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1、1+X集成电路理论知识模拟试题含答案1、工作台整理干净后，根据物流提供的（）到待检查品货架上领取待外检 的芯片。A、芯片测试随件单B、晶圆测试随件单C、中转箱号D、芯片名称答案：C工作台整理干净后，根据物流提供的中转箱号到待检查品货架上领取待外 检的芯片。2、SOP封装的芯片一般采用（）形式进行包装。A、卷盘B、编带C、料管D、料盘答案：BSOP封装因其体积小等特点，一般采用编带包装形式。3、铜电镀之前，需要沿着侧壁和底部，淀积一层连续的薄种子层，若种子 层不连续可能导致电镀的铜产生。A、空洞B、尖刺C、电迁移D、肖特基现象答案：A如果种子层不连续，就可能在电镀的铜中产生空洞4、用平移式分选机
2、设备进行芯片检测的第二个环节是（）。A、分选B、上料C、测试D、外观检查答案：C平移式分选机设备芯片检测工艺的操作步骤一般为：上料一测试一分选一 外观检查一真空包装。5、掺杂结束后，要对硅片进行质量检测，造成硅片表面有颗粒污染的原因 可能是（）O答案：c42、窄间距小外形封装的英文简称为（）oA、SIPB、SOPC、 SSOPD、QFP答案：CSIP-单列直插式封装；SOP-小外形封装；SSOP-窄间距小外形封装；QFP-四 侧引脚扁平封装。43、Cadence中库管理由高到低分别是（）。A、库-单元-视图B、库-视图-单元C、单元-库-视图D、单元-视图-库答案：A44、电子组装业中最通用最
3、广泛的文件格式是（）oA、B0MB、PCBC、ICTD Gerber答案：D45、料盘外观检查的步骤正确的是（）。A、查询零头（若有）f零头检查一检查外观f电路拼零一零头储存B、检查外观一查询零头（若有）一零头检查一电路拼零一零头储存C、查询零头（若有）f零头检查一电路拼零一零头储存一检查外观D、检查外观一零头储存一查询零头（若有）一零头检查一电路拼零答案：B料盘外观检查的步骤：检查外观f查询零头（若有）一零头检查一电路拼 零一零头储存。46、湿度卡的作用是（）。A、去潮湿物质中的水分B、可以防止静电C、起到防水的作用D、显示密封空间的湿度状况答案：D湿度卡是用来显示密封空间湿度状况的卡片。4
4、7、对准和曝光过程中，套准精度是指形成的图形层与前层的最大相对位 移大约是关键尺寸的()oA、二分之一B、三分之一C、四分之一D、五分之一答案：B版图套准过程有了对准规范，也就是常说的套准容差或套准精度。具体是 指要形成的图形层与前层的最大相对位移。一般而言大约是关键尺寸的三分之O48、在扎针测试时，需要记录测试结果，根据以下入库晶圆测试随件单的 信息，如果刚测完片号为5的晶圆，那么下列说法正确的是：()。A、 T0TAL=5968, PASS=5788B、 T0TAL=6000, PASS=5820C、 T0TAL=5820, FAIL=180D、 T0TAL=5788, FAIL=212答
5、案：B入库晶圆测试随件单中的合格数指的是除去测试不合格及外观不合格的合 格数量，因此，总数TOTAL= 合格数” + “测试不良数” + “外观剔除数”，测 试合格数PASS= 合格数” + “外观剔除数”，测试不合格数FAIL= 测试不良 数”。所以对于片号为5的晶圆，T0TA6000, PASS=5820, FAIL=180。49、料盘进行真空包装时，一般会在内盒侧面的空白处贴()个标签。A、 1B、2C、3D、4答案：A50、晶圆检测工艺中，在进行打点之后，需要进行的操作是()。A、加温、扎针调试B、扎针测试C、烘烤D、外检答案：C晶圆检测工艺流程：导片一上片一加温、扎针调试一扎针测试一
6、打点一烘 烤一外检一真空入库。51、4英寸的单晶硅锭的切割方式为：（）。A、外圆切割B、内圆切割C、线锯切割D、以上均可答案：B直径300mm时采用内圆切割，直径2300mm时采用外圆切割、线锯切割。4英寸的单晶硅锭直径为100mm,切割方式为内圆切割。52、管装芯片外观检查步骤错误的是（）。A、取一捆待检查电路，平整地排放于桌面，使定位标记朝左，打印面朝 操作者；以一边为支点，将料管斜起45度左右后放回桌面（使电路排紧密）；B、将料管旋转90度，重复步骤1,使电路两边方向管脚均按步骤1 进行检查。C、逐根翻转料管90度，使打印面朝上，平铺。D、将检查合格的电路用牛皮筋捆扎好。答案：B53、管
7、装装内盒时，在内盒上贴有（）种标签。A、1B、2C、3D、4答案：B管装内盒上的标签有合格标签和含芯片信息的标签。54、先进的平坦化技术有（）。A、反刻法B、高温回流法C、旋涂玻璃法D、化学机械抛光法答案：D反刻法、高温回流法、旋涂玻璃法属于传统平坦化技术，化学机械抛光法属 于先进平坦化技术。55、利用平移式分选设备进行芯片测试时，设备在测试区完成测试后，会 进入（）环节。A、上料B、分选C、外观检查D、真空包装答案：B56、若防静电点检未通过则需要（）。A、重新启动检测仪器，再次检测B、请其他员工检测，门开启后一同进入C、找管理部门手动打开D、检查着装并消除静电，重新检测答案：D防静电点检未
8、通过时，应该检查自身着装并消除静电，然后重新检测。不 可随其他检测通过的人员一起进入，否则自身超标的静电会对对车间内的芯片 造成损害。57、芯片完成编带并进行清料后，会将完成编带的芯片放在（）上。A、已检查品货架B、待检查品货架C、待外检货架D、合格品货架答案：B芯片完成编带并进行清料后，将将编带盘、随件单放入对应的中转箱中， 并将中转箱放在待检查品货架上等待外观检查。58、晶圆进行扎针测试时，完成晶圆信息的输入后，需要核对（）上的信 息，确保三者的信息一致。A、MAP图、测试机操作界面、晶圆测试随件单B、MAP图、探针台界面、晶圆测试随件单C、MAP图、软件检测程序、晶圆测试随件单D、MAP
9、图、软件版本、晶圆测试随件单答案：A59、单晶炉加热过程中炉体冷却水中断或流量不足，提示水流量低报警， 该故障是（）。A、断水B、液面过低C、电极故障D、打火答案：A60、PE 板函数：_set_drvpin （）函数原形：void _set_drvpin （char *logic, unsigned int Pin,.）；函数功能：设置输出（驱动）管脚的逻辑 状态；参数说明：*10gic 逻辑标志（），H：高电平，L：低电平，pin,.电平，pin,.管脚序列（1, 2, 3, -64），管脚序列要以0结尾;现设定PIN 1, 3, 5输出高电平，实例代码为：（）。A、B、C、D、_sel_
10、drv_pin _sel drv pin _sel_drv_pin _sel_drv_pin1,1,1,1,3,5,3,5,5,3,5,3,0；0；1;1;答案：A61、芯片的耐压度是指（），主要取决于绝缘间隙和绝缘材料的性能以及绝 缘结构。A、B、C、D、所能承受的最大应力 承受电压的能力 所能承受的最大压强 所能承受的极限载荷答案：B耐压度是承受电压的能力，主要取决于绝缘间隙和绝缘材料的性能以及绝 缘结构。62、A、B、C、D、SOP封装的芯片因其体积小等特点，一般采用（）。料盘包装编带包装料管包装散装答案：BS0P封装的芯片因其体积小等特点，一般采用编带包装。63、A、B、C、D、用重力
11、式选机设备进行芯片检测的第二个环节是（）。分选测试上料外观检查答案：B重力式分选机设备芯片检测工艺的操作步骤一般为：上料一测试f分选f 编带（SOP）-外观检查一真空包装。64、薄膜淀积完成后，需要进行质量评估。其中()是检测薄膜质量、组 分及纯度的有效参数，可以用椭偏仪测量。A、厚度B、折射率C、台阶覆盖率D、均匀性答案：B65、减薄工艺的正确流程是()oA、清洗一上蜡粘片一原始厚度测量一压片一二次厚度测量一抛光一减薄 一去蜡一清洗B、清洗一压片一原始厚度测量一上蜡粘片一二次厚度测量一减薄一抛光 一去蜡一清洗C、清洗一压片一原始厚度测量一上蜡粘片-*二次厚度测量一抛光一减薄 一去蜡一清洗D、
12、清洗一原始厚度测量一上蜡粘片一压片一二次厚度测量一减薄一抛光 一去蜡一清洗答案：D66、防静电点检的目的是()oA、检测进入车间人员的体重与身体状况B、指纹检测C、检测人体带有的静电是否超出进入车间的标准D、防止灰尘或静电的产生答案：C:防静电点检的目的是检测人体带有的静电是否超出进入车间的标准，没有 A、B、D选项所述的功能；规范着装的目的是防止人体灰尘的散落或静电的产 生。67、口罩和发罩()。A、需要定期清洗B、不得重复使用C、一周必须更换一次D、每天下班时放入消毒柜，下次对应取用答案：B口罩和发罩不得重复使用，每天需穿戴全新的口罩和发罩。68、点银浆时，银浆的覆盖范围需要()oA、 小
13、于50%B、大于50%C、大于75%D、不小于90%答案：C引线框架被推至点银浆指定位置后，点胶头在晶粒座预定粘着晶粒的位置 点上定量的银浆（银浆覆盖范围75%）。69、晶圆贴膜过程中，需要外加一个（），它起到支撑的作用。A、晶圆基底圆片B、晶圆贴片环C、蓝膜支撑架D、固定挂钩答案：B在贴膜过程中，需要外加一个厚度与晶圆一致但环内径比晶圆直径大的金 属环，也就是晶圆贴片环。它起到支撑的作用，可以使切割后的晶圆保持原来 的形状，避免晶粒相互碰撞，便于搬运。70、下列选项中不属于芯片外观不良的是（）。A、管脚压伤B、印章不良C、塑封体开裂D、电源电流过大答案：D71、当（）时，可以确定花篮位置放置
14、正确，花篮的卡槽与承重台密贴。A、探针台前的红色指示灯亮B、探针台前的绿色指示灯亮C、探针台上的位置指示灯亮D、探针台前的红色指示灯灭答案：C当花篮的卡槽与承重台密贴时，探针台上的位置指示灯亮。探针台前的红 色指示灯表示下降，绿色指示灯表示上升。72、打点时，合格的墨点必须控制在管芯面积的（）大小。A、 1/41/3B、 1/31/2C、 1/41/2D、 1/51/3答案：A打点时，合格的墨点必须控制在管芯面积的1/41/3大小，且墨点不能覆 盖PAD点。73、转塔式分选机常见故障不包括（）。A、真空吸嘴无芯片B、测试卡与测试机调用的测试程序错误C、料轨堵塞D、IC定位错误答案：D74、利用
15、高能粒子撞击具有高纯度靶材料表面，撞击出的原子最后淀积在 硅片上的物理过程是（）。A、电阻加热蒸发B、电子束蒸发C、溅射D、电镀答案：C溅射是在高真空下，利用高能粒子撞击具有高纯度靶材料表面，撞击出的 原子最后淀积在硅片上的物理过程。75、在目检过程中，筛选后出现严重失效或筛选淘汰率超过规范值，经分 析属于批次性质量问题的，应（）。A、淘汰超过规范值的部分，同时附上分析报告B、整批淘汰，同时附上分析报告C、留下该批次中的合格品D、不做处理答案：B在目检过程中，筛选后出现严重失效或筛选淘汰率超过规范值，经分析属 于批次性质量问题的，应整批淘汰，同时附上分析报告。76、电子产品的几何测试的主要用到
16、的工具是（）。A、镀层测厚仪B、千分尺C、量规D、以上都是答案：D77、通过监控某一特定谱峰或波长，在预期的刻蚀终点可探测到对应的数 据的方法是（）。A、发射光谱法B、干涉测量法C、质谱分析法D、椭圆偏振法答案：A发射光谱法是通过监控来自等离子体反应中一种反应物的某一特定发射光 谱峰或波长，在预期的刻蚀终点可探测到发射光谱的改变，从而来推断刻蚀过 程及终点。78、对薄膜淀积设备进行日常维护时，尾气排风管()之内必须检查、清 洗一次管路。A、一天B、一周C、一月D、一个季度答案：B79、分选机选择依据是()。A、芯片的管脚数量B、芯片封装类型C、芯片的电气特性D、芯片的应用等级答案：B80、芯片
17、检测工艺中，管装装内盒时，在内盒上贴有()种类型的标签。A、1B、2C、3D、4答案：B81、用比色法进行氧化层厚度的检测时，看到的色彩是()色彩。A、反射B、干涉C、衍射D、二氧化硅膜本身的答案：B硅片表面生成的二氧化硅本身是无色透明的膜，当有白光照射时，二氧化 硅表面与硅-二氧化硅界面的反射光相干涉生成干涉色彩。不同的氧化层厚度的 干涉色彩不同，因此可以利用干涉色彩来估计氧化层的厚度。82、晶圆烘烤时，温度一般设置在（）。A、 110B、 120C、 130D、 140答案：B晶圆烘烤时，温度一般设置在120C。83、在版图设计过程中，NM0S管的源极接（）,漏极接（）,PM0S管的源 极
18、接（），漏极接O oA、地、高电位、GND、低电位B、电源、高电位、GND、低电位C、地、高电位、GND、高电位D、地、高电位、电源、低电位答案：A84、8英寸的晶圆直径大小为：（）。A、 125mmB、 150mmC、 200mmD 300mm答案：c5 英寸：125mm, 6 英寸：150mm, 8 英寸：200mm, 12 英寸：300mm。85、在原理图编辑器内，执行ToolsFootprint Manager命令，显示（）。A、 Messages 窗口B、工程变更命令对话框C、封装管理器检查对话框D、Navigator 面板答案：C86、使用平移式分选设备进行芯片检测时，测试环节的流
19、程是：（）oA、吸取、搬运芯片一入料梭转移芯片-压测一记录测试结果一搬运、吹 放芯片B、入料梭转移芯片一吸取、搬运芯片一压测一记录测试结果一搬运、吹 放芯片C、入料梭转移芯片一搬运、吹放芯片一压测一记录测试结果一吸取、搬 运芯片A、离子束中混入电子B、注入机未清洗干净C、注入过程中晶圆的倾斜角度不合适D、离子束电流检测不够精确答案：B离子束中混入电子、离子束电流检测不够精确导致的是掺杂剂量不合适。 注入过程中晶圆的倾斜角度不合适导致杂质再分布。6、使用重力式分选机设备进行芯片检测时，第一环节需进行()操作。A、上料B、分选C、编带D、外检答案：A重力式分选机设备芯片检测工艺流程：上料一测试一分
20、选一编带(SOP) 一 外观检查一真空包装。7、CMP是实现()的一种技术。A、平滑处理B、部分平坦化C、局部平坦化D、全局平坦化答案：D化学机械抛光(CMP)是通过比去除低处图形快的速度去除高处图形来获得均 匀表面,利用化学腐蚀和机械研磨加工硅片和其他衬底材料的凸出部分,实现全 局平坦化的一种技术。8、芯片检测工艺通常在()无尘车间内进行。A、百级B、千级C、十万级D、三十万级答案：B芯片检测工艺是对完成封装的芯片进行电性测试，其芯片为非裸露状态， 通常在常规千级无尘车间内进行，其温度为223,湿度为5510%。9、在如下方波输出控制程序中，占空比计算公式为()o Void PWM_Init
21、()PWMO-TBPRD = 400； PWM1-TBCTL = 0； PWM1-TBCTL_b. HSPCLKDIV = 1； PWMl-TBCTL_b. CLKDIV = 4； PWMl-TBCTL_b. PRDLDD、搬运、吹放芯片一入料梭转移芯片一吸取、搬运芯片一压测一记录测 试结果答案：B87、风淋室在运行时，风淋喷嘴可以喷出()的洁净强风。A、高温烘烤B、车间内部C、低温处理D、高效过滤答案：D风淋是为了吹出人体表面的灰尘，故其喷出的风必须是经过高效过滤，除 掉掉微尘的洁净风。88、封装工艺的电镀工序中，完成前期的清洗后，下一步操作是()oA、装料B、高温退火C、电镀D、后期清洗答
22、案：C89、()即方形扁平无引脚封装，表面贴装型封装之一。现在多称为LCC。 封装四侧配置有电极触点。A、QFNB、QFPC、LGAD、DIP答案：AQFN即方形扁平无引脚封装，表面贴装型封装之一。现在多称为LCC。封装 四侧配置有电极触点，由于无引脚，贴装占有面积比QFP小，高度比QFP低。90、在一个花篮中有片号10/15/20/25的晶圆，其中片号为15的晶圆需放 在花篮编号为()的沟槽内。A、 10B、15C、20D、25答案：B导片时需保证晶圆片号与花篮编号一致。因此，片号为15的晶圆需放置在 花篮编号为15的沟槽内。91、切筋成型工序中，设备在完成模具内的切筋与成型步骤后，下一步是
23、（）OA、人工目检B、核对数量C、装料D、下料答案：D92、通常情况下，一个编带盘中芯片的数量是（）。A、 1000B、 2000C、 4000D、 8000答案：C略93、在刻蚀工艺中，有几个非常重要的参数，其中（）定义为当刻蚀线条 时，刻蚀的深度V与一边的横向增加量AX的比值V/AX,比值越大，说明横 向刻蚀速率小，刻蚀图形的保真度好。A、刻蚀因子B、刻蚀速率C、选择比D、均匀性答案：A94、在用万用表测量晶体管、电解电容等有极性元件的等效电阻时，必须 注意（）。A、选择欧姆挡位B、选择较大量程C、注意两支笔的极性D、以上都是答案：C95、下列描述正确的是（）。A、DIP和S0P封装一般为
24、重力式分选B、QFP和SOP封装一般为重力式分选C、PLCC和LCCC封装一般为重力式分选D、BGA封装一般为重力式分选答案：A96、料盘检查完后，需要以最小内盒数为单位拆批打印标签，一式（）份。E、 1B、2C、3D、4答案：B料盘检查完后，需要以最小内盒数为单位拆批打印标签，一式两份。97、使用化学机械抛光进行粗抛时，抛光区域温度一般控制在0A、 3850 CF、 2050。 CG、 2030 CH、 2038 C答案：A一般抛光区的温度控制在3850。C （粗抛）和2030 C （精抛）。98、下列选项中错误的是（）。A、客户需求量比较少的情况下，是需要编带的。客户需要的量比较大， 则可
25、以不需要编带B、通常情况下，编带机要设置以下参数：1.编带一格的长度；2.编带一 卷的数量；3.载带与盖带一卷长度；4.前空与后空IC数量；5.机械压刀的温度; 6.产速C、编带是指利用编带机把散装元器件，通过检测、换向、测试等工位， 放入载带中D、编带机的光检区能够运用高速高精度视觉处理技术自动检测芯片，将 管脚不良或印章异常的芯片进行剔除答案：A99、平移式分选机进行芯片分选时，吸嘴从（）上吸取芯片。A、收料盘B、待测料盘C、入料梭D、出料梭答案：D平移式分选机进行芯片分选时，吸嘴从出料梭上吸取芯片。100、平移式分选机设备进行芯片检测的第三个环节是（）。A、分选B、上料C、测试D、外观检
26、查答案：A平移式分选机设备芯片检测工艺的操作步骤一般为：上料一测试一分选一 外观检查一真空包装。101、转塔式分选机日常维护包括（）。A、不易保养的部位进行拆卸检查B、更换磨损部件C、紧固螺丝，电气电路的检查D、ABC选项都包括答案：D102、晶圆检测工艺中，在进行打点之前，需要进行的操作是（）。A、外检B、扎针调试C、打点D、扎针测试答案：D晶圆检测工艺流程：导片一上片一加温、扎针调试一扎针测试一打点一烘 烤一外检一真空入库。103、在外观检查中发现料管破损，应（）。A、继续使用B、及时更换C、对破损部位进行修补D、视情况而定答案：B料管破损时要进行料管更换，否则会丢失芯片。104、一般情况
27、下，制造晶圆的原材料是（）。A、硼B、楮C、硅D、硒答案：C晶圆是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片，由于其形状为圆形，故称 为晶圆。105、在cadence软件中可以按先后次序保存()个命令在系统中，一旦超 出将不会执行。A、3B、5C、7D、 10答案：B二 1； PWMO-TBCTL_b. CTRMODE = 2； PWMO-AQCTLA_b. CAU = 1； PWMO- AQCTLA_b. CAD = 2； PWMO-CMPA = 200； PWM_START； A、PWMO-AQCTLA_b. CAU /PWMO-AQCTLA_b. CAD=50%B、PWMO-TBCTL_b. C
28、TRMODE/PWM1 -TBCTUb. CLKDIV=50%C、PWMl-TBCTUb. HSPCLKDIV/PWMl-TBCTL_b. CLKDIV=25%D、 PWM0-CMPA/PWM0-TBPRD=50%答案：D10、转塔式分选机设备测试环节的流程是：（）。A、测前光检一测后光检一测试一芯片分选B、芯片分选一测前光检一测后光检一测试C、测前光检- 测试一测后光检一芯片分选D、测前光检一测后光检一芯片分选一测试答案：C转塔式分选机设备测试环节的流程是：测前光检一测试一测后光检一芯片 分选。11、封装工艺中，将塑封后的芯片放到温度为1755的高温烘箱内的作 用是（）oA、消除内部应力，保
29、护芯片B、测试产品耐高温效果C、改变塑封外形D、剔除塑封虚封的产品答案：A12、重力式分选机进行自动上料时，进入上料架，上料夹具准备夹取的料 管中的芯片位置（）要求：（）。A、有；芯片印章在上面B、有；芯片印章在下面C、无；需要等待料管筛选D、无；进入上料的芯片位置没有要求答案：A重力式分选机进行上料时，进入上料架，上料夹具准备夹取的料管中的芯 片位置要求芯片印章朝上，便于后期操作。13、晶圆切割后的光检中对于不良废品，需要做（）处理。A、剔除B、修复C、标记D、降档答案：A略14、离子注入过程中需要遵守三大方向，其中一个是掺杂物类型是由() 材料决定的。A、离子电流B、离子源材料C、离子轰击
30、注入的能量D、离子电流与注入时间相乘答案：B15、重力式分选机进行芯片检测时，测试机对芯片测试完毕后，将检测结 果通过()把结果传回分选机。A、 GPIBB、数据线C、串口D、VGA答案：A16、在电子电路方案设计中最简单的显示平台是()。A、 OLEDB、LCDC、LEDD、数码管答案：C17、平移式分选机进行料盘上料时，在上料架旁的红色指示灯亮的含义是 ()。A、上料机构故障B、上料架上有料盘C、上料架上有空料盘D、上料架上没有料盘答案：B平移式分选机进行料盘上料时，上料架上是否有料盘可以通过上料架旁的 传感器进行检测。当传感器指示灯为红色时，表明上料架上还有料盘，可以继 续进行上料，当传
31、感器指示灯为绿色时，表明上料架上无料盘，停止上料。18、利用全自动探针台进行扎针测试时，关于上片的步骤，下列所述正确 的是()OA、打开盖子一花篮放置一花篮下降一花篮到位一花篮固定一合上盖子 B、打开盖子一花篮放置一花篮到位一花篮下降一花篮固定一合上盖子 C、打开盖子一花篮放置一花篮下降一花篮固定一花篮到位一合上盖子 D、打开盖子一花篮放置一花篮固定一花篮下降一花篮到位一合上盖子 答案：D19、如果焊接面上有（）,不能生成两种金属材料的合金层。A、阻隔浸润的污垢B、氧化层C、没有充分融化的焊料D、以上都是答案：D20、一般来说，（）封装形式会采用转塔式分选机进行测试。A、 LGA/TOB、 L
32、GA/SOPC、 DIP/S0PD、 QFP/QFN答案：A一般来说，LGA/TO会采用转塔式分选机进行测试，DIP/SOP会采用重力式 分选机进行测试，QFP/QFN会采用平移式分选机进行测试。21、最大不失真输出电压测试，输入信号步进值（），但测试时间会随输 入电压步进值（）。A、越小越好、增加而增加B、越大越好、增加而减小C、越小越好、减小而增加D、越大越好，减小而减小答案：C22、芯片粘接过程中点银浆之后进入（）步骤。A、框架上料B、芯片拾取C、框架收料D、银浆固化答案：B芯片粘接流程为：放置引线框架和晶圆一参数设置一框架上料一点银浆一 芯片拾取一框架收料-*银浆固化（烘烤箱内进行）。
33、23、切割完的晶圆取出后先用气枪将晶圆表面的()和硅粉尘进行初步的 清理。A、晶圆碎片B、不良晶粒C、去离子水D、切割时产生的火花答案：C略24、在电子产品测试中需保证测试环境稳定，其中使用环境稳定是指()oA、硬件的工作参数稳定B、软件的工作参数稳定C、模拟真实用户使用时的场景D、使用人员操作得当答案：C25、晶圆检测工艺中，在进行打点工序以后，需要进行的工序是()。A、扎针调试B、扎针测试C、烘烤D、外观检查答案：C26、利用编带机进行编带的过程中，在完成热封处理后，需要进入()环-+- 下OA、将芯片放入载带中B、密封C、编带收料D、光检答案：C27、使用转塔式分选设备进行芯片测试时，其
34、测试环节的流程正确的是()OA、测前光检一测后光检一测试一芯片分选B、芯片分选一测前光检一测后光检一测试C、测前光检一测试一测后光检一芯片分选D、测前光检一测后光检一芯片分选一测试答案：C28、晶圆检测工艺中，在进行真空入库之前，需要进行的操作是()。A、烘烤B、打点C、外检D、扎针测试答案：C晶圆检测工艺流程：导片一上片一加温、扎针调试一扎针测试一打点一烘 烤一外检一真空入库。29、该图是()的版图。A、D触发器B、一位全加器C、传输门D、与非门答案：A30、利用平移式分选设备进行芯片检测时，芯片在该区域的操作完成后会 进入()区域。A、上料B、待测C、测试D、分选答案：D31、封装按材料分
35、一般可分为塑料封装、()和陶瓷封装等。A、金属封装B、橡胶封装C、泡沫封装D、DIP封装答案：A略32、双极型与单极型集成电路在性能上的主要差别是()oA、双极型器件工作频率高、功耗大、温度特性好、输入电阻大，而单极 型器件正好相反B、双极型器件工作频率高、功耗大、温度特性差、输入电阻小，而单极 型器件正好相反C、双极型器件工作频率高、功耗低、温度特性好、输入电阻小，而单极 型器件正好相反D、双极型器件工作频率低、功耗大、温度特性好、输入电阻小，而单极 型器件正好相反答案：B33、引线键合机内完成键合的框架送至出料口的引线框架盒内，引线框架 盒每接收完一个引线框架会O oA、保持不动B、自动上
36、移一定位置C、自动下移一定位置D、自动后移一定位置答案：C完成引线键合的框架由传输装置送进出料口的引线框架盒内。框架盒每接 收完一个引线框架，自动下移一定位置，等待接收下一个引线框架。34、晶圆检测工艺中，在进行外检之前，需要进行的操作是（）。A、扎针测试B、烘烤C、打点D、真空入库答案：B晶圆检测工艺流程：导片一上片一加温、扎针调试一扎针测试一打点一烘 烤f外检一真空入库。35、切割完的晶圆取出后先用气枪将晶圆表面的（）和硅粉尘进行初步的 清理。A、晶圆碎片B、不良晶粒C、去离子水D、切割时产生的火花答案：C36、装有晶圆的花篮需要放在氮气柜中储存的主要目的是（）。A、防氧化B、合理利用生产
37、车间的空间C、作为生产工艺的中转站D、防尘答案：A氮气柜主要是利用氮气来降低湿度和氧含量。将装有晶圆的花篮放在氮气 柜中的主要目的是防氧化。37、转塔式分选机设备进行编带后，进入（）环节。A、上料B、测试C、外观检查D、真空包装答案：C转塔式分选机设备芯片检测工艺的操作步骤一般为：上料一测试一编带一 外观检查一真空包装。38、封装工艺中，激光打标的文本内容和格式设置完成后，需要（）。A、选择打标文档B、点击保存按钮保存设置情况C、点击开始打标按钮D、调整光具位置答案：B39、从安全上看，四氯化硅氢还原法、三氯氢硅氢还原法、硅烷热分解法 的安全性从小到大排列的顺序为：（）。A、硅烷热分解法四氯化硅氢还原法三氯化硅氢还原法B、四氯化硅氢还原法（硅烷热分解法三氯化硅氢还原法C、三氯化硅氢还原法硅烷热分解法四氯化硅氢还原法D、硅烷热分解法三氯化硅氢还原法（四氯化硅氢还原法答案：D从安全上看，硅烷最危险，最容易爆炸，三氯氢硅次之，也容易爆炸，四 氯化硅最安全，根本不会发生爆炸。40、清洗是晶圆制程中不可缺少的环节，使用DHF清洗液进行清洗时，可 以去除的物质是（）。A、光刻胶B、颗粒C、金属D、自然氧化物答案：D41、若使用串口助手下载程序到单片机，则需要keil软件生成（）文件。A、 InpB、DspC、 HexD、 Crf