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1、2022年澜起科技开展现状及业务布局分析1.澜起科技概述：数据处理及互连芯片国际领先厂商历史沿革：内存芯片领域全球领先，快速成长，拓宽产 品线公司为内存接口芯片领域全球龙头，布局“互连+计算”领 域，创始人杨崇和博士技术背景深厚。澜起科技于2004年5 月成立，目前是国际领先的云计算互连类芯片和数据处理类 芯片设计（Fabless）公司，主要产品包括互连类芯片如内存接 口芯片、PCIeRetimer芯片、内存模组配套芯片等以及数据处 理类业务津逮服务器平台。公司创始人杨崇和博士是国内 较早从事集成电路设计的专家，为美国俄勒冈州立大学电子工 程学硕士及博士，1990年至1994年曾在美国国家半导
2、体等公 司从事设计研发工作，1994年至1996年任上海贝岭新产品研 发部负责人，1997年参与创立中国首家硅谷模式集成电路设 计公司新涛科技，该公司于2001年被美国IDT公司收购。杨 崇和博士曾担任IDT公司副总裁，后于2004年创办澜起科技。 澜起科技经过15年的快速开展，在内存接口芯片领域耕耘十 多年，已成为全球从DDR2到DDR5内存全缓冲/半缓冲完整 解决方案的主要供应商之一，其相关产品也已成功进入国际 的新赛道。公司将分别针对DDR5世代的UDIMM、 SODIMM.高带宽内存接口芯片两大方向布局拓展CKD芯片、 MCRRCD/DB芯片，并针对服务器内存扩展及池化所产生的 CXL
3、技术布局PCIeRetimer和MXC芯片,目前公司全球首款 CXLMXC芯片已于5月发布，预计CKD/MCR芯片将于 2022年底前流片，2023年量产出货；（2）计算类：公司看 准AI应用对算力要求不断提高，拓展布局AI芯片。公司定 位大数据吞吐和算法赛道，在科创板IPO的募投工程中提出 开发用于云端数据中心的AI处理器芯片和SoC芯片。目前在 人工智能芯片方面，公司与产业合作伙伴进行了原型适配，并 已开始相关芯片及其算法的研发设计工作，公司预计22年底 实现AI芯片产品化，未来持续看好。财务分析：主业随DDR产品周期成长，毛利率随产品结 构调整内存接口芯片业务在DDR4后期营收稳定在17
4、18亿元, DDR5时代有望开启新一轮量价齐升，同时扩品类开启第二成 长曲线。1) 2016-2018年快速增长期：公司2016年积极拓展内存 接口芯片业务，2017年通过转让电子业务资产，调整产品结 构，集中资源至优势业务，受益于全球内存接口芯片市场需 求持续增长，叠加产品竞争优势日趋明显，公司内存接口芯片产品出货量和销售额均快速上升，2016-2018年营收分别为8.45/12.28/17.58 亿元(CAGR=44%)。2) 2019-2020年营收平稳期：DDR4渗透率趋于高位， 同时2019年全球内存行业景气度下行，公司内存接口芯片销 量收敛但ASP仍提升，全年营收同比-1%； 20
5、20年全球服务 器市场回暖下，公司产品销量有所回升带动全年营收同比+5% 至18.24亿元。图7：公司互连类芯片销售量及平均单价2021年起营收加速增长：公司2021年营业收入为25.62亿元，同比+40%,主要系内存接口芯片业务稳健，同时津逮CPU业务突破性贡献营收8.45亿元，同比+27.5倍。 2018年起，公司市场份额稳定在约40%,此后其季度收入与 服务器市场季度销售情况基本同向变化。伴随全球服务器市 场的快速增长势头，尤其是中国市场的强劲表现，叠加DDR5 内存接口芯片量产出货及津逮CPU业务持续开展，2021Q4 公司实现营业收入9.69亿元，同比+173%。往后看，公司 DDR
6、5内存接口相关芯片放量在即，同时津逮CPU服务器业 务步入放量期、拓品类成效显著，受益下游服务器需求景气， 22Q1营收同比+200.61%,我们预计公司未来三年营收有望保 持高增长（CAGR=49%） oASP方面，20162021年内存接口芯片ASP分别为 15.39/17.44/18.14/21.33/17.69 元。其中 2020-2021 年 ASP 有所 下降，源于公司DDR4内存接口芯片处于产品生命周期 末期。 DDR5内存接口芯片及其配套芯片ASP较高，21Q4比重贡献 仍然较低，预计其大量出货后ASP有望回升。毛利率方面，20162021年公司毛利率分别为 51.20%/53
7、.49%/70.54%/73.96% /72.27%/48.08%,其中 2019 年 毛利率同比+3.42pcts,主要源于：1）内存接口芯片产品内部 结构升级，2019年互连类芯片毛利率同比+4pcts； 2） 20162021年高毛利的互连类芯片营收占比分别为 66%/76%/99%/99%/67%,维持高位。2020年毛利率同比-1.69pcts, 2021年毛利率同比-24.19pcts,主要系津逮系列服 务器平台起量摊薄整体毛利率，且公司主要利润来源DDR4 内存接口芯片进入产品生命周期后期，产品价格有所回调，同 时DDR5相关产品在21Q4才正式量产出货，贡献仍低。分产品来看，以
8、内存接口芯片为主的互连类芯片作 为公司的核心产品，使公司毛利率保持高位。由于澜起科技 在该领域的领先地位和产品的高技术壁垒，20162021年该 项业务毛利率分别为63.00%/65.84%/70.82%74.82%/73.22%/66.72%,我们预计 DDR5将带来ASP及盈利水平回暖，未来毛利率料将保持 70%+o 2021年，公司津逮系列服务器平台业务进入放量期, 占营收比重提升至33.45%,同比+31.82pcts,成为公司收入重 要组成局部。津逮服务器平台仍处于产品初期，20192021 年该项业务毛利率分别为-17.23%/14.83%/10.22%, 22Q1毛利 率为12%
9、。我们预计短期公司服务器平台产品仍将以性价比 优势快速提升市场份额，未来其市场地位及产品升级有望推升 毛利率水平，我们预计毛利率将逐步提升至15%。图8：公司分季度收入与全球服务器收入澜起季度收入（百万美元）全球服务器收入（亿美元）澜起收入丫。丫全球服务器收入丫0丫lCXJCO 寸 lCNCO b T-CXJCO 寸 lCICO 寸 T-CXJCO 寸O0OOOOOOOOOOOOOOOOOO9宓管是与可比公司比拟来看，集成电路设计行业国内A股 上市公司中，尚无公司与澜起科技研发销售相同产品。可选 取模拟和数模混合芯片设计公司兆易创新、圣邦股份、思瑞 浦、卓胜微作为同行业可比公司，尽管其在产品应
10、用、上下游 细分市场、竞争状况存在一定差异，但其经营规模、业务模 式和盈利能力与公司具有可比性。公司近四年毛利率显著高 于可比公司水平，主要是由于各公司销售产品不同，澜起科技 的内存接口芯片技术全球领先，在市场竞争中处于优势地位, 利润空间较大。2021年由于内存接口芯片产品周期性原因毛 利率略低于平均水平。费用率来看，20172021年公司期间费用率为 25%/27%/19%/28%/22%, 2020年期间费用中管理费用同比 +97.31%,主要系新增股份支付费用所致，2021年期间费用率 已回落至22%。研发费用率来看，公司注重创新，研发支出 占营业收入比重高于可比公司平均值。公司202
11、0和2021年 研发费用率均高于可比公司平均值，主要由于公司注重研发的 持续高投入。2020-2021年，公司研发人员增长至373人，研 发人员占比由64.07%提升至71%。公司重视自主知识产权， 突破关键技术壁垒，已形成有策略的专利布局。截至2021年, 公司累计获得专利199项，其中国内外创造专利达126项，布 图设计权63项。且相关投入仍在稳定增加，这有助于确保公 司在市场竞争的优势地位。管理层重视人才引进与培养，推动公司产品创新，研发 技术人员占比70%以上。公司董事长杨崇和博士曾在美国国 家半导体公司等企业任职，并于1997年与同仁共同创立硅谷 模式的集成电路设计公司新涛科技。杨崇
12、和博士于2010年当 选美国电气和电子工程师协会院士(IEEEFellow),积累了丰 富的设计、研发和管理经验。公司总经理Stephen Kuong-Io Tai先生曾参与创立Marvell科技集团并就任该公司的工程研 发总监，拥有逾25年的半导体架构、设计和工程管理经验。 公司核心团队多毕业于国内外著名高校，在技术研发、市场销售、工程管理等领域均有着丰富的阅历和实战经验。公司 2021年527名员工中71%为研发技术人员，同比+2pcts,且 研发技术人员中65%以上拥有硕士及以上学位，为公司持续 的产品创新提供了重要的人才基础。公司新产品的研发常常基 于内存接口芯片向外拓展，因此研发人员
13、可以根据已有经验 迁移开发新产品，具有较强的灵活性。图12： A股同行业可比公司研发支出占营业收入比重澜起科技圣邦股份 卓胜微兆易创新思瑞浦T-四家可比公司平均产品周期影响下，2019年以来扣非净利润有所回调， 22Q1企稳回升。2016-2018年，公司内存接口芯片业务拓展 顺利，出货量价齐升带动净利润迅速提升至7.37亿元。2019 年公司营收回调，但受益于产品ASP及毛利率提升，净利润同比+27%至9.33亿元。2020年以来，DDR4内存接口芯片进 入产品生命周期后期，价格有所下降，公司盈利水平回调， 扣非净利润有所回落。我们预计受益于DDR5内存接口芯片 及内存模组配套芯片ASP及盈
14、利水平提升，2022年公司净利 率将企稳回升，22Q1净利率提升至34%。此外，公司2016- 2020年净利润持续增长至11亿元，非经常性损益2020年显 著增长主要系政府补助及交易性金融资产负债的变动损益和 投资收益增长。2021年净利润有所下降主要由于DDR4内存 接口芯片产品生命周期原因、公允价值变动收益及投资收益之 和有所减少以及公司持续加大研发投入。2.内存接口及配套芯片：随DDR5升级进入新一轮产品 周期行业概览：用于内存模组，配合高性能服务器内存条日 益增长的性能需求澜起科技内存模组相关芯片目前包括1）内存接口芯片和 2）内存模组配套芯片。1）内存接口芯片（包括RCD芯片、DB
15、芯片）是服务器 内存模组上除内存颗粒外的重要芯片，当前均用于服务器端。 内存接口芯片是存在于DRAM内存模块与内存控制器之间的 寄存器，可解决大容量内存与CPU通信的信号控制、数据匹 配问题，满足服务器CPU对内存模组日益增长的高性能及大容量需求。内存接口芯片可减少内存控制器上的负载，让使 用多个内存模块的单个系统更加稳定，从DDR到DDR5世代 只用在对可扩展性和稳定性需求高的服务器端，PC端暂未应 用。2）内存模组配套芯片是内存模组上负责电源管理 （PMIC）、配置信息存储（SPD,模组存在的串行检测）、 温度传感（TS）的配套芯片，可用于服务器或PC。2020年7 月15日，JEDEC协
16、会正式公布DDR5标准，DDR5与DDR4 相比，将原来位于主板上的PMIC芯片转移至内存模组上，使 得内存模组配套芯片在SPD和TS基础之上增加了 PMICo图14： 2021年公司员工数量及占比研发技术人员市场销售人员管理支持人员37352761内存接口芯片的应用种类或数量，视内存模组（内存条）的类型而定，常见内存模组主要分为四种类型：RDIMM、 LRDIMM. UDIMM、SODIMMo按应用领域不同，内存模 组可以划分为服务器内存模组及普通台式机、笔记本内存模组。 服务器内存模组主要类型为RDIMM和LRDIMM,采用内存 接口芯片和配套芯片，是服务器应用主流。与其他类型内存 模组相
17、比，服务器内存模组由于服务器数据存储和处理的负载 能力持续提升，对内存模组的稳定性、纠错能力以及低功耗 均提出了较高要求。普通台式机、笔记本内存模组主要类型 为UDIMM、SODIMM,不采用内存接口芯片，但会采用配套 芯片，UDIMM也少量应用于低端服务器。DDR5标准下，RDIMM内存对应1颗RCD芯片、1颗 PMIC、1 颗 SPD、2 颗 TS, LRDIMM 内存在 RDIMM 内存 基础上增加10颗DB芯片。RCD芯片、DB芯片、PMIC、 SPD、TS芯片均为公司产品。根据JEDEC组织的定义，在 DDR5世代，服务器内存模组RDIMM/LRDIMM搭配一颗寄 存时钟驱动器（RC
18、D）、一颗串行检测芯片（SPD）、一颗 电源管理芯片（PMIC）及两颗温度传感器（TS）,此外 LRDIMM还需要配置10颗数据缓冲器（DB）；普通台式机 及笔记本电脑常用的内存模组UDIMM/SODIMM搭配一颗 SPD 及一颗 PMIC o主流内存、服务器领域，2021年已量产DDR5第一代内存接 口及内存模组芯片。当前澜起科技为服务器内存接口芯片领 域全球三家核心玩家之一，市占率约40%。同时，公司陆续 布局拓展津逮服务器CPU以及混合平安内存模组、PCIe Retimer芯片、内存模组配套芯片等业务。公司原境外母公司Montage Group曾于2013年在纳斯达 克上市，并于2014
19、年由浦东科投和中电投资联合私有化。 2013年9月26日，Montage Group登陆美国纳斯达克市场。 2014年3月10日，Montage Group宣布接到浦东科投初步的 非约束性私有化要约。2014年6月11日，公司宣布与浦东科 投达成并购协议。2014年11月，浦东科投和中电投资通过联 合设立的Montage Holdings完成对澜起科技的收购。2016年4 月,Montage Holdings 向 Intel Capital 和 SVIC No. 28 Investment分别发行了 A类优先股。2018年5月，公司完成 了境外架构的撤除。2019年4月，公司申报科创板上市获得
20、 上交所受理。2019年7月，公司作为科创板首批25家公司之 一首发上市。（1） RDIMM (寄存式双列直插内存模组)：CPU和内存条间增加一个寄存时钟驱动 器(Registered Clock Driver, RCD)进行转发，减少了并行传输的距离，密度和频率提高。 目前RDIMM是较为主流的服务器内存条，单条容量可到达 128GB,频率较高，价格低于LRDIMM；（2） LRDIMM (减载双列直插内存模组)是目前较为高 端的内存类型，在RDIMM基础上增加了 10颗数据缓存 (DataBuffer, DB),降低内存控制器负载，可保证服务器 上内存通道插满内存条。LRDIMM目前单条容
21、量可达256GB, 价格最高。随着云端AI处理逐渐增多，高吞吐、低延迟、高 密度的处理需求催生了对更高带宽、更快速度、更高容量内 存模组的需求，对此，JEDEC正在制定服务器MCR内存模组 相关技术标准。MCR内存模组(多路合并阵列双列直插内存 模组)是一种更高带宽的内存模组，采用了 DDR5 LRDIMM“l+10”的基础架构，需要搭配1颗MCR RCD芯片 及10颗MCRDB芯片，与普通的RCD和DB芯片相比，设 计更复杂，速率更高。与LRDIMM相比，MCR内存模组可 以同时访问内存模组上的两个阵列，提供双倍带宽，第一代产 品最高支持8800MT/S速率，预计在DDR5世代有两至三代更
22、高速率产品；140,000.00 n120,000.00 -100,000.00 -80,000.00 -60,000.00 -40,000.00 -20,000.00 -0.00r图16：公司营业收入及净利润情况一营业利润（万元）净利润（万元）扣非净利润（万元）营业利润同比增速净利润同比增速扣非净利润同比增速r 400%1 300%200%100% 0%-100%（3） UDIMM （无缓冲双列直插内存模块）：CPU和内 存之间无缓存芯片，时间延迟小，但对于内存颗粒需要极高 的制造工艺，极难做到高密度、高频率，常见的单条容量仅 2GB/4GB/8GB,最高主频较低，除少量服务器应用外，常见
23、的PC内存也属于UDIMM类型；（4） SODIMM （小型双列直插内存模组）：内存传输速 率高达4800MT/S,小尺寸设计适用于有空间限制的系统，通 常用于笔记本电脑等小尺寸应用，兼具高效能、高稳定性与 高兼容性。LRDIMM适用高容量需求，目前渗透率5%10%,渗透 率提升有望扩展DB芯片市场空间。LRDIMM内存相较于 RDIMM内存，一方面降低了内存总线的负载和功耗，另一 方面又提供了内存的最大支持容量，随单台服务器对内存容量 需求的增加，LRDIMM方案有望获得更多采用。具体而言， LRDIMM可以支持插满服务器内存插槽情况下的高速率运转, RDIMM在内存数量超过一定数目后传输有
24、效性和频率会大大 下降。目前主流中高端服务器单台具有2448个内存插槽（目前一颗CPU通常对应12个内存插槽，常见2U服务器即 对应24个内存插槽）。英特尔下一代CPU有望一颗CPU支 持16个内存插槽。在实际使用中，服务器内存插槽上插有的 内存数量由用户自行决定，在内存数量较少情况下，RDIMM 与LRDIMM无明显差异，当内存数量较多时，LRDIMM可支 持更大容量以及稳定高速的运行频率。实际运用当中 RDIMM仍为市场主流，LRDIMM定位于小众高端，价格稍 贵，但随着市场对于视频等大容量数据处理需求升级， LDRIMM渗透率仍有望提升。目前LRDIMM渗透率约为 5%10%,由于LRD
25、IMM相较于RDIMM新增10颗DB芯片, 公司有望受益LRDIMM渗透率提升。英特尔公司主推的3D XPoint新型存储器同样也将搭载DB芯片,假设未来3D XPoint 方案得到推广普及，也有望提升DB芯片使用率。图17：公司净利率情况4定管是未来趋势：内存接口芯片技术随着DDR标准的不断换代 而升级，DDR5相比DDR4内存接口芯片带宽和传输速率升级, 公司DDR5产品已于21Q4量产。DDR是Double Data Rate的 英文缩写，意指双倍速率，是内存模块中用于使输出增加一倍 的技术，是21世纪初主流内存规范，各大芯片组厂商的主流 产品均支持DDR标准规范。根据JEDEC制定的标
26、准，DDR 技术可具体划分为DDR、DDR2、DDR3、DDR4、DDR5等 世代。从当前DDR技术的开展情况来看，DDR5标准DRAM 产品已经成熟，2021年四季度公司DDR5内存接口芯片量产 出货，逐步进入规模化商用。随着DDR的不断升级换代，内存接口芯片的技术也随之不断升级，内存接口芯片公司先后 推出了 DDR2高级内存缓冲器、DDR3寄存缓冲器及内存缓冲 器、DDR4寄存时钟驱动器及数据缓冲器、DDR5第一子代内 存接口芯片等一系列内存接口芯片，分别应用于DDR2 FBDIMM （全缓冲双列直插内存模组）、DDR3、DDR4 RDIMM （寄存式双列直插内存模组）及LRDIMM （减
27、载双列 直插内存模组）和DDR5 RDIMM及LRDIMM。公司也凭借 自身技术推出了 DDR2、DDR3、DDR4、DDR5全系列 内存 接口芯片。目前，公司的DDR4及DDR5内存接口芯片已成 功进入国际主流内存、服务器和云计算领域，并占据全球市 场的重要份额。业务逻辑：服务器需求回暖及DDR5行业标准迭代升级 带来量价齐升DDR4回顾：公司20132018年营收增长受益于DDR4 推广。2013年起，DDR4标 准开始普及，DDR4标准中公司 贡献了“1+9”的全缓冲架构方案，为公司获得了一定的先发优 势。同年，公司DDR4内存接口芯片产品大规模出货，2014 年内存接口芯片收入同比增长
28、超过300%。借由DDR4标准普 及，公司该产品收入获得了大幅成长，到2018年公司DDR4 收入占比超过95%。DDR4标准中内存接口芯片分为4个子代,每2年左右公司更新一个子代，整个DDR4周期约8年， 20202021年已是DDR4时代末尾。内存接口芯片2021年静态市场规模约6.6亿美元。我们 根据IDT和Rambus定期报告公开披露数据和澜起科技相关 收入推算，2017年内存接口芯片的市场规模为3.88亿美元， 同比增速34.08%, 2018年内存接口芯片的市场规模达5.71亿 美元，同比增速47%,市场规模大幅增长。2019年由于全球 服务器市场处于景气度底部区间，服务器出货量同
29、比略有下 滑，导致内存接口芯片市场同比增速降至约5%,市场规模约 6亿美元。我们预计2021年内存接口芯片市场同比+1.88%, 市场规模到达6.6亿美元。一方面源于全球数据中心投入加大, 服务器出货量增长；另一方面源于服务器数据存储和处理的负 载能力不断提升，平均单台服务器中配置内存数量也随之增 长。图22： 20162021年内存接口芯片市场规模情况内存接口芯片市场规模（亿美元）YoYDDR5时代展望：DDR5升级带来三方面拉动作用：（1）DDR4升级为DDR5将带来新一轮内存更新需求，由于两代 之间不能通用，新更新的服务器平台将必须采购DDR5内存 模组，不存在二手复用等情况，行业出货量
30、有望增加。（2） DDR5的频率较DDR4有大幅提升，DDR4最高速率支持 3200MT/S,而从目前JEDEC已经公布的相关信息来看， DDR5内存接口芯片已经规划了三个子代，支持速率分别是 4800Mbps、5600Mbps、6400Mbps,不排除后续可能还会有 12个子代，最高速率可能支持到8400Mbps,相应带动各个 子代间内存接口芯片价值量的提升。（3） DDR5中LRDIMM 模组从9颗DB升级至10颗DB芯片，同时DDR5各类模组 均新增一颗PMIC芯片，扩大整体芯片需求。DDR5渗透率方面，参照DDR4内存接口芯片的渗透节 奏，通常每一子代产品在上量后的12个月末渗透率可到
31、达 20%30%, 24个月末渗透率可到达50%70%, 36个月末该 子代基本完成绝大局部的市场渗透。公司DDR5第一子代相 关芯片已于21Q4开始量产，目前正在按计划推进DDR5第 二子代内存接口芯片的研发工作。我们预计到2022年底左右, DDR5渗透率有望到达20%左右，到2023年底有望到达60%o 2025年内存接口芯片及内存模组配套芯片市场空间有望 达180.41亿元，20212025年CAGR高达42%。公司布局内存接口芯片规模可拆分为量*价来看，整体来看，未来服务器 需求回暖叠加DDR5迭代升级将带来量价齐升机遇。我们预 计内存接口芯片及内存模组配套芯片市场空间将从2021年
32、的 44.29亿元增长为2025年的180.41亿元，CAGR达42%： 1) 内存接口芯片领域，2021年DDR4为市场主流，渗透率为 100%, 2022年新旧技术世代交替，我们预计DDR4/DDR5渗 透率分别为90%/10%,预计20212025年服务器端市场空间 将从42.76亿元快速上涨为97.93亿元，CAGR为23%, PC 端不需要用到内存接口芯片。2)内存模组配套芯片领域，我 们假设20222025年DDR5服务器渗透率从10%提升为95%, PC端渗透速度快于服务器端，渗透率从2021年的5%快速提 升至2025年的95%。DDR5将带来广阔增量空间，预计 DDR5内存模
33、组配套芯片规模将从2021年的1.53亿元快速增 长到2025年的82.48亿元，其中2025年服务器端内存模组配 套芯片市场空间为53.41亿元，PC端市场空间为29.07亿元。图24：全球服务器出货量及增速（单位：万台）量的维度1：服务器内存条数增加、LRDIMM渗透 率提升、内存标准升级带来单台服务器内存接口芯片及配套 芯片数量提升。1）内存接口芯片销量与服务器内存条出货量线性相关， 而服务器内存条出货量与服务器出货量密切相关，同时受益 单台服务器中内存条数量的提升。根据IDC数据，20152021年全球服务器出货量CAGR为5.7%, 2019年Q3 开始全球服务器市场再度复苏，202
34、1年全球服务器出货量增 长11.0%,我们预计2022年全球服务器出货量为1435万台， 同比+6.0%。同时单台服务器中内存条用量大幅提升，内存插 槽数由过去每路最多8个提升至目前每路最多12个，后续随 新一代CPU升级，内存插槽上限有望升级至每路16个。目前 主流的2路CPU服务器平均内存条数量在11个左右，随着内 存插槽上限提升和实际应用需求提升，单机内存用量亦有望 提升。2)升级到DDR5世代后，由于RDIMM仅采用1颗 RCD +1 颗 SPD+2 颗 TS+1 颗 PMIC 芯片，而 LRDIMM 采用 1 颗 RCD+10 颗 DB+1 颗 SPD+2 颗 TS+1 颗 PMIC
35、 芯片，大 大增加了内存模组配套芯片需求量，同时LRDIMM渗透率提 升大大增加了内存接口芯片的用量。我们预计2022年服务器 搭载的SPD/PMIC/TS芯片价格分别7.5/13.5/2.5元，从DDR4 到DDR5,内存模组配套芯片价值量增加26元。我们预计 2021年RCD芯片价格 在21.45元，而DB芯片单颗在15.60 元左右。从RDIMM到LRDIMM,单片内存条中内存接口芯 片价值量由21.45元提升至177.45元。当前LRDIMM渗透率 约5%10%,随着服务器内存消耗量加大，未来大容量内存 需求具有较大的提升空间。3) DDR5带动内存模组配套芯片成为标配，预计2023
36、年DDR5渗透率超50%o与DDR4内存模组相比，DDR5内 存模组进行了架构革新，除了配置内存颗粒和内存接口芯片 之外，专用的内存模组配套芯片成为标配。具体来说，SPD 芯片在DDR5服务器内存模组中成为标配，为了降低电压和图2：公司股东持股结构图2：公司股东持股结构中电投控,14.32%Intel Capital, 9.01%其他,44.29%珠海融英,6.14%嘉兴莫奈,1.83%嘉兴芯电，1.87%WLT Partners,7.78%限公司 V n - 嘉兴宏越，3.92% p氏区口，Xmyun Capital,上海临理,4.74%2.18%3.92%豆柒管是为优化业务运营，公司曾于2
37、017年转让消费电子业务给 成都澜至及其相关方。2017年7月，公司管理层及股东为优 化资源配置、提高运营效率以及提高团队自主性积极性，决 定将体系内的消费电子芯片业务相关资产转让给成都澜至及其 关联方。自2017年8月起澜起科技聚焦于服务器芯片领域， 成都澜至聚焦于消费电子芯片领域不同业务在不同的主 体内独立开展。公司第一大股东为国资背景的中国电子，亦获英特尔、 三星战略投资。公司股东众多，持股结构较为分散，不存在 实际控制人。截至2022年4月28日，公司第一大股东为中国 电子投资控股（中国电子信息产业集团之参股子公 司），持股比例14.32%。第二大股东为Intel Capital,即英
38、特 尔公司管理企业风险投资和全球投资的机构，持股比例为能耗，提高供电品质，PMIC芯片从主板转移到内存模组上， TS芯片也转移到DIMM上，用来实时监测DDR5内存模组温 度。这些配套芯片可为DDR5内存模组提供多通道电源及管 理、多点温度检测、13c串行总线及路由等辅助功能，与内存 接口芯片一起共同提升DDR5内存模组在速度、容量、节能 及可靠性等方面的性能，满足新一代服务器、台式机及便携 式电脑对内存系统的更高要求。我们预计2025年末，DDR5 有望完成对整个市场的渗透，取代DDR4成为市场主流，进 而拉动内存接口芯片和配套芯片数量需求。图25：北美云厂商资本开支（单位：亿美元）Face
39、bookMicrosoftlCXJCO 寸 X- CXICO 寸 V-CNCO 寸 lCXJCO 寸 O0OOO0OOOO0000O0 880086666 0000llll llllllllCXJCXICXJCNCXJCXJCXJCXJ ,蔡管是量的维度2：下游资本开支回暖，服务器进入景气周 期拉动需求。2006年Google率先推出云计算服务，2008年底, 英特尔发布支持虚拟化技术的Nehalem处理器，随后十年， 云计算技术开始迎来大规模应用并蓬勃开展。2018年，为消 化前期过度投资造成的库存积压，海内外云厂商开始控制资 本支出，带动服务器量价涨势走弱。2019年第二季度，北美 头部五
40、家云厂商(Facebook、MicrosoftApple Amazon. Google)资本开支开始复苏，全球云基础设施和光网络建设 进入新一轮周期，2021年北美五大云厂商资本开支持续保持 高增长，第一季度到第四季度整体资本支出分别为 288/317/349/370亿美元，MAGA合计同比 +39%/47%/36%/19%o据IDC数据，2021年全球服务器市场 出货量为1354万台，同比+11%。展望未来，疫情催化加速 全球企业数字化转型进程，据Gartner预测，2022年全球云收 入将从2021年的4080亿美元增长至4740亿美元，同比+16%, 2025年超过85%的企业机构将接受
41、云优先原那么。云计算业务 开展将推动数据中心的建设需求，企业处理和存储数据量的 爆发式增长更将直接带动服务器设备的采购。我们预计下游 应用市场需求强劲将带动上游服务器等核心器件进入景气周期。价的维度：DDR5升级有望带动内存接口芯片ASP 提升60%,配套芯片价值量也同步增加。1)DDR5在功耗、 传输速率、容量等多性能方面均优于DDR4。与DDR4标准相 比，DDR5标准工作电压从1.2V下降至1.1V,产品功耗更低;数据传输起步传输速率4800MT/S比DDR4的最高速率 3200MT/S提升50%,最高速率8400MT/S那么提升近2.6倍， 数据传输速度更快；支持的容量最高达64Gb,
42、为DDR4最高 容量的四倍；此外，由于搭载3个配套芯片，DDR5在电源 管理框架、通道架构、温度控制等方面性能也显著提升。2) DDR5的技术难度带来研发本钱大幅提升，技术升级带动内存 芯片接口价格提升有迹可循，DDR4 Gen2.0plus比Gen2.0价 格提升60%以上。DDR5从DDR4“l+9”架构升级为“1+10架 构，叠加三类内存模组配套芯片，整个DDR5相关芯片的价 值量高于DDR4世代，本钱也显著增高。服务器端通常需要 搭载1颗SPD+2颗TS+1颗PMIC配套芯片，新增整套配套 芯片价值量约为26元。2016-2021年公司内存接口芯片ASP 分别为15.4/17.4/18
43、.1/21.3/20.7/17.69元，受益于产品性能和相关本钱 提升，我们预计DDR5有望带动内存接口芯片ASP提升60%, 内存模组配套芯片价值量也同步增加。4035302520151050平均价格 DDR4 Gen2 plus单价DDR4 Gen2 单价DDR5 Genl 单价2018201920202021E图26： DDR4/DDR5局部子代内存芯片接口芯片单价2022E私券管是竞争格局：三分天下格局已定，公司技术领先头部厂商 地位料将巩固1、内存接口芯片：全球仅三家厂商，澜起、IDT份额接 近目前全球仅三家厂商从事内存接口芯片业务，IDT、澜起 及Rambus,澜起份额接近持平于I
44、DT。由于市场空间总量有 限，研发内存接口芯片除攻克内存缓冲的核心技术，还要突 破服务器生态系统的高准入门槛，全球范围内，量产此类芯片 的厂商仅有3家：IDT、澜起科技和Rambus 2016年，IDT、 澜起科技、Rambus市占率分别为67%/29%/4%, IDT占有绝 对优势。2021年澜起科技互连类芯片营收为2.66亿美元， 20162021年，澜起科技市占率从29%逐步提升至40%, IDT 市占率为35%40%,两者份额相当。IDT为通信、计算机和 消费类行业提供组合信号半导体解决方案的公司，内存接口芯片领域收入约占其总收入比例为30%o 2019年初IDT被日本 瑞萨电子收购，
45、旨在增强瑞萨电子在自动驾驶和5G领域的市 场地位，内存接口芯片业务战略地位或有下降，IDT市场份额 从2016年的67%下降至2021年的35%40%。Rambus公司 约60%收入来自专利技术授权，内存接口芯片量产业务收购 自Inphi公司，2019年该局部收入约占其总收入的33%。2016 年2021年，Rambus的市场份额从4%提升至20%25%。随内存世代进步，行业玩家数目递减，公司份额有望稳 定全球前二。内存接口芯片具有良好的开展前景，在行业初 期吸引了大量的行业主要厂商进入，DDR2阶段的行业参与 者超过10家。随着内存接口芯片技术的开展和行业精细化分 工要求的提高，行业集中度逐
46、步提升，到DDR3阶段，行业 主要参与者数量明显减少至5家左右。而进入DDR4阶段， TI公司未跟进，Inphi被Rambus收购，内存接口芯片量产厂 商仅有3家公司。DDR5阶段基本维持目前3家厂商格局，由 于高技术门槛及认证门槛，难有新厂商进入。2019年初IDT 被瑞萨电子收购，由于瑞萨电子主要看重IDT的汽车、工业 物联网业务，长期来看IDT业务重心未来有可能发生转移。 而Rambus产品品质在DDR4时代与IDT、澜起科技存在一 定差距，主要出货产品为RCD芯片，其DB芯片未通过英特 尔认证，未进行批量出货；在IDT被收购后，原IDT负责内存接口芯片业务的副总裁核心成员Sean Fa
47、n离职加入Rambus 担任首席运营官，Rambus在DDR5时代开始发力，我们预计 未来澜起和Rambus有望逐步获取原IDT的市场份额。图27：澜起、IDT、Rambus内存接口芯片营收情况（单位：亿美元）2、内存模组配套芯片：SPD、TS两家为主，PMIC竞争 者众多SPD和TS芯片主要由澜起科技和IDT供应，竞争格局 优于内存接口芯片。1） 20182020年，瑞萨电子相继研发出 适用于DDR5服务器内存模组的SPD和TS芯片。2018年3 月，IDT推出业内首款用于DDR5服务器内存模块的SPD Hub ICo 2020年05月，瑞萨电子推出首款服务DDR5 JEDEC 标准的温度传
48、感器TS。目前，瑞萨电子能够为DDR5应用提 供SPD集线器、电源管理IC(PMIC)、温度传感器和控制 MCU,在内存接口领域拥有完整的IC系列产品，包括高性 能 DDR5RDIMM、LRDIMM. NVDIMM、UDIMM、 SODIMM,游戏DIMM以及用于服务器和客户端主板级解决 方案的内存接口产品。2) 2018年，澜起科技启动DDR5第一 子代内存接口芯片和配套芯片的工程版芯片研发工程，与其 他公司合作开发SPD和TS芯片。2019年，完成工程样片的 流片，送样给内存模组厂商评估；2020年完成送样测试，并 根据反应结果设计优化；2021年，澜起科技宣布实现DDR5 SPD和TS芯片量产；2022年，启动第二子代内存模组配套 芯片相关技术讨论和标准制定；按照公司规划，未来将进行 第三子代相关产品的研发工作。PMIC配套芯片行业目前有5家竞争者，初期竞争或较激 烈。目前行业内有5家厂商能够供应适用于DDR5内存模组 的PMIC芯片，分别为澜起科技、瑞萨电子、三星电子、德 州仪器、芯源。2017年10月，IDT发布DDR5服务器PMIC, 2019年10月，DDR5 PC PMIC面世。2021年5月，三星推 出业内首批面向DDR5 DIM