《集成电路中的元器件及其寄生效应.pptx》由会员分享，可在线阅读，更多相关《集成电路中的元器件及其寄生效应.pptx（84页珍藏版）》请在taowenge.com淘文阁网|工程机械CAD图纸|机械工程制图|CAD装配图下载|SolidWorks_CaTia_CAD_UG_PROE_设计图分享下载上搜索。
1、2007年2月 来逢昌 12-1 集成电路中的NPN晶体管(P1627)第1页/共84页2007年2月 来逢昌 2 思考题1.集成NPN管与分立NPN管有什么不同？2.有源寄生效应有何影响？如何减小或消除？3.无源寄生有何影响？4.NPN管常用图形各自的特点是什么？第2页/共84页2007年2月 来逢昌 32.1.1 集成NPNNPN晶体管的结构E(N+)B(P)C(N)NPNS(P)PNP平面图P-SubN-epiP+P+PN+N+CEB剖面图EBCSN+PNP等效结构图等效电路图第3页/共84页2007年2月 来逢昌 42.1.2 集成NPNNPN晶体管与分立NPNNPN晶体管的差别P-S
2、ubN-epiP+P+PN+N+CEBE(N+)B(P)C(N)NPNS(P)PNP（1）四层三结结构，构四层三结结构，构成了一个寄生的成了一个寄生的PNP晶体管（有源寄生）晶体管（有源寄生）（2）电极都从上表面引电极都从上表面引出，造成电极的串联出，造成电极的串联电阻和电容增大（无电阻和电容增大（无源寄生）源寄生）第4页/共84页2007年2月 来逢昌 52.1.3 集成NPNNPN晶体管的有源寄生效应（1）NPN晶体管正向有源时P-SubN-epiP+P+PN+N+CEBE(N+)B(P)C(N)NPNS(P)PNPVBC0 VSC0 VSC 13.IPowerIH寄生可控硅一旦被触发，电
3、流巨增，将烧毁芯片。第66页/共84页2007年2月 来逢昌 672.7.4 寄生可控硅闩锁效应2.消除闩锁效应措施版图设计RSRWIRSIRWVDDGNDVON-P-VO（1）减小RS和RW：均匀且充分设计阱和衬底的电源和地的欧姆接触，并用金属线连接，必要时采用环结构。VDDGNDVoViP-SubN-阱p+p+p+n+n+n+RWRSVDDGNDVoViRSViP-SubN-阱p+p+p+n+n+n+RWn+p+N-阱第67页/共84页2007年2月 来逢昌 682.7.4 寄生可控硅闩锁效应2.消除闩锁效应措施版图设计RSRWIRSIRWVDDGNDVON-P-VO（2）减小npnnpn
4、和pnppnp：加大MOS管源漏区距阱边界的距离，必要时采用伪收集极结构。VDDGNDVoViP-SubN-阱p+p+p+n+n+n+RWRSVDDGNDVoViRSViP-SubN-阱p+p+p+n+n+n+RWn+p+n+N-阱第68页/共84页2007年2月 来逢昌 692.7.4 寄生可控硅闩锁效应2.消除闩锁效应措施工艺、测试、应用（1）增加阱的结深 （2）采用外延衬底（3）采用外延衬底时，同时可采用埋层方法，增加阱的结深，型层减速场。（4）电源退耦，稳定电源（5）输入信号不能过高（6）负载电容不易过大（7）电源限流VDDGNDVoViRSViP-SubN-阱p+p+p+n+n+n+
5、RWn+p+n+N-阱第69页/共84页2007年2月 来逢昌 702.7.5 习题1.说明CMOS集成电路中的闩锁效应和抗闩锁措施。2.说明消除寄生MOS管影响的措施。第70页/共84页2007年2月 来逢昌 712-8 电容器(P6062)第71页/共84页2007年2月 来逢昌 72 思考题1.形成电容的方式有哪些？各自的特点是什么？2.各种结构电容的电容值如何计算？3.设计电容时应该考虑哪些因素？第72页/共84页2007年2月 来逢昌 732.8.1 PN结电容N-epiP+P+PN+BAP-SubN+CjCjsBAGNDRbRcsP+P+P+N+BAP-SubN+Cj1CjsBAG
6、NDRbRcsCj2Re应考虑：1.单位面积电容容量2.电极的串联电阻3.工作电压及电压极性第73页/共84页2007年2月 来逢昌 742.8.2 MOS电容N-epiP+P+N+P-SubBABACMOSCJSDSCBACMOSCDP-SubBAn+反型层或埋n+NMOS,PMOSCMOS=sio2 otoxA第74页/共84页2007年2月 来逢昌 752-9 电阻器(P5060)第75页/共84页2007年2月 来逢昌 76 思考题1.形成电阻的方式有哪些？各自的特点是什么？2.各种结构电阻的电阻值如何计算？3.设计电阻时应该考虑哪些因素？第76页/共84页2007年2月 来逢昌 77
7、2.9.1 基区硼扩散电阻LLLL1L2L5L7L4L3L6WWWWN-epiP+P+PN+P-SubN+BAVDDABVDDCJCCJSR=RWeffi=1Lin+2k1+(n-1)k2Weff =W+2mXj第77页/共84页2007年2月 来逢昌 782.9.2基区沟道电阻N+N-epiP+P+PN+P-SubN+BAVDDP+P+PN+N+P-SubN-epi阻值大，面积小，精度低。适合小电流、小电压情况。第78页/共84页2007年2月 来逢昌 792.9.3 发射区磷扩散电阻一般用来制作磷桥或小电阻N+N+N-epiP+P-SubN-epiP+P+PBABAN+低电位高电位第79页
8、/共84页2007年2月 来逢昌 802.9.4 外延层电阻和外延层沟道电阻N-epiP+P-SubN-epiP+P+PN+BAN+N+BAN+第80页/共84页2007年2月 来逢昌 812.9.5 离子注入电阻N-epiP+P+PN+P-SubN+BAVDDP一般用来制作精度高的大阻值电阻第81页/共84页2007年2月 来逢昌 822.9.6 薄膜电阻一般用来制作精确电阻（激光调阻）第82页/共84页2007年2月 来逢昌 832.9.7 MOS电路中常用的其它电阻常规多晶电阻，高阻多晶电阻，N+（或P+）有源区电阻，N阱（或P阱）电阻，导通MOS管电阻栅极应接相应电位，使MOS管导通第83页/共84页2007年2月 来逢昌 HIT Micro-Electronics Center84感谢您的观看！第84页/共84页