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1、基元反应基元反应过渡金属有机化合物的反应非常复杂，除了在过渡金属有机化合物的反应非常复杂，除了在有机化学中常见的一些反应外，还有一些有机化学中常见的一些反应外，还有一些特有特有的反应的反应。这些特有的反应可以归纳为几种。这些特有的反应可以归纳为几种基元基元反应反应。基元反应不是按反应机理分类，同一种。基元反应不是按反应机理分类，同一种基元反应可以按不同的机理进行。基元反应是基元反应可以按不同的机理进行。基元反应是指反应的类型。指反应的类型。第1页/共57页基元反应的类型基元反应的类型1.配位体的配位与解离配位体的配位与解离2.氧化加成和还原消除氧化加成和还原消除3.插入反应和反插入反应插入反应
2、和反插入反应4.配位体与外来试剂的反应配位体与外来试剂的反应第2页/共57页1.配位体的配位与解离配位体的配位与解离v配位体的配位和解离是过渡金属络合物催化反应的第一第一步步，因为只有络合物上的某个配体解离下来，空出配位只有络合物上的某个配体解离下来，空出配位位置时，从而使反应物配位络合，才能发生催化反应位置时，从而使反应物配位络合，才能发生催化反应。v对于这个平衡，K是络合物的稳定常数稳定常数。K值大，络合物值大，络合物太稳定，催化活性小，太稳定，催化活性小，K值小，络合物不稳定，解离作用值小，络合物不稳定，解离作用显著，易析出金属元素，催化反应无法进行，显著，易析出金属元素，催化反应无法进
3、行，所以必需有一个适当的适当的K值值。第3页/共57页v最理想的情况是：过渡金属络合物最理想的情况是：过渡金属络合物本身是稳定的本身是稳定的，往往，往往是配位饱和的，一般满足是配位饱和的，一般满足18电子规则，但是，当它发生电子规则，但是，当它发生反应时，又能反应时，又能较容易地解离出配体较容易地解离出配体，生成配位不饱和的，生成配位不饱和的络合物，然后与反应底物配位络合，继而发生反应。络合物，然后与反应底物配位络合，继而发生反应。CoH(PPh3)3在溶液中能与烯烃配位，使烯烃活化，继而发生反应。例如：第4页/共57页同样，常用的金属络合物还有：同样，常用的金属络合物还有：Ni(COD)2,
4、Fe(CO)5,Mo(N2)2(dppe)2,dppe=Ph2PCH2CH2PPh2。电子 电子 第5页/共57页2.氧化加成和还原消除氧化加成和还原消除（Oxidative Addition and Reductive Elimination）Os:n n+2Os:n n+1 n+1 第6页/共57页(1).氧化加成氧化加成氧化加成反应可以看作是反应物氧化加成反应可以看作是反应物AB加到金属络合物加到金属络合物上，使金属被氧化的反应。上，使金属被氧化的反应。在氧化加成反应中，中心金属的在氧化加成反应中，中心金属的氧化态氧化态(Os)和配位数和配位数(CN)都增加都增加，氧化加成反应可以是改变
5、两个电子，也，氧化加成反应可以是改变两个电子，也可以是改变可以是改变1个电子。个电子。氧化加成反应是生成氧化加成反应是生成MC键和键和MH键键的重要方法。的重要方法。第7页/共57页1962年，Vaska利用配位不饱和的Ir()络合物IrCl(CO)(PPh3)2，称为Vaska络合物，和许多底物进行了氧化加成反应。第8页/共57页b.加成产物中仍保留一个键加成产物中仍保留一个键如：如：O2，S2，Se2，邻苯醌，邻苯醌，RCCR，RN=NR，RCH=CHR，S=C=S，CH2O，Cyclo-C3H6，RCON3，RN3等。等。c.非极性加成物非极性加成物如：如：H2，R2SiH，R3GeH，
6、R3SnH，RSH，RCHO，ArH，RH等。等。加成物AB有三种：a.极化的亲电试剂如：X2（卤素），HY（Brnsted酸），RSCl，RSO2Cl，RX（烷基化试剂），RCOX（酰基化试剂），RCN，SnCl4，HgX2等。第9页/共57页i)H2Vaska络合物与络合物与H2发生发生O.A.得到得到顺式产物顺式产物 16e dsp2 18e d2sp3 (平面正方形平面正方形)（正八面体）（正八面体）可能是可能是协同机理协同机理：1)顺式产物顺式产物，HH断裂的同时，断裂的同时，MH生成生成 2)室温反应，室温反应，HH键能键能430KJ/mol-1，断，断HH能量能量大，而生成大，而
7、生成MH键能也大，得到补偿。键能也大，得到补偿。第10页/共57页ii)碳卤键碳卤键a.一般碳卤键一般碳卤键VaskasX I Br ClL=PEt3 Ph3P (PhO)3PS=DMF CH3CN THF PhCl C6H6第11页/共57页碳原子构型发生反转碳原子构型发生反转SN2取代机理第12页/共57页b.卤代烯烃金属与烯烃配位，同侧进攻，构型保持 第13页/共57页c.卤代芳烃卤代芳烃卤代芳烃的共振式：RCH2BrPhBr键长1.911.92 1.86 偶极距2.15 D1.71 D键能65 Kcal/mol81 Kcal/mol显示卤代芳烃对亲核试剂的不活泼。第14页/共57页R吸
8、电子基，反应快。吸电子基，反应快。X I Br Cl金属对苯环的亲核取代反应。金属对苯环的亲核取代反应。第15页/共57页iii)CH键键a.活化了的活化了的CH键键分子内环金属化（intramolecular cyclometallation）第16页/共57页以上都是被活化了的CH键第17页/共57页b.饱和饱和CH键键饱和饱和CH键的活化可以在石油原料上发生选择性的键的活化可以在石油原料上发生选择性的官能化反应。官能化反应。是人们长期以来感兴趣的话题。在光照下，先脱去一份H2，生成16e的CpIr(I)PMe3与饱和烃发生O.A.生成18e的Ir（III）络合物。饱和CH键的活化获得成功
9、，是金属有机化学中的一件大事。第18页/共57页iv)碳氧键碳氧键第19页/共57页醚第20页/共57页v)CC键键 第21页/共57页vi)环金属化环金属化其它氧化加成的基团还有：其它氧化加成的基团还有：CN，CP，OH，NH键等。键等。第22页/共57页(2).还原消除还原消除还原消除是氧化加成的逆反应。只改变一个电子的反应反应过程中，金属的氧化态和络合物的配位数都减少了金属的氧化态和络合物的配位数都减少了。v还原消除反应是可溶性过渡金属络合物催化的均相催化反应的必经步骤，因此非常重要。它是生成CH键和CC键的重要方法。第23页/共57页例如：当A，B烷基或芳基 CC键偶联反应 AH，B=
10、烷基 氢化，CH键生成反应 AH，B=酰基 氢甲酰化还原消除反应远比氧化加成研究得少。第24页/共57页(一一)发生还原消除反应的方法有下列四种：发生还原消除反应的方法有下列四种：i.吸电子烯烃吸电子烯烃 联吡啶配位的二甲基或二乙基镍络合物，是对热相当稳定的络合物，在热苯中不分解。但加入吸电子烯烃，如丙烯腈等，由于烯烃和金属配位，金属向吸电子烯烃的反馈金属向吸电子烯烃的反馈成为主导地位，造成成为主导地位，造成NiR键的电荷密度降低，也即键的电荷密度降低，也即NiR键被活化键被活化，在常温下就迅速分解，从二甲基镍络合物可得乙烷，从二乙基络合物得到丁烷，这就是还原消除反应：第25页/共57页同样：
11、同样：第26页/共57页ii.其他其他酸，如酸，如CO 吸电子烯烃是一种配体，能接受金属d电子反馈，其它酸也能促进还原消除反应，常用CO，产物也容易纯化。iii.加热加热 上述还原消除反应产物和该络合物分解所得到的产物完全相同，所以，加热也是产生还原消除反应的一种方法。第27页/共57页iv 正电荷正电荷 络合物是中性的，在苯中是稳定的，但在MeOH中，由于MeOH作为配体取代了I-配体，而生成了以I-为反离子的带正电荷的络合物，而很容易失去一分子碘苯生成络合物。第28页/共57页(二二)还原消除反应的特点还原消除反应的特点 i.顺式消除顺式消除第29页/共57页ii.构型保持构型保持 第30
12、页/共57页3.插入反应和反插入反应插入反应和反插入反应（Insertion and deinsertion）一般，指小分子插入MH键或MC键。此处，R=烷基，芳基或负氢其中，烯烃和CO的插入反应特别重要。A=B为第31页/共57页(1).CO的插入和脱羰化的插入和脱羰化CO的插入与脱羰是可逆反应。的插入与脱羰是可逆反应。其步骤有：其步骤有：i.CO和金属配位，由于和金属配位，由于CO是一种是一种酸，金属的酸，金属的d电子向电子向CO的的*反键轨道反馈，导致反键轨道反馈，导致MR键削弱，键削弱，CO键同键同时也削弱。时也削弱。ii.所谓所谓“插入反应插入反应”第32页/共57页1)CO插入的途
13、径插入的途径“CO插入”有两种途径两种途径：i.CO插入插入到MR键中，生成酰基金属化合物ii.和金属键联的基团移位移位到配位的分子生成酰基金属化合物。第33页/共57页两种方法证明是按照途径ii即烷基迁移机理：方法a：13C标记Mn络合物与CO反应（ML6）第34页/共57页方法b：cis和trans PdEt2L2与CO反应（ML4）如果发生CO插入反应，结果正好相反。CO插入反应，证明实际上是烷基迁移，但通常仍称为CO插入反应。第35页/共57页2)CO插入的特点插入的特点i 在CO插入的反应中，迁移烷基的构型是保持的例1：例2：第36页/共57页ii.烷基迁移的活性次序R 长链 短链
14、支链R 烷基 苄基 H，酰基，全氟烷基iii 金属的活性 Fe Ru Os第37页/共57页脱羰化反应：脱羰化反应：脱羰化反应是CO插入反应的逆反应，它的发生，首先必需在金属上有空配位，例如乙酰铂()络合物可以用Ag除去一个氯离子配体而造成空配位，再发生脱羰反应。第38页/共57页第39页/共57页(2).烯烃的插入和烯烃的插入和消除反应消除反应（i）烯烃插入烯烃插入MH键键这时，金属、氢和烯烃键必须共平面共平面，氢烯烃的迁移插入过程是高度立体选择性反应。最后得到顺式顺式加成产物加成产物。第40页/共57页不对称烯烃RCH2CH=CH2插入M-H两种途径：A：马氏规则 B：反马氏规则决定于空间
15、效应和电子效应的影响第41页/共57页（ii）烯烃插入烯烃插入MC键键(a)，(b)途径受立体因素和电子因素影响。第42页/共57页不管是烯烃插入MH键或MC键，插入反应的发生是由于下列因素：烯烃和金属配位，由于金属d电子向烯烃反馈，而使烯烃自身被活化；烯烃和金属配位，由于金属d电子向烯烃反馈，而使MR削弱，易断裂；由于上述、两个因素，形成新的CC键和MC键。第43页/共57页迄今为止，同时含有H和烯烃两个配体的络合物很少分离得到，因为能可逆地发生插入反应和消除反应。下面的络合物之所以能分离得到，可能是由于H和烯烃处于反位之故。第44页/共57页（iii）H消除反应消除反应（H elimina
16、tion）H攫取反应（H abstraction）H转移反应（H transfertion）第45页/共57页Wilkinson经过长期研究认为：经过长期研究认为：热力学数据表明：热力学数据表明：MTC键不是很弱，热力学稳键不是很弱，热力学稳定定.化合物键D键DTi(CH2Ph)4TiCH2R240LiBu248Ti(CH2Si(CH3)3)4TiCH2R250ZnEt145Cp2Ti(CH3)2TiCH3250CdEt109Cp2Ti(Ph)2TiPh350BEt342(Et3P)2Pt(Ph)2PtPh250AlEt242CpPt(CH3)3PtCH3165SnEt295CH3CH3CC3
17、70PEt258RBrCBr286PPh301ArPh267MC键的平均键能D（KJ Mol1）第46页/共57页 若若MTR中没有中没有H，动力学也稳定，动力学也稳定.所谓的不稳定是由于MTR络合物中H的存在，但即使有H，消除也有条件消除也有条件：1 MCCH必须共面必须共面，这时金属和H的相互作用最大，发生顺式消除，即在二面角为0时，最容易消除。第47页/共57页2 要有空配位。要有空配位。避免H消除反应的途径：没有H；使金属配位饱和，如加入配体；空间位阻，因为金属攫取H时，MCCH必须成平面，这时金属和H的相互作用最大，发生顺式消除，由于金属杂环化合物不易达到此立体要求，所以不易发生H消
18、除反应。降冰片基金属化合物比较稳定也是这个原因；形成螯合物；全氟烷基化。第48页/共57页（iv）H消除经过下列步骤：消除经过下列步骤：A.配位体配位体L解离；解离；B.攫氢成金属氢烯络合物；攫氢成金属氢烯络合物；C.生成的烯烃解络；生成的烯烃解络；D.如金属还有一个烷基，则能和金属上的氢发生还原消如金属还有一个烷基，则能和金属上的氢发生还原消除，生成烷烃。除，生成烷烃。v所以，具有二个相同烷基的金属化合物分解时，往往生成一份烷烃，一份烯烃，这称为还原的歧化反应，或者还原的消除反应。第49页/共57页4.配位体与外来试剂的反应配位体与外来试剂的反应i)配位烯烃的反应第50页/共57页特点：烯烃
19、通常接受亲电试剂的进攻，但与金属配位后，可以接受亲核进攻，从配位烯烃的外侧进攻（反式加成）。例：降冰片烯第51页/共57页ii)配位烯丙基的反应第52页/共57页iii)配位苯环的反应此类Cr配位的络合物，由于三个CO接受金属Cr的电子反馈，Cr(CO)3成为一个相当强的吸电子基，使苯环的电荷密度降低，可以接受亲核进攻，Cr(CO)3吸电子能力与NO2相仿。第53页/共57页iv)配位CO的反应CO本身的反应活性不高，但与过渡金属配位后，由于金属配位后，由于金属向CO反馈电子，使氧上的电荷密度增加，碳上的电荷密度降低，可以接受Nu或E进攻。第54页/共57页配位的CO与碳阴离子反应即酰基络合物，然后与碳正离子反应能形成Fischer型卡宾。第55页/共57页还有其它一些基元反应：金属试剂烷基化（金属交换反应）transmetalation重排第56页/共57页感谢您的观看！第57页/共57页