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1、电子技术基础半导体器件基础知识1现在学习的是第1页，共30页目目 录录contentscontents1导体、半导体、绝缘体32本征半导体3掺杂半导体2110现在学习的是第2页，共30页一、导体、半导体和绝缘体一、导体、半导体和绝缘体31.1.物质分类物质分类 根据物质导电能力根据物质导电能力(电阻率电阻率)的不同，来划分导体、绝缘体的不同，来划分导体、绝缘体和半导体。和半导体。导导导导 体体体体：1010108 8mm 半导体半导体半导体半导体：10106 6mm10108 8mm现在学习的是第3页，共30页一、导体、半导体和绝缘体一、导体、半导体和绝缘体41.1.物质分类物质分类 导体导体
2、铁、铝、铜等金属元素等低价元素，其最外层电铁、铝、铜等金属元素等低价元素，其最外层电子在外电场作用下很容易产生定向移动，形成电流。子在外电场作用下很容易产生定向移动，形成电流。绝缘体绝缘体绝缘体绝缘体惰性气体、橡胶等，其原子的最外层电子受惰性气体、橡胶等，其原子的最外层电子受原子核的束缚力很强，只有在外电场强到一定程度时才可能原子核的束缚力很强，只有在外电场强到一定程度时才可能导电。导电。半导体半导体半导体半导体硅（硅（SiSi）、锗（）、锗（GeGe），均为四价元素，它们），均为四价元素，它们原子的最外层电子受原子核的束缚力介于导体与绝缘体之间。原子的最外层电子受原子核的束缚力介于导体与绝缘
3、体之间。现在学习的是第4页，共30页一、导体、半导体和绝缘体一、导体、半导体和绝缘体52.2.物质导电能力有差异的内因物质导电能力有差异的内因 绕原子核高速旋转的核外绕原子核高速旋转的核外电子电子带负电带负电带负电带负电。自然界的一切物质都是由分子、原子组成的。自然界的一切物质都是由分子、原子组成的。原子又由一个带正电的原子核和在它周围高速旋转着的带有负原子又由一个带正电的原子核和在它周围高速旋转着的带有负电的电子组成。电的电子组成。正电荷正电荷正电荷正电荷负电荷负电荷负电荷负电荷=原子结构中：原子结构中：原子核原子核中有质子和中子，其中原子核中有质子和中子，其中质子质子带正电带正电带正电带正
4、电，中子不带电。，中子不带电。现在学习的是第5页，共30页一、导体、半导体和绝缘体一、导体、半导体和绝缘体62.2.物质导电能力有差异的内因物质导电能力有差异的内因 导体的最外层电子数通常是导体的最外层电子数通常是1-31-3个，且距原子核较远，因此受原子核的个，且距原子核较远，因此受原子核的束缚较小。由于温度升高、振动等外界的影响，导体的最外层电子会获得束缚较小。由于温度升高、振动等外界的影响，导体的最外层电子会获得一定能量，挣脱原子核的束缚而游离到空间成为自由电子。因此，导体在一定能量，挣脱原子核的束缚而游离到空间成为自由电子。因此，导体在常温下存在大量的自由电子，具有良好的导电能力。常用
5、的导电材料有银、常温下存在大量的自由电子，具有良好的导电能力。常用的导电材料有银、铜、铝、金等。铜、铝、金等。原子核导体的特点：导体的特点：导体的特点：导体的特点：内部含有大量的自由电子现在学习的是第6页，共30页一、导体、半导体和绝缘体一、导体、半导体和绝缘体72.2.物质导电能力有差异的内因物质导电能力有差异的内因 绝缘体的最外层电子数一般为绝缘体的最外层电子数一般为6-86-8个，且距原子核较近，因此受原子核个，且距原子核较近，因此受原子核的束缚力较强而不易挣脱其束缚。的束缚力较强而不易挣脱其束缚。常温下绝缘体内部几乎不存在自由电子，因此导电能力极差或常温下绝缘体内部几乎不存在自由电子，
6、因此导电能力极差或不导电。不导电。常用的绝缘体材料有橡胶、云母、陶瓷等。常用的绝缘体材料有橡胶、云母、陶瓷等。原子核绝缘体的特点：绝缘体的特点：绝缘体的特点：绝缘体的特点：内部几乎没有自由电子，因此不导电。内部几乎没有自由电子，因此不导电。现在学习的是第7页，共30页一、导体、半导体和绝缘体一、导体、半导体和绝缘体82.2.物质导电能力有差异的内因物质导电能力有差异的内因 半导体的最外层电子数一般为半导体的最外层电子数一般为4 4个，在常温下存在的自由电子数个，在常温下存在的自由电子数介于导体和绝缘体之间，因而在常温下半导体的导电能力也是介于介于导体和绝缘体之间，因而在常温下半导体的导电能力也
7、是介于导体和绝缘体之间。导体和绝缘体之间。常用的半导体材料有硅、锗、硒等。常用的半导体材料有硅、锗、硒等。半导体的特点：半导体的特点：半导体的特点：半导体的特点：虽然导电性能介于导体和绝缘体之间，但是虽然导电性能介于导体和绝缘体之间，但是具有其独特的性能。具有其独特的性能。原子核现在学习的是第8页，共30页一、导体、半导体和绝缘体一、导体、半导体和绝缘体93.3.半导体的特性半导体的特性(1)(1)热敏性热敏性热敏性热敏性：导体的导电能力对温度反应灵敏，受温度影响大。当环：导体的导电能力对温度反应灵敏，受温度影响大。当环境温度升高时，其导电能力增强，称为热敏性。利用热敏性可制成境温度升高时，其
8、导电能力增强，称为热敏性。利用热敏性可制成热敏元件。热敏元件。(2)(2)光敏性光敏性光敏性光敏性：导体的导电能力随光照的不同而不同。当光照增强时，导：导体的导电能力随光照的不同而不同。当光照增强时，导电能力增强，称为光敏性。利用光敏性可制成光敏元件。电能力增强，称为光敏性。利用光敏性可制成光敏元件。(3)(3)掺杂性掺杂性掺杂性掺杂性：导电能力受杂质影响极大，杂质浓度越高导电能力越强，称为：导电能力受杂质影响极大，杂质浓度越高导电能力越强，称为掺杂性。掺杂性。现在学习的是第9页，共30页二、本征半导体二、本征半导体10+Si(硅原子)Ge(锗原子)硅原子和锗原子的简化模型图SiSi+4+4G
9、eGe+4+4因为原子呈电中性，所以简化模因为原子呈电中性，所以简化模型图中的原子核只用带圈的型图中的原子核只用带圈的+4+4符符号表示即可。号表示即可。最常用的半导体为硅最常用的半导体为硅(Si)(Si)（原子序数（原子序数1414）和锗）和锗(Ge)(Ge)（原子序数（原子序数3232），），它们的共同特征是它们的共同特征是四价元素四价元素四价元素四价元素，即每个，即每个原子最外层电子数为原子最外层电子数为原子最外层电子数为原子最外层电子数为4 4 4 4个个个个。1.1.硅和锗的原子简化模型硅和锗的原子简化模型现在学习的是第10页，共30页二、本征半导体二、本征半导体11 本征半导体本征
10、半导体本征半导体本征半导体不含任何杂质晶格结构完整的半导体晶体。不含任何杂质晶格结构完整的半导体晶体。制造半导体器件的半导体材料的纯度要达到制造半导体器件的半导体材料的纯度要达到99.9999999%99.9999999%，常称为，常称为“9999纯纯度度”。2.2.本征半导体本征半导体现在学习的是第11页，共30页二、本征半导体二、本征半导体123.3.硅晶体结构图硅晶体结构图现在学习的是第12页，共30页二、本征半导体二、本征半导体13+4价电子价电子价电子价电子+4现在学习的是第13页，共30页二、本征半导体二、本征半导体144.4.本征半导体的共价键结构本征半导体的共价键结构 把硅和锗
11、材料制成单晶体时，相邻两个原子的一对最外层电子把硅和锗材料制成单晶体时，相邻两个原子的一对最外层电子成为共有电子，它们一方面围绕自身的原子核运动，另一方面又出成为共有电子，它们一方面围绕自身的原子核运动，另一方面又出现在相邻原子所属的轨道上，即价电子不仅受到自身原子核的作用，现在相邻原子所属的轨道上，即价电子不仅受到自身原子核的作用，同时还受到相邻原子核的吸引。于是，相邻的原子共有一对价电子，同时还受到相邻原子核的吸引。于是，相邻的原子共有一对价电子，组成组成共价键结构共价键结构共价键结构共价键结构。每一个原子均与相邻的四个原子结合，即。每一个原子均与相邻的四个原子结合，即与相邻四与相邻四与相
12、邻四与相邻四个原子的价电子两两组成四对电子对个原子的价电子两两组成四对电子对个原子的价电子两两组成四对电子对个原子的价电子两两组成四对电子对。444444444实际上半导体实际上半导体实际上半导体实际上半导体的晶格结构是的晶格结构是的晶格结构是的晶格结构是三维的。三维的。三维的。三维的。晶格结构晶格结构晶格结构晶格结构共价键结构共价键结构共价键结构共价键结构现在学习的是第14页，共30页二、本征半导体二、本征半导体4.4.本征半导体的共价键结构本征半导体的共价键结构在绝对温度在绝对温度T=0KT=0KT=0KT=0K时时时时，所有的价电子都紧紧束缚在共价键中，所有的价电子都紧紧束缚在共价键中，
13、不会成为自由电子不会成为自由电子不会成为自由电子不会成为自由电子，因此本征半导体的导电能力很弱，因此本征半导体的导电能力很弱，接近接近接近接近绝缘体绝缘体绝缘体绝缘体。15现在学习的是第15页，共30页二、本征半导体二、本征半导体5.5.本征半导体中的本征激发本征半导体中的本征激发444444444从共价键晶格结构来从共价键晶格结构来看，每个原子外层都看，每个原子外层都具有具有8 8个价电子。但个价电子。但价电子是相邻原子共价电子是相邻原子共用，所以稳定性并不用，所以稳定性并不能象绝缘体那样好。能象绝缘体那样好。在游离走的价电子原在游离走的价电子原位上留下一个不能移位上留下一个不能移动的空位，
14、叫动的空位，叫空穴空穴。受光照或温度上升影响，受光照或温度上升影响，共价键中价电子的热运共价键中价电子的热运动加剧，一些价电子会动加剧，一些价电子会挣脱原子核的束缚游离挣脱原子核的束缚游离到空间成为到空间成为自由电子自由电子。由于热激发而在晶体中出现电子空穴对的现象称为由于热激发而在晶体中出现电子空穴对的现象称为本征激发本征激发本征激发本征激发。本征激发的结果，造成了半导体内部本征激发的结果，造成了半导体内部自由电子载流子运动自由电子载流子运动自由电子载流子运动自由电子载流子运动的产生，由此本征的产生，由此本征半导体的电中性被破坏，使半导体的电中性被破坏，使失掉电子的原子变成失掉电子的原子变成
15、带正电荷的离子。带正电荷的离子。由于共价键的束缚作用，这些带正电的离子不会移动，即不能参与导电，成为由于共价键的束缚作用，这些带正电的离子不会移动，即不能参与导电，成为晶体中固定不动的晶体中固定不动的带正电离子带正电离子带正电离子带正电离子。16现在学习的是第16页，共30页二、本征半导体二、本征半导体6.6.本征半导体中的自由电子本征半导体中的自由电子-空穴对复合空穴对复合4 44 44 44 44 44 44 44 44 4受光照或温度受光照或温度上升影响，共上升影响，共价键中其它一价键中其它一些价电子直接些价电子直接跳进跳进空穴，使空穴，使失电子的原失电子的原子子重新恢复重新恢复电中性电
16、中性。价电子填补空穴的现象称为价电子填补空穴的现象称为复合复合复合复合。参与复合的价电子又会留下一个新的空位，而这个新的空穴仍会参与复合的价电子又会留下一个新的空位，而这个新的空穴仍会被邻近共价键中跳出来的价电子填补上，这种价电子填补空穴的复合运被邻近共价键中跳出来的价电子填补上，这种价电子填补空穴的复合运动动称为称为空穴载流子运动空穴载流子运动空穴载流子运动空穴载流子运动。此时整个此时整个晶体带电晶体带电吗？为什吗？为什么？么？17现在学习的是第17页，共30页二、本征半导体二、本征半导体7.7.本征半导体的导电机制本征半导体的导电机制 自由电子载流子运动可以形容为没有座位人的移自由电子载流
17、子运动可以形容为没有座位人的移动；空穴动；空穴载流子运动则可形容为有座位的人依次向前挪动座载流子运动则可形容为有座位的人依次向前挪动座位的运动。半导体内部的这两种运动总是位的运动。半导体内部的这两种运动总是共存共存的，且在的，且在一一定温度下达到定温度下达到动态平衡动态平衡。自由电子运动方向：自由电子运动方向：DCB-ADCB-A。空穴运动方向：空穴运动方向：ABCDABCD二者二者运动方向相反运动方向相反18现在学习的是第18页，共30页二、本征半导体二、本征半导体7.7.本征半导体的导电机制本征半导体的导电机制自由电子自由电子：带负电荷，逆电场运动，形成电子流带负电荷，逆电场运动，形成电子
18、流带负电荷，逆电场运动，形成电子流带负电荷，逆电场运动，形成电子流载流子载流子载流子载流子空穴空穴：带正电荷，顺电场运动，形成空穴流带正电荷，顺电场运动，形成空穴流带正电荷，顺电场运动，形成空穴流带正电荷，顺电场运动，形成空穴流因为二者都是携带电荷的粒子，所以统称为因为二者都是携带电荷的粒子，所以统称为载流子载流子载流子载流子。半导体的导电机理与金属导体导电机半导体的导电机理与金属导体导电机理有本质上的区别：金属导体中只有自理有本质上的区别：金属导体中只有自由电子一种载流子参与导电；而半导体由电子一种载流子参与导电；而半导体中则是本征激发下的自由电子和复合运中则是本征激发下的自由电子和复合运动
19、形成的空穴动形成的空穴两种载流子同时参与导电两种载流子同时参与导电两种载流子同时参与导电两种载流子同时参与导电。两种载流子电量相等、符号相反，即自两种载流子电量相等、符号相反，即自由电子载流子和空穴载流子的运动方向由电子载流子和空穴载流子的运动方向相反。相反。19现在学习的是第19页，共30页二、本征半导体二、本征半导体本征激发的几点说明：本征激发的几点说明：本征激发的几点说明：本征激发的几点说明：1.1.空穴与电子是成对出现的，称为电子空穴与电子是成对出现的，称为电子空穴对。其自由电子和空穴对。其自由电子和 空穴数目总是相等的。所以整块晶体仍然呈空穴数目总是相等的。所以整块晶体仍然呈电中性电
20、中性电中性电中性。2.2.温度越高，光照能量越强，产生的电子温度越高，光照能量越强，产生的电子空穴对数目就越多，空穴对数目就越多，这就是半导体的这就是半导体的热敏性和光敏性热敏性和光敏性热敏性和光敏性热敏性和光敏性。3.3.在一定温度下，本征激发和复合同时进行，达到在一定温度下，本征激发和复合同时进行，达到动态平衡动态平衡动态平衡动态平衡。电。电 子空穴对的浓度一定。子空穴对的浓度一定。4.4.本征半导体的导电性能很差，而且和环境温度光照密切相关，本征半导体的导电性能很差，而且和环境温度光照密切相关，因此导电性能很不稳定因此导电性能很不稳定。5.5.空穴空穴空穴空穴只是价电子跳出共价键之后留下
21、的空位，并不是实粒子。只是价电子跳出共价键之后留下的空位，并不是实粒子。只在半导体中存在。只在半导体中存在。20现在学习的是第20页，共30页三、掺杂半导体三、掺杂半导体 本征半导体虽然有自由电子和空穴两种载流子，但由于数量极少本征半导体虽然有自由电子和空穴两种载流子，但由于数量极少导电能力仍然很低。如果在其中掺入某种元素的微量杂质，将使掺杂导电能力仍然很低。如果在其中掺入某种元素的微量杂质，将使掺杂后的杂质半导体的导电性能大大增强。后的杂质半导体的导电性能大大增强。杂质半导体主要靠多数载流子导电。掺入杂质越多，多子浓度越高，杂质半导体主要靠多数载流子导电。掺入杂质越多，多子浓度越高，导电性越
22、强，实现导电性可控。导电性越强，实现导电性可控。掺杂半导体掺杂半导体掺杂半导体掺杂半导体N N N N型半导体型半导体型半导体型半导体：掺入五价元素后形成的半导体，自由：掺入五价元素后形成的半导体，自由电子浓度大大升高。主要靠自由电子导电。电子浓度大大升高。主要靠自由电子导电。P P P P型半导体型半导体型半导体型半导体：掺入三价元素后形成的半导体，空穴：掺入三价元素后形成的半导体，空穴浓度大大升高。主要靠空穴导电。浓度大大升高。主要靠空穴导电。一般情况下，杂质半导体中的多数载流子的数量可达到少数载流子数一般情况下，杂质半导体中的多数载流子的数量可达到少数载流子数量的量的10101010倍或
23、更多，因此，杂质半导体比本征半导体的导电能力可增强倍或更多，因此，杂质半导体比本征半导体的导电能力可增强几十万倍。几十万倍。21现在学习的是第21页，共30页三、掺杂半导体三、掺杂半导体1.N1.N型半导体型半导体在硅或锗晶体中掺入少量的五价元素磷（或锑），晶体点阵中在硅或锗晶体中掺入少量的五价元素磷（或锑），晶体点阵中的某些半导体原子被杂质取代，的某些半导体原子被杂质取代，磷原子的最外层有五个价电子磷原子的最外层有五个价电子磷原子的最外层有五个价电子磷原子的最外层有五个价电子，其中四，其中四个与相邻的半导体原子形成共价键，个与相邻的半导体原子形成共价键，必定多出一个电子必定多出一个电子必定多
24、出一个电子必定多出一个电子，这个电子几乎不，这个电子几乎不受束缚，很容易被激发而成为自由电子，这样磷原子就成了不能移动的带正受束缚，很容易被激发而成为自由电子，这样磷原子就成了不能移动的带正电的离子。每个磷原子给出一个电子，称为电的离子。每个磷原子给出一个电子，称为施主原子施主原子施主原子施主原子。22现在学习的是第22页，共30页三、掺杂半导体三、掺杂半导体1.N1.N型半导体型半导体+五价元素磷五价元素磷(P)(P)4 44 44 44 44 44 44 44 44 4P P掺入磷杂质的硅半导掺入磷杂质的硅半导体晶格中，自由电子体晶格中，自由电子的数量大大增加。因的数量大大增加。因此此自由
25、电子自由电子是这种半是这种半导体的导体的导电主流导电主流。掺入掺入五价五价五价五价元素的杂质半导体，由于空穴载流子的数量大大于自由元素的杂质半导体，由于空穴载流子的数量大大于自由电子载流子的数量而称为电子型半导体，也叫做电子载流子的数量而称为电子型半导体，也叫做N N N N型型型型半导体。在半导体。在P P型半型半导体中，不能移动的离子带导体中，不能移动的离子带正电正电正电正电。23现在学习的是第23页，共30页24多余电子多余电子多余电子多余电子磷原子磷原子磷原子磷原子硅原子硅原子硅原子硅原子+N N N N型半导体型半导体型半导体型半导体施主离子施主离子施主离子施主离子自由电子自由电子自
26、由电子自由电子电子空穴对电子空穴对电子空穴对电子空穴对三、掺杂半导体三、掺杂半导体1.N1.N型半导体型半导体1.1.由施主原子提供的电子，浓度与施主原子相同。由施主原子提供的电子，浓度与施主原子相同。2.2.由于热激发仍成对产生电子和空穴。由于热激发仍成对产生电子和空穴。掺杂浓度远大于本征半导体中载流子浓度，所以，自由电子浓度掺杂浓度远大于本征半导体中载流子浓度，所以，自由电子浓度远大于空穴浓度。自由电子称为远大于空穴浓度。自由电子称为多数载流子多数载流子（多子多子），空穴称为），空穴称为少数少数载流子载流子（少子少子）。）。24现在学习的是第24页，共30页三、掺杂半导体三、掺杂半导体2.
27、P2.P型半导体型半导体在硅或锗晶体中掺入少量的三价元素，如硼（或铟），晶体点在硅或锗晶体中掺入少量的三价元素，如硼（或铟），晶体点阵中的某些半导体原子被杂质取代，硼原子的最外层有三个价电子，阵中的某些半导体原子被杂质取代，硼原子的最外层有三个价电子，与相邻的与相邻的半导体原子形成共价键时，产生一个空穴。这个空穴可以半导体原子形成共价键时，产生一个空穴。这个空穴可以吸引束缚电子来填补，使得硼原子成为不能移动的带负电的离子。吸引束缚电子来填补，使得硼原子成为不能移动的带负电的离子。由于硼原子接受电子，所以称为由于硼原子接受电子，所以称为受主原子受主原子受主原子受主原子。25现在学习的是第25页，
28、共30页三、掺杂半导体三、掺杂半导体2.P2.P型半导体型半导体444444444三价元素硼(B)B+掺入硼杂质的硅半导体晶格中，空穴载流子的数量大大增加。因此空穴是这种半导体的导电主流。掺入掺入三价三价三价三价元素的杂质半导体，由于空穴载流子的数量大大于自由电元素的杂质半导体，由于空穴载流子的数量大大于自由电子载流子的数量而称为子载流子的数量而称为空穴空穴空穴空穴型半导体，也叫做型半导体，也叫做P P P P型型型型半导体。在半导体。在P P型半导体型半导体中，不能移动的离子带中，不能移动的离子带负电负电负电负电。26现在学习的是第26页，共30页三、掺杂半导体三、掺杂半导体2.P2.P型半
29、导体型半导体空穴空穴硼原子硼原子硅原子硅原子P型半导体受主离子受主离子空穴空穴电子空穴对电子空穴对1.1.由受主原子提供的空穴，浓度与受主原子相同。由受主原子提供的空穴，浓度与受主原子相同。2.2.由于热激发仍成对产生的电子和空穴。由于热激发仍成对产生的电子和空穴。掺杂浓度远大于本征半导体中载流子浓度，所以，掺杂浓度远大于本征半导体中载流子浓度，所以，空穴空穴浓度远浓度远大于大于自由电子自由电子浓度。浓度。空穴空穴称为称为多数载流子多数载流子（多子多子），），自由电子自由电子称为称为少少数载流子数载流子（少子少子）。）。27现在学习的是第27页，共30页三、掺杂半导体三、掺杂半导体3.3.掺杂
30、半导体的几点说明掺杂半导体的几点说明1.1.对于杂质半导体，多子的浓度越高，少子的浓度就越低。对于杂质半导体，多子的浓度越高，少子的浓度就越低。2.2.多子的浓度多子的浓度多子的浓度多子的浓度约等于所掺杂质原子的浓度，故约等于所掺杂质原子的浓度，故受温度变化的受温度变化的受温度变化的受温度变化的 影响很小影响很小影响很小影响很小；少少少少子子由本征激发而成，尽管其浓度很低，但温由本征激发而成，尽管其浓度很低，但温 度变化时，其浓度的变化很大，其度变化时，其浓度的变化很大，其浓度主要取决于温度浓度主要取决于温度浓度主要取决于温度浓度主要取决于温度。故少子对器件性能的影响却不故少子对器件性能的影响
31、却不“少少”。3.N3.N型：自由电子数目型：自由电子数目=空穴数目空穴数目+正离子数目正离子数目 P P型：空穴数目型：空穴数目=自由电子数目自由电子数目+负离子数目负离子数目4.4.杂质半导体中多数载流子浓度主要取决于掺入的杂质浓度，杂质半导体中多数载流子浓度主要取决于掺入的杂质浓度，因为因为每掺入一个杂质原子就可以增加一个多数载流子。每掺入一个杂质原子就可以增加一个多数载流子。5.5.掺杂半导体多子和少子的移动都能形成电流。但由于数量掺杂半导体多子和少子的移动都能形成电流。但由于数量 的关系，的关系，起导电作用的主要是多子起导电作用的主要是多子起导电作用的主要是多子起导电作用的主要是多子
32、。整个半导体晶体整个半导体晶体整个半导体晶体整个半导体晶体仍然呈电中性。仍然呈电中性。仍然呈电中性。仍然呈电中性。28现在学习的是第28页，共30页三、掺杂半导体三、掺杂半导体4.4.载流子的漂移运动和扩散运动载流子的漂移运动和扩散运动29高浓度高浓度低浓度低浓度载流子由于两侧浓度差异而产生的运动载流子由于两侧浓度差异而产生的运动由于分子等的热运动而产生的由于分子等的热运动而产生的物质迁移现象。通常是由浓度差所物质迁移现象。通常是由浓度差所引起的，从浓度较高的区域向较低引起的，从浓度较高的区域向较低的区域进行扩散，直到浓度达到均的区域进行扩散，直到浓度达到均匀为止匀为止扩散运动扩散运动现在学习的是第29页，共30页三、掺杂半导体三、掺杂半导体4.4.载流子的漂移运动和扩散运动载流子的漂移运动和扩散运动30+E E空穴空穴自由电子自由电子载流子在电场作用下产生的运动载流子在电场作用下产生的运动漂移运动漂移运动 在外电场作用下，带正电荷的粒子向负电极方向运动，在外电场作用下，带正电荷的粒子向负电极方向运动，带负电荷的粒子向正电极方向运动的现象带负电荷的粒子向正电极方向运动的现象现在学习的是第30页，共30页