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1、8.1功率双极晶体管功率双极晶体管垂直式功率晶体管的结构垂直式功率晶体管的结构 横截面示意图横截面示意图 相互交叉的晶体管结构相互交叉的晶体管结构 8.1功率双极晶体管功率双极晶体管8.1.2 功率晶体管的特性功率晶体管的特性1较宽的基区宽度，更小的电流增益。较宽的基区宽度，更小的电流增益。2大面积器件，更低的截至频率。大面积器件，更低的截至频率。3集电极最大额定电流远大于于小信号晶体管。集电极最大额定电流远大于于小信号晶体管。小信号与功率晶体管特性与最大额定值的比较小信号与功率晶体管特性与最大额定值的比较8.1功率双极晶体管功率双极晶体管8.1.2 功率晶体管的特性功率晶体管的特性 功率晶体
2、管的电流特性功率晶体管的电流特性8.1功率双极晶体管功率双极晶体管、达林顿组态、达林顿组态 npn达林顿组态达林顿组态npn达林顿组态的集成电路实现达林顿组态的集成电路实现8.2功率半导体功率半导体MOSFET8.2.1 功率晶体管的结构功率晶体管的结构双扩散双扩散MOS横截面横截面垂直沟道垂直沟道VMOS8.2功率半导体功率半导体MOSFET8.2.2 功率晶体管的特性功率晶体管的特性1.更快的开关转换时间。更快的开关转换时间。2.无二次击穿效应。无二次击穿效应。3.在一个更宽的温度范围内有稳定的增益及响应时间。在一个更宽的温度范围内有稳定的增益及响应时间。8.2功率半导体功率半导体MOSF
3、ET8.2.2 功率晶体管的特性功率晶体管的特性8.2功率半导体功率半导体MOSFET8.2.3 寄生双极晶体管寄生双极晶体管8.2功率半导体功率半导体MOSFET8.2.3 寄生双极晶体管寄生双极晶体管1.MOSFET的沟道长度视为寄生晶体管的基区宽度，的沟道长度视为寄生晶体管的基区宽度，寄生晶体管的电流增益很大。寄生晶体管的电流增益很大。2.寄生晶体管几乎始终处于关断态，只有在高速开关寄生晶体管几乎始终处于关断态，只有在高速开关切换时处于开态。切换时处于开态。3。寄生晶体管可能会产生一个很大的开态漏电流。使。寄生晶体管可能会产生一个很大的开态漏电流。使MOSFET烧坏，称之为反向击穿。烧坏
4、，称之为反向击穿。8.3散热片和结温散热片和结温 晶体管消耗的能量会使其内部温度渐渐上升，以致超过四周环境的温度。假如结温Tj太高，会永久烧坏晶体管，因此功率晶体管在封装时会包含散热片。考虑散热片的影响时，必需考虑热阻的概念，其单位是/W。元件的温度差T2-T1与热阻的关系为：T2T1P P是通过元件的热功率。8.3散热片和结温散热片和结温8.4半导体闸流管半导体闸流管 电子器件的一个重要应用就是开态到关态的转换，对于全部的pnpn结构的半导体器件，假如其能实现双稳态正反馈开关转换特性，就可称之为闸流管。对于三电极的半导体闸流管来说，半导体整流器（SCR）是常用的名称。8.4半导体闸流管半导体
5、闸流管半导体闸流管的基本特性半导体闸流管的基本特性8.4半导体闸流管半导体闸流管半导体闸流管的基本特性半导体闸流管的基本特性8.4半导体闸流管半导体闸流管半导体闸流管的基本特性半导体闸流管的基本特性8.4半导体闸流管半导体闸流管的触发机理的触发机理8.4半导体闸流管半导体闸流管的触发机理的触发机理8.4半导体闸流管半导体闸流管的关断的关断若想将四层结构的器件从导通状态转换到关断若想将四层结构的器件从导通状态转换到关断状态，只需将电流状态，只需将电流IA降低到使得降低到使得121处的处的临界电流值之下即可，此临界电流值称之为维临界电流值之下即可，此临界电流值称之为维持电流。假如寄生的四层结构被触
6、发进入导通持电流。假如寄生的四层结构被触发进入导通状态，则有效的阳极电流就会降低到相应的维状态，则有效的阳极电流就会降低到相应的维持电流之下，从而使器件关闭，这种要求意味持电流之下，从而使器件关闭，这种要求意味着全部的电源都应关断。着全部的电源都应关断。使使SCR关断的另一种方法是从关断的另一种方法是从p区抽走空穴。区抽走空穴。8.4半导体闸流管半导体闸流管器件结构器件结构1.基本基本SCR结构结构8.4半导体闸流管半导体闸流管器件结构器件结构2.双边对称的闸流管双边对称的闸流管8.4半导体闸流管半导体闸流管器件结构器件结构2.双边对称的闸流管双边对称的闸流管8.4半导体闸流管半导体闸流管器件结构器件结构3.MOS栅控的闸流管栅控的闸流管8.4半导体闸流管半导体闸流管器件结构器件结构4.MOS关态闸流管关态闸流管