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1、_归纳总结汇总_ - - - - - - - - - R3NBNOH,FNAlt层状硅酸盐的判据：RSi,Alt,BNSi,Alt1骨架状硅酸盐： 一类 SiO 44-四周体单元的四个角都相互连接的硅酸盐矿物； 典型代表氧化硅 氧化硅的四种结构： 石英错误.未找到引用源； 、鳞石英错误.未找到引用源； 、方石英 动画 1,动画 2,错误 .未找到 引用源； 和柯石英 四元环是基本单元,如 错误. 未找到引 用源；,晶胞有四个层面组成, 如错误.未找到引用源； 所示,具有很大的通道,是形成长石和分子筛矿物的基础长石类矿物： 基于柯石英的开放结构, 1/4 到 1/2 的SiO 44-被AlO 4
2、5-所取代但阳离子 M 或 M2+总数对 Si 和 Al 的总和比总是 1/4,不足电荷由碱金属Li+,Na+,K+或碱土金属 Ca2+,Ba2+补充, 阳离子填充在柯石英骨架结构的通道中；氧化硅转变成长石矿物简式：_精品资料_ SiO2柯石英 Ca 1/4Si 1/2O 2CaAl2Si 2 O 8钙长石第 1 页,共 24 页Al 1/2Na 1/4Si 3/4O2NaAlSi 3O 8钠长石Al1/4K1/4Si 3/4O 2KAlSi3O 8钾长石Al 1/4- - - - - - -_归纳总结汇总_ - - - - - - - - - 五、高分子晶体高分子的基本外形是以双键打开的有机
3、分子为结构单元的线性连接,这些结构单元链节是大分子中线性重复的基本单位；通常这样的大分子有数千或上万个结构单元,这类材料称为高分子材料或高聚物材料；一 高分子晶体的形成具有极高的分子量, 因此乙烯 CH2=CH2、CH2=CHRR 为取代 H 的有机基团nCH2=CHRCH2-CHRn 基本外形： 双键打开的有机分子为结构单元的线性重复连接,有数千上万结构单元,具极高分子量高分子材料特点：许多独立分子组成 ；长链大分子结构单元完全一致称均聚 ；两种以上的结构单元混合组成称 共聚；高分子结构单元连接特点：链节间通常饱和共价键一次键 ；大分子间或同一大分子不同链段间仅有二次分子力范氏力 等；结构外
4、形： 二次分子力弱,难使大分子形成有序的结晶结构；易见 结构是无规线团和线团的交缠非晶区；结晶特性： 同一分子的不同链段或不同分子的某些链段间平行排列 时,弱二次分子力能将这些链段排列成局部的结晶区域；可 见一个结晶区域可能由同一大分子不同链段组成折叠链晶_精品资料_ - - - - - - -第 2 页,共 24 页_归纳总结汇总_ - - - - - - - - - 区 ,亦或不同分子的某些链段组成缨束状晶区；如错误.未找到引用源； 所示结晶型高分子： 绝大多数情形下,高分子材料不具有 100% 的结晶态；具有肯定结晶度的高分子属于结晶型高分子；聚苯乙烯不含任何结晶区域,属非结晶型高分子；
5、低密度聚乙烯有少量的结晶区域；高密度聚乙烯的结晶度可达 50% ；聚丙烯的结晶度可达60% ；尼龙 6/6 的结晶度更高；在某些特别场合,高密度聚乙烯在链段间二次力的作用下能形成高 分子单晶,实现高分子链段完全有序排列；二 高分子晶体的外形高分子晶体特点：高分子晶体属于分子晶体的类型；大分子包含假设干链节的链段的规章排列比金属材料的原子排 列和无机材料中小分子的排列复杂得多；抱负聚乙烯晶体的结构：如错误 . 未找到引用源； 中所示,并行排列的三支聚乙烯链段中可找到斜方的晶胞,它是晶体三维延伸的最小周期；化,结晶度低；C 原子外电子的色散和诱导作用实现结晶尼龙 6/6 晶体的结构： N H 和
6、O C形成键 氢桥 ；周期显现的氢桥有助于相邻两排链段平行排列结晶,结晶度高 ；尼龙 6/6晶体形成示意如 错误.未找到引用源； 所示_精品资料_ - - - - - - -第 3 页,共 24 页_归纳总结汇总_ - - - - - - - - - 尼龙 6/6 的缩聚反应：O OHO|CH24|OHHNCH26NH2CCHHOOHHHHONHHHHHHHHH2O|CCCCCCCCCCCCNHHHHHHHHHHH6C6C高分子晶体形貌：结晶高分子较多地具有球晶的形貌；一个球晶由沿半径垂直方向的多层晶片组成；晶片内是缨束状晶区或折叠链晶区；晶片间是无定形的非晶区偏振光显微镜下聚乙烯球晶如 错误
7、. 未找到引用源； 所示高分子晶体的描述及特点：用本章前述各种晶体参数描述；但对称性比金属和无机材料差,内含大量非晶区域；晶胞点阵参 数和晶面指数的定义欠明确,同质异构变化复杂其次章 晶体的不完整性实际晶体中原子的排列或多或少地存在着偏离抱负结构的区域,不行能象抱负晶体一样规章和完整,而是显现了不完整性,例如：晶界,单晶也有微裂缝、杂质、热振动_精品资料_ - - - - - - -第 4 页,共 24 页_归纳总结汇总_ - - - - - - - - - 缺陷： 晶体中偏离完整性的区域,即造成晶体点阵周期势场畸变的 一切因素 缺陷的特点： 缺陷是随着各种条件的转变而不断变动的,有些缺陷 可
8、以产生、进展、运动和交互作用,而且能合并和消逝；缺陷的存在, 会严峻影响着晶体性质； 总体看晶体仍可认为是接近完整的；晶体缺陷仍可以用相当准确的几何图象来描述；晶体缺陷分类：1 点缺陷零维缺陷； 其特点是在 X、Y、Z 三个方向上的尺寸都很小 相当于原子的尺寸 ；2 线缺陷一维缺陷； 其特点是在两个方向上的尺寸很小,另一个方向上的尺寸相对很长；3 面缺陷二维缺陷； 其特点是在一个方向上的尺寸很小,另外两个方向上的尺寸很大；不同缺陷的示意描示_精品资料_ - - - - - - -第 5 页,共 24 页_归纳总结汇总_ - - - - - - - - - 2-1 点缺陷抱负晶体中的一些原子 被
9、外界 大、小原子所代替,或者在晶格间隙中掺入原子 ,或者留有 原子空位 ,破坏了有规章的周期性排列,引起质点间势场的畸变；点缺陷： 晶体结构的不完整仅仅局限在原子位置一、 点缺陷的类型一热缺陷,主要是产生了 空位和间隙原子；二组成缺陷,即掺入了杂质离子 大、小；三电子缺陷,电子的能量状态发生了变化；四非化学计量结构缺陷, 由化合物的非化学计量引起空位和间隙原子,常伴有电荷的转移；一 热缺陷热缺陷的产生： 原子肯定温度下热振动,能量是按麦克斯威尔波兹曼分布显现起伏,总有一些高能量原子,离开平稳位置,造成缺陷热缺陷两种主要外形：弗伦克尔缺陷 ：原子离开平稳位置后,挤到格子点的间隙中,形成间隙离子,
10、 而原先位置上形成空位, 成对产生； 见,体积增加； a肖特基缺陷 ：原子获得较大能量,移到外表外新的位置上去,原先位置就形成空位, 空位逐步转移到内部, 体积增加；见,体积增加； b_精品资料_ - - - - - - -第 6 页,共 24 页_归纳总结汇总_ - - - - - - - - - 上述热缺陷是一种位置缺陷, 也即原子或离子离开了自己原有 的位置而处在其它位置上；其它类型： 间隙离子从晶特别表跑到内部去,这样的缺陷就只有间 隙原子而无空位了；有几个空位同时合并在一起的缺陷 在晶体中,几种缺陷可以同时存在,但通常有一种是主要的；一般说,正负离子半径相差不大时,肖特基缺陷是主要的
11、；两种 离子半径相差大时弗伦克尔缺陷是主要的；二 组成缺陷组成缺陷的产生：杂质原子和本征原子的性质不同,故它不仅破坏了原子有规章的排列,而且使杂质离子四周的周期势场发生改 变,从而形成缺陷；类型： 间隙杂质原子及置换杂质原子两种,三 电荷缺陷见错误 .未找到引用源；缺陷的产生： 有些化合物,电子得到能量而被激发到高能量状态,此时在电子原先所处的能量状态相当于留下了一个电子空穴,带正电荷；因此在它们邻近形成了一个附加电场,引起周期势 场的畸变,造成了缺陷四 非化学计量结构缺陷缺陷的产生： 一些易变价的化合物,通过自身的变价电荷转移,很简洁形成空位和间隙原子,造成组成上的非化学计量化,引 起了晶体
12、内势场的畸变；二、点缺陷的反应与浓度平稳_精品资料_ - - - - - - -第 7 页,共 24 页_归纳总结汇总_ - - - - - - - - - 一 热缺陷热缺陷是热起伏引起,在热平稳条件下,热缺陷多少仅和温度有关热缺陷的平稳浓度：空位的形成自由焓变化：GHTSnETS其中,完整单质晶体原子数 N ,温度 TK,形成 n 个孤立空位,每个空位的形成能是 DEG n E T S c n S 组态熵或混和熵 S c k B ln N n .,振动熵 DSn；平稳时,N . n .G0,故有：nn E T S G fexp expN n kT kTG f当 nN ,有：n N expkT
13、其它缺陷也可得出类似结果；缺陷表示符号：V 空位；M 所争论的原子离子；le 电子；lh 空穴；下标空位或原子所在的位置 i处于间隙位 ；上标所争论原子或空位所带的电荷；撇“ ”负电荷,点“ ” 正电荷；例： 1、原子空位： V M；2、间隙原子： M i；3、置换原子： M M2,4、自由电子及电子空穴：,e 和h ；5、带电缺陷：V 和V ；M.2和M,2MM缺陷反应： 可以用化学反应式,质量作用定律描述缺陷方程遵守的基本原就：1、位置关系 2、位置增殖 3、质量平稳4、电中性 5、外表位置_精品资料_ 肖特基缺陷平稳方程：MMMMVM或0VMexpGf；第 8 页,共 24 页KSVM,
14、由于GfRTlnKS,故此KS VMRTexpGS假设氧化物 MO 形成肖特基缺陷：0VMV O . .；KS1 VMV. .2O2 kT- - - - - - -_归纳总结汇总_ - - - - - - - - - 对 MgO ：MgMgO OVMg.V O.MgMg表面O O表面0VMg.V O.KSV Mg.V O弗伦克尔缺陷平稳方程：MMM.VM,KF VMM.KF V MM. .iiMMiKF1 VMM. .GFexp2i2kTAg.VAgKF对 AgBr ：AgAgV i.Ag iVAg；iAgAgVi二 组成缺陷和电子缺陷杂质原子破坏了周期势场形成不同类型的缺陷；对硅晶体 ：掺五
15、价磷和三价硼P Si.P Sie有Ke.P Sie；BSiBSih.有P SiKhB Sih.B Si反应方程可对缺陷形成进行分析,但最终仍需经实际判别确认 例如：确定实际缺陷形成方程CaCl 2 在 KCl 中的可能溶解过程：CaCl2S KClCaKV K2 ClClCa 占 K 位,据位置关系,一 K 位是空的CaCl 2S KCl.Ca KVK2 ClClCaCl2 S KCl. .Ca i2 V K2 ClCl三 非化学计量缺陷与色心非化学计量化合物：不符合定比定律；负离子与正离子的比,不是一个简洁固定的关系 色心： 由电子补偿而引起的一种缺陷,常产生颜色 几种典型非化学计量缺陷：_
16、精品资料_ - - - - - - -第 9 页,共 24 页_归纳总结汇总_ - - - - - - - - - 1、负离子缺位,金属离子过剩TiO2、ZrO2就会产生这种缺陷； 分子式可以写为 TiO2-x,ZrO2-x化学的观点看： Ti2O3 在 TiO 2中的固溶体化学计量的观点看：存在氧空位；也可看作为了保持电中性,部分 Ti4+由于得到电子降价为 Ti3+留意： 这个电子并不是固定在一个特定的钛离子上,而是简洁从一个位置迁移到另一个位置；可看作是负离子空位四周束缚了过剩电子,如 错误.未找到引用源； 所示 色心F-色心： 一个负离子空位和一个在此位置上的电子组成；如错误 .未找到
17、引用源； 所示, NaCl 在 Na 汽中加热,得到黄棕色缺陷反应：2 TiO21O22TiTiV.3 OO1O212O2TiO22 T iTiV.3 OO1O2O22TiTi4 OO2 T iTiV.3 OOO2OO VV. .2e1O2. .V OP O 2O2.P O21e2K2O6OO2、间隙正离子,金属离子过剩Zn 1+x O 和 Cd 1+x O 属于这种类型；过剩的金属间隙正离子,束缚等价电子,这也是一种色心；如 所示 缺陷反应：错误.未找到引用源； a_精品资料_ ZnO.Zn i.2 e1O2gZngZn. .i2 eP Zn1与第 10 页,共 24 页21KZn. .ie
18、2Zn.P Zn3P ZnieZn.Zn. i如 Zn 离子化不足,有Zng2i- - - - - - -_归纳总结汇总_ - - - - - - - - - 试验符3、间隙负离子,负离子过剩目前只发觉 UO 2+x 具有这样的缺陷,两个电子空穴被吸引到这空位的四周,形成一种 所示 缺陷反应：V- 色心；如 错误.未找到引用源； b1O2Oi2h.O iP O21624、正离子空位,负离子过剩Cu 2O 、FeO 属于这种类型的缺陷；如 c所示 缺陷反应：错误 .未找到引用源；2FeFe1O2g2Fe.OOVFeKOOVFeh.22FeP O212 2-2 位错位错： 原子行列间相互滑移,不再
19、符合抱负晶格的有序的排列,为线缺陷实际位错移动示意图 一、 位错的结构类型位错最重要、 最基本的外形有刃形位错和螺形位错两种,另有介于它们之间的混合型位错等一 刃型位错_精品资料_ 刃型位错： 滑移面和未滑移面交界处的一条交界线如动画所示 ,第 11 页,共 24 页也即一个余外半原子面与滑移面相交的交线上,由于原- - - - - - -_归纳总结汇总_ - - - - - - - - - 子失掉正常的相邻关系,形成的晶格缺陷；它与滑移方向垂直； 如错误.未找到引用源； 表示一块单晶体中刃型位错的情形 动画,相应的原子关系如 错误. 未找到引用源； 所示；在 错误. 未找到引用源； 中画出了
20、包含位错线并与滑移面垂直的一组原子面,通过它可以进一步看清与刃型位错相联系的余外半原子面,及其产生 ；刃型位错的正负：余外半原子面在滑移面上边的刃型位错称为正刃型位错,反之称为负刃型位错位错核心： 畸变在位错中心处最大,随着距离的增大逐步减小；一般是原子错排严峻到失掉正常相邻关系的区域二 螺型位错螺型位错： 滑移面和未滑移面交界处的一条交界线如动画所示 ,它所贯穿的一组原先是平行的晶面变成了一个以此为轴的螺旋面,原子失掉正常的相邻关系,形成的晶格缺陷； 它与滑移方向平行； 如错误.未找到引用源； 表示一块单晶体中螺型位错的情形,相应的原子关系如错误. 未找到引用源； 所示；在错误. 未找到引用
21、源； 中画出了被位错线所贯穿的一组原先是 平行的晶面变成了一个以位错线为轴的螺旋面；螺型位错的左右旋：螺旋面为右旋的为右旋螺型位错,反之为左旋_精品资料_ - - - - - - -第 12 页,共 24 页_归纳总结汇总_ - - - - - - - - - 螺型位错两种位错的不同：螺型位错只引起剪切畸变,而不引起体积的膨胀和收缩；与刃型位错不同螺型位错的晶体生长特点：三 混合型位错蜷线台阶 , 如错误. 未找到引用源；位错线既不是平行也不是垂直于滑移方向的特别情形 混合型位错： 位错线与滑移方向既不平行也不垂直,原子排列介于螺型位错与刃型位错之间,其在晶体中的情形如 错误 .未找到引用源；
22、 所示,原子状态如 错误 .未找到引用源； 所示, 位错的移动状态如动画所示 ；四 Burgers 回路与位错的结构特点Burgers 回路：在好区中环绕位错作一闭合回路,回路的每一步,都连接相邻的同类原子 ,并且始终保持在晶体的好区, 这个回路称 Burgers 回路 螺型位错 与刃型位错 Burgers 矢量：反映含与不含位错的两个晶体的差异,表达实际晶体所含位错根本特点的矢量； 为闭合在两种晶体上绕走同样步数而无法闭合的回路所附加的矢量；示如错误 .未找到引用源； 所柏格斯矢量的表示： 通常用其沿晶体主轴的重量来表示,如 a010错误.未找到引用源； 或 a100 错误.未找到引用源；
23、刃型_精品资料_ - - - - - - -第 13 页,共 24 页_归纳总结汇总_ - - - - - - - - - 位错与其柏格斯矢量相互垂直, 而螺型位错与其柏格斯矢量互相平行；位错强度： 指柏格斯矢量的大小；错误 . 未找到引用源； 、错误.未找到引用源； 中强度为 a柏格斯矢量方向确定： 回路的正向与位错线正向组成右手螺旋关系；位错正向为从纸背到纸面位错柏格斯矢量的守恒性：1、一个位错只具有唯独的柏格斯矢量；位错运动或外形变化矢量不变,矢量的大小及方向完全打算于位错本身,而与回路之大小与外形无关2、位错线不能在晶体内部中断；错环等3、位错与其他位错相联,指向节点可连接晶体外表,形
24、成封闭位 即位错线交点 的诸位错的柏格斯矢量之和, 必定等于离开节点的诸位错的柏格斯矢量 之和； 错误.未找到引用源； 中,从 A 开头,绕复合回路一周回到 A 点,有复合回路之柏格斯矢量为 b 2+b 3-b 1=0 ,实_精品资料_ - - - - - - -第 14 页,共 24 页_归纳总结汇总_ - - - - - - - - - 际有iib0五 位错密度位错密度： 在单位体积晶体中所包含的位错线的总长度S ；V简便起见,位错密度等于穿过单位截面积的位错线数目nlnlAA二、位错的应力场争论位错时,把晶体分两个区域：位错中心邻近,考虑晶体结构和原子间的相互作用；在远离位错中心区,简化
25、成为连续弹性介质,用线弹性理论进行处理,并采纳简洁的各向同性近似一 位错的应力场应力重量： 物体中任意一点的应力状态均可用九个应力重量描述xx、yy、zzxy、yz、zx、yx、zy、xz；如 错误 . 未找到引用源； 所示,平稳时：应力应变各为六个刃型位错：连续弹性介质模型：设一内半径 r c,外半径 R的无限长的空心弹性圆柱,圆柱轴与 z 轴重合； 将它沿径向切开至中心, 将切面两侧沿 x 轴相对移动一个距离b,然后再粘合起来 , 如错误. 未找到引用源； 所示；畸变状态与含正刃型位错晶体相像,可通 过它求出刃型位错的应力场_精品资料_ 这一平面应变问题；需要解的应力重量只有:xx 、yy
26、 、第 15 页,共 24 页zzxxyy,xyyx,在直角坐标下的解为：- - - - - - -_归纳总结汇总_ - - - - - - - - - xyxxDy 3x2y2x2y22yyDyx2y22 xy22Dx x2y2zzyxx2y yy 22xx螺型位错：连续弹性介质模型：弹性圆柱切开至中心,然后将切面两侧沿z轴相对移动 b,再粘合起来,就得到沿z 轴的螺型位错模型；如错误 .未找到引用源； 所示,可通过它求出螺型位错的应力 场需要解的应力重量有: xzzx,xyyx,在直角坐标下的解为：xzzxb2 xy22ybxyzzy2x2y2二 位错的应变能与线张力位错的能量： 位错在晶
27、体中引起畸变,具有能量 和应变能核心以外的能量两部分；包括位错核心能应变能 运算 ：利用在连续介质模型中制造一个位错时所作的功,位错形成后,此功就转变为位错的应变能 对刃型位错 ：功: 剖面上一面积元加切应力,变形过程中外力在此面积元上所作_精品资料_ - - - - - - -第 16 页,共 24 页_归纳总结汇总_ - - - - - - - - - 的功应为1byxdx其中 1/2 是表示变形过程中应力是从02变到yx,所以取一半；面积元在z 方向取 1,x 方向取 dx单 位 长 度 位 错 线 应 变 能Ee 圆 柱 体 剖 面 上 的 总 功 ：Ee1Rbyxdx可得：Ee4b2
28、lnR2r c 1rc对螺型位错：螺型位错的应变能Es：Es1Rbzdrb2lnR2r c4rc对混合型位错： 想象地 分解为一个刃型位错重量和一个螺型位错分量,如错误.未找到引用源； 必需满意守恒关系bbebs,即有：bsbcos 为混合型位错与柏格斯矢量夹角b ebsin混合位错应变能：分别算出两个位错重量的应变能再叠加Ees bsin2lnR bcos2lnR4b2lnR 12 cos4 1rc4r c 1r c由于位错能量与其长度成正比, 所以它有尽量缩短其长度的趋势,可以用位错的线张力 T 来描述位错线张力： 位错线长度增加一个单位时,晶体能量的增加直线形位错： T 大约等于 b2弯
29、曲位错线： 如错误. 未找到引用源； 所示 正、负位错在远处1 2会部分抵消,系统能量变化小于 b2,常取 T b2三 位错核心位错核心错排严峻, 不能再简化为连续弹性体； 以点阵模型解决_精品资料_ - - - - - - -第 17 页,共 24 页_归纳总结汇总_ - - - - - - - - - 派纳 Peierls-Nabarro模型： 实际上是不完全的点阵模型；设晶体由被滑移面隔开的两个半块晶体组成；连接处直接考虑原子间相互作用,内部简化成连续弹性介质；原子的平稳与错排：滑移面两侧原子最终位置打算于两种因素之间的平稳,一方面是 A面与 B面上的原子由于原子之间的相互作 用力图上下
30、对齐,另一方面是简化成连续弹性介质的两半块晶体对变形的抵抗； 同时,原子在水平方向上偏离原位 称为错排,无限远处错排为零,如错误.未找到引用源； 、错误.未找到引用源； 所示,错排值沿滑移面的分布派- 纳模型中位错的能量组成：两部分；一是两半晶体中的弹性应变能主要分布于位错核心之外 ；另一是滑移面两侧原子互作用能 错排能基本集中于位错核心范畴内位错核心能： 错排能 原子互作用能位错总能量： 包括应变能和核心能； 核心能约为应变能的 1/10位错热力学不稳固晶格缺陷：位错的应变能、 核心能都使自由能增加 ,直到晶体熔点仍具有正值_精品资料_ - - - - - - -第 18 页,共 24 页_
31、归纳总结汇总_ - - - - - - - - - 三、位错的运动位错最重要的性质之一是它可以在晶体中运动位错的运动方式：刃型位错： 滑移：位错线沿着滑移面移动；攀移：位错线垂直于滑移面的移动；螺型位错 ：只作滑移位错移动的形象描述：如动画所示 ,利用肥皂水中的泡泡也可观看位错的移动 1,2,3一 位错的滑移刃型位错滑移特性：位错移动一个原子间距,但原子移动很小；如错误. 未找到引用源； ,需切应力很小 ；正刃型位错滑移与柏格斯矢量原子移动同向,负刃型位错反向,但造成的晶体滑移完全相同；滑过整个晶体外表 产生宽度为 一个柏格斯矢量b 的台阶 ,如塑性变形 ；所示, 造成晶体的 塑性变形 ；螺型
32、位错滑移特性：位错线向垂直于柏格斯矢量原子移动 方向位错的侧向 滑移；见 错误. 未找到引用源； ,原子的移动量很小 ,位错移动所需的力也很小； 晶体因滑移而产生的台阶扩大一个原子间距, 滑过整个晶体 产生台阶宽度为一个柏格斯_精品资料_ - - - - - - -第 19 页,共 24 页_归纳总结汇总_ - - - - - - - - - 矢量 b；见错误.未找到引用源； ；混合型位错滑移特性： 分析圆环形, 如错误.未找到引用源；错误.未找到引用源； ；A、B、C、D 分别为正、负、右、左位错；切应力作用下,各位错线分别向外扩展,始终到达晶体边缘；晶体滑移由柏格斯矢量b 打算, 产生一个
33、 b 的滑移 ,位错的移动状态如动画所示 ；位错滑移的驱动力：设想位错受到一种力而运动实际上位错是一种原子组态, 力是作用于晶体中的原子 ；使位错发生运动的力；称为位错运动的驱动力；留意： 驱动力不必肯定是外力,晶体内部质点、界面或其它位错引起的应力位错滑移的驱动力性质：仅当有切应力作用在一个位错的滑移面上,并且平行于它的柏格斯矢量方向的时候,位错才受滑移驱动力的作用, 这个位错才会运动或者趋于运动；柏格斯矢量方向没有切应力重量的全部位错不运动位错受力的定量处理： 可以证明滑移驱动力Ft 等于作用在滑移面上_精品资料_ - - - - - - -第 20 页,共 24 页_归纳总结汇总_ -
34、- - - - - - - - 而且沿柏格斯矢量的切应力重量与位错强度的乘积Ftb并非任意小的上述切应力都能使位错滑移,滑移要越过势垒即点阵阻力, 错误 .未找到引用源； ；谷表示处于稳固位置,滑移示意如动画所示 如 错误.未找到引用源； 中的对称状态错排能最小点阵阻力： 源于晶格结构的周期性,滑移面两侧原子之间的相互作用力派- 纳应力： 派-纳模型,提出了为 克服点阵阻力推动位错前进所必须的滑移力和相应的切应力：p2exp2w/b1其中 w 为位错宽度, b 为位错强度； W 大 b 小,派-纳力就小,易滑移,故易沿密排面滑移二 位错攀移位错攀移： 刃型位错半原子面对上或向下移动；未找到引用
35、源； a、c正、负攀移如错误 .位错攀移特点： 与滑移不同, 位错攀移时相伴物质迁移,需扩散实_精品资料_ - - - - - - -第 21 页,共 24 页_归纳总结汇总_ - - - - - - - - - 现；需要热激活,比滑移需要更大的能量；原子面边缘产生曲折 位错的割阶： 在余外半原子面边缘产生的曲折；另外,易在余外半如错误.未找到引用源；所示,是原子附着或脱离余外半原子面可能性最大的地方位错攀移的驱动力及产生：化学力； 如晶体中有过剩的点缺陷,譬如空位,单位时间内跳到位错上的空位原子数就要超过离开位错的空位原子数 ,产生驱动力；弹性力；余外半原子面缩小、膨胀过程中, 假如有垂直于
36、余外半原子面的弹性应力重量错误 . 未找到引用源； ,它就要作功；位错攀移的驱动力为两者之和可以求得：单位长度位错线所受的化学攀移力：Fs1kTlnCb2C0 C0：晶体中空位的平稳浓度为,C：实际浓度为单位长度位错线所受的弹性攀移驱动力：Fcbdybdy四、位错与缺陷的相互作用晶体中假设同时含有多种缺陷,它们之间会发生相互作用,甚至相互转化；一 位错之间的相互作用_精品资料_ - - - - - - -第 22 页,共 24 页_归纳总结汇总_ - - - - - - - - - 1、位错间的弹性相互作用：位错的弹性应力场间发生的干预和相互作用, 将影响到位错的分布和运动两平行的螺型位错间的相互作用滑移：作用是中心力,位错同号相斥, 异号相吸, 大小与位错间距成反比, 和两条带电导线的相互作用相像； 错误.未找到引用源；位错 b2受力：Frb 1施以的应力b 2 的矢量强度2b 1b 2b 1 b 2r