张希成。唐文照 地耳草的化学成分及药理作用研究 进展 J 山东医药工业，2 0 0 3，2 2(2)：2 8 5 洪莜坤，王智华 中药数字化色谱指纹谱 M 上海：上海科 学技术出版社，2 0 0 3 6 陈闽军。程翼宇，林瑞超 中药色谱指纹图谱相似性计算方法 的研究 J 中
43、成药。2 0 0 2。2 4(1 2)：9 0 6 S t u d y o n t h e C o mmo n P a t t e r n o f t h e Hi g l l P e rfo r ma n c e L i q u i d C h r o ma t o g r a p h i c F i n g e r p r i n t o f Hy p e r i c u m J a p o n i c u m T h u mb CAI Z e f a n (E le c t r o n ic E n g i nee r i n g D e p a r t m e n t ofS h u
44、n d e P o ly t e c h n ic，S h u n d e 5 2 8 3 0 0，China)Ab s t r a c t：Hi g hp e rf o r ma n c e l i q u i d c h roma t o g r a p h y fi n g e r p rin t h a s b e e n w i d e l y a p p l i e d t o t h e d e t e c t i o n and ana l y s i s o f t r a-d i t i o n a l C h i n e s e me d i c i n e a n d
45、i t s p r e p a r a t i o n s I n o rde r t o g a i n g o o d e ff e c t s，i t i s t h e k e y poi n t t o b u i l d u p a n o p t i mu m c o mmo n p a t t e r n o f t h e m e d i c i n e fi n g e rpr i n t T h e h i g hp e rf o r m a n c e l i q u i d c h r o m a t o g r a p h y fi n g e rpri n t o
46、 f h y p e r i c u m j a pon i c u m th u m b i s i n t r o d u c ed t o d e mo n s t r a t e a g o o d me t h o d t o b u i l d t h e c o mmo n p a t t e rn Ke y w o r d s：h i g hp e rf o rma n c e l i q u i d c h ro ma t o g r a p h y；h y p e ri c u m j a pon i c u m thu mb；c l u s t e r ana l y s i s；c o m m o n p a t t e r n 责任 编辑卢 明德 维普资讯 http:/