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1、第三节第三节 沉淀的形成沉淀的形成沉淀的类型沉淀的类型晶形沉淀，如晶形沉淀，如BaSO4，MgNH4PO4凝乳状沉淀，如凝乳状沉淀，如AgCl无定形沉淀无定形沉淀,如如Fe(OH)3沉淀的形成过程沉淀的形成过程构晶离子构晶离子晶核晶核成核成核成长成长沉淀微粒沉淀微粒沉淀沉淀堆积堆积一、晶核的形成一、晶核的形成均相成核：均相成核：构晶离子相互缔合形成晶核构晶离子相互缔合形成晶核异相成核异相成核：外来固体微粒吸附构晶离子成核：外来固体微粒吸附构晶离子成核临界值临界值:成核作用由异相成核作用转化为异相成核和均相成成核作用由异相成核作用转化为异相成核和均相成核同时进行转折点处的核同时进行转折点处的Q/
2、s值称为临界值。值称为临界值。Q/s临临界界值值越越大大，该该沉沉淀淀越越不不易易进进行行均均相相成成核核作作用用，易易获获得得大大颗粒晶形沉淀，临界值小的易生成小颗粒凝乳状沉淀。颗粒晶形沉淀，临界值小的易生成小颗粒凝乳状沉淀。SO42单位晶胞单位晶胞Ba+(BaSO4)2SO42-Ba(SO4)22-Ba2+SO42-BaSO4BaSO4均相成核的过程均相成核的过程二、晶形沉淀和无定形沉淀二、晶形沉淀和无定形沉淀 晶体的成长过程晶体的成长过程:聚集过程聚集过程形成无定形沉淀形成无定形沉淀 定向过程定向过程形成晶形沉淀形成晶形沉淀定定向向速速度度主主要要取取决决于于物物质质的的本本性性，极极性
3、性较较强强的的盐盐类类定向速度大。定向速度大。聚集速度聚集速度取决于溶液的过饱和度。取决于溶液的过饱和度。沉淀颗粒的大小与溶液过饱和度之间的关系：沉淀颗粒的大小与溶液过饱和度之间的关系：第四节第四节 沉淀的污染和纯化沉淀的污染和纯化 一、共沉淀一、共沉淀（一）吸附共沉淀（一）吸附共沉淀产生原因产生原因：晶体表面的构晶离子具有剩余价力：晶体表面的构晶离子具有剩余价力吸吸附附顺顺序序：先先吸吸附附构构晶晶离离子子形形成成吸吸附附层层，再再吸吸附附抗抗衡衡离子形成扩散层。离子形成扩散层。沉沉淀淀对对杂杂质质离离子子的的吸吸附附选选择择性性：扩扩散散层层中中能能与与构构晶晶离离子子形形成成难难溶溶盐盐
4、或或难难电电离离化化合合物物的的离离子子优优先先被被吸吸附附，价价数高浓度大的离子易被吸附。数高浓度大的离子易被吸附。减减少少吸吸附附的的方方法法：加加热热溶溶液液 洗洗涤涤沉沉淀淀减减小小比比表表面积。面积。沉淀污染的原因：共沉淀和后沉淀沉淀污染的原因：共沉淀和后沉淀（二）形成混晶（二）形成混晶 杂质离子与构晶离子半径相近时，易形成相杂质离子与构晶离子半径相近时，易形成相同晶格结构的混晶，如同晶格结构的混晶，如PbSO4和和BaSO4，BaCrO4和和BaSO4，KMnO4和和BaSO4，（三）包藏作用（三）包藏作用 产产生生原原因因：由由于于沉沉淀淀生生成成得得太太快快，被被吸吸附附杂杂质
5、质或母液被覆盖在沉淀内部而造成的共沉淀现象。或母液被覆盖在沉淀内部而造成的共沉淀现象。消除方法：消除方法：分离除去杂质。分离除去杂质。消除方法：消除方法：陈化或重结晶陈化或重结晶二、后沉淀二、后沉淀 在在被被测测组组分分沉沉淀淀结结束束后后，杂杂质质又又沉沉积积在在沉沉淀淀表表面面的的现现象象叫叫后后沉沉淀淀。例例如如在在稀稀酸酸条条件件下下用用H2S沉沉淀淀Cu2+和和Zn 2+混合溶液中的混合溶液中的Cu2+。三、沉淀条件的选择三、沉淀条件的选择 1.晶形沉淀的沉淀条件：晶形沉淀的沉淀条件：稀、慢、搅、热、陈稀、慢、搅、热、陈2.无定形沉淀的沉淀条件：无定形沉淀的沉淀条件：浓、热、加电解质、浓、热、加电解质、不陈化不陈化 3.均匀沉淀法：均匀沉淀法：利用一种化学反应，控制一定的条件，利用一种化学反应，控制一定的条件，使沉淀剂缓慢而均匀的产生出来，可避免局部沉淀剂使沉淀剂缓慢而均匀的产生出来，可避免局部沉淀剂过浓，得到大颗粒的纯净沉淀。过浓，得到大颗粒的纯净沉淀。