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1、第四章固体中的扩散2第一页，本课件共有65页1.Ficks定律的普遍形式定律的普遍形式单个原子在一维方向驱动力单个原子在一维方向驱动力受力作用，原子发生移动，其速度与力成正比受力作用，原子发生移动，其速度与力成正比Bi比例系数为单位力作用下的速度，称为迁移率比例系数为单位力作用下的速度，称为迁移率扩散通量：扩散通量：第二页，本课件共有65页分扩散系数为：分扩散系数为：热力学因子热力学因子对于双组分体系对于双组分体系吉吉杜公式杜公式得到：得到：第三页，本课件共有65页讨讨 论论（1）理想固溶体：）理想固溶体：i=1 无限稀释固溶体，无限稀释固溶体，i=a为常数为常数 f=1，Di=BikT（2）
2、均匀固溶体的自扩散）均匀固溶体的自扩散 Di*=Bi*kT（3）扩散系数与热力学因子的关系）扩散系数与热力学因子的关系 f0，下坡扩散，下坡扩散形成均匀的固溶体形成均匀的固溶体 f0，上坡扩散，上坡扩散形成两相混合物形成两相混合物（4）达肯公式）达肯公式Ag+AuAg+(Au+Au*)50%50%50%50%第四页，本课件共有65页4.6 影响扩散系数的因素影响扩散系数的因素 从扩散系数的关系式可以看到，影响因素有：温度、组分、从扩散系数的关系式可以看到，影响因素有：温度、组分、结构、原子种类、扩散机制等。结构、原子种类、扩散机制等。（1）温度与活化能：）温度与活化能：lnD=lnD0-Q/R
3、Tv影响扩散活化能的因素：结构、扩散方向、扩散原子、机制等影响扩散活化能的因素：结构、扩散方向、扩散原子、机制等v扩散系数对温度非常敏感：固相线附近扩散系数对温度非常敏感：固相线附近10-810-9（空位），（空位），10-510-6（间隙），常温（间隙），常温下降很大下降很大10-2010-50（空位）。（空位）。vlnD1/T作图为一直线，斜率为作图为一直线，斜率为-Q/R。实际上，空位扩散有转折。高温时为本征扩散，实际上，空位扩散有转折。高温时为本征扩散，即通过本征空位进行扩散，活化能为即通过本征空位进行扩散，活化能为H*+Hv；低温为非本征扩散，活化能为低温为非本征扩散，活化能为H*。
4、lnD1/T第五页，本课件共有65页 例如：含微量例如：含微量CaCl2的的NaCl晶晶体中，体中，Na+的的自扩散系数自扩散系数自扩散系数自扩散系数D与与温温温温度度度度T的关系。的关系。主要原因是主要原因是两种扩散活化两种扩散活化两种扩散活化两种扩散活化能不同能不同能不同能不同；弯曲或转折相当于从；弯曲或转折相当于从杂质控制的杂质控制的非本征扩散向本征扩非本征扩散向本征扩非本征扩散向本征扩非本征扩散向本征扩散散散散的转化。的转化。高温高温高温高温 区为区为本征扩散本征扩散本征扩散本征扩散;低温低温低温低温区为区为非本征扩散非本征扩散非本征扩散非本征扩散。第六页，本课件共有65页表表1 Na
5、Cl单晶中自扩散活化能单晶中自扩散活化能 Patterson等人测定了等人测定了NaCl单晶中单晶中Na+离子和离子和C1-离子的离子的本本征征与与非本征扩散系数非本征扩散系数非本征扩散系数非本征扩散系数以及由实测值计算出的以及由实测值计算出的扩散活化能扩散活化能扩散活化能扩散活化能。第七页，本课件共有65页（2）组分的影响组分的影响v达肯公式达肯公式v俣野公式俣野公式v第三组分影响第三组分影响(Fe-C:Mo、W,D,Co,D)a)高价杂质形成空位，高价杂质形成空位，D；b)非本征扩散转变温度提高；非本征扩散转变温度提高；c)形成化合物，扩散系数形成化合物，扩散系数（3）晶体结构对扩散系数的
6、影响）晶体结构对扩散系数的影响v同一材料不同晶型同一材料不同晶型:D-Fe/D-Fe=280（910）v扩散方向扩散方向各向异性（各向异性（a和和Q不同）不同）v固溶体类型固溶体类型第八页，本课件共有65页（4）气氛的影响）气氛的影响v除了掺杂点缺陷引起非本征扩散外，非本征扩散亦发生于一些非化除了掺杂点缺陷引起非本征扩散外，非本征扩散亦发生于一些非化学计量氧化物晶体材料中，特别是过渡金属氧化物。例如学计量氧化物晶体材料中，特别是过渡金属氧化物。例如FeO、NiO、CoO或或MnO等。等。v扩散系数依赖于环境中的气氛。扩散系数依赖于环境中的气氛。、金属离子空位、金属离子空位 考虑平衡时考虑平衡时
7、MM=2VM，因此非化学计量空位浓度，因此非化学计量空位浓度VM:第九页，本课件共有65页 将将VM代入式中的空位浓度项，则得非化学计量空位对代入式中的空位浓度项，则得非化学计量空位对金属离子扩散系数的贡献：金属离子扩散系数的贡献：显然，若温度不变，对显然，若温度不变，对1nDM与与lnPO2作图所得直线斜率为作图所得直线斜率为16；若氧分压若氧分压PO2不变，不变，lnD 1/T 作图，则直线斜率负值为作图，则直线斜率负值为(HM+H/3)R。第十页，本课件共有65页 右图右图为实验测得为实验测得氧氧分压分压与与CoO中中钴离子扩钴离子扩散系数散系数的关系图的关系图,斜率为斜率为16。说明理
8、论分析与。说明理论分析与实验结果是一致的。实验结果是一致的。CoCo2+2+的扩散系数与氧分压的关系的扩散系数与氧分压的关系的扩散系数与氧分压的关系的扩散系数与氧分压的关系第十一页，本课件共有65页、氧离子空位、氧离子空位反应平衡常数：反应平衡常数：以以ZrO2-x为例，在高温下，氧分压的降低将导致如下缺陷反应为例，在高温下，氧分压的降低将导致如下缺陷反应发生发生:电荷平衡时电荷平衡时e=2Vo，非化学计量空位非化学计量空位非化学计量空位非化学计量空位对氧离子扩散系数贡献为：对氧离子扩散系数贡献为：第十二页，本课件共有65页v非化学计量氧化物中，除了非化学计量氧化物中，除了本征缺陷空位本征缺陷
9、空位本征缺陷空位本征缺陷空位、杂质缺陷空杂质缺陷空杂质缺陷空杂质缺陷空位位位位，还有气氛改变所引起的，还有气氛改变所引起的非化学计量空位非化学计量空位非化学计量空位非化学计量空位 对扩散系对扩散系数的贡献，因此数的贡献，因此 lnD 1/T 曲线，曲线，含两个转折点含两个转折点含两个转折点含两个转折点构成。构成。如图所示：如图所示：v图中有三条直线段，高温段图中有三条直线段，高温段与低温段分别为本征空位和与低温段分别为本征空位和杂质空位所致，而中温段则杂质空位所致，而中温段则为非化学计量空位所致。为非化学计量空位所致。在缺氧的氧化物中在缺氧的氧化物中在缺氧的氧化物中在缺氧的氧化物中扩散与温度关
10、系示意图扩散与温度关系示意图扩散与温度关系示意图扩散与温度关系示意图第十三页，本课件共有65页4.7.高扩散的路径高扩散的路径v在晶体中，缺陷集中之地：位错、晶界、及表面等，原子在晶体中，缺陷集中之地：位错、晶界、及表面等，原子or离子在此扩散更快，所以叫短路扩散离子在此扩散更快，所以叫短路扩散or高扩散的路径。高扩散的路径。v多晶样品在低温时扩散系数比单晶样品快多晶样品在低温时扩散系数比单晶样品快v多晶样品的扩散系数大于单晶多晶样品的扩散系数大于单晶 样品的扩散系数，由于多晶样样品的扩散系数，由于多晶样 品有晶界的存在。品有晶界的存在。v一般：一般：D表面表面D晶界晶界D体体 见下页图。见下
11、页图。Why？v应用应用:体样品（单晶、大的晶粒）体样品（单晶、大的晶粒）多晶、薄膜。多晶、薄膜。1/TlnDDpolyDsingal银单晶与多晶的自扩散银单晶与多晶的自扩散系数示意图系数示意图第十四页，本课件共有65页第十五页，本课件共有65页科技新闻科技新闻-十种已问世的未来材料十种已问世的未来材料 v特氟隆特氟隆 v超薄超导体超薄超导体 v太阳能房顶太阳能房顶 vd3Od3O凝胶凝胶 v石墨烯石墨烯v巴基球巴基球v隐形材料和隐声材料隐形材料和隐声材料 v透明材料（金属）透明材料（金属）v透光材料（墙体与玻璃纤维）透光材料（墙体与玻璃纤维）v气凝胶气凝胶 -来自来自SINASINA网网 第
12、十六页，本课件共有65页超薄超导体超薄超导体v在涉及超导体问题上，薄是在涉及超导体问题上，薄是开发者们追求的终极目标。开发者们追求的终极目标。v导电体越薄就越能散热导电体越薄就越能散热:如如果加热超过一定温度，果加热超过一定温度，很多材料会失去超导状很多材料会失去超导状态。态。v薄还能提高材料的弹性薄还能提高材料的弹性第十七页，本课件共有65页石石 墨墨 烯烯v钻石、巴克球、纳米管、钻石、巴克球、纳米管、碳纤维均已展示了碳作为碳纤维均已展示了碳作为“第六元素第六元素”的力量和荣的力量和荣耀耀v石墨烯石墨烯(Graphene)是是由单层碳原子构成的二维由单层碳原子构成的二维晶体，也是目前世界上最
13、晶体，也是目前世界上最薄的材料且透明。薄的材料且透明。v有一天，石墨烯可能会在有一天，石墨烯可能会在大多数电脑应用中取代硅大多数电脑应用中取代硅芯片和铜连接器，使我们芯片和铜连接器，使我们现在的电脑看上去就像是现在的电脑看上去就像是原始的蒸汽动力工具。原始的蒸汽动力工具。第十八页，本课件共有65页透明材料透明材料v透明金属材料：铝v透明陶瓷：金属的柔韧性第十九页，本课件共有65页晶粒大小对晶界扩散、体扩散的影响晶粒大小对晶界扩散、体扩散的影响v晶粒为正方形（晶粒为正方形（LL），晶），晶界宽度为界宽度为v对应的体相扩散的面积为对应的体相扩散的面积为L2，晶界扩散的面积为，晶界扩散的面积为2Lv
14、体相扩散通量和晶界扩散通体相扩散通量和晶界扩散通量如右式量如右式LL体相体相晶界晶界相对大小比值相对大小比值第二十页，本课件共有65页v以两者相对大小为以两者相对大小为1（贡献相当），对（贡献相当），对logLTm/T作图作图例如：例如：v按上法作图，从图上可以看出按上法作图，从图上可以看出:a)当当T/Tm=1时，熔点附近，时，熔点附近，L=2mb)T/Tm=0.6,L=440m,c)多晶多晶样样品，晶界品，晶界贡贡献大献大d）L，晶界，晶界贡贡献献；T,体相体相贡贡献献Tm/TlogL晶界晶界体相体相第二十一页，本课件共有65页4.8 形成化合物形成化合物vA+B-Cv假设假设1）ABC之
15、间不互溶，且之间不互溶，且C由一个由一个A和一个和一个B组成组成2）反应物和产物要致密，接触良好）反应物和产物要致密，接触良好3）只有一种反应产物）只有一种反应产物C4）在等温下进行）在等温下进行5）在反应层中及在物相界面保持局域稳态）在反应层中及在物相界面保持局域稳态6）反应截面不变）反应截面不变CABBB AAO x第二十二页，本课件共有65页v以化学势为梯度：以化学势为梯度：CABBB AAO x对对(3)微分微分由由1、2、4得得第二十三页，本课件共有65页对（对（5）进行移项，积分得：）进行移项，积分得：x2=2LA(A-A)Vct=kt这里这里LA、A-A为常数，生成化合物的厚度符
16、合抛物线规律。为常数，生成化合物的厚度符合抛物线规律。讨论：讨论：1）金属的氧化锈蚀反应）金属的氧化锈蚀反应2）固相反应）固相反应3）生成多种化合物）生成多种化合物第二十四页，本课件共有65页1）金属的氧化锈蚀反应）金属的氧化锈蚀反应 M(S)+n/2X2 MXn反应速度遵守什么规律和以下因素有关：反应速度遵守什么规律和以下因素有关：a）金属种类）金属种类b）反应的时间阶段）反应的时间阶段c）产物的致密程度）产物的致密程度d）温度）温度e）相分压等）相分压等对于薄层时对于薄层时(100nm):直线规律（如表面控制）直线规律（如表面控制）抛物线规律抛物线规律(体扩散控制）体扩散控制）第二十五页，
17、本课件共有65页锈蚀反应机理锈蚀反应机理v(a)没有反应时状态没有反应时状态v(b)标记面在金属的界面处，如标记面在金属的界面处，如Fe1-yO、Cu2-yS等，金属离子等，金属离子移动移动v(c)标记面在气体的界面处，如标记面在气体的界面处，如TiO2-y，氧离子移动，氧离子移动v界面在化合物中，两种离子都会移动。界面在化合物中，两种离子都会移动。MX2MX2MX2(a)(b)(c)第二十六页，本课件共有65页2）固相反应）固相反应vMgO+Al2O3 MgAl2O4Al2O3MgOAl2O3MgOx/43x/43Mg2+4Al2O3 3MgAl2O4 3Mg2+2Al3+MgAl2O4 2
18、Al3+4MgO 第二十七页，本课件共有65页3)生成多种化合物生成多种化合物vFeFe中掺碳中掺碳第二十八页，本课件共有65页二元合金扩散不形成两相混合区二元合金扩散不形成两相混合区1 1在一定的温度下相律：在一定的温度下相律：f=c-pf=c-p2 扩散过程进行中，系统没有达到平衡，扩散过程进行中，系统没有达到平衡，f 0f 03 C=2 p 2 p 第三十九页，本课件共有65页4.相关因子相关因子vf=D*/Dr-相关因子（系数）相关因子（系数）,f 1vD*-示踪扩散系数（没有浓度梯度下示踪原子的扩散示踪扩散系数（没有浓度梯度下示踪原子的扩散）vDr-无规扩散，原子的跃迁是独立的，与历
19、史无关（无规扩散，原子的跃迁是独立的，与历史无关（D-电电导扩散可以看成为无序扩散导扩散可以看成为无序扩散）。）。v讨论讨论a）间隙机制：）间隙机制：f=1 间隙位置占据率极低，当原子移动时，周围是空的几率间隙位置占据率极低，当原子移动时，周围是空的几率为为1，每一步都可以看作是独立的，与历史无关。，每一步都可以看作是独立的，与历史无关。b）空位机制：）空位机制：f 1 （1）离子运动总是顺着电场方向运动，与历史无关。）离子运动总是顺着电场方向运动，与历史无关。（2）示踪原子运动与历史有关，回跳的几率最大，也叫记）示踪原子运动与历史有关，回跳的几率最大，也叫记忆效应，所以忆效应，所以D*D。第
20、四十页，本课件共有65页扩散机理扩散机理结结 构构 配位数配位数相关系数相关系数空空 位位金刚石金刚石40.5空空 位位简单立方简单立方60.6531空空 位位体心立方体心立方80.7272空空 位位面心立方面心立方120.7815空空 位位六方密堆积六方密堆积120.78120.7815(fz)记忆效应，随可跳位置越多，回跳的几率就会减小，相关因子记忆效应，随可跳位置越多，回跳的几率就会减小，相关因子f就变大。就变大。第四十一页，本课件共有65页快离子导体的结构特征与分类快离子导体的结构特征与分类 正正离离子子作作载载流流子子的的有有：银银离离子子导导体体、铜铜离离子子导导体体、钠钠离离子子
21、导导体体、锂锂离离子子导导体以及氢离子导体；体以及氢离子导体；负离子作载流子的有：氧离子导体和氟离子导体等。负离子作载流子的有：氧离子导体和氟离子导体等。快快离离子子导导体体中中应应当当存存在在大大量量的的可可供供离离子子迁迁移移占占据据的的空空位位置置。这这些些空空位位置置往往往连接成网状的敞开隧道，以供离子的迁移流动。往连接成网状的敞开隧道，以供离子的迁移流动。根据隧道的特点，可将快离子导体划分为：根据隧道的特点，可将快离子导体划分为：一维导体，其中隧道为一维方向的通道，如四方钨青铜；一维导体，其中隧道为一维方向的通道，如四方钨青铜；二维导体，其中隧道为二维平面交联的通道，如二维导体，其中
22、隧道为二维平面交联的通道，如Na-Al2O3快离子导体；快离子导体；三三维维导导体体，其其中中隧隧道道为为二二维维网网络络交交联联的的通通道道，如如Nisicon(Sodium superionic conductor,NaZr2P3O12)等。等。第四十二页，本课件共有65页银离子导体银离子导体-Ag2HgI4，其其阴阴离离子子为为面面心心立立方方密密堆堆结结构构。单单胞胞中中的的阴阴离离子子形形成成4个个八八面面体体空空隙隙和和8个个四四面面体体空空隙隙。这这些些四四面面体体空空隙隙彼彼此此以以顶顶角角连连接接，每每个个四四面面体体又又与与相相邻邻的的4个个八八面面体体共共面面连连接接。这
23、这样样交交替替排排列列形形成成许许多多可可供供银银离离子子扩扩散散的的通通道道，如如图图表表示示其其沿沿011平平行方向的一条近似直线的通道。行方向的一条近似直线的通道。第四十三页，本课件共有65页锂离子电池正极材料锂离子电池正极材料LiCoO2LiMn2O4LiFePO4第四十四页，本课件共有65页双极扩散双极扩散v双极扩散：氧离子从高氧分压端流向低氧分压端，而电子扩双极扩散：氧离子从高氧分压端流向低氧分压端，而电子扩散方向相反，表观没有电流产生。散方向相反，表观没有电流产生。v扩散机理扩散机理v材料体系材料体系 La1-xSrxCo1-yFeyO3-Ba1-xSrxCoO3-YBa2Cu3
24、O7-La2NiO4+YSZ-AgO2-ePO2(h)PO2(l)双极扩散双极扩散第四十五页，本课件共有65页扩散方程扩散方程质量守恒质量守恒电荷守恒电荷守恒离子扩散方程离子扩散方程(3)和和(4)代人代人(2)得得第四十六页，本课件共有65页表面反应：表面反应：按局域稳态处理按局域稳态处理（6、7）平衡时：）平衡时：两表面反应相减两表面反应相减(5)代人代人(10)(11)代人代人(4)第四十七页，本课件共有65页(1)(8)代人代人(12)当膜厚度为当膜厚度为L？表面扩散起作表面扩散起作用时用时:L=L+2Lc,这里当这里当L远远大于远远大于Lc时，体相扩散控制，反之表面扩散控制，时，体相
25、扩散控制，反之表面扩散控制，当两者相当时，两种都起作用。当两者相当时，两种都起作用。第四十八页，本课件共有65页讨论讨论v透氧量与厚度成反比，还与离子、电子电导率及两边氧分透氧量与厚度成反比，还与离子、电子电导率及两边氧分压有关；压有关；v当当te=1时，双极扩散流量：时，双极扩散流量：与氧离子电导率成正比与氧离子电导率成正比v当透氧膜的厚度降低到一定的时候，当透氧膜的厚度降低到一定的时候，表面扩散就会起作用表面扩散就会起作用:当当LLcLc时，体相起作用时，体相起作用 当当LLcLc时，表面起作用时，表面起作用 当当LLcLc时，两种起作用时，两种起作用第四十九页，本课件共有65页双极扩散材
26、料透氧的测量装置示意图双极扩散材料透氧的测量装置示意图第五十页，本课件共有65页电学驰豫法测量氧化学扩散系数电学驰豫法测量氧化学扩散系数v电学弛豫法是一种暂态法测量技术。电学弛豫法是一种暂态法测量技术。v暂态法：对一个平衡体系突然施加一个微扰，偏离平衡态，暂态法：对一个平衡体系突然施加一个微扰，偏离平衡态，在体系向平衡态恢复过程中，通过实时监测体系的某种物理在体系向平衡态恢复过程中，通过实时监测体系的某种物理性质随时间变化关系，最终获得一些与材料物性有关的更多性质随时间变化关系，最终获得一些与材料物性有关的更多信息。信息。v氧化物体系，在恒定的温度下，突然改变样品周围的氧分压氧化物体系，在恒定
27、的温度下，突然改变样品周围的氧分压会引起样品的重量和体积改变，也就是氧原子进行了重新分会引起样品的重量和体积改变，也就是氧原子进行了重新分布，同时电学性质也会随之改变，通过观察样品电学性能随布，同时电学性质也会随之改变，通过观察样品电学性能随时间的变化，可以计算氧的扩散系数。时间的变化，可以计算氧的扩散系数。v装置：装置：第五十一页，本课件共有65页求解求解f(t)1)从菲克斯第二定律出发从菲克斯第二定律出发2)如果如果C0(x，t)是一个解，则是一个解，则 C(x，t)=C0(x，t)-Cg也为一个解也为一个解3)分离变量的方法分离变量的方法C(x，t)=A(x)T(t)4)边界条件及初始条
28、件边界条件及初始条件5)求解结果（一级近似，误差小于求解结果（一级近似，误差小于0.5%）对对ln1-f(t)t作图，通过斜率就可以求出扩散系数。作图，通过斜率就可以求出扩散系数。第五十二页，本课件共有65页v电学弛豫法测量化学扩散系数电学弛豫法测量化学扩散系数体相及表面浓度都为体相及表面浓度都为Cs表面浓度表面浓度Cg气相浓度气相浓度Cg气气氛氛改改变变RR第五十三页，本课件共有65页5.9CABC0C=0O x第五十四页，本课件共有65页1 1）以金属浓度为梯度）以金属浓度为梯度：对对(3)微分微分由由1、2、4得得对（对（5）进行移项，积分得：）进行移项，积分得：x2=2DC0Vct=k
29、t对氧气同理推出：对氧气同理推出：x2=2DC0Vct=2DKP1/2Vct第五十五页，本课件共有65页2）从上面推导的两个公式就可以从实验中得到结果：如果）从上面推导的两个公式就可以从实验中得到结果：如果改变氧的分压，不会影响化合物层的生长速度，表明是金改变氧的分压，不会影响化合物层的生长速度，表明是金属离子扩散；如果氧分压改变，生长速度改变，且与氧分属离子扩散；如果氧分压改变，生长速度改变，且与氧分压成上述关系，表明氧离子扩散。压成上述关系，表明氧离子扩散。方法二：测量扩散系数，从大小来判断方法二：测量扩散系数，从大小来判断方法三：用标记面的方法方法三：用标记面的方法MX2MX2MX2(a
30、)(b)(c)第五十六页，本课件共有65页例题例题2 通常在设计中利用不同的掺杂物制造通常在设计中利用不同的掺杂物制造p型或型或n型掺杂半导型掺杂半导体晶体管。已知体晶体管。已知1100时，磷（时，磷（P）在硅中的扩散系数是）在硅中的扩散系数是D6.510-13cm2/s。假设表面源提供的浓度为。假设表面源提供的浓度为1020 atoms/cm3，扩，扩散时间为散时间为1小时，初始时硅圆片中没有磷原子。计算多深距离小时，初始时硅圆片中没有磷原子。计算多深距离处磷原子的浓度为处磷原子的浓度为1018atoms/cm3，并说明计算过程中所做得，并说明计算过程中所做得所有假设；所有假设；解：解：假设
31、可以使用菲克第二定律的结论公式假设可以使用菲克第二定律的结论公式第五十七页，本课件共有65页又因又因为为所以所以上上述述解解答答过过程程中中所所做做的的主主要要假假设设有：有：i.在在磷磷（P）扩扩散散到到硅硅圆圆片片的的过过程中程中D的值保持不变；的值保持不变；ii.P的的扩扩散是一散是一维扩维扩散。散。第五十八页，本课件共有65页高斯误差函数表高斯误差函数表第五十九页，本课件共有65页例题例题3 Zn2+在在ZnS中扩散时，中扩散时，563C时的扩散系数为时的扩散系数为3104 cm2/s；450C的扩散系数为的扩散系数为1.0104 cm2/s，求，求（1）扩散活化能和）扩散活化能和Do
32、；（2）750C时的扩散系数；时的扩散系数；（3）根据你对结构的了解和活化能大小的数据，请从缺陷扩）根据你对结构的了解和活化能大小的数据，请从缺陷扩散的微观机制来推断激活能的含义；散的微观机制来推断激活能的含义；（4）根据）根据ZnS和和ZnO相互类似，预测相互类似，预测D随硫分压而变化的关系。随硫分压而变化的关系。解解：（：（1）由由D=D0exp(-Q/RT)，有有lnD=lnD0-Q/RT ln(3104)=lnD0-Q/R(563+273.2)(1)ln(1104)=lnD0-Q/R(450+273.2)(2)第六十页，本课件共有65页解方程组得：解方程组得：Q=48.9kJ/mol
33、D0=0.34（2）750度时的扩散系数：度时的扩散系数：D=D0exp(-Q/RT)=0.34exp-48900/8.314(750+273.2)=1.0810-3(cm2/s)（3）从计算的结果看，扩散活化能为）从计算的结果看，扩散活化能为48.9kJ/mol，扩散活化能，扩散活化能比较小，因此锌的扩散是通过间隙锌进行扩散的。扩散活化比较小，因此锌的扩散是通过间隙锌进行扩散的。扩散活化能主要为间隙锌离子扩散时引起周围离子的畸变而产生的弹能主要为间隙锌离子扩散时引起周围离子的畸变而产生的弹性应变能。性应变能。第六十一页，本课件共有65页（4）D与硫分压间的关系与硫分压间的关系由由ZnO中氧分
34、压间的关系，得到中氧分压间的关系，得到ZnS中硫分压间的关系中硫分压间的关系扩散系数与硫分压的扩散系数与硫分压的-1/4次方成正比，也就是硫分压增加锌的扩次方成正比，也就是硫分压增加锌的扩散系数下降。散系数下降。第六十二页，本课件共有65页2.阳离子间隙型阳离子间隙型Zn1+xO：看成：看成ZnO与与Zn2O构成的固溶体构成的固溶体 缺陷反应为：缺陷反应为：载流子类型：载流子类型：n型型缺陷与氧分压间的关系缺陷与氧分压间的关系第六十三页，本课件共有65页Ionic transport under an electrochemical potential gradient 第六十四页，本课件共有65页第六十五页，本课件共有65页