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1、一、 中国半导体器件型号命名方法半导体器件型号由五局部场效应器件、半导体特别器件、复合管、PIN 型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五局部组成。五个局部意义如下：第一局部：用数字表示半导体器件有效电极数目。2-二极管、3-三极管其次局部：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。表示二极管时：A-N 型锗材料、B-P 型锗材料、C-N 型硅材料、D-P 型硅材料。表示三极管时：A-PNP 型锗材料、B-NPN 型锗材料、C-PNP 型硅材料、D-NPN 型硅材料。第三局部：用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。P-一般管、V-微波管、W-稳压管、C-参量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管
2、、N-阻尼管、U-光电器件、K-开关管、X-低频小功率管(F3MHz,Pc3MHz,Pc1W、D-低频大功率管f1W、A-高频大功率管f3MHz,Pc1W、T-半导体晶闸管可控整流器、Y-体效应器件、B-雪崩管、J-阶跃恢复管、CS-场效应管、BT-半导体特别器件、FH-复合管、PIN-PIN 型管、JG-激光器件。第四局部：用数字表示序号第五局部：用汉语拼音字母表示规格号例如：3DG18表示NPN 型硅材料高频三极管日本半导体分立器件型号命名方法二、日本生产的半导体分立器件，由五至七局部组成。通常只用到前五个局部，其各局部的符号意义如下： 第一局部：用数字表示器件有效电极数目或类型。0-光电
3、即光敏二极管三极管及上述器件的组合管、1-二极管、2三极或具有两个 pn 结的其他器件、3-具有四个有效电极或具有三个pn 结的其他器件、依此类推。其次局部：日本电子工业协会 JEIA 注册标志。S-表示已在日本电子工业协会 JEIA 注册登记的半导体分立器件。第三局部：用字母表示器件使用材料极性和类型。ATMEL 代理A-PNP 型高频管、B-PNP 型低频管、C-NPN 型高频管、D-NPN 型低频管、F-P 掌握极可控硅、G-N 掌握极可控硅、H-N 基极单结晶体管、J-P 沟道场效应管、K-N 沟道场效应管、M-双向可控硅。第四局部：用数字表示在日本电子工业协会 JEIA 登记的挨次号
4、。两位以上的整数-从“11”开头，表示在日本电子工业协会 JEIA 登记的挨次号；不同公司的性能一样的器件可以使用同一挨次号；数字越大，越是近期产品。第五局部： 用字母表示同一型号的改进型产品标志。A、B、C、D、E、F 表示这一器件是原型号产品的改进产品。美国半导体分立器件型号命名方法三、美国晶体管或其他半导体器件的命名法较混乱。美国电子工业协会半导体分立器件命名方法如下：第一局部：用符号表示器件用途的类型。JAN-军级、JANTX-特军级、JANTXV-超特军级、JANS-宇航级、无- 非军用品。其次局部：用数字表示 pn 结数目。1-二极管、2=三极管、3-三个 pn 结器件、n-n 个
5、pn 结器件。第三局部：美国电子工业协会EIA注册标志。N-该器件已在美国电子工业协会EIA注册登记。第四局部：美国电子工业协会登记挨次号。多位数字-该器件在美国电子工业协会登记的挨次号。第五局部：用字母表示器件分档。A、B、C、D、-同一型号器件的不同档别。如：JAN2N3251A 表示 PNP 硅高频小功率开关三极管，JAN-军级、2-三极管、N-EIA 注册标志、3251-EIA 登记挨次号、A-2N3251A 档。四、 国际电子联合会半导体器件型号命名方法德国、法国、意大利、荷兰、比利时等欧洲国家以及匈牙利、罗马尼亚、南斯拉夫、波兰等东欧国家，大都承受国际电子联合会半导体分立器件型号命
6、名方法。这种命名方法由四个根本局部组成，各局部的符号及意义如下：第一局部：用字母表示器件使用的材料。A-器件使用材料的禁带宽度Eg=0.61.0eV 如锗、B-器件使用材料的Eg=1.01.3eV 如硅、C-器件使用材料的Eg1.3eV 如砷化镓、D-器件使用材料的Eg0.6eV 如锑化铟、E-器件使用复合材料及光电池使用的材料其次局部：用字母表示器件的类型及主要特征。A-检波开关混频二极管、B-变容二极管、C-低频小功率三极管、D-低频大功率三极管、E-隧道二极管、F-高频小功率三极管、G-复合器件及其他器件、H-磁敏二极管、K-开放磁路中的霍尔元件、L-高频大功率三极管、M-封闭磁路中的霍
7、尔元件、P-光敏器件、Q-发光器件、R-小功率晶闸管、S-小功率开关管、T-大功率晶闸管、U-大功率开关管、X-倍增二极管、Y-整流二极管、Z-稳压二极管。第三局部：用数字或字母加数字表示登记号。三位数字-代表通用半导体器件的登记序号、一个字母加二位数字-表示专用半导体器件的登记序号。贴片钽电容第四局部：用字母对同一类型号器件进展分档。A、B、C、D、E-表示同一型号的器件按某一参数进展分档的标志。wxq$#除四个根本部格外，有时还加后缀，以区分特性或进一步分类。常见后缀如下：1、稳压二极管型号的后缀。其后缀的第一局部是一个字母，表示稳定电压值的容许误差范围，字母 A、B、C、D、E 分别表示
8、容许误差为1%、2%、5%、10%、15%；其后缀其次局部是数字，表示标称稳定电压的整数数值；后缀的第三局部是字母 V，代表小数点，字母V 之后的数字为稳压管标称稳定电压的小数值。2、整流二极管后缀是数字，表示器件的最大反向峰值耐压值，单位是伏特。3、晶闸管型号的后缀也是数字，通常标出最大反向峰值耐压值和最大反向关断电压中数值较小的那个电压值。如：BDX51-表示NPN 硅低频大功率三极管，AF239S-表示PNP 锗高频小功率三极管。五、欧洲早期半导体分立器件型号命名法欧洲有些国家，如德国、荷兰承受如下命名方法。第一局部：O-表示半导体器件其次局部：A-二极管、C-三极管、AP-光电二极管、
9、CP-光电三极管、AZ-稳压管、RP-光电器件。第三局部：多位数字-表示器件的登记序号。第四局部：A、B、C-表示同一型号器件的变型产品。俄罗斯半导体器件型号命名法由于使用少，在此不介绍。一、半导体二极管参数符号及其意义CT-势垒电容Cj-结极间电容， 表示在二极管两端加规定偏压下，锗检波二极管的总电容Cjv-偏压结电容Co-零偏压电容Cjo-零偏压结电容Cjo/Cjn-结电容变化Cs-管壳电容或封装电容Ct-总电容CTV-电压温度系数。在测试电流下，稳定电压的相对变化与环境温度确实定变化之比CTC-电容温度系数Cvn-标称电容IF-正向直流电流正向测试电流。锗检波二极管在规定的正向电压VF
10、下，通过极间的电流；硅整流管、硅堆在规定的使用条件下，在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流平均值，硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流；钽电容封装测稳压二极管正向电参数时给定的电流IFAV-正向平均电流IFMIM-正向峰值电流正向最大电流。在额定功率下，允许通过二极管的最大正向脉冲电流。发光二极管极限电流。IH-恒定电流、维持电流。Ii- 发光二极管起辉电流IFRM-正向重复峰值电流IFSM-正向不重复峰值电流浪涌电流Io-整流电流。在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流IF(ov)-正向过载电流IL-光电流或稳流二极管极限电流ID-暗电流IB2-单结晶体管中的基
11、极调制电流IEM-放射极峰值电流IEB10-双基极单结晶体管中放射极与第一基极间反向电流IEB20-双基极单结晶体管中放射极向电流ICM-最大输出平均电流IFMP-正向脉冲电流IP-峰点电流IV-谷点电流IGT-晶闸管掌握极触发电流IGD-晶闸管掌握极不触发电流IGFM-掌握极正向峰值电流IRAV-反向平均电流IRIn-反向直流电流反向漏电流。在测反向特性时，给定的反向电流；硅堆在正弦半波电阻性负载电路中，加反向电压规定值时，所通过的电流；硅开关二极管两端加反向工作电压VR 时所通过的电流；稳压二极管在反向电压下，产生的漏电流；整流管在正弦半波最高反向工作电压下的漏电流。IRM-反向峰值电流I
12、RR-晶闸管反向重复平均电流IDR-晶闸管断态平均重复电流IRRM-反向重复峰值电流IRSM-反向不重复峰值电流反向浪涌电流 Irp-反向恢复电流Iz-稳定电压电流反向测试电流。测试反向电参数时，给定的反向电流Izk-稳压管膝点电流IOM-最大正向整流电流。在规定条件下，能承受的正向最大瞬时电流；在电阻性负荷的正弦半波整流电路中允许连续通过锗检波二极管的最大工作电流IZSM-稳压二极管浪涌电流IZM-最大稳压电流。在最大耗散功率下稳压二极管允许通过的电流iF-正向总瞬时电流iR-反向总瞬时电流ir-反向恢复电流Iop-工作电流Is-稳流二极管稳定电流f-频率n-电容变化指数；电容比Q-优值品质
13、因素 vz-稳压管电压漂移di/dt-通态电流临界上升率dv/dt-通态电压临界上升率PB-承受脉冲烧毁功率PFTAV-正向导通平均耗散功率PFTM-正向峰值耗散功率PFT-正向导通总瞬时耗散功率Pd-耗散功率PG-门极平均功率PGM-门极峰值功率PC-掌握极平均功率或集电极耗散功率Pi-输入功率PK-最大开关功率PM-额定功率。硅二极管结温不高于150度所能承受的最大功率PMP-最大漏过脉冲功率PMS-最大承受脉冲功率Po-输出功率PR-反向浪涌功率Ptot-总耗散功率Pomax-最大输出功率Psc-连续输出功率PSM-不重复浪涌功率PZM-最大耗散功率。在给定使用条件下，稳压二极管允许承受
14、的最大功率RFr-正向微分电阻。在正向导通时，钽电容电流随电压指数的增加，呈现明显的非线性特性。在某一正向电压下，电压增加微小量V，正向电流相应增加I，则V/I 称微分电阻RBB-双基极晶体管的基极间电阻RE-射频电阻RL-负载电阻Rs(rs)串联电阻Rth热阻R(th)ja结到环境的热阻Rz(ru)动态电阻R(th)jc结到壳的热阻r 衰减电阻r(th)瞬态电阻Ta环境温度Tc壳温td延迟时间tf下降时间tfr-正向恢复时间tg-电路换向关断时间tgt-门极掌握极开通时间Tj-结温Tjm-最高结温ton-开通时间toff-关断时间tr-上升时间trr-反向恢复时间ts-存储时间tstg-温度
15、补偿二极管的贮成温度a-温度系数 p-发光峰值波长 -光谱半宽度 -单结晶体管分压比或效率VB-反向峰值击穿电压Vc-整流输入电压VB2B1-基极间电压VBE10-放射极与第一基极反向电压VEB-饱和压降VFM-最大正向压降正向峰值电压 VF-正向压降正向直流电压VF-正向压降差VDRM-断态重复峰值电压VGT-门极触发电压AVX 钽电容VGD-门极不触发电压VGFM-门极正向峰值电压VGRM-门极反向峰值电压VFAV-正向平均电压Vo-沟通输入电压VOM-最大输出平均电压Vop-工作电压Vn-中心电压Vp-峰点电压VR-反向工作电压反向直流电压 VRM-反向峰值电压最高测试电压 VBR-击穿
16、电压Vth-阀电压门限电压VRRM-反向重复峰值电压反向浪涌电压 VRWM-反向工作峰值电压V v-谷点电压Vz-稳定电压Vz-稳压范围电压增量Vs-通向电压信号电压或稳流管稳定电流电压av-电压温度系数Vk-膝点电压稳流二极管 VL -极限电压二、双极型晶体管参数符号及其意义Cc-集电极电容Ccb-集电极与基极间电容Cce-放射极接地输出电容Ci-输入电容Cib-共基极输入电容Cie-共放射极输入电容Cies-共放射极短路输入电容Cieo-共放射极开路输入电容Cn-中和电容外电路参数 Co-输出电容Cob-共基极输出电容。在基极电路中，集电极与基极间输出电容Coe-共放射极输出电容Coeo-
17、共放射极开路输出电容Cre-共放射极反响电容Cic-集电结势垒电容CL-负载电容外电路参数 Cp-并联电容外电路参数BVcbo-放射极开路，集电极与基极间击穿电压BVceo-基极开路，CE 结击穿电压BVebo- 集电极开路EB 结击穿电压BVces-基极与放射极短路CE 结击穿电压BV cer-基极与放射极串接一电阻，CE 结击穿电压D-占空比fT-特征频率fmax-最高振荡频率。当三极管功率增益等于1时的工作频率hFE-共放射极静态电流放大系数hIE-共放射极静态输入阻抗hOE-共放射极静态输出电导h RE-共放射极静态电压反响系数hie-共放射微小信号短路输入阻抗hre-共放射微小信号开
18、路电压反响系数hfe-共放射微小信号短路电压放大系数hoe-共放射微小信号开路输出导纳IB-基极直流电流或沟通电流的平均值Ic-集电极直流电流或沟通电流的平均值IE-放射极直流电流或沟通电流的平均值Icbo-基极接地，放射极对地开路，在规定的VCB 反向电压条件下的集电极与基极之间的反向截止电流Iceo-放射极接地，基极对地开路，在规定的反向电压VCE 条件下，TI 代理集电极与放射极之间的反向截止电流Iebo-基极接地，集电极对地开路，在规定的反向电压VEB 条件下，放射极与基极之间的反向截止电流Icer-基极与放射极间串联电阻R，集电极与放射极间的电压 VCE 为规定值时，集电极与放射极之
19、间的反向截止电流Ices-放射极接地，基极对地短路，在规定的反向电压VCE 条件下，集电极与放射极之间的反向截止电流Icex-放射极接地，基极与放射极间加指定偏压，在规定的反向偏压 VCE 下，集电极与放射极之间的反向截止电流ICM-集电极最大允许电流或沟通电流的最大平均值。IBM-在集电极允许耗散功率的范围内，能连续地通过基极的直流电流的最大值，或沟通电流的最大平均值ICMP-集电极最大允许脉冲电流ISB-二次击穿电流IAGC-正向自动掌握电流Pc-集电极耗散功率PCM-集电极最大允许耗散功率Pi-输入功率Po-输出功率Posc-振荡功率Pn-噪声功率Ptot-总耗散功率ESB-二次击穿能量
20、rbb”-基区扩展电阻基区本征电阻rbb”Cc-基极-集电极时间常数，即基极扩展电阻与集电结电容量的乘积rie-放射极接地，沟通输出短路时的输入电阻roe-放射极接地，在规定VCE、Ic 或 IE、频率条件下测定的沟通输入短路时的输出电阻RE-外接放射极电阻外电路参数 RB-外接基极电阻外电路参数 Rc -外接集电极电阻外电路参数RBE-外接基极-放射极间电阻外电路参数 RL-负载电阻外电路参数RG-信号源内阻Rth-热阻Ta-环境温度Tc-管壳温度Ts-结温Tjm-最大允许结温Tstg-贮存温度 td延迟时间tr上升时间ts存贮时间tf下降时间ton开通时间toff关断时间VCB集电极-基极
21、直流电压VCE集电极-放射极直流电压VBE基极放射极直流电压VCBO基极接地，放射极对地开路，集电极与基极之间在指定条件下的最高耐压VEBO基极接地，集电极对地开路，放射极与基极之间在指定条件下的最高耐压VCEO放射极接地，基极对地开路，集电极与放射极之间在指定条件下的最高耐压VCER放射极接地，基极与放射极间串接电阻R，集电极与放射极间在指定条件下的最高耐压VCES放射极接地，基极对地短路，集电极与放射极之间在指定条件下的最高耐压VCEX放射极接地，基极与放射极之间加规定的偏压，集电极与放射极之间在规定条件下的最高耐压Vp穿通电压。VSB二次击穿电压VBB基极直流电源电压外电路参数Vcc集电
22、极直流电源电压外电路参数VEE放射极直流电源电压外电路参数VCE(sat)放射极接地，规定Ic、IB 条件下的集电极-放射极间饱和压降VBE(sat)放射极接地，规定Ic、IB 条件下，基极-放射极饱和压降前向压降VAGC正向自动增益掌握电压Vn(p-p)输入端等效噪声电压峰值V n噪声电压Cj-结极间电容， 表示在二极管两端加规定偏压下，锗检波二极管的总电容Cjv偏压结电容Co零偏压电容Cjo零偏压结电容Cjo/Cjn结电容变化Cs管壳电容或封装电容Ct总电容CTV电压温度系数。在测试电流下，稳定电压的相对变化与环境温度确实定变化之比CTC电容温度系数Cvn标称电容IF正向直流电流正向测试电
23、流。锗检波二极管在规定的正向电压VF 下，通过极间的电流；硅整流管、硅堆在规定的使用条件下，在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流平均值，硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流；测稳压二极管正向电参数时给定的电流IFAV正向平均电流IFMIM正向峰值电流正向最大电流。在额定功率下，允许通过二极管的最大正向脉冲电流。发光二极管极限电流。IH恒定电流、维持电流。Ii发光二极管起辉电流IFRM-正向重复峰值电流IFSM-正向不重复峰值电流浪涌电流Io-整流电流。在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流IF(ov)-正向过载电流IL-光电流或稳流二极管极限电流ID-暗电流IB2
24、-单结晶体管中的基极调制电流IEM-放射极峰值电流IEB10-双基极单结晶体管中放射极与第一基极间反向电流IEB20-双基极单结晶体管中放射极向电流ICM-最大输出平均电流IFMP-正向脉冲电流IP-峰点电流IV-谷点电流IGT-晶闸管掌握极触发电流IGD-晶闸管掌握极不触发电流IGFM-掌握极正向峰值电流IRAV-反向平均电流IRIn-反向直流电流反向漏电流。在测反向特性时，给定的反向电流；硅堆在正弦半波电阻性负载电路中，加反向电压规定值时，所通过的电流；硅开关二极管两端加反向工作电压VR 时所通过的电流；稳压二极管在反向电压下，产生的漏电流；整流管在正弦半波最高反向工作电压下的漏电流。IR
25、M-反向峰值电流IRR-晶闸管反向重复平均电流IDR-晶闸管断态平均重复电流IRRM-反向重复峰值电流IRSM-反向不重复峰值电流反向浪涌电流 Irp-反向恢复电流Iz-稳定电压电流反向测试电流。测试反向电参数时，给定的反向电流Izk-稳压管膝点电流IOM-最大正向整流电流。在规定条件下，能承受的正向最大瞬时电流；在电阻性负荷的正弦半波整流电路中允许连续通过锗检波二极管的最大工作电流IZSM-稳压二极管浪涌电流IZM-最大稳压电流。在最大耗散功率下稳压二极管允许通过的电流iF-正向总瞬时电流iR-反向总瞬时电流ir-反向恢复电流Iop-工作电流Is-稳流二极管稳定电流f-频率n-电容变化指数；
26、电容比Q-优值品质因素 vz-稳压管电压漂移di/dt-通态电流临界上升率dv/dt-通态电压临界上升率PB-承受脉冲烧毁功率PFTAV-正向导通平均耗散功率PFTM-正向峰值耗散功率PFT-正向导通总瞬时耗散功率Pd-耗散功率PG-门极平均功率PGM-门极峰值功率PC-掌握极平均功率或集电极耗散功率Pi-输入功率PK-最大开关功率PM-额定功率。硅二极管结温不高于150度所能承受的最大功率PMP-最大漏过脉冲功率PMS-最大承受脉冲功率Po-输出功率PR-反向浪涌功率Ptot-总耗散功率Pomax-最大输出功率Psc-连续输出功率PSM-不重复浪涌功率PZM-最大耗散功率。在给定使用条件下，
27、稳压二极管允许承受的最大功率RFr-正向微分电阻。在正向导通时，电流随电压指数的增加，呈现明显的非线性特性。在某一正向电压下，电压增加微小量V，正向电流相应增加I，则V/I 称微分电阻RBB-双基极晶体管的基极间电阻RE-射频电阻RL-负载电阻Rs(rs)串联电阻Rth热阻R(th)ja结到环境的热阻Rz(ru)动态电阻R(th)jc结到壳的热阻r 衰减电阻r(th)瞬态电阻Ta环境温度Tc壳温td延迟时间tf下降时间tfr正向恢复时间tg电路换向关断时间tgt门极掌握极开通时间Tj结温Tjm最高结温ton开通时间toff关断时间tr上升时间trr反向恢复时间ts存储时间tstg温度补偿二极管
28、的贮成温度a温度系数 p发光峰值波长 光谱半宽度单结晶体管分压比或效率VB反向峰值击穿电压Vc整流输入电压VB2B1基极间电压VBE10放射极与第一基极反向电压VEB饱和压降VFM最大正向压降正向峰值电压VF正向压降正向直流电压VF正向压降差VDRM断态重复峰值电压VGT门极触发电压VGD门极不触发电压VGFM门极正向峰值电压VGRM门极反向峰值电压VFAV正向平均电压Vo沟通输入电压VOM-最大输出平均电压Vop-工作电压Vn-中心电压Vp-峰点电压VR-反向工作电压反向直流电压 VRM-反向峰值电压最高测试电压 VBR-击穿电压Vth-阀电压门限电压VRRM-反向重复峰值电压反向浪涌电压
29、VRWM-反向工作峰值电压V v-谷点电压Vz-稳定电压Vz-稳压范围电压增量Vs-通向电压信号电压或稳流管稳定电流电压av-电压温度系数Vk-膝点电压稳流二极管 VL -极限电压三、场效应管参数符号意义Cds-漏-源电容Cdu-漏-衬底电容Cgd-栅-源电容Cgs-漏-源电容Ciss-栅短路共源输入电容Coss-栅短路共源输出电容Crss-栅短路共源反向传输电容D-占空比占空系数，外电路参数 di/dt-电流上升率外电路参数 dv/dt-电压上升率外电路参数 ID-漏极电流直流IDM-漏极脉冲电流ID(on)-通态漏极电流IDQ-静态漏极电流射频功率管 IDS-漏源电流IDSM-最大漏源电流
30、IDSS-栅-源短路时，漏极电流IDS(sat)-沟道饱和电流漏源饱和电流 IG-栅极电流直流IGF-正向栅电流IGR-反向栅电流IGDO-源极开路时，截止栅电流IGSO-漏极开路时，截止栅电流IGM-栅极脉冲电流IGP-栅极峰值电流IF-二极管正向电流IGSS-漏极短路时截止栅电流IDSS1-对管第一管漏源饱和电流IDSS2-对管其次管漏源饱和电流Iu-衬底电流Ipr-电流脉冲峰值外电路参数 gfs-正向跨导Gp-功率增益Gps-共源极中和高频功率增益GpG-共栅极中和高频功率增益GPD-共漏极中和高频功率增益ggd-栅漏电导gds-漏源电导K-失调电压温度系数Ku-传输系数L-负载电感外电
31、路参数 LD-漏极电感Ls-源极电感rDS-漏源电阻rDS(on)-漏源通态电阻rDS(of)-漏源断态电阻rGD-栅漏电阻rGS-栅源电阻Rg-栅极外接电阻外电路参数 RL-负载电阻外电路参数 R(th)jc-结壳热阻R(th)ja-结环热阻PD-漏极耗散功率PDM-漏极最大允许耗散功率PIN-输入功率POUT-输出功率PPK-脉冲功率峰值外电路参数 to(on)-开通延迟时间td(off)-关断延迟时间ti-上升时间ton-开通时间toff-关断时间tf-下降时间trr-反向恢复时间Tj-结温Tjm-最大允许结温Ta-环境温度Tc-管壳温度Tstg-贮成温度VDS-漏源电压直流 VGS-栅源电压直流VGSF-正向栅源电压直流 VGSR-反向栅源电压直流VDD-漏极直流电源电压外电路参数 VGG-栅极直流电源电压外电路参数 Vss-源极直流电源电压外电路参数 VGS(th)-开启电压或阀电压VBRDSS-漏源击穿电压VBRGSS-漏源短路时栅源击穿电压VDS(on)-漏源通态电压VDS(sat)-漏源饱和电压VGD-栅漏电压直流 Vsu-源衬底电压直流 VDu-漏衬底电压直流 VGu-栅衬底电压直流 Zo-驱动源内阻-漏极效率射频功率管Vn-噪声电压aID-漏极电流温度系数ards-漏源电阻温度系数