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1、1+X集成电路理论知识模拟题含答案1、重力式分选机进行芯片检测时，如果出现上料槽无料管，应采取（）的 处理方式。A、人工加待测料管B、人工换料管C、人工加空料管D、人工将卡料取出答案：A重力式分选机进行芯片检测时，如果出现上料槽无料，需要人工加待测料 管。2、探针台上的（）处于（）状态时不能进行其他操作，容易引起探针台死机, 导致晶圆撞击探针测试卡。A、红色指示灯、亮灯B、指示灯、亮灯C、绿色指示灯、亮灯D、红色指示灯、灭灯答案：B探针台上的指示灯处于亮灯状态时不能进行其他操作，容易引起探针台死 机，导致晶圆撞击探针测试卡。其中红色指示灯表示下降，绿色指示灯表示上 升，当至少有一盏指示灯处于亮
2、灯状态时不能进行其他操作。3、以下选项中切筋与成型步骤模具运动顺序正确的是（）oA、模具下压一成型冲头下压一切模f框架进料一管脚成型B、框架进料f成型冲头下压一切模一模具下压一管脚成型C、模具下压一框架进料一切模一成型冲头下压一管脚成型D、框架进料一模具下压一切模一成型冲头下压一管脚成型答案：D略4、晶圆检测工艺中，在进行烘烤之后，需要进行的操作是（）。A、真空入库B、扎针测试C、打点D、外检答案：D晶圆检测工艺流程：导片一上片一加温、扎针调试一扎针测试一打点一烘 烤一外检一真空入库。D、循环答案：D43、关于全自动探针台扎针调试的步骤，下列说法正确的是()oA、输入晶圆信息一调出检测MAP图
3、一自动对焦一扎针调试B、输入晶圆信息一自动对焦一调出检测MAP图一扎针调试C、输入晶圆信息一自动对焦一扎针调试一调出检测MAP图D、输入晶圆信息f调出检测MAP图一扎针调试f自动对焦答案：B44、脱水烘烤是在()的气氛中进行烘烤。A、真空B、干燥氮气C、真空或干燥氮气D、清洁的空气答案：C脱水烘烤是在真空或干燥氮气的气氛中进行。45、芯片检测工艺中，在外观检查时发现料管破损，应()。A、继续使用B、及时更换C、对破损部位进行修补D、视情况而定答案：B46、引线键合前一道工序是()oA、第二道光检B、晶圆切割C、芯片粘接D、晶圆清洗答案：C晶圆贴膜一晶圆切割一晶圆清洗一第二道光检一芯片粘接一引线
4、键合47、封装工艺中，在完成芯片粘接后需要进行银浆固化，该环节在烘干箱 中进行，一般在O 的环境下烘烤1小时。A、 150B、 175C、200D、225答案：B48、晶圆检测工艺对环境的其中一项一一温度的要求范围是（）。A、223B、205C、253D、203答案：A晶圆检测工艺对环境的要求：测试车间符合10万级洁净区标准，温度常年 保持在223,湿度保持在4515%。49、转塔式分选机设备芯片检测工艺流程中，上料之后的环节是（）。A、测试B、分选C、编带D、外观检查答案：A转塔式分选机设备芯片检测工艺的操作步骤一般为：上料一测试一编带一 外观检查一真空包装。50、采用全自动探针台对晶圆进行
5、扎针调试时，若发现单根探针发生偏移, 则对应的处理方式是（）。A、利用微调档位进行调整B、相关技术人员手动拨针，使探针移动至相应位置C、更换探针测试卡D、调节扎针深度答案：B51、下国所示的内盘是（）的内盘。A、料盘B、料管C、编带D、以上都是答案：A该图所示示的内盒从上往是料盘的内盒.52、反应离子刻蚀的过程简单来说是（）。A、电离一解吸、排放一轰击一扩散、反应B、轰击一电离一扩散、反应一解吸、排放C、电离一扩散、反应一轰击一解吸、排放D、电离一轰击一扩散、反应一解吸、排放答案：D反应离子刻蚀时，气体分子在反应室内电离出离子、电子和游离活性基（电离），电粒子受电场加速，以较大能量垂直地射到硅
6、片表面，进行物理轰 击，破坏原子键以增强化学反应和各向异性（轰击），同时活性基扩散并吸附 到硅片表面，与其薄膜发生反应，进行化学刻蚀（扩散、反应），反应生成气 体离开硅片表面，通过真空泵排出（解吸、排放）。53、芯片检测工艺过程中一般有拼零操作，下面对拼零描述正确的是（）o A、一个内盒中最多有三个印章号B、零头电路不需要进行检查C、拼零时遵循“先入先出”的原则D、每次拼零时可以对多个产品进行操作答案：C54、共模抑制比定义为放大器（）之比。A、差模电压的放大倍数与对共模电压放大倍数B、对共模电压放大倍数与差模电压的放大倍数C、差模电压的放大倍数与对共模电压缩小倍数D、差模电压的缩小倍数与对共
7、模电压放大倍数答案：A55、在Altium Designer软件设计完电路图后，设计制作样品电路需要用 到的文件是（）oA、BOMB、PCBC、ICTD、 Gerber答案：A56、引线键合机内完成键合的框架送至出料口的引线框架盒内，引线框架 盒每接收完一个引线框架会O oA、保持不动B、自动上移一定位置C、自动下移一定位置D、自动后移一定位置答案：C57、真空包装时，需要在包装盒外套上（）。A、包装袋B、防静电铝箔袋C、不透明塑料袋D、海绵答案：B在将晶圆放入包装盒后，一般会在包装盒外套上防静电铝箔袋。58、载带的预留长度一般是（）。A、 10-30cmB 30-50cmC 50-70cmD
8、、 70-90cm答案：c略59、（）是使硅片上的局部区域达到平坦化。A、平滑处理B、部分平坦化C、局部平坦化D、全局平坦化答案：C局部平坦化是将硅片表面局部进行平坦化处理，使其达到较高的平整度。60、利用平移式分选机进行芯片分选时，吸嘴从（）上吸取芯片，然后对 芯片进行分选。A、收料盘B、待测料盘C、入料梭D、出料梭答案：D61、用比色法进行氧化层厚度的检测时，看到的色彩是（）色彩。A、反射B、干涉C、衍射D、二氧化硅本身的答案：B62、根据下列三张同一单元图可判断，该单元为：O oA、图片题B、图片题C、图片题D、图片题答案：A63、正常工作时风淋室内无人时，外部的（）指示灯亮起。A、红色
9、B、黄色C绿色D、蓝色答案：C风淋室内无人时，外部的绿色指示灯亮起，进入风淋室后关门，风淋室自 动落锁，外部指示灯变为红色，风淋开始。64、晶圆检测工艺中，在进行上片之前需要进行（）操作。A、导片B、加温、扎针调试C、扎针测试D、打点答案：A晶圆检测工艺流程：导片一上片一加温、扎针调试一扎针测试一打点一烘 烤一外检一真空入库。65、平移式分选机设备分选完成后，进入（）环节。A、上料B、测试C、外观检查D、真空入库答案：C平移式分选机设备芯片检测工艺的操作步骤一般为：上料一测试一分选一 外观检查一真空包装。66、单晶硅生长完成后，需要进行质量检验，其中不是物理性能检验的参 数的是O oA、外观B
10、、晶向C、直径D、电阻率答案：D67、下列描述错误的是（）。A、转塔式分选机分选工序依靠主转盘执行B、转塔式分选机旋转台每转动一格，都会将产品送到各个工位C、转塔式分选机包括上料位、光检位、旋转纠姿位、功能测试位等D、一般转塔式分选机都需要配合编带机使用答案：D68、激光打字在打标前需要调整()的位置。A、场镜和光具座B、场镜和收料架C、显示器和收料架D、光具座和显示器答案：A略69、在进行编带真空包装时，需要在()上进行。A、转塔式分选机B、真空包装机C、测试机D、高温烘箱答案：B在进行编带真空包装时，需要在真空包装机上进行。70、晶圆检测工艺对环境要求()芯片检测的环境要求，这是由工艺的加
11、 工对象特性所决定的。A、低于B、等于C、高于D、时高时低时等于答案：C由于晶圆检测工艺中芯片是裸露状态，而芯片检测工艺中芯片是非裸露状 态，所以晶圆检测对环境质量要求会高于芯片检测。71、平移式分选机设备测试环节的流程是：()。A、吸取、搬运芯片一入料梭转移芯片-压测一记录测试结果一搬运、吹 放芯片B、入料梭转移芯片一吸取、搬运芯片一压测一记录测试结果一搬运、吹 放芯片C、入料梭转移芯片一搬运、吹放芯片一压测一记录测试结果一吸取、搬 运芯片D、搬运、吹放芯片一入料梭转移芯片一吸取、搬运芯片一压测一记录测 试结果答案：B平移式分选机设备测试环节的流程是：入料梭转移芯片一吸取、搬运芯片 一压测一
12、记录测试结果一搬运、吹放芯片。72、料盘完成外观检查后，需要进入()环节。A、分选B、上料C、测试D、真空包装答案：D平移式分选机设备芯片检测工艺的操作步骤一般为：上料一测试一分选一 外观检查-真空包装。73、打开安装好的keil软件，点击工具栏“魔术棒”按钮，点击()选项, 选择目标芯片。A、 TargetB、 C/C+C、 DebugD、 Device答案：D74、晶圆检测工艺中，导片结束后，需要进行()操作。A、加温、扎针调试B、上片C、外检D、扎针测试答案：B晶圆检测工艺流程：导片一上片一加温、扎针调试一扎针测试一打点一烘 烤一外检一真空入库。75、使用重力式分选机设备进行芯片检测时，
13、第一环节需进行()操作。A、上料B、分选C、编带D、外检答案：A重力式分选机设备芯片检测工艺流程：上料一测试一分选一编带（SOP） 一 外观检查一真空包装。76、晶圆进行扎针测试时，其操作步骤正确的是（）oA、输入晶圆信息一测试一清零一检查扎针情况（有异常）一异常情况处 理一继续测试一记录测试结果B、输入晶圆信息一测试一检查扎针情况（有异常）一异常情况处理一清 零一继续测试一记录测试结果C、输入晶圆信息一检查扎针情况（无异常）一测试一清零一继续测试一 记录测试结果D、输入晶圆信息一清零一测试一检查扎针情况（无异常）一继续测试一 记录测试结果答案：D77、LK32Tl02单片机工作频率最高支持（
14、）。A、 18MHzB、 36MHzC、 72MHzD、 144MHz答案：C78、下列关于重力式分选设备描述错误的是（）。A、重力式分选机手动上料的步骤分为两步，装料和上料夹具夹持B、手动装料需要操作人员取下待测料管一端的塞钉，并将料管整齐地摆 放在操作台C、装料时不需要注意芯片方向和管脚朝向D、自动装料减少了人工补料的次数，节省了取塞钉与摆放料管的时间， 降低了人工成本答案：C79、在控制LED灯的任务中，PB - 0UTEN = OxOOff的意思是（）。A、PB0PB7设置为输入方式B、PB0PB7设置为输出方式C、PB0PB7设置为高电平D、PB0PB7设置为低电平答案：B80、重力
15、式分选机进行芯片检测时，上料的第一步是（）。A、设置参数B、吸取芯片C、装料D、上料夹具夹持答案：C装料是上料的第一步。装料是将待测料管放入上料槽内。装料完成后由上 料夹具夹持上料。81、在集成电路中，将掩膜版上的图形位置及几何尺寸转移到光刻胶上的 工艺是（）OA、薄膜制备B、光刻C、刻蚀D、金属化答案：B在集成电路中，将掩膜版上的图形位置及几何尺寸转移到光刻胶上的工艺 是光刻。82、晶圆检测工艺中，6英寸的晶圆进行晶圆墨点烘烤时，烘烤时长一般 为（）分钟。A、 1B、5C、 10D、20答案：B83、若采用全自动探针台对晶圆进行扎针测试，需把承载的晶圆花篮放到 探针台相应位置等待检测，假如位
16、置放置不正确，会造成O后果。A、探针台死机B、晶圆撞击探针测试卡C、晶圆探针错位、破片D、位置指示灯异常答案：C84、下列描述错误的是（）。A、平移式分选机是在水平面上完成芯片的转移、测试与分选的设备B、重力式分选机为斜背式双工位或多工位自动测试分选机C、转塔式分选机分选工序依靠主转盘执行D、以上描述都不对答案：D85、使用平移式分选设备进行芯片检测时，完成上料后需要进行的环节是 ()OA、测试B、分选C、真空包装D、外观检查答案：A86、下列选项中，()是封装工艺中不涉及的工序。A、第一道光检B、第二道光检C、第三道光检D、第四道光检答案：A封装工艺中，第二道光检主要是针对晶圆切割之后的外观
17、检查，是否有出 现废品(崩边等情况)。引线键合完成后要进行第三道光检，主要是为了检查 芯片粘接和引线键合过程中有没有产生废品。切筋成型之后需要进行第四道光 检，针对后段工艺的产品进行检查、剔除。87、在制备完好的单晶衬底上，沿其原来晶向，生长一层厚度、导电类型、 电阻率及晶格结构都符合要求的新单晶层，该薄膜制备方法是()oA、外延B、热氧化C、PVDD、CVD答案：A外延是在制备完好的单晶衬底上，沿其原来晶向，生长一层厚度、导电类 型、电阻率及晶格结构都符合要求的新单晶层。88、下面选项中不属于镀锡工序中酸洗的目的是()。A、中和碱性膜B、消毒C、增加表面活性D、增强镀层与框架结合度答案：B酸
18、洗的目的一般是为了中和碱性膜，并将引线金属表面的氧化膜清除，增 加基层表面活性，使镀锡时镀层能与引线金属牢固结合。5、“6s”的管理方式相较于“5s” ，多的一项内容是()。A、整理B、整顿C、清洁D、安全答案：D5s即整理、整顿、清扫、清洁、素养。6s管理是5s的升级，6s即整理、 整顿、清扫、清洁、素养、安全(SECURITY)。6、重力式分选机进行芯片检测时，芯片测试完成后，下一个环节需要进行 ()操作。A、上料B、分选C、外观检查D、真空入库答案：B重力式分选机设备芯片检测工艺的操作步骤一般为：上料一测试一分选一 外观检查一真空包装。7、添加连线时，在先的起点处()鼠标，移动光标，在线
19、的终点()鼠标 完成连线绘制。A、单击、单击B、单击、双击C、双击、单击D、双击、双击答案：B8、若进行打点的晶圆规格为5英寸，应选择的墨盒规格为？()A、 5milB、 8milC、 lOmilD、 30mil答案：A9、避光测试是通过显微镜观察到待测点位置、完成扎针位置的调试后，用 ()遮挡住晶圆四周，完全避光后再进行测试。A、气泡膜B、不透明袋C、黑布89、扎针测试时，完成晶圆信息的输入后，需要核对（）上的信息，确保三 者的信息一致。A、MAP图、测试机操作界面、晶圆测试随件单B、MAP图、探针台界面、晶圆测试随件单C、MAP图、软件检测程序、晶圆测试随件单D、MAP图、软件版本、晶圆测
20、试随件单答案：A扎针测试时，完成测试机操作界面的晶圆信息输入后，需要核对MAP图、 测试机操作界面、晶圆测试随件单上的信息，确保三者的信息一致。90、料盘外观全部检查完后，对合格的料盘需要进行临时捆扎，临时捆扎 时将（）盒料盘（不含空料盘）捆扎在一起。A、9B、 10C、 11D、12答案：B料盘外观全部检查完后，对合格的料盘需要进行临时捆扎，临时捆扎时将 10盒料盘（不含空料盘）捆扎在一起。91、在使用万用表之前先应（）oA、选择合适的挡位B、机械调零C、选择合适的量程D、表笔短接答案：B92、干-湿-干氧化过程中，第一次干氧氧化的目的是（）。A、形成所需的二氧化硅膜厚度B、获得致密的二氧化
21、硅表面C、提高二氧化硅和光刻胶的黏附性D、改善二氧化硅和硅交界面的性能答案：B干-湿-干氧化中，第一次干氧是为了获得致密的Si02表面，从而提高对杂 质的阻挡能力。干氧氧化和湿氧氧化各有自己的特点，在实际生产中往往将这 两种方式结合起来，采用干-湿-干的氧化方式，既保证二氧化硅的厚度及一定 的生产效率，又改善了表面的完整性和解决了光刻时的浮胶问题。第一次干氧 是为了获得致密的二氧化硅表面，从而提高对杂质的阻挡能力。湿氧主要用来 形成所需的二氧化硅膜的厚度，提高生产效率；第二次干氧，是为了改善二氧 化硅和硅交界面的性能，同时使二氧化硅表面干燥，提高二氧化硅和光刻胶的 粘附性。93、使用测编一体的
22、转塔式分选设备进行芯片测试时，如果遇到需要编带 的芯片，在测试完成后的操作是()OA、上料B、测试C、编带D、外观检查答案：C94、去飞边的目的是()oA、去除激光打字后标识打印有瑕疵的部分B、去除注塑工序塑封周围、引线之间的多余溢料C、去除电镀后引脚镀层外围多余的镀料D、去除引脚周围长出的晶须答案：B95、清洗是晶圆制程中不可缺少的环节，使用SC-2清洗液进行清洗时，可 以去除的物质是()。A、光刻胶B、颗粒C、金属D、自然氧化物答案：C96、元器件的标志方向应按照图纸规定的要求，若装配图上没有指明方向, 则应使标记向外易于辨认，并按照()的顺序读出。A、从左到右、从下到上B、从左到右、从上
23、到下C、从右到左、从下到上D、从右到左、从上到下答案：A97、“5s”中第4个s是()oA、整顿B、清扫C、清洁D、安全答案：c“5S”中第1个S是整理，第2个S是整顿，第3个S是清扫，第4个S 是清洁，第5个S是修养。98、湿法刻蚀中，()的腐蚀液是以氢氟酸为基础的水溶液。A、硅铝C、二氧化硅D、碑化钱答案：C二氧化硅腐蚀液是以氢氟酸为基础的水溶液。99、以下函数的功能是()。A、防抖B、延时C、无限循环【)、计数答案：B100、使用转塔式分选设备进行芯片测试时，芯片在该工位完成操作后，需 要进入()环节。A、测前光检B、测试C、测后光检D、旋转纠姿答案：C101、如果遇到需要加温的晶圆，对
24、晶圆的加温是在扎针调试()。A、之前B、之后C、过程中D、都可以答案：A根据热胀冷缩的原理，需要加温的晶圆要在加温结束后再进行扎针调试。 若先进行扎针调试再加温可能会扎透铝层。102、以下不属于模拟集成电路的是()oA、功率放大器B、运算放大器C、稳压器D、锁相环答案：D103、第一次在keil软件上写完程序编译时应当点击()oA、2 3 4B、1C、2D、3E、4答案：C104、单晶硅锭切片后需要进行倒角，其目的是()。A、确定定位面B、产生精确的材料直径C、去除硅锭两端的不符合直径要求的部分D、去除硅片边缘锋利的棱角答案：D定位面研磨时为了确定硅锭的定位面。径向研磨获得更精确的直径。切割
25、分段是为了去除硅锭两端的不符合直径要求的部分。倒角是为了去除硅片边缘 锋利的棱角使硅片边缘获得平滑的半径周线。105、8英寸晶圆的直径为()mm。A、 125B、 150C、200D、300答案：C5英寸晶圆直径是125nlm, 6英寸晶圆直径是150nlm, 8英寸晶圆直径是 200mm, 12英寸晶圆直径是300mm。106、打点过程中，在显微镜下看到有墨点偏大出现时需要进行的操作是: ()。A、调节打点器的旋钮B、调节打点的步进C、更换墨管D、更换晶圆答案：C出现墨点大小点等情况时需更换墨管。107、探针台上的（）处于（）状态时不能进行其他操作，容易引起探针台死 机，导致晶圆撞击探针测试
26、卡。A、红色指示灯、亮灯B、指小灯、亮灯C、绿色指示灯、亮灯D、红色指示灯、灭灯答案：B108、待测芯片的封装形式决定了测试、分选和包装的不同类型，而不同的 性能指标又需要对应的测试方案进行配套完成测试，测试完成后，经（）即可 进入市场。A、人工目检、包装B、机器检测、人工目检C、人工目检D、运行测试后包装答案：A109、下列选项中，（）工序后的合格品进入塑封工序。A、引线键合B、第二道光检C、芯片粘接D、第三道光检答案：D第三道光检通过的合格品，进入封装的后段工序，后段工艺包括塑封、激 光打字、去飞边、电镀、切筋成型、第四道光检等工序。110.二氧化硅和碳在（）的环境下反应可生成粗硅。A、
27、100200B、 500700C、 700900D、 16001800答案：D因为硅一氧之间的键结很强，所以二氧化硅非常稳定，因此要用碳进行还 原反应则需要很高的温度。一般工业上将二氧化硅和碳在16001800的温度 下反应，破坏硅一氧之间的键结，进而生成粗硅和一氧化碳。D、白布答案：C避光测试是通过显微镜观察到待测点位置、完成扎针位置的调试后，用一 块黑布遮挡住晶圆四周，完全避光后再进行测试。10、植球时，球和焊盘金属形成冶金结合，此时形成的焊点为()OA、第一焊点B、第二焊点C、第三焊点D、芯片焊点答案：A劈刀下降到芯片焊点表面，加大压力和功率，使球和焊盘金属形成冶金结 合，形成第一焊点。
28、11、电镀工序中完成前期清洗后，下一步操作是()A、装料B、高温退火C、电镀D、后期清洗答案：C电镀流程：装料一前期清洗一电镀槽电镀一后期清洗一高温退火。12、LK32Tl02最大支持()个I/O端口。A、36B、48C、64D、72答案：B13、在电子产品测试中需保证测试环境稳定，其中测试环境是指()oA、硬件环境(硬件配置一致)B、软件环境(软件版本一致)C、使用环境(周围环境对测试的影响)D、以上都是答案：D14、编带检查完后，需要以最小内盒数为单位拆批打印标签，一式()份。A、 1B、2C、 3D、4答案：C编带检查完后，需要以最小内盒数为单位拆批打印标签，一式三份。15、()可以实现
29、探针测试卡的探针和晶圆的每个晶粒上的测试模块之间一 一对应。A、测试机B、探针台C、塑封机D、真空包装机答案：B探针台可以实现探针测试卡的探针和晶圆的每个晶粒上的测试模块之间一 一对应。16、清洗是晶圆制程中不可缺少的环节，使用SC7清洗液进行清洗时，可 以去除的物质是()OA、光刻胶B、颗粒C、金属D、自然氧化物答案：B17、自定义元件库需与原理图文件放在同一()中。A、 MessageB、 ProjectC、 NavigatorD、 Target答案：B18、化学机械抛光中，抛光液的作用是()。A、与硅片表面材料反应,变成可溶物质或将一些硬度过高的物质软化B、向抛光垫施加压力C、将反应生成
30、物从硅片表面却除D、清洗硅片答案：A硅片固定在抛光盘上后，抛光盘和装有抛光垫的旋转盘开始旋转，同时喷 淋抛光液；然后抛光盘向抛光垫施加压力，此时抛光液在硅片和抛光垫之间流 动，抛光液中的物质与硅片表面材料反应，变为可溶物质或将一些硬度过高的 物质软化；通过研磨作用将反应生成物从硅片表面去除，进入流动的液体排出。19、编带完成外观检查后，需要进入()环节。A、编带B、上料C、测试D、真空包装答案：D转塔式分选机设备芯片检测工艺的操作步骤一般为：上料一测试一编带一 外观检查一真空包装。20、单晶硅生长完成后，需要进行质量检验，其中热探针法可以测量单晶 硅的()参数。A、电阻率B、直径C、少数载流子
31、寿命D、导电类型答案：D21、常用的干法去胶方法有()oA、溶剂去胶B、氧化剂去胶C、等离子去胶D、介质去胶答案：C常用的去胶方法有溶剂去胶、氧化剂去胶、等离子去胶，其中干法去胶的 方法为等离子去胶。22、选择集成电路的关键因素主要包括()oA、性能指标B、工作条件C、性价比D、以上都是答案：D23、平移式分选机设备分选环节的流程是：()。A、分选一吸嘴吸取芯片一收料B、吸嘴吸取芯片一分选一收料C、吸嘴吸取芯片一收料一分选D、分选一收料一吸嘴吸取芯片答案：B平移式分选机设备测试环节的流程是：吸嘴吸取芯片一分选一收料。 24、以全自动探针台为例，关于上片的步骤，下列所述正确的是：（）。 A、打开
32、盖子一花篮放置一花篮下降一花篮到位一花篮固定一合上盖子 B、打开盖子一花篮放置一花篮到位一花篮下降一花篮固定一合上盖子 C、打开盖子一花篮放置一花篮下降一花篮固定一花篮到位一合上盖子 D、打开盖子一花篮放置一花篮固定一花篮下降一花篮到位一合上盖子 答案：D以全自动探针台为例，上片的步骤为：打开盖子一花篮放置一花篮固定一 花篮下降一花篮到位一合上盖子。25、芯片检测工艺中，进行管装包装时，将真空包装的编带盘放入内盒、 合上盖子后，需要在内盒的封口边（）处贴上“合格”标签。A、左侧B、右侧C、中央D、任意位置答案：C26、一般情况下，待编至（）颗时，需更换卷盘，并在完成编带的卷盘上贴 上小标签，便
33、于后期识别。A、 2000B、 4000C、 6000D、 8000答案：B一般情况下，待编至4000颗左右时，需要更换卷盘，即一盘编带一般装有 4000颗的芯片。27、下列描述错误的是（）。A、重力式分选机可分为并行测试和串行测试B、并行测试一般是进行单项测试（可根据测试卡的数量进行1 site/2 sites/4 sites测试），适用于普通DIP/SOP封装的芯片C、串行测试一般是进行多项测试，适用于DIP24/DIP27等模块电路D、并行测试时模块电路依次进行不同电特性参数的测试答案：D28、在版图设计过程中，N-M0S管的源极接（）,漏极接（），P-M0S管的 源极接（），漏极接O
34、oA、地、高电位、GND、低电位B、电源、高电位、GND、低电位C、地、高电位、GND、高电位D、地、高电位、电源、低电位答案：A29、通常情况下，一个内盒中装入的DIP管装芯片（）颗。A、 3000B、 1000C、 5000D、 2000答案：D一般情况下，一个内盒中装入的DIP管装芯片2000颗。30、模拟芯片常见参数测试输入失调电压，指在差分放大器或差分输入的 运算放大器中，为了在输出端获得恒定的零电压输出，而需（）。A、在两个输入端所加的直流电压之差B、在两个输入端所加的交流电压之差C、在两个输入端所加的直流电压之和D、在两个输入端所加的直流电压之积答案：A31、芯片测试工艺中进行S
35、OP8芯片的编带包装时，一个内盒中通常装有（） 盘真空包装完的编带。A、 1B、2C、3D、4答案：B32、在进行料盘真空包装时，需要在（）上进行。A、平移式分选机B、真空包装机C、测试机D、高温烘箱答案：B在进行料盘真空包装时，需要在真空包装机上进行。33、以全自动探针台为例，在上片时，将花篮放在承重台上后，下一步操 作是（）。A、前后移动花篮，确保花篮固定在承重台上B、按下降的按钮，承重台和花篮开始下降C、花篮下降到指定位置，下降指示灯灭D、合上承重台上的盖子答案：A以全自动探针台为例，上片时，将花篮放在承重台上后，前后移动花篮， 将花篮固定在承重台上。34、料盘打包时，要在料盘的。个地方
36、进行打包。A、 1B、2C、3D、4答案：C料盘打包时，要在料盘的3个地方进行打包。35、（）包装形式在入库及之后的工艺中操作方便，比较省时。A、晶圆盒包装B、花篮内盒包装C、防静电铝箔袋包装D、花篮外盒包装答案：D花篮外盒包装形式在入库及之后的工艺中操作方便，比较省时。36、重力式分选机进行芯片检测时，测试机对芯片测试完毕后，将检测结 果通过（）把结果传回分选机。A、 GPIBB、数据线C、串口D、VGA答案：A重力式分选机进行芯片检测时，测试机对芯片测试完毕后，将芯片检测结 果通过GPIB传回分选机37、用转塔式分选机设备进行芯片检测的第二个环节是（）。A、编带B、上料C、测试D、外观检查
37、答案：C转塔式分选机设备芯片检测工艺的操作步骤一般为：上料一测试一编带一 外观检查一真空包装。38、编带机光检区检测不合格的芯片，会从光检区滑落至不良品料管内； 而检测合格的芯片，则会由（）吸取，并将其精准地放到空载带内，载带内每 放置一颗芯片便会向前传送一格。A镜子B、吸盘C、真空吸嘴D、机器手臂答案：C39、利用高温驱动杂质渗透进半导体内，此工序采用的设备是（）。A、扩散炉B、离子注入机C、加热平板D、对流烘箱答案：A利用高温驱动杂质渗透进半导体内的工序为热扩散，热扩散采用的设备为 扩散炉。40、载入元件库：Altium Designer系统默认打开的元件库有两个：常用 分立元器件库（）；
38、常用接插库（）。A、 Devices. IntLib； Miscellaneous Connectors. IntLibB、 Devices. IntLib； Connectors. IntLibC、 Miscellaneous Devices. IntLib； Connectors. IntLibD、 Miscellaneous Devices. IntLib； Miscellaneous Connectors. IntLib 答案：D41、下列对芯片检测描述正确的是（）。A、集成电路测试是确保产品良率和成本控制的重要环节B、所有芯片的测试、分选和包装的类型相同C、测试完成后直接进入市场D、测试机分为数字测试机和模拟测试机答案：A42、在实现LED流水灯程序中主要用到了 （）语句。A、顺序B、条件C、扫描