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1、 一、概述 D1006 是一款应用在 LNB 系统中的电源管理和控制芯片,该芯片主要作用是为 FET 提供恒定的 工作点偏置。该芯片同时可以提供 6 路的 FET 偏置,能自动调节控制漏极电流,使外部 FET 工作在低噪 声状态。D1006 芯片采用 SSOP-20 封装,其外围只需要很少量元器件,就可以为 LNB 系统提供一个 稳定可靠的解决方案。二、特点 可同时驱动六路 FETs FET 漏极电流可调 集成负压产生器 电源电压范围宽 外围器件很少 动态 FET 保护 三、应用范围 卫星 LNB 系统 私人电台 移动电话 四、极限参数 参数 供电电压 供电电流 工作温度 存储温度 五、推荐工
2、作参数 参数范围 -0.6 to 15 100 -40 to+70 -50 to+85 单位 V mA 无锡矽励微电子有限公司无锡矽励微电子有限公司 电话:电话:(86)510-85380069 Email:salesxili.co 参数 电源电压 工作温度 六、内部框图 参数范围 5 to 12 -40 to+70 图 1、D1006 内部框图 单位 V 七、管脚定义 图 2、D1006 管脚分布图 序号 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 名称 D1 G1 D2 G2 D3 G3 GND N/C CNB1 CNB2 CSUB RCAL1
3、 RCAL2 G6 D6 G5 D5 G4 功能 FET1 漏极偏置 FET1 栅极偏置 FET2 漏极偏置 FET2 栅极偏置 FET3 漏极偏置 FET3 栅极偏置 地 悬空 振荡输出 振荡输入 内部负压产生 FET 漏极电流调整电阻 1 FET 漏极电流调整电阻 2 提供 FET6 栅极偏置 提供 FET6 漏极偏置 提供 FET5 栅极偏置 提供 FET5 漏极偏置 提供 FET4 栅极偏置 八、电气参数 19 20 D4 VCC 提供 FET4 漏极偏置 电源电压 测试条件:T=25,Vcc=5V,RCAL1=RCAL2=33K。(特别说明除外)参数 符号 条件 最小值 典型值 最大
4、值 单位 工作电压 工作电流 SUB 电压 输出噪声 栅极电压 漏极电压 振荡频率 漏极电流 漏极电流变化 随 VCC 随 Tj 漏极电压 漏极电压变化 随 VCC 随 Tj 栅极电流范围 栅极输出电压 输出低电压 Vcc Icc Vsub ENG END fo Id IDV IDT Vd VDV VDT IGO VOL ID1 to ID6=0 ID1 to ID6=10mA ISUB=0 ISUB=-200uA CG=4.7nF,CD=10nF CG=4.7nF,CD=10nF Vcc=5V to 12V Tj=-40 to+70 Id=10mA Vcc=5V to12V Tj=-40 t
5、o 70 ID1 to ID6=12mA IG1 to IG6=0 ID1 to ID6=12mA IG1 to IG6=-10uA 5 -3.5 300 8 2.1 -30 -3.5 -3.5 -3 600 10 0.02 0.05 2.3 0.5 50 12 15 75 -2 -2 0.005 0.02 900 12 2.5 2000 -2.0 -2.0 V mA mA V V Vpkpk Vpkpk KHz mA /V /V /V ppm uA V V 输出高电压 VOH ID1 to ID6=8mA IG1 to IG6=0 0 1.0 V 九、典型应用 图 3、D1006 典型应用图
6、(注:上图为 FET1 应用,FET2FET6 与此类似)十、封装外形 封装类型:SSOP-20 单位:mm 十一、应用说明 D1006 为 LNB 系统中的 FET 提供外部偏置电压,电容 Cd 和 Cg 可以确保偏置源的稳定输出,并且可以降低输出噪声,以防止影响系统的工作性能。Cd 和 Cg 同时还有效得抑制了 D1006 应用线 路中的射频干扰。电容值的大小设计时在 1nF 到 100nF 之间。Cd 和 Cg 推荐分别使用 10nF 和 4.7nF 的电 容值。电容 CSUB 和 CNB 与内部线路组成负压产生电路,这两个电容值的取值均为 47nF,该负压电路产生 约-3.0V 的电压
7、。负压电路除了提供给 D1006 本身工作外,还可以通过 CSUB 脚为其他电路提供负压。电阻 Rcal1 和 Rcal2 的取值可以调整 FET 工作的漏极电流,D1006 可以通过调整漏极电流来适 应不同的 FET 管应用。电阻 Rcal2 控制 FET1 和 FET4,电阻 Rcal1 控制 FET2、FET3、FET5 和 FET6。如 果 6 个 FET 的漏端电流要求一致,那么可以将 Rcal1 和 Rcal2 连接到一起通过一个电阻接地,电阻值可取 单个电阻值的一半。如果不需要用到所有的 FET 通道,可以将不需要的管脚悬空,不会影响到其他偏置电路的工作。为了保护外围的 FET 电路,偏置电路的设计可以确保在任何条件下栅极的驱动电压都不会超过 -3.50.7V 的范围。当处在异常状态下,比如过载或短路,FET 的漏极电流将会受到限制,以避免电流过大 造成元器件损坏。