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1、1+X集成电路理论模考试题（含答案）1、打开安装好的keil软件，点击工具栏“魔术棒”按钮，点击（）选项, 选择目标芯片。A、 C/C+B、 TargetC、 DebugD Device答案：D2、以全自动探针台为例，上片过程中，当承重台下降到指定位置时，（）。A、红色指示灯亮B、红色指示灯灭C、绿色指示灯壳D、绿色指示灯灭答案：B以全自动探针台为例，承重台前的两个按钮指示灯：绿色表示上升，红色 表示下降。承重台下降到指定位置后，下降指示灯灭，即红色指示灯灭。3、在晶圆盒内壁放一圈海绵的目的是（）。A、防止晶圆包装盒和晶圆直接接触B、防止晶圆之间的接触C、防止晶圆在搬运过程中发生移动D、美观答
2、案：A在晶圆盒内壁放一圈海绵是为了防止晶圆盒和晶圆接触。4、下列选项中，（）工序后的合格品进入塑封工序。A、引线键合B、第二道光检C、芯片粘接D、第三道光检答案：D第三道光检通过的合格品，进入封装的后段工序，后段工艺包括塑封、激 光打字、去飞边、电镀、切筋成型、第四道光检等工序。5、下列关于平移式分选机描述错误的是（）。A、传送带将料架上层的料盘输送至待测区料盘放置的指定区域B、料盘输送到待测区的指定位置后，吸嘴从料盘上真空吸取芯片，然后转 移至“中转站”42、管装真空包装时，将装有料盘的防静电铝箔袋放到（）上，并把（）插 入防静电铝箔袋封口中，尽量保证铝箔袋的封口平整。A、真空包装机的搁板B
3、、真空包装机的控制面板C、抽嘴D、吸嘴答案：AC管装真空包装时，将装有料盘的防静电铝箔袋放到真空包装机的搁板上， 并把抽嘴插入防静电铝箔袋封口中，尽量保证铝箔袋的封口平整。43、属于湿法刻蚀的优点的是（）oA、各向同性B、各向异性C、提高刻蚀的选择比D、不产生衬底损伤答案：CD湿法刻蚀可以控制刻蚀液的化学成分，使得刻蚀液对特定薄膜材料的刻蚀 速率远大于其他材料的刻蚀速率，从而提高刻蚀的选择比，同时也不产生衬底 损伤。湿法刻蚀的效果是各向同性的，这导致刻蚀后的线宽难以控制，是湿法 刻蚀的缺点。44、在Altium Designer中，当项目被编译后，将显示那些面板（）。A、Messages 面板
4、B、Navigator 面板C、Design 面板D、Project 面板答案：AB45、管装外观检查时，需要检查的内容有（）。A、印章是否错误或损坏B、料管内的芯片方向是否正确C、芯片数量是否与随件单一致D、芯片管脚是否弯曲答案：ABCD46、转塔式分选机的上料机构主要由（）和（）组成。A、振动料斗B、吸嘴C、气轨D、主转塔答案：AC转塔式分选机的上料机构主要由振动料斗和气轨组成。47、以下属于抽真空质量不合格的情况的是()。(多选题)A、防静电铝箔袋破损B、防静电铝箔袋褶皱C、防静电铝箔袋周边存在空气残留D、防静电铝箔袋外形整齐答案：ABC如果发现真空包装好的卷盘不整齐或不光滑，有弯曲、变
5、形现象或铝箔袋 周边存在明显的空气残留、褶皱、破损等现象，需要重新抽真空。48、以下是晶圆扎针测试完成后，对于不合格的管芯完成的打点图，请选 择合格打点的管芯()oA、图片B、图片C、图片D、图片答案：BD49、衬底接触的设计要尽量保证包围住整个差分对管，这样做的目的是()0A、避免闩锁效应B、提高差分的匹配度C、减小栅极上的寄生电阻D、保证差分对管的对称性答案：AD50、影响CMP质量的因素有()。A、抛光压力B、抛光液pH值C、转速D、抛光区域温度值答案：ABCD抛光质量的影响因素有很多，例如地光的压力抛光液的PH值抛光液粘度转 速光区域温度、磨粒尺寸浓度与硬度等。51、电子产品性能测试包
6、括()。A、功能性测试B、几何性能测试C、物理性能测试D、稳定性测试答案：ABC52、单晶硅生长是将电子级纯的多晶硅转化为单晶硅锭，要实现这一条件 需满足三个条件：A、原子具有一定的动能B、要有一个排列标准C、排列好的原子能稳定下来D、不能含有任何杂质答案：ABC单晶硅生长是把电子级纯的多晶硅转化成单晶硅锭，要实现这一条件必须 满足：原子具有一定的动能，以便重新排列；要有一个排列标准；排列 好的原子能稳定下来。53、通常情况下，以下（）封装形式的芯片采用重力式分选机设备进行测试。A、SOP封装B、QFN圭寸装C、LGA圭寸装D、DIP封装答案：AD通常情况下，DIP封装和SOP封装采用重力式分
7、选机进行测试，LGA封装采 用转塔式分选机进行测试，QFN封装采用平移式分选机进行测试。54、直径大于8英寸的单晶硅锭可以用（）方法制备出来。A、FZ 法B、CZ 法C、直拉法D、悬浮区熔法答案：BC只有直拉法能制造处直径大于200mm的单晶硅锭，直拉法又称CZ法，其中 8英寸的晶圆直径为200mm。55、单片机最小系统电路包括（）等部分。A、时钟信号电路B、电源电路C、程序下载电路D、复位电路答案：ABCD56、第四道光检主要是针对哪些工艺的检查？A、激光打字B、芯片粘接C、切筋成型D、塑封E、引线键合F、去飞边及电镀答案：ACDF切筋成型之后需要进行第四道光检，针对后段工序的产品进行检查、
8、剔除。 后段工序包括塑封、激光打字、去飞边、电镀、切筋成型。芯片粘接和引线键 合主要是通过第三道光检进行检查57、编带前光检的目的是检查（）。A、芯片的数量是否正确B、芯片的印章是否清晰C、芯片的管脚是否出现扭曲、断裂D、芯片的电气参数答案：BC编带前进行光检是为了确保进入编带的芯片印章和管脚都是合格的。芯片 数量在上料前进行核对，电气参数的检测是在测试环节进行的。58、影响显影工艺的因素有（）oA、曝光度B、显影液浓度C、显影方法D、工序的温度和时间答案：ABCD影响显影工艺的因素有：软烘焙时间和温度、曝光度、显影液浓度、时间、 温度以及显影方法。59、扎针测试时，在MAP图上可能会看到（）
9、区域。A、沿边直接剔除区域B、故障区域C、待测区域D、测试合格区域答案：ABCD扎针测试过程中，在MAP图上会出现不同的标记，含有沿边直接剔除区域、 测试区域、待测扎针、故障区域、待测区域。60、一般情况下，30mil的墨管适用于直径是（）的晶圆。A、 120mmB、 125mmC、 200mmD 300mm答案：CD30mil的墨管常用于8英寸、12英寸的晶圆。其中直径为125mm的是5英 寸，直径为150mm的是6英寸，直径为200mm的是8英寸，直径为300mm的是 12英寸。61、重力式分选机进行并行测试时只能选择2sites进行测试。A、正确B、错误答案：B重力式分选机进行芯片检测时
10、，可根据测试卡的数量进行1 site/2 sites/4 sites 测试。62、“5s”管理中，“整理”的含义是把要用的东西，按规定位置摆放整 齐，并做好标识进行管理。A、正确B、错误答案：B整理是指整理工作现场，只保留有用的东西，撤出不需要的东西；整顿是 指把要用的东西，按规定位置摆放整齐，并做好标识进行管理。63、在版图设计过程中需要注意，NMOS管和PM0S管的衬底是分开的， NMOS管的衬底接VCCoA、正确B、错误答案：B64、比色法常用于精确测量淀积后的薄膜厚度。A、正确B、错误答案：B65、重力式分选机进行手动装料时无需注意芯片管脚方向。A、正确B、错误答案：B重力式分选机进行
11、手动装料时，要求芯片引脚朝下，从而保证后续测试顺 利进行。66、编带机的上料方式与转塔式分选机相似，都是将待装有测芯片料管推 出，上料夹具夹起料管，芯片根据自身重力沿轨道下滑。（）A、正确B、错误答案：B67、转塔式分选机的测试分选工序主要依靠旋转台来执行，旋转台上搭载 机械手，机械手上的吸嘴只能实现待测芯片的取环节。（）A、正确B、错误答案：B68、一般情况下，与湿法刻蚀相比，干法刻蚀具有较高的选择比。A、正确B、错误答案：B一般情况下，与湿法刻蚀相比，干法刻蚀的选择比不高。69、戴发罩时，短发的人员需要把头发全部包住，长发的人员发尾可露出 部分。A、正确B、错误答案：B戴发罩时要将头发全部
12、塞入发罩内。70、晶圆检测工艺中，利用全自动探针台进行扎针深度调节时，界面的初 始值为0oA、正确B、错误答案：A71、芯片粘接中的“芯片”就是晶粒。A、正确B、错误答案：A72、硅片倒角按其边缘轮廓可分为R型倒角和T型倒角，通常以R型倒 角最为常见。A、正确B、错误答案：A73、粘尘垫的作用是粘除进入车间员工鞋底的灰尘，防止将灰尘带入车间。 风淋室的出口和入口都需要布置粘尘垫。A、正确B、错误答案：A粘尘垫又名粘尘地板胶，主要适用于贴放在洁净空间的出入口处及缓冲区 间，它能有效地粘除鞋底和车轮上的灰尘，最大限度的减少尘埃对洁净环境质 量的影响，从而达到简易除尘的效果。74、在Composer
13、里，晶体管长度和宽度的单位默认为毫米。A、正确B、错误答案：B75、抛光终点检测过程中，电动机电流CMP终点检测不适合进行层间介质 检测。A、正确B、错误答案：A电流CMP不适合进行层间介质CMP检测，这是因为要保留预定的氧化层厚 度,没有能引起电流变化的材料露出来。76、Altium Designer的设计规则系统的一个强大功能是：同种类型可以 定义多种规则，每个规则有不同的对象，每个规则目标的确切设置是由规则的 范围决定的，规则系统使用预定义优先级，来确定规则适用的对象。A、正确B、错误答案：A77、重力式分选机自动上料时，放入自动筛选机入料区的料管方向没有特 殊要求。A、正确B、错误答案
14、：B重力式分选机自动上料时，放入自动筛选机入料区的料管的方向需要保持 一致，且蓝色塞钉一端朝向上料夹具的一侧。78、切筋的目的是要将整条引线框架上已经封装好的元件独立分开，切筋 后每个独立封装元件是一块树脂硬壳且其侧面伸出许多外引脚。A、正确B、错误答案：A79、转塔式分选机在测前光检和测后光检时发现芯片方向不正确时，都会 在下一个旋转纠姿位进行纠正。A、正确B、错误答案：A80、转塔式分选机的旋转台的旋转方向是顺时针。A、正确B、错误答案：B转塔式分选机的旋转台的旋转方向为逆时针。C、等待芯片传输装置移动到“中转站”接收芯片并将芯片转移至测试区D、当待测区料盘上的芯片全部转移后，需要更换料盘
15、，继续进行上料答案：A6、在使用卜link驱动连接单片机是需在魔法棒按钮的()中设置()oA、Debug；地址范围B、Output；工作频率C、Debug；工作频率D、Output；地址范围答案：A7、清洁车间内的墙面时要求使用()进行清洁。A、麻布B、不掉屑餐巾纸C、无尘布D、棉答案：C一周擦一次墙面，清洁车间内的墙时应使用无尘布。无尘布由100%聚酯纤 维双面编织而成，表面柔软，易于擦拭敏感表面，摩擦不脱纤维，具有良好的 吸水性及清洁效率。8、转塔式分选机日常维护包括()。A、紧固螺丝，电气电路的检查B、更换磨损部件C、ABC选项都包括D、不易保养的部位进行拆卸检查答案：C9、装有晶圆的花
16、篮需要放在氮气柜中储存的主要目的是()。A、防氧化B、合理利用生产车间的空间C、作为生产工艺的中转站D、防尘答案：A氮气柜主要是利用氮气来降低湿度和氧含量。将装有晶圆的花篮放在氮气 柜中的主要目的是防氧化。10、在电子电路方案设计中最简单的显示平台是()oA、LEDB、 OLEDC、LCDD、数码管答案：A11、载带的预留长度一般是()。A、 10-30cmB、 30-50cmC 70-90cmD 50-70cm答案：D12、若采用全自动探针台对晶圆进行扎针测试，需把承载的晶圆花篮放到 探针台相应位置等待检测，假如位置放置不正确，会造成()后果。A、晶圆探针错位、破片B、晶圆撞击探针测试卡C、
17、探针台死机D、位置指示灯异常答案：A13、完善的精储技术可将杂质总量降低到()量级。A、 10-210-5B、 10-510-7C、 10-710-10D、 10-1710-20答案：C提纯四氯化硅通常使用精微法。完善的精馈技术可将杂质总量降低到io- 710-10 量级。14、利用编带机进行编带的过程中，在完成热封处理后，需要进入()环A、密封B、编带收料C、将芯片放入载带中D、光检答案：B15、解决铝尖刺的方法有()oA、在合金化的铝中适当地添加铜B、采用三层夹心结构C、在合金化的铝中适当地添加硅D、采用“竹节状”结构答案：C解决铝尖刺的方法有在合金化的铝中适当地添加硅。16、单晶硅生长完
18、成后，需要进行质量检验，其中四探针法可以测量单晶 硅的（）参数。A、导电类型B、电阻率C、少数载流子寿命D、直径答案：B17、重力式分选机进行自动上料时，进入上料架，上料夹具准备夹取的料 管中的芯片位置（）要求：（）。A、有；芯片印章在上面B、有；芯片印章在下面C、无；需要等待料管筛选D、无；进入上料的芯片位置没有要求答案：A重力式分选机进行上料时，进入上料架，上料夹具准备夹取的料管中的芯 片位置要求芯片印章朝上，便于后期操作。18、去飞边的目的是（）oA、去除激光打字后标识打印有瑕疵的部分B、去除引脚周围长出的晶须C、去除电镀后引脚镀层外围多余的镀料D、去除注塑工序塑封周围、引线之间的多余溢
19、料答案：D19、晶圆检测工艺中，在进行外检之前，需要进行的操作是（）。A、扎针测试B、烘烤C、打点D、真空入库答案：B晶圆检测工艺流程：导片一上片一加温、扎针调试一扎针测试一打点一烘 烤f外检f真空入库。20、下列选项中不属于芯片外观不良的是（）。A、电源电流过大B印章不良C、管脚压伤D、塑封体开裂答案：A21、模拟芯片常见参数测试输入失调电压，指在差分放大器或差分输入的 运算放大器中，为了在输出端获得恒定的零电压输出，而需（）。A、在两个输入端所加的直流电压之和B、在两个输入端所加的直流电压之积C、在两个输入端所加的交流电压之差D、在两个输入端所加的直流电压之差 答案：D22、以全自动探针台
20、为例，关于上片的步骤，下列所述正确的是：（）。A、打开盖子一花篮放置一花篮下降一花篮到位一花篮固定一合上盖子 B、打开盖子一花篮放置一花篮到位一花篮下降一花篮固定一合上盖子 C、打开盖子一花篮放置一花篮下降一花篮固定一花篮到位一合上盖子 D、打开盖子一花篮放置一花篮固定一花篮下降一花篮到位一合上盖子 答案：D以全自动探针台为例，上片的步骤为：打开盖子一花篮放置一花篮固定一 花篮下降一花篮到位一合上盖子。23、避光测试是通过显微镜观察到待测点位置、完成扎针位置的调试后， 用（）遮挡住晶圆四周，完全避光后再进行测试。A、气泡膜B、不透明袋C、黑布D、白布答案：C避光测试是通过显微镜观察到待测点位置
21、、完成扎针位置的调试后，用一 块黑布遮挡住晶圆四周，完全避光后再进行测试。24、在电子产品测试中需保证测试环境稳定，其中测试环境是指（）oA、硬件环境（硬件配置一致）B、软件环境（软件版本一致）C、使用环境（周围环境对测试的影响）D、以上都是答案：D25、模块电路外观检查时如果发现有疑似管脚不良的电路，要用（）进行验 证。A、通止规B、游标卡尺C、基准块D、直尺答案：A模块电路外观检查时如果发现有疑似管脚不良的电路，通常要用通止规进 行验证。26、离子注入过程中需要遵守三大方向，其中一个是掺杂物类型是由（） 材料决定的。A、离子电流B、离子电流与注入时间相乘C、离子轰击注入的能量D、离子源材料
22、答案：D27、料盘外观全部检查完后，对合格的料盘需要进行临时捆扎，临时捆扎 时将（）盒料盘（不含空料盘）捆扎在一起。A、9B、10C、11D、12答案：B料盘外观全部检查完后，对合格的料盘需要进行临时捆扎，临时捆扎时将 10盒料盘（不含空料盘）捆扎在一起。28、以串行测试为例，假设A,B轨道测试合格，C轨道测试不合格，芯片 移动的路线是（）。A、A测试轨道一分选梭1-B测试轨道一分选梭2-C测试轨道分选梭3-D合格轨道一分选梭4f不良品料管；B、A测试轨道一分选梭1-B测试轨道一分选梭2-C不合格轨道一分选梭 3-D不合格轨道一分选梭4f不良品料管；C、A测试轨道一分选梭1-B测试轨道一分选梭
23、2-C不合格轨道一分选梭 3-D不合格轨道一分选梭4f不良品料管D、A测试轨道一分选梭1-B测试轨道一分选梭2-C测试轨道一分选梭 3-D不合格轨道一分选梭4一不良品料管答案：D重力式分选机进行串行测试时，A,B轨道测试合格，C轨道测试不合格，芯 片移动的路线是：分选梭1将A轨道测试合格的芯片送入B测试轨道，B轨道 测试合格后，分选梭2将芯片送人C测试轨道，C轨道测试不合格后，分选梭3 将芯片送入D不合格轨道，分选梭4将芯片放入不良品料管中。29、在版图设计过程中，NMOS管的源极接(),漏极接(),PMOS管的源 极接()，漏极接()。A、地、高电位、GND、高电位B、地、高电位、电源、低电
24、位C、电源、高电位、GND、低电位D、地、高电位、GND、低电位答案：D30、单晶硅生长完成后，需要进行质量检验，其中热探针法可以测量单晶 硅的()参数。A、直径B、电阻率C、导电类型D、少数载流子寿命答案：C31、在刻蚀工艺中，有几个非常重要的参数，其中()定义为当刻蚀线条 时，刻蚀的深度V与一边的横向增加量AX的比值V/AX,比值越大，说明横 向刻蚀速率小，刻蚀图形的保真度好。A、刻蚀因子B、刻蚀速率C、选择比D、均匀性答案：A32、SOP封装的芯片因其体积小等特点，一般采用()。A、料盘包装B、编带包装C、料管包装D、散装答案：BSOP封装的芯片因其体积小等特点，一般采用编带包装。33、
25、芯片检测工艺中，在外观检查时发现料管破损，应()。A、及时更换B对破损部位进行修补C、视情况而定D、继续使用答案：A34、下列描述错误的是()。A、转塔式分选机包括上料位、光检位、旋转纠姿位、功能测试位等B、一般转塔式分选机都需要配合编带机使用C、转塔式分选机旋转台每转动一格，都会将产品送到各个工位D、转塔式分选机分选工序依靠主转盘执行答案：B35、打点过程中，在显微镜下看到有墨点偏大出现时需要进行的操作是： ()。A、调节打点器的旋钮B、调节打点的步进C、更换墨管D、更换晶圆答案：C出现墨点大小点等情况时需更换墨管。36、装有晶圆的花篮需要放在氮气柜中储存的主要目的是()oA、作为生产工艺的
26、中转站B、防氧化C、防尘D、合理利用生产车间的空间答案：B37、激光打标文本内容和格式设置好之后，需要()oA、选择打标文档B、点击保存按钮C、点击开始打标按钮D、调整光具位置答案：B打标文本内容编辑好后点击“保存”即可，然后开始调整光具位置准备打 标。38、切割完的晶圆取出后先用气枪将晶圆表面的()和硅粉尘进行初步的 清理。A、不良晶粒B、切割时产生的火花C、晶圆碎片D、去离子水答案：D39、有关开路测试不正确的是（）。A、管脚正常连接：pinl和地之间会存在一个压差，其大小为pinl与地之 间的ESD二极管的导通压降，大约在0.60.7V左右。如果改变电压方向，VI 电压的测量结果大约为-
27、0.6-0. 7V左右B、管脚出现开路：ESD二极管被断开，pinl和地之间的电阻会无限大，在 管脚施加负电流时，VI的电压会无限小（负压）。在实际情况中，电压会受测 试源本身存在的钳位电压，或者受电压量程挡位限制达到一个极限值C、管脚出现短路：ESD二极管被短路，pinl和地之间的电阻接近为0欧姆, 此时不管施加多少电流，VI都接近于0VD、测量Pinl和VDD之间的通断情况，则可以将VDD通过测试源加到0V, 利用12电流和二极管D2的正向导通压降进行测量和判断。此时12的电流方向 和n的电流方向相同，此时vi的电压为正电压答案：D40、若防静电点检未通过则需要（）oA、重新启动检测仪器，再次检测B、请其他员工检测，门开启后一同进入C、找管理部门手动打开D、检查着装并消除静电，重新检测答案：D防静电点检未通过时，应该检查自身着装并消除静电，然后重新检测。不 可随其他检测通过的人员一起进入，否则自身超标的静电会对对车间内的芯片 造成损害。41、5mil的墨管常用于（）的晶圆。A、5英寸B、6英寸C、8英寸D、12英寸答案：AB5mil的墨管常用于5英寸、6英寸的晶圆，30mil的墨管常用于8英寸、 12英寸的晶圆。