《(16.4.1)--15-4场效应管的主要参数和选用.pdf》由会员分享，可在线阅读，更多相关《(16.4.1)--15-4场效应管的主要参数和选用.pdf（7页珍藏版）》请在taowenge.com淘文阁网|工程机械CAD图纸|机械工程制图|CAD装配图下载|SolidWorks_CaTia_CAD_UG_PROE_设计图分享下载上搜索。
1、场效应管的主要参数和选用直流参数 饱和漏极电流IDSS：耗尽型场效应管，当UGS=0时所对应的漏极电流。夹断电压UP：耗尽型FET的参数。开启电压UT：增强型MOS管的参数，栅源电压小于开启电压的绝对值,场效应管不能导通。直流输入电阻RGS：场效应三极管的栅源输入电阻的典型值，对于结型场效应管，反偏时RGS约大于107，对于绝缘栅型场效应管，RGS约是1091015。场效应管的主要参数交流参数 低频跨导gm 低频跨导反映了UGS对ID的控制作用。gm可以在转移特性曲线上求取，单位是ms(毫西门子)。iD极间电容 管子三个电极之间的等效电容，越小越好，一般几pF。giuUmDGSDS常量场效应管
2、的主要参数极限参数 漏极最大允许耗散功率PDM 最大漏极功耗可由PDM=UDSID 决定，与双极型三极管的PCM 相当。漏源击穿电压U(BR)DS当漏极电流ID急剧上升产生雪崩击穿时的UDS。栅源击穿电压U(BR)GS当UGS过高时，结型场效应管PN结可能击穿；MOS场效应管可能将二氧化硅绝缘层击穿，使栅极与衬底发生短路，形成破坏性击穿。场效应管的主要参数场效应管与晶体管的比较双极型晶体管场效应管电子和空穴两种载流子参与导电载流子电子或空穴中一种载流子参与导电电压控制控制方式放大参数 20200g m1 5mA/V输入电阻101024较低1010714较高差强抗辐射能力工艺和使用较复杂，要求严
3、格简单，成本低，使用灵活对应电极BECGSD电流控制热稳定性差好N沟道和P沟道，增强型和耗尽型类型NPN和PNP场效应管与晶体管的选择 只允许从信号源取较少电流的情况下（信号源内阻较高），选用场效应管；在信号电压较低，又允许从信号源取较多电流的条件下（信号内阻较低），应选用晶体管；有低功耗、弱信号和超高频等需求时，选用场效应管；环境变化较强烈的场合，适合采用场效应管；场效应管噪声系数小，要求信噪比较高的电路中要选择场效应管；场效应管与晶体管的选择1、电源极性按规定接入，注意不能超过极限参数的规定数值。2、严格按照要求的偏置连接电路。对JFET要注意栅源电压极性不要接反，以免PN结正偏过流而烧坏管子。3、MOSFET管的衬底和源极常连在一起，若需分开，则衬源电压使衬源的PN结反偏。4、对于MOSFET要特别注意栅极感应电压过高所造成的击穿问题。5、使用MOSFET时，相关设备和人员应保证良好的接地。