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1、7.1 概 述 半导体存储器的特点及分类按存储二值信号的原理不同存储器分为静态存储器和动态存储器两种。静态存储器是以触发器为基本单元来存储0和1的，在不失电的情况下，触发器状态不会改变；动态存储器是用电容存储电荷的效应来存储二值信号的。电容漏电会导致信息丢失，因此要求定时对电容进行充电或放电。按工作特点不同半导体存储器分成只读存储器、随机存取存储器和顺序存取存储器。第1页/共53页7.1 概 述半导体存储器的技术指标存取容量：表示存储器存放二进制信息的多少。二值信息以字的形式出现。一个字包含若干位。一个字的位数称做字长。通常，用存储器的存储单元个数表示存储器的存储容量，即存储容量表示存储器存放
2、二进制信息的多少。存储容量应表示为字数乘以位数。选中哪些存储单元，由地址译码器的输出来决定。即由地址码来决定。地址码的位数n与字数之间存在2n=字数的关系。如果某存储器有10个地址输入端，那它就能存210=1024个字。第2页/共53页7.1 概 述半导体存储器的技术指标存取周期：存储器的性能取决于存储器的存取速率。存储器的存取速度用存取周期或读写周期来表征。把连续两次读（写）操作间隔的最短时间称为存取周期。第3页/共53页7.2 只读存储器半导体只读存储器(Read-only Memory，ROM)是只能读不能写的存储器。只读存储器是一种组合电路，当信息被加工时或被编程时，认为信息是存储在R
3、OM中。其特点是电路结构简单，电路形式和规格比较统一，在操作过程中只能读出信息不能写入。通常用其存放固定的数据和程序，如计算机系统的引导程序、监控程序、函数表、字符等。只读存储器为非易失性存储器(nonvolatile memory)，去掉电源，所存信息不会丢失。第4页/共53页7.2 只读存储器ROM可分为:掩膜只读存储器（Mask Read Only Memory，简称MROM）可编程只读存储器(Programmable Read Only Memory，简称PROM)紫外线可擦除可编程只读存储器(Erasable Programmable Read Only Memory，简称EPROM
4、)电擦除可编程只读存储器（Electrically Erasable Programmable Read Only Memory，简称EEPROM）Flash存储器(也称快闪存储器)第5页/共53页7.2 只读存储器半导体只读存储器是具有n个输入b个输出的组合逻辑电路。地址输入Address input数据输出Data outputCS片选控制线第6页/共53页7.2 只读存储器只读存储器存储了一个n输入b输出的组合逻辑功能的真值表。2输入4输出组合逻辑功能表 地 址 内 容A1 A0D3D2D1D00 00 11 01 10101101101011100可以将其存储在224的只读存储器中第7
5、页/共53页掩模只读存储器掩模只读存储器是采用掩模工艺制作的，其中的存储内容是已经由制造商按照用户的要求进行了专门设计。因此，掩模ROM在出厂时内部存储的数据就已经固化好了。掩模ROM的存储数据可永久保存，在批量生产时成本最低。适用于存放固定不变的程序或数据。第8页/共53页掩模只读存储器掩模ROM由地址译码器、存储矩阵、输出和控制电路组成，如图7-1所示。地 址 译 码 器地 址 输 入W0WN-1存储矩阵 NM输出及控制电路D0DM-1数据输出图7-1 ROM结构图第9页/共53页掩模只读存储器掩模ROM图7-2 NMOS固定ROMD2存储矩阵输出电路字线位线A0A1W0W1W2W3+VD
6、DD3D1D0D3D2D1D0地址译码D3D2D1D0W3W2W1W0第10页/共53页掩模只读存储器图7-3是ROM的点阵图。D3D2D1D0W3W2W1W0表6-1 ROM中的信息表 地 址 内 容A1 A0D3D2D1D00 00 11 01 10101101101011100存储矩阵的输出和输入是或的关系，这种存储矩阵是或矩阵。地址译码器的输出和输入是与的关系，因此ROM是一个多输入变量（地址）和多输出变量（数据）的与或逻辑阵列。位线与字线之间逻辑关系为：D0=W0+W1 D1=W1+W3 D2=W0+W2+W3 D3=W1+W3第11页/共53页可编程只读存储器(PROM)PROM的
7、存储内容可以由使用者编制写入，但只能写入一次，一经写入就不能再更改。PROM和ROM的区别在于ROM由厂家编程，而PROM由用户编程。出厂时PROM的内容全是1或全是0，使用时，用户可以根据需要编好代码，写入PROM中。第12页/共53页可编程只读存储器(PROM)图7-4为一种PROM的结构图，存储矩阵的存储单元由双极型三极管和熔断丝组成。第13页/共53页可编程只读存储器(PROM)这种电路存储内容全部为0。如果想使某单元改写为1，需要使熔断丝通过大电流，使它烧断。一经烧断，再不能恢复。第14页/共53页可擦可编程只读存储器PROM只能写一次的原因是熔丝断了，不能再接通。EPROM的存储内
8、容可以改变，但EPROM所存内容的擦除或改写，需要专门的擦抹器和编程器实现。在工作时，也只能读出。第15页/共53页可擦可编程只读存储器可擦除可编程存储器又可以分为：光可擦除可编程存储器UVEPROM(Ultra-Violet Erasable Programmable Read-Only Memory)第16页/共53页可擦可编程只读存储器可擦除可编程存储器又可以分为：电可擦除可编程存储器E2PROM(Electrical Erasable Programmable Read-Only Memory)快闪存储器(Flash Memory)等。快闪存储器以其高集成度、大容量、低成本和使用方便等
9、优点得到广泛应用。例如在一些较新的计算机主板上采用Flash ROM BIOS，会使得BIOS 升级变得非常方便。第17页/共53页7.3 随机存取存储器随机存取存储器RAM(Random Access Memory)可随时从任一指定地址存入(写入)或取出(读出)信息。在计算机中，RAM用作内存储器和高速缓冲存储器。RAM分为静态SRAM和动态DRAM；静态RAM又分为双极型和MOS型。第18页/共53页7.3 随机存取存储器静态RAM(Static RAM，SRAM)一旦将1个字写入某个存储位置中，只要不断电，其存储内容保持不变，除非该存储位置被重新写入信息。动态RAM(Dynamic RA
10、M，DRAM)，必须对存储的数据进行读出和重写操作来周期地刷新，否则存储器中的数据将会消失。第19页/共53页7.3 随机存取存储器大多数RAM在断电后，所存储的数据会消失，是易失性存储器(volatile memory)。一些RAM在断电后仍能保持存储的数据不变，如老式的磁芯存储器和现代的CMOS静态RAM。CMOS静态RAM含有一个寿命为10年的锂电池。近年来，出现了非易失性铁电RAM(ferroelectric RAM)，这些器件将磁元件和电元件组合在单个IC芯片上，断电后，保持状态不变。第20页/共53页静态RAMRAM具有地址输入、控制输入、数据输出和数据输入。地址输入数据输入控制输
11、入数据输出Chip-select(CS)inputOutput-enable(OE)inputWrite-enable(WE)第21页/共53页静态RAM静态RAM中存储单元的工作原理与D锁存器类似，不同于边沿式D触发器。即无论什么时候选中WE输入，所选存储单元的锁存器总是打开的或是透明的，输入数据流入或通过锁存器。所存储的实际值是在锁存器关闭时存在的值。第22页/共53页静态RAM静态RAM通常只具有两种已定义存储操作：读 当CS和OE有效时，地址呈现在地址输入端上，所选存储位置上的锁存器输出被传递到DOUT。写 地址呈现在地址输入端，数据字呈现在DIN上，接着CS和WE有效；所选存储位置上
12、的锁存器被打开，输入字被存储。第23页/共53页静态RAM静态RAM的内部结构静态RAM中的每一位存储单元具有图示电路相同功能。SRAM单元被组合成带有附加控制逻辑的阵列中，形成完整的静态RAM。第24页/共53页静态RAM静态RAM的内部结构第25页/共53页静态RAMSRAM的常见应用在小的微处理机系统中做数据存储，通常是在“嵌入式”应用中，如电话、烤炉、电子减振器等。通用计算机中常用DRAM。超快速SRAM通常在高性能计算机的“高速缓冲”存储器中存储常用指令和数据第26页/共53页动态RAMSRAM中最基本的存储器单元是D锁存器，在分立设计中需要4个门电路，在定制设计的SRAM LSI
13、芯片中，需要4-6个晶体管实现。为了构建具有较高密度的RAM，芯片设计者发明了每位只用一个晶体管的存储器单元。第27页/共53页动态RAMDRAM存储单元仅用一个晶体管构建一个双稳元件是不可能的。动态RAM(dynamic RAM，DRAM)中的存储器单元是在微小的电容器上存储信息，并通过一个MOS管来存取这些信息。写入信息时，字线为高电平，写入信息时，字线为高电平，T导通，对电容导通，对电容CS充电，相当于充电，相当于写入写入1信息。信息。读出信息时，字线仍为高，读出信息时，字线仍为高，T导导通，对通，对CB充电，读出电压充电，读出电压VR为为第28页/共53页动态RAMDRAM存储单元因为
14、CBCS，所以读出电压比VS小很多，而每读一次，CS上电荷要少很多，造成破坏性读出，因而数据在读之后必须重新写入原来的单元。通过读出放大器(sense amplifier)能检测到这一微小变化，并将其恢复成相应的0或1。注意，读一个单元会破坏存储在电容器上的原始电压，因而数据在读之后必须重新写入原来的单元。第29页/共53页集成RAM简介 图7-14是Intel公司1k4的CMOS型静态RAM 2114的结构图。行地址译码器 6464 存储矩阵 I/O电路列地址译码器读写控制A6A7A8A9A0A1A2A3A4A5X0X63B0B63Y0Y15CSR/WD0D1D2D3第30页/共53页集成R
15、AM简介如图为CMOS型2k8的静态RAM 6116外引脚排列图。第31页/共53页集成RAM简介如图为CMOS型8k8的静态RAM 6264外引脚排列图。第32页/共53页集成RAM简介图7-21是单管DRAM 2116（16KX1）芯片的结构图。它共有16个引脚，其中A0A6为地址输入线；而2116的容量为16K，需要14条地址线，为此2116采用了地址线分时复用技术，14位地址码分行、列两部分，分两次由7条地址线与芯片相连。第33页/共53页7.4 存储器容量的扩展RAM的种类很多，存储容量有大有小。当一片RAM不能满足存储容量需要时，就需要将若干片RAM组合起来，构成满足存储容量要求的
16、存储器。RAM的扩展分为位扩展和字扩展两种。第34页/共53页7.4 存储器容量的扩展位扩展 字数满足要求，而位数不够时，应采用位扩展。实现位扩展的原则是：多个单片RAM的I/O端并行输出。多个RAM的CS接到一起，作为RAM的片选端（同时被选中）；地址端对应接到一起，作为RAM的地址输入端。多 个 单 片 RAM的R/W端 接 到 一 起，作 为RAM的读/写控制端（读/写控制端只能有一个）；第35页/共53页7.4 存储器容量的扩展位扩展 图6-15 RAM位扩展接线图CSR/WA0A1A7I/O1I/O2I/O3I/O4CS2561位RAM (1)A0 A1A7R/WCS2561位RAM
17、(2)A0 A1A7R/WCS2561位RAM (3)A0 A1A7R/W2561位RAM(4)A0 A1A7R/WCS第36页/共53页7.4 存储器容量的扩展字扩展在RAM的数据位的位数足够，而字数达不到要求时，需要进行字扩展。字数增加，地址线数相应增加。如2568位RAM的地址线数为8条，而10248位RAM的地址线数为10条。第37页/共53页7.4 存储器容量的扩展实现字扩展的原则是：多个单片RAM的I/O端并接，作为RAM的I/O端 多片构成字扩展之后，每次访问只能选中一片，选中哪一片，由字扩展后多出的地址线决定。多出的地址线经输出低有效的译码器译码，接至各片RAM的CS端；地址端
18、对应接到一起，作为低位地址输入端。R/W端接到一起作为RAM的读/写控制端（读写控制端只能有一个）；第38页/共53页7.4 存储器容量的扩展字扩展R/WA0A1A72568位RAM (1)A0 A1A7R/W CSI/O1I/O8I/O42568位RAM (2)A0 A1A7R/W CSI/O1I/O8I/O42568位RAM (3)A0 A1A7R/W CSI/O1I/O8I/O42568位RAM (4)A0 A1A7R/W CSI/O1I/O8I/O4A8A9F0F1F2F32线-4线译码器第39页/共53页习题设一片RAM芯片的字数为n，位数为d，扩展后的数字为N，位数为D，求需要的片
19、数x的公式。解：一片RAM的字数为n，位数为d；扩展后的字数为N，位数为D，需要的片数x为：第40页/共53页习题试用ROM设计一个能实现函数y=x2的运算表电路，x的取值范围为015的正整数。解：因为自变量x的取值范围为015的正整数，所以应用4位二进制正整数，用B=B3B2B1B0 表示，而 y的最大值是225，可用8位二进制数Y=Y7Y6Y5Y4Y3Y2Y1Y0表示。根据y=x2的关系可列出Y7、Y6、Y5、Y4、Y3、Y2、Y1、Y0与B3、B2、B1、B0之间关系如表所示。第41页/共53页习题试用ROM设计一个能实现函数y=x2的运算表电路，x的取值范围为015的正整数。解：因为自
20、变量x的取值范围为015的正整数，所以应用4位二进制正整数，用B=B3B2B1B0 表示，而 y的最大值是225，可用8位二进制数Y=Y7Y6Y5Y4Y3Y2Y1Y0表示。根据y=x2的关系可列出Y7、Y6、Y5、Y4、Y3、Y2、Y1、Y0与B3、B2、B1、B0之间关系如表所示。0149162536496481100121144169196225十进制数注0 0 0 0 0 0 0 00 0 0 0 0 0 0 10 0 0 0 0 1 0 00 0 0 0 1 0 0 10 0 0 1 0 0 0 00 0 0 1 1 0 0 10 0 1 0 0 1 0 00 0 1 1 0 0 0
21、10 1 0 0 0 0 0 00 1 0 1 0 0 0 10 1 1 0 0 1 0 00 1 1 1 1 0 0 11 0 0 1 0 0 0 01 0 1 0 1 0 0 11 1 0 0 0 1 0 01 1 1 0 0 0 0 1Y7 Y6 Y5 Y4 Y3 Y2 Y1 Y0输 出0 0 0 00 0 0 10 0 1 00 0 1 10 1 0 00 1 0 10 1 1 00 1 1 11 0 0 01 0 0 11 0 1 01 0 1 11 1 0 01 1 0 11 1 1 01 1 1 1B3 B2 B1 B0输 入第42页/共53页习题第43页/共53页习题为什么用R
22、OM可以实现逻辑函数式？解：ROM的存储矩阵由与阵列和或阵列组成。与阵列的输入为地址码，输出为地址译码器的输出，包含了全部输入变量的最小项。或阵列的输出（数据输出）为最小项之和。这样，用具有2n个译码输出和m位数据输出的ROM，可以得到一组最多为m个输出的n个变量的逻辑函数。第44页/共53页习题ROM点阵图及地址线上波形图如图7-26和7-27所示，试画出D3D0线上的波形图。第45页/共53页习题解：由题图示ROM结点图可以得到：第46页/共53页习题解：由题图示ROM结点图可以得到：第47页/共53页习题7-9 四片164RAM和逻辑门构成的电路如图7-29所示。试回答：单片RAM的存储
23、容量，扩展后的RAM总容量是多少？图7-29所示电路的扩展属位扩展，字扩展，还是位、字都有的扩展？当地址码为00010110时，RAM0RAM3，哪几片被选中？第48页/共53页习题解：单片RAM的容量是164=64个存储单元，扩展后的RAM总容量为258=256个存储单元。图6-19所示电路为位、字都有的扩展。当地址码为00010110时，RAM0RAM3中的RAM2和RAM3片选端有效，因此被选中。第49页/共53页习题由164位ROM和4位二进制加法计数器74LS161组成的脉冲分配电路如图7-28所示，ROM输入、输出关系如表7-5所示。试画出在CLK信号作用下D3、D2、D1、D0的波形。第50页/共53页习题第51页/共53页习题第52页/共53页感谢您的观看！第53页/共53页