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1、电子元器件基础知识半导体二极管的导电特性：二极管最重要的特性就是单方向导电性。在电路中，电流只能从二极管的正极流入，负极流出。1、正向特性在电子电路中，将二极管的正极接在高电位端，负极接在低电位端，二极管就会导通，这种连接方式，称为正向偏置。必须说明，当加在二极管两端的正向电压很小时，二极管仍然不能导通，流过二极管的正向电流十分微弱。只有当正向电压达到某一数值（这一数值称为“门槛电压”，锗管约为0.2V，硅管约为0.6V）以后，二极管才能直正导通。导通后二极管两端的电压基本上保持不变（锗管约为0.3V，硅管约为0.7V），称为二极管的“正向压降”。2、反向特性在电子电路中，二极管的正极接在低电
2、位端，负极接在高电位端，此时二极管中几乎没有电流流过，二极管处于截止状态，这种连接方式，称为反向偏置。二极管处于反向偏置时，仍然会有微弱的反向电流流过二极管，称为漏电流。当二极管两端的反向电压增大到某一数值，反向电流会急剧增大，二极管将失去单方向导电特性，这种状态称为二极管的击穿。二极管的主要参数:1、额定正向工作电流：是指二极管长期连续工作时允许通过的最大正向电流值。2、最高反向工作电压：加在二极管两端的反向电压高到一定值时，会将管子击穿，失去单向导电能力。为了保证使用安全，规定了最高反向工作电压值。例如，IN4001二极管反向耐压为50V，IN4007反向耐压为1000V。3、反向电流：反
3、向电流是指二极管在规定的温度和最高反向电压作用下，流过二极管的反向电流。反向电流越小，管子的单方向导电性能越好。二极管的应用:1、整流利用二极管单向导电性，可以把方向交替变化的交流电变换成单一方向的脉动直流电。2、开关二极管在正向电压作用下电阻很小，处于导通状态，相当于一只接通的开关；在反向电压作用下，电阻很大，处于截止状态，如同一只断开的开关。利用二极管的开关特性，可以组成各种逻辑电路。3、限幅二极管正向导通后，它的正向压降基本保持不变（硅管为0.7V，锗管为0.3V）。利用这一特性，在电路中作为限幅元件，可以把信号幅度限制在一定范围内。4、继流二极管在开关电源的电感中和继电器等感性负载中起
4、继流作用。5、检波二极管在收音机中起检波作用。6、变容二极管 几乎所有晶体管都可以作为芯片元件买到(见图6-9和6-10)，包括饱和开关，通用的放大管，RF放大管和功率开关。使用没有外壳晶体管的缺点之一是没法事先进行全性能测试，将其分类。作为一个例子，2N2222晶体管芯片来自2N型的大族。该大族全部使用相同的基本制造工艺。用筛选和测试分级为从商用等级到军用等级的部件。在混合电路使用没有封壳的芯片时，混合电路制造商必须依赖室温下圆片直流探针测试结果区分芯片的好坏，不能进行交流参数和动态参数测试.所以不能完全保证电性能。双极型双极型双极型双极型半导体三极管（亦称为晶体管）一般有三半导体三极管（亦
5、称为晶体管）一般有三半导体三极管（亦称为晶体管）一般有三半导体三极管（亦称为晶体管）一般有三个电极（即三个引出脚），按工作性质亦分为高、低个电极（即三个引出脚），按工作性质亦分为高、低个电极（即三个引出脚），按工作性质亦分为高、低个电极（即三个引出脚），按工作性质亦分为高、低频晶体三极管；大功率、中功率和小功率晶体三极管；频晶体三极管；大功率、中功率和小功率晶体三极管；频晶体三极管；大功率、中功率和小功率晶体三极管；频晶体三极管；大功率、中功率和小功率晶体三极管；用作信号放大用的三极管和用做开关的三极管。按材用作信号放大用的三极管和用做开关的三极管。按材用作信号放大用的三极管和用做开关的三极管
6、。按材用作信号放大用的三极管和用做开关的三极管。按材料分有锗半导体三极管和硅半导体三极管，由于硅三料分有锗半导体三极管和硅半导体三极管，由于硅三料分有锗半导体三极管和硅半导体三极管，由于硅三料分有锗半导体三极管和硅半导体三极管，由于硅三极管工作稳定性较好，所以现在大部分三极管都是用极管工作稳定性较好，所以现在大部分三极管都是用极管工作稳定性较好，所以现在大部分三极管都是用极管工作稳定性较好，所以现在大部分三极管都是用硅材料做的。下面是一些三极管的外型。硅材料做的。下面是一些三极管的外型。硅材料做的。下面是一些三极管的外型。硅材料做的。下面是一些三极管的外型。大功大功大功大功率低率低率低率低频三
7、频三频三频三极管极管极管极管中功中功中功中功率低率低率低率低频三频三频三频三极管极管极管极管小功小功小功小功率高率高率高率高频三频三频三频三极管极管极管极管一、晶体管结构简介一、晶体管结构简介一、晶体管结构简介一、晶体管结构简介 1.1.晶体管一般由晶体管一般由晶体管一般由晶体管一般由NPNNPN和和和和PNPPNP两种结构组成两种结构组成两种结构组成两种结构组成 双极型晶体管双极型晶体管(BJT)(BJT)一、晶体管结构简介一、晶体管结构简介一、晶体管结构简介一、晶体管结构简介2.2.晶体管有三个区晶体管有三个区晶体管有三个区晶体管有三个区:N集电区集电区NP基区基区e e发发发发射射射射极
8、极极极b b 基基基基极极极极c c 集集集集电电电电极极极极发射区发射区发射区发射区管芯结构剖面图管芯结构剖面图管芯结构剖面图管芯结构剖面图 基区基区基区基区(P):(P):很薄很薄很薄很薄,空穴浓度较空穴浓度较空穴浓度较空穴浓度较小小小小引出基极引出基极引出基极引出基极b.b.发射区发射区发射区发射区(N):(N):与基区的接触与基区的接触与基区的接触与基区的接触面较小面较小面较小面较小引出发射极引出发射极引出发射极引出发射极e.e.集电区集电区集电区集电区(N):(N):与基区的接触与基区的接触与基区的接触与基区的接触面较大面较大面较大面较大引出集电极引出集电极引出集电极引出集电极c.c
9、.1.1.晶体管一般由晶体管一般由晶体管一般由晶体管一般由NPNNPN和和和和PNPPNP两种结构组成两种结构组成两种结构组成两种结构组成 以以以以NPNNPN型晶体型晶体型晶体型晶体管为例。管为例。管为例。管为例。双极型晶体管双极型晶体管(BJT)(BJT)一、晶体管结构简介一、晶体管结构简介一、晶体管结构简介一、晶体管结构简介 基区基区基区基区(P):(P):很薄很薄很薄很薄,空穴浓度较空穴浓度较空穴浓度较空穴浓度较小小小小引出基极引出基极引出基极引出基极b.b.发射区发射区发射区发射区(N):(N):与基区的接触与基区的接触与基区的接触与基区的接触面较小面较小面较小面较小引出发射极引出发
10、射极引出发射极引出发射极e.e.集电区集电区集电区集电区(N):(N):与基区的接触与基区的接触与基区的接触与基区的接触面较大面较大面较大面较大引出集电极引出集电极引出集电极引出集电极c.c.1.1.晶体管一般由晶体管一般由晶体管一般由晶体管一般由NPNNPN和和和和PNPPNP两种结构组成两种结构组成两种结构组成两种结构组成 注意：发射极的符注意：发射极的符注意：发射极的符注意：发射极的符号带箭头。号带箭头。号带箭头。号带箭头。PNP型型ECBECBNPN型型半导体三极管电路符号半导体三极管电路符号半导体三极管电路符号半导体三极管电路符号2.2.晶体管有三个区晶体管有三个区晶体管有三个区晶体
11、管有三个区:双极型晶体管双极型晶体管(BJT)(BJT)双极型晶体管双极型晶体管(BJT)(BJT)一、晶体管结构简介一、晶体管结构简介一、晶体管结构简介一、晶体管结构简介 1.1.晶体管一般由晶体管一般由晶体管一般由晶体管一般由NPNNPN和和和和PNPPNP两种结构组成两种结构组成两种结构组成两种结构组成 PNP型型ECBECBNPN型型半导体三极管电路符号半导体三极管电路符号半导体三极管电路符号半导体三极管电路符号 NPN NPN与与与与PNPPNP管具有几乎等同的特性，只不过各电极管具有几乎等同的特性，只不过各电极管具有几乎等同的特性，只不过各电极管具有几乎等同的特性，只不过各电极端的
12、电压极性和电流流向不同而已。端的电压极性和电流流向不同而已。端的电压极性和电流流向不同而已。端的电压极性和电流流向不同而已。2.2.晶体管有三个区晶体管有三个区晶体管有三个区晶体管有三个区:很显然很显然很显然很显然 ，三极管有两个三极管有两个三极管有两个三极管有两个 PNPN结，发射区与基区间的称为结，发射区与基区间的称为结，发射区与基区间的称为结，发射区与基区间的称为发射结，集电区与基区间的叫发射结，集电区与基区间的叫发射结，集电区与基区间的叫发射结，集电区与基区间的叫集电结。集电结。集电结。集电结。双极型晶体管双极型晶体管(BJT)(BJT)NNP空穴空穴空穴空穴电子电子电子电子ecbIB
13、IEICICBOIENI IEPEPIBN电流方向电流方向电流方向电流方向 1.1.晶体管各晶体管各晶体管各晶体管各PNPN结电压连结电压连结电压连结电压连接的一般特性接的一般特性接的一般特性接的一般特性 顾名思义：发射区的作顾名思义：发射区的作顾名思义：发射区的作顾名思义：发射区的作用是发射电用是发射电用是发射电用是发射电 子子子子,集电区的作集电区的作集电区的作集电区的作用是收集电子用是收集电子用是收集电子用是收集电子,下面以下面以下面以下面以NPNNPN型三极管型三极管型三极管型三极管 为例分析为例分析为例分析为例分析 载流子载流子载流子载流子(即电子和空穴即电子和空穴即电子和空穴即电子
14、和空穴)在晶体管内在晶体管内在晶体管内在晶体管内部的传输情况。部的传输情况。部的传输情况。部的传输情况。二、晶体管的电流分配二、晶体管的电流分配二、晶体管的电流分配二、晶体管的电流分配与放大作用与放大作用与放大作用与放大作用发射结发射结发射结发射结集电结集电结集电结集电结发射极发射极发射极发射极集电极集电极集电极集电极基极基极基极基极 发射结必须处于发射结必须处于发射结必须处于发射结必须处于正向正向正向正向偏置偏置偏置偏置目的削弱发射结目的削弱发射结目的削弱发射结目的削弱发射结 集电结必须处于集电结必须处于集电结必须处于集电结必须处于反向反向反向反向偏偏偏偏置置置置目的增强集电结目的增强集电结
15、目的增强集电结目的增强集电结VEEVCC+I ICNCN连接连接连接连接BJTBJT各极间电压的一般特性各极间电压的一般特性各极间电压的一般特性各极间电压的一般特性晶体管的电流分配晶体管的电流分配晶体管的电流分配晶体管的电流分配晶体管的放大作用晶体管的放大作用晶体管的放大作用晶体管的放大作用双极型晶体管双极型晶体管(BJT)(BJT)NNP空穴空穴空穴空穴电子电子电子电子ecbIBIEICICBOIENI IEPEPIBN电流方向电流方向电流方向电流方向VEEVCCVCC+I ICNCN 发射结必须处于发射结必须处于发射结必须处于发射结必须处于正向正向正向正向偏置偏置偏置偏置目的削弱发射结目的
16、削弱发射结目的削弱发射结目的削弱发射结 集电结必须处于集电结必须处于集电结必须处于集电结必须处于反向反向反向反向偏偏偏偏置置置置目的增强集电结目的增强集电结目的增强集电结目的增强集电结 二、晶体管的电流分配二、晶体管的电流分配二、晶体管的电流分配二、晶体管的电流分配与放大作用与放大作用与放大作用与放大作用 分析集射结电分析集射结电分析集射结电分析集射结电场方向知场方向知场方向知场方向知 ,反向反向反向反向偏置有利于收集偏置有利于收集偏置有利于收集偏置有利于收集在基区的电子在基区的电子在基区的电子在基区的电子 1.1.晶体管各晶体管各晶体管各晶体管各PNPN结电压连结电压连结电压连结电压连接的一
17、般特性接的一般特性接的一般特性接的一般特性 发射结变薄有发射结变薄有发射结变薄有发射结变薄有利于发射区的电利于发射区的电利于发射区的电利于发射区的电子向基区扩散子向基区扩散子向基区扩散子向基区扩散连接连接连接连接BJTBJT各极间电压的一般特性各极间电压的一般特性各极间电压的一般特性各极间电压的一般特性晶体管的电流分配晶体管的电流分配晶体管的电流分配晶体管的电流分配晶体管的放大作用晶体管的放大作用晶体管的放大作用晶体管的放大作用双极型晶体管双极型晶体管(BJT)(BJT)二、晶体管的电流分配二、晶体管的电流分配二、晶体管的电流分配二、晶体管的电流分配与放大作用与放大作用与放大作用与放大作用NN
18、P空穴空穴空穴空穴电子电子电子电子ecbIBIEICICBOIENI IEPEPIBN电流方向电流方向电流方向电流方向2.2.晶体管的电流分配晶体管的电流分配晶体管的电流分配晶体管的电流分配 发射极电流发射极电流发射极电流发射极电流I IE E:主要由发射区的主要由发射区的主要由发射区的主要由发射区的电子扩散电子扩散电子扩散电子扩散(I(IENEN)而成而成而成而成,亦有极少数的亦有极少数的亦有极少数的亦有极少数的由基区向发射区扩散由基区向发射区扩散由基区向发射区扩散由基区向发射区扩散 的空穴电流的空穴电流的空穴电流的空穴电流(I(IEPEP)。I IE E=I=IENEN+I+IEPEP I
19、 IENENVEEVCCVCC+I ICNCN 注意电流方向：电流方注意电流方向：电流方注意电流方向：电流方注意电流方向：电流方向与电子移动方向相反向与电子移动方向相反向与电子移动方向相反向与电子移动方向相反,与与与与空穴移动方向相同。空穴移动方向相同。空穴移动方向相同。空穴移动方向相同。1.1.晶体管各晶体管各晶体管各晶体管各PNPN结电压连结电压连结电压连结电压连接的一般特性接的一般特性接的一般特性接的一般特性晶体管的电流分配晶体管的电流分配晶体管的电流分配晶体管的电流分配晶体管的放大作用晶体管的放大作用晶体管的放大作用晶体管的放大作用双极型晶体管双极型晶体管(BJT)(BJT)二、晶体管
20、的电流分配二、晶体管的电流分配二、晶体管的电流分配二、晶体管的电流分配与放大作用与放大作用与放大作用与放大作用NNP空穴空穴空穴空穴电子电子电子电子ecbIBIEICICBOIENI IEPEPIBN电流方向电流方向电流方向电流方向 基极电流基极电流基极电流基极电流I IB B:基极电流主要由基基极电流主要由基基极电流主要由基基极电流主要由基区的空穴区的空穴区的空穴区的空穴 与从发射区扩散与从发射区扩散与从发射区扩散与从发射区扩散 过来过来过来过来的电子复合而成。同时电源的电子复合而成。同时电源的电子复合而成。同时电源的电子复合而成。同时电源V VEEEE又又又又不断地从基区中把电子拉走不断地
21、从基区中把电子拉走不断地从基区中把电子拉走不断地从基区中把电子拉走,维持维持维持维持基区有一定数量的空穴。基区有一定数量的空穴。基区有一定数量的空穴。基区有一定数量的空穴。VEEVCCVCC+I ICNCN2.2.晶体管的电流分配晶体管的电流分配晶体管的电流分配晶体管的电流分配 1.1.晶体管各晶体管各晶体管各晶体管各PNPN结电压连结电压连结电压连结电压连接的一般特性接的一般特性接的一般特性接的一般特性 由于基区有少由于基区有少由于基区有少由于基区有少量空穴量空穴量空穴量空穴,所以从发所以从发所以从发所以从发射区扩散过来的射区扩散过来的射区扩散过来的射区扩散过来的电子在基区会被电子在基区会被
22、电子在基区会被电子在基区会被复合掉一些复合掉一些复合掉一些复合掉一些,形成形成形成形成基极电流。基极电流。基极电流。基极电流。晶体管的电流分配晶体管的电流分配晶体管的电流分配晶体管的电流分配晶体管的放大作用晶体管的放大作用晶体管的放大作用晶体管的放大作用双极型晶体管双极型晶体管(BJT)(BJT)二、晶体管的电流分配二、晶体管的电流分配二、晶体管的电流分配二、晶体管的电流分配与放大作用与放大作用与放大作用与放大作用NNP空穴空穴空穴空穴电子电子电子电子ecbIBIEICICBOIENI IEPEPIBN电流方向电流方向电流方向电流方向 集电极电流集电极电流集电极电流集电极电流I IC C:集电
23、极电流主要集电极电流主要集电极电流主要集电极电流主要由集电结收集从发射区扩散至基由集电结收集从发射区扩散至基由集电结收集从发射区扩散至基由集电结收集从发射区扩散至基区的电子而成区的电子而成区的电子而成区的电子而成(I(ICNCN)。亦有由于基亦有由于基亦有由于基亦有由于基区和集电区的少子漂移作用而区和集电区的少子漂移作用而区和集电区的少子漂移作用而区和集电区的少子漂移作用而产产产产生的很小的反向饱和电流生的很小的反向饱和电流生的很小的反向饱和电流生的很小的反向饱和电流I ICBOCBO。VEEVCCI IC C=I=ICNCN+I+ICBOCBO I ICNCNVCC+I ICNCN 由于基区
24、空穴的复合作用由于基区空穴的复合作用由于基区空穴的复合作用由于基区空穴的复合作用 ,集电区收集的电子数会比发射集电区收集的电子数会比发射集电区收集的电子数会比发射集电区收集的电子数会比发射区扩散的电子数要小一些区扩散的电子数要小一些区扩散的电子数要小一些区扩散的电子数要小一些 ,即即即即集电极电流集电极电流集电极电流集电极电流I IC C比发射极电流比发射极电流比发射极电流比发射极电流 I IE E要小一些。要小一些。要小一些。要小一些。2.2.晶体管的电流分配晶体管的电流分配晶体管的电流分配晶体管的电流分配 1.1.晶体管各晶体管各晶体管各晶体管各PNPN结电压连结电压连结电压连结电压连接的
25、一般特性接的一般特性接的一般特性接的一般特性晶体管的电流分配晶体管的电流分配晶体管的电流分配晶体管的电流分配晶体管的放大作用晶体管的放大作用晶体管的放大作用晶体管的放大作用双极型晶体管双极型晶体管(BJT)(BJT)二、晶体管的电流分配二、晶体管的电流分配二、晶体管的电流分配二、晶体管的电流分配与放大作用与放大作用与放大作用与放大作用NNP空穴空穴空穴空穴电子电子电子电子ecbIBIEICICBOIENI IEPEPIBN电流方向电流方向电流方向电流方向 由电路分析的内容可知由电路分析的内容可知由电路分析的内容可知由电路分析的内容可知,三个三个三个三个电极之间的电流关系为：电极之间的电流关系为
26、：电极之间的电流关系为：电极之间的电流关系为：VEEVCCI IE E=I=IB B+I+IC CRbVEEVCCRLIB 发射极与基极发射极与基极发射极与基极发射极与基极之间为正向偏置之间为正向偏置之间为正向偏置之间为正向偏置+I IE E=I=IB B+I+IC C 集电极与基极集电极与基极集电极与基极集电极与基极之间为反向偏置之间为反向偏置之间为反向偏置之间为反向偏置ICVCC+2.2.晶体管的电流分配晶体管的电流分配晶体管的电流分配晶体管的电流分配 1.1.晶体管各晶体管各晶体管各晶体管各PNPN结电压连结电压连结电压连结电压连接的一般特性接的一般特性接的一般特性接的一般特性 三极管的
27、三个极不管如何连三极管的三个极不管如何连三极管的三个极不管如何连三极管的三个极不管如何连接接接接,这个关系是不会改变的。这个关系是不会改变的。这个关系是不会改变的。这个关系是不会改变的。以后画电路时三极管就不再以后画电路时三极管就不再以后画电路时三极管就不再以后画电路时三极管就不再使用结构图而用电路符号图了。使用结构图而用电路符号图了。使用结构图而用电路符号图了。使用结构图而用电路符号图了。晶体管的电流分配晶体管的电流分配晶体管的电流分配晶体管的电流分配晶体管的放大作用晶体管的放大作用晶体管的放大作用晶体管的放大作用双极型晶体管双极型晶体管(BJT)(BJT)二、晶体管的电流分配二、晶体管的电
28、流分配二、晶体管的电流分配二、晶体管的电流分配与放大作用与放大作用与放大作用与放大作用NNP空穴空穴空穴空穴电子电子电子电子ecbIBIEICICBOIENI IEPEPIBN电流方向电流方向电流方向电流方向 为了表示集电极收集发射区为了表示集电极收集发射区为了表示集电极收集发射区为了表示集电极收集发射区发射电子的能力发射电子的能力发射电子的能力发射电子的能力,通常使用一个常通常使用一个常通常使用一个常通常使用一个常数数数数h hfbfb()表示表示表示表示VEEVCCh hfbfb=i=iC Ci iE E RbVEEVCCRLIB+I IE E=I=IB B+I+IC CICVCC+2.2
29、.晶体管的电流分配晶体管的电流分配晶体管的电流分配晶体管的电流分配 1.1.晶体管各晶体管各晶体管各晶体管各PNPN结电压连结电压连结电压连结电压连接的一般特性接的一般特性接的一般特性接的一般特性 i iC C和和和和i iE E 是表示通过是表示通过是表示通过是表示通过三极管集电极和发射三极管集电极和发射三极管集电极和发射三极管集电极和发射极电流的瞬时值极电流的瞬时值极电流的瞬时值极电流的瞬时值.晶体管的电流分配晶体管的电流分配晶体管的电流分配晶体管的电流分配晶体管的放大作用晶体管的放大作用晶体管的放大作用晶体管的放大作用双极型晶体管双极型晶体管(BJT)(BJT)NNP空穴空穴空穴空穴电子
30、电子电子电子ecbIBIEICICBOIENI IEPEPIBN电流方向电流方向电流方向电流方向 为了表示集电极电流是基极为了表示集电极电流是基极为了表示集电极电流是基极为了表示集电极电流是基极电流的倍数电流的倍数电流的倍数电流的倍数,通常使用一个常数通常使用一个常数通常使用一个常数通常使用一个常数h hfefe ()表示表示表示表示VEEVCCRbVEEVCCRLIB+I IE E=I=IB B+I+IC CICVCC+h hfefe=i=iC Ci iB B h hfefe()称为共发射极交流电流称为共发射极交流电流称为共发射极交流电流称为共发射极交流电流放大系数放大系数放大系数放大系数
31、二、晶体管的电流分配二、晶体管的电流分配二、晶体管的电流分配二、晶体管的电流分配与放大作用与放大作用与放大作用与放大作用2.2.晶体管的电流分配晶体管的电流分配晶体管的电流分配晶体管的电流分配 1.1.晶体管各晶体管各晶体管各晶体管各PNPN结电压连结电压连结电压连结电压连接的一般特性接的一般特性接的一般特性接的一般特性晶体管的电流分配晶体管的电流分配晶体管的电流分配晶体管的电流分配晶体管的放大作用晶体管的放大作用晶体管的放大作用晶体管的放大作用双极型晶体管双极型晶体管(BJT)(BJT)NNP空穴空穴空穴空穴电子电子电子电子ecbIBIEICICBOIENI IEPEPIBN电流方向电流方向
32、电流方向电流方向 h hfbfb()与与与与h hfefe()之间的关之间的关之间的关之间的关系系系系VEEVCCRbVEEVCCRLIB+I IE E=I=IB B+I+IC CIC =1 1 VCC+二、晶体管的电流分配二、晶体管的电流分配二、晶体管的电流分配二、晶体管的电流分配与放大作用与放大作用与放大作用与放大作用联立下面三式可求出此关系式：联立下面三式可求出此关系式：联立下面三式可求出此关系式：联立下面三式可求出此关系式：i iC C=i iB Bi iC C=i iE Ei iE E=i=iC C+i+iB B 2.2.晶体管的电流分配晶体管的电流分配晶体管的电流分配晶体管的电流分
33、配 1.1.晶体管各晶体管各晶体管各晶体管各PNPN结电压连结电压连结电压连结电压连接的一般特性接的一般特性接的一般特性接的一般特性晶体管的电流分配晶体管的电流分配晶体管的电流分配晶体管的电流分配晶体管的放大作用晶体管的放大作用晶体管的放大作用晶体管的放大作用双极型晶体管双极型晶体管(BJT)(BJT)二、晶体管的电流分配二、晶体管的电流分配二、晶体管的电流分配二、晶体管的电流分配与放大作用与放大作用与放大作用与放大作用3.3.放大作用放大作用放大作用放大作用共射基本放大电路的组成演示共射基本放大电路的组成演示共射基本放大电路的组成演示共射基本放大电路的组成演示 三极管的放大作用实际上三极管的
34、放大作用实际上三极管的放大作用实际上三极管的放大作用实际上 是使微是使微是使微是使微小的信号小的信号小的信号小的信号(如微小变化的电压、微小变如微小变化的电压、微小变如微小变化的电压、微小变如微小变化的电压、微小变化的电流）转换成较大变化的信号。化的电流）转换成较大变化的信号。化的电流）转换成较大变化的信号。化的电流）转换成较大变化的信号。要使三极管有放大作用要使三极管有放大作用要使三极管有放大作用要使三极管有放大作用,必须与一些阻必须与一些阻必须与一些阻必须与一些阻容元件按一定的方式连接成电路容元件按一定的方式连接成电路容元件按一定的方式连接成电路容元件按一定的方式连接成电路,称为称为称为称
35、为放大电路放大电路放大电路放大电路 。最基本的放大电路是共射。最基本的放大电路是共射。最基本的放大电路是共射。最基本的放大电路是共射极放大电路。极放大电路。极放大电路。极放大电路。2.2.晶体管的电流分配晶体管的电流分配晶体管的电流分配晶体管的电流分配 1.1.晶体管各晶体管各晶体管各晶体管各PNPN结电压连结电压连结电压连结电压连接的一般特性接的一般特性接的一般特性接的一般特性晶体管的放大作用晶体管的放大作用晶体管的放大作用晶体管的放大作用双极型晶体管双极型晶体管(BJT)(BJT)viVBBVCCRL1K+ceb 输入与输出回路共输入与输出回路共输入与输出回路共输入与输出回路共用发射极，所
36、以称为用发射极，所以称为用发射极，所以称为用发射极，所以称为共发射极放大电路。共发射极放大电路。共发射极放大电路。共发射极放大电路。二、晶体管的电流分配二、晶体管的电流分配二、晶体管的电流分配二、晶体管的电流分配与放大作用与放大作用与放大作用与放大作用 =4 9 基极与发射极基极与发射极基极与发射极基极与发射极间组成输入回路间组成输入回路间组成输入回路间组成输入回路3.3.放大作用放大作用放大作用放大作用(1)(1)共射极放大电路共射极放大电路共射极放大电路共射极放大电路集电极与发射极集电极与发射极集电极与发射极集电极与发射极间组成输出回路间组成输出回路间组成输出回路间组成输出回路晶体管共射极
37、放大电路的组成晶体管共射极放大电路的组成晶体管共射极放大电路的组成晶体管共射极放大电路的组成共射极电路的电压放大原理共射极电路的电压放大原理共射极电路的电压放大原理共射极电路的电压放大原理 三极管的放大作用实际上三极管的放大作用实际上三极管的放大作用实际上三极管的放大作用实际上 是使微是使微是使微是使微小的信号小的信号小的信号小的信号(如微小变化的电压、微小变如微小变化的电压、微小变如微小变化的电压、微小变如微小变化的电压、微小变化的电流）转换成较大变化的信号。化的电流）转换成较大变化的信号。化的电流）转换成较大变化的信号。化的电流）转换成较大变化的信号。要使三极管有放大作用要使三极管有放大作
38、用要使三极管有放大作用要使三极管有放大作用,必须与一些阻必须与一些阻必须与一些阻必须与一些阻容元件按一定的方式连接成电路容元件按一定的方式连接成电路容元件按一定的方式连接成电路容元件按一定的方式连接成电路,称为称为称为称为放大电路放大电路放大电路放大电路 。最基本的放大电路是共射。最基本的放大电路是共射。最基本的放大电路是共射。最基本的放大电路是共射极放大电路。极放大电路。极放大电路。极放大电路。双极型晶体管双极型晶体管(BJT)(BJT)二、晶体管的电流分配二、晶体管的电流分配二、晶体管的电流分配二、晶体管的电流分配与放大作用与放大作用与放大作用与放大作用3.3.放大作用放大作用放大作用放大
39、作用(1)(1)共射极放大电路共射极放大电路共射极放大电路共射极放大电路 viVBBVCCi iB B=I=IB B+i iB B i iC C=I=IC C+i iC C vOi iE E=I=IE E+i iE E +cebRL1K =4 9共射极电路的电压放大原理共射极电路的电压放大原理共射极电路的电压放大原理共射极电路的电压放大原理(2)(2)共射电路的电压放大共射电路的电压放大共射电路的电压放大共射电路的电压放大 输出电路同时输出电路同时输出电路同时输出电路同时产生一个变化的产生一个变化的产生一个变化的产生一个变化的电流。电流。电流。电流。输入信号电输入信号电输入信号电输入信号电压在
40、输入回路压在输入回路压在输入回路压在输入回路上产生一个变上产生一个变上产生一个变上产生一个变化的电流。化的电流。化的电流。化的电流。三极管的放大作用实际上三极管的放大作用实际上三极管的放大作用实际上三极管的放大作用实际上 是使微是使微是使微是使微小的信号小的信号小的信号小的信号(如微小变化的电压、微小变如微小变化的电压、微小变如微小变化的电压、微小变如微小变化的电压、微小变化的电流）转换成较大变化的信号。化的电流）转换成较大变化的信号。化的电流）转换成较大变化的信号。化的电流）转换成较大变化的信号。要使三极管有放大作用要使三极管有放大作用要使三极管有放大作用要使三极管有放大作用,必须与一些阻必
41、须与一些阻必须与一些阻必须与一些阻容元件按一定的方式连接成电路容元件按一定的方式连接成电路容元件按一定的方式连接成电路容元件按一定的方式连接成电路,称为称为称为称为放大电路放大电路放大电路放大电路 。最基本的放大电路是共射。最基本的放大电路是共射。最基本的放大电路是共射。最基本的放大电路是共射极放大电路。极放大电路。极放大电路。极放大电路。变化的电流在变化的电流在变化的电流在变化的电流在负载电阻上产生负载电阻上产生负载电阻上产生负载电阻上产生一个变化电压。一个变化电压。一个变化电压。一个变化电压。三极管的放大作用实际上三极管的放大作用实际上三极管的放大作用实际上三极管的放大作用实际上 是使微是
42、使微是使微是使微小的信号小的信号小的信号小的信号(如微小变化的电压、微小变如微小变化的电压、微小变如微小变化的电压、微小变如微小变化的电压、微小变化的电流）转换成较大变化的信号。化的电流）转换成较大变化的信号。化的电流）转换成较大变化的信号。化的电流）转换成较大变化的信号。要使三极管有放大作用要使三极管有放大作用要使三极管有放大作用要使三极管有放大作用,必须与一些阻必须与一些阻必须与一些阻必须与一些阻容元件按一定的方式连接成电路容元件按一定的方式连接成电路容元件按一定的方式连接成电路容元件按一定的方式连接成电路,称为称为称为称为放大电路放大电路放大电路放大电路 。最基本的放大电路是共射。最基本
43、的放大电路是共射。最基本的放大电路是共射。最基本的放大电路是共射极放大电路。极放大电路。极放大电路。极放大电路。双极型晶体管双极型晶体管(BJT)(BJT)二、晶体管的电流分配二、晶体管的电流分配二、晶体管的电流分配二、晶体管的电流分配与放大作用与放大作用与放大作用与放大作用3.3.放大作用放大作用放大作用放大作用(1)(1)共射极放大电路共射极放大电路共射极放大电路共射极放大电路 这个放大电路的电压这个放大电路的电压这个放大电路的电压这个放大电路的电压放大倍数为放大倍数为放大倍数为放大倍数为 viVBBVCCi iB B=I=IB B+i iB B i iC C=I=IC C+i iC C
44、vOi iE E=I=IE E+i iE E +ceb(2)(2)共射电路的电压放大共射电路的电压放大共射电路的电压放大共射电路的电压放大 =4 9RL1K 设输入信号电压设输入信号电压设输入信号电压设输入信号电压变化变化变化变化 v vi i=20mV,20mV,产产产产生基极电流的变化生基极电流的变化生基极电流的变化生基极电流的变化量为量为量为量为 i iB B=20=20 A A 输出电流变化量为输出电流变化量为输出电流变化量为输出电流变化量为 i iC C=i iB B=4920=4920 A A =980 =980 A=0.98mAA=0.98mA 变化的电流在负载电阻变化的电流在负
45、载电阻变化的电流在负载电阻变化的电流在负载电阻上产生的电压变化量为上产生的电压变化量为上产生的电压变化量为上产生的电压变化量为 v vO O=-=-i iC C R RL L =-0.98mA1k=-0.98V=-0.98mA1k=-0.98V共射极电路的电压放大原理共射极电路的电压放大原理共射极电路的电压放大原理共射极电路的电压放大原理A AV V=v vo o /v vi i =-0.98V/20mV =-0.98V/20mV =-49 =-49输输入入特特性性曲曲线线就就输输入入特特性性曲曲线线就就是是研研究究三三极极管管是是研研究究三三极极管管 bebe之之间间输输入入电电流流之之间间
46、输输入入电电流流 I IB B随随输输入入电电压压随随输输入入电电压压 V VBEBE的的 变变 化化 规规 律律。的的 变变 化化 规规 律律。三、晶体管的特性曲线三、晶体管的特性曲线三、晶体管的特性曲线三、晶体管的特性曲线1.1.共射电路的特性曲线共射电路的特性曲线共射电路的特性曲线共射电路的特性曲线(1)(1)输入特性输入特性输入特性输入特性VBBVCCI IB BI IC CI IE E+ceb 三极管由于有三个极，放大电三极管由于有三个极，放大电三极管由于有三个极，放大电三极管由于有三个极，放大电路由两个回路组成路由两个回路组成路由两个回路组成路由两个回路组成 ,所以其特性所以其特性
47、所以其特性所以其特性曲线有两组，一组为输入特性曲曲线有两组，一组为输入特性曲曲线有两组，一组为输入特性曲曲线有两组，一组为输入特性曲线，另一组为输出特性曲线线，另一组为输出特性曲线线，另一组为输出特性曲线线，另一组为输出特性曲线 。VCEVBE共射电路输入特性曲线共射电路输入特性曲线共射电路输入特性曲线共射电路输入特性曲线 共射电路输出特性曲线共射电路输出特性曲线共射电路输出特性曲线共射电路输出特性曲线 双极型晶体管双极型晶体管(BJT)(BJT)输输入入特特性性曲曲线线就就输输入入特特性性曲曲线线就就是是研研究究三三极极管管是是研研究究三三极极管管 bebe之之间间输输入入电电流流之之间间输
48、输入入电电流流 I IB B随随输输入入电电压压随随输输入入电电压压 V VBEBE的的 变变 化化 规规 律律。的的 变变 化化 规规 律律。三、晶体管的特性曲线三、晶体管的特性曲线三、晶体管的特性曲线三、晶体管的特性曲线(1)(1)输入特性输入特性输入特性输入特性VBBVCC+ceb输入特性曲线的作法输入特性曲线的作法输入特性曲线的作法输入特性曲线的作法I IV VCECE=常数常数常数常数VBE/VIB/AI IB B=f(V=f(VBE BE)此式的意义是：令三极管此式的意义是：令三极管此式的意义是：令三极管此式的意义是：令三极管cece间间间间电压电压电压电压V VCECE保持不变，
49、研究保持不变，研究保持不变，研究保持不变，研究 be be 间电间电间电间电流流流流I IBE BE 随电压随电压随电压随电压V VBEBE的变化规律的变化规律的变化规律的变化规律.1.1.共射电路的特性曲线共射电路的特性曲线共射电路的特性曲线共射电路的特性曲线 共射电路输入特性曲线共射电路输入特性曲线共射电路输入特性曲线共射电路输入特性曲线 共射电路输出特性曲线共射电路输出特性曲线共射电路输出特性曲线共射电路输出特性曲线 双极型晶体管双极型晶体管(BJT)(BJT)I IB BI IC CI IE EVCEVBE0三、晶体管的特性曲线三、晶体管的特性曲线三、晶体管的特性曲线三、晶体管的特性曲
50、线(1)(1)输入特性输入特性输入特性输入特性先先 令令先先 令令 V VCCCC=0=0即即即即V VCECE=0=0VBBVCC+ceb令令令令V VB BB B从从从从0 0开开 始始 增增 加加开开 始始 增增 加加即即即即V VB EB E从从从从0 0开开 始始 增增 加加。开开 始始 增增 加加。VCE=0V1.1.共射电路的特性曲线共射电路的特性曲线共射电路的特性曲线共射电路的特性曲线 共射电路输入特性曲线共射电路输入特性曲线共射电路输入特性曲线共射电路输入特性曲线 共射电路输出特性曲线共射电路输出特性曲线共射电路输出特性曲线共射电路输出特性曲线 双极型晶体管双极型晶体管(BJ