《最新存储器的特点和应用场合,了解存储器的主要性能指标对存PPT课件.ppt》由会员分享，可在线阅读，更多相关《最新存储器的特点和应用场合,了解存储器的主要性能指标对存PPT课件.ppt（28页珍藏版）》请在taowenge.com淘文阁网|工程机械CAD图纸|机械工程制图|CAD装配图下载|SolidWorks_CaTia_CAD_UG_PROE_设计图分享下载上搜索。
1、存储器的特点和应用场合存储器的特点和应用场合,了解存储器的主要性能指了解存储器的主要性能指标对存标对存电工电子技术电工电子技术首首 页页 了解存储器的分类及各类存储器的特点和应用场合，了解存储器的主要性能指标对存储器性能的影响；掌握半导体存储器的逻辑功能和使用方法，理解半导体存储器的电路结构和工作原理；熟悉可编程逻辑器件的类型、工作原理及编程方式。学习目的与要求电工电子技术电工电子技术首首 页页电工电子技术电工电子技术首首 页页电工电子技术电工电子技术首首 页页电工电子技术电工电子技术首首 页页电工电子技术电工电子技术首首 页页电工电子技术电工电子技术首首 页页电工电子技术电工电子技术首首 页
2、页存储矩阵存储矩阵读写控制器行行地址译码器列列地址译码器2 2n nRAMRAM电路结构框图 m mn位地址码输出控制m位数据片选控制读/写控制存储矩阵：存储矩阵：存储矩阵是存储器的主体，含有大量的基本存储单元。通常数据和指令是用一定位数的二进制数来表示的，这个二进制数称为字字，字的位数称为字长字长。存储器以字为单位进行存储，为了存入和取出的方便，必须给每个字单元以确定的标号，这个标号称为地址，不同的字单元具有不同的地址。存储器的容量由地址码的位数m决定，当地址码的位数为n，字长的位数为m时，存储器内含2nm个存储单元。电工电子技术电工电子技术首首 页页2.RAM的存储单元电路 存储单元是RA
3、M的核心部分，RAM字中所含的位数是由具体的RAM器件决定的，可以是4位、8位、16位和32位等。每个字是按地址存取的。一般操作顺序是：先按地址选中要进行读或写操作的字，再对找到的字进行读或写操作。打一比方：存储器好比一座宿舍楼，地址对应着房间号，字对应着房间内住的人，位对应床位。存储器按功能的不同可分为静态静态和动态动态两类，按所用元件的类型又可分为双极型和单极型两种。双极型存储单元速度高，单极型存储单元功耗低、容量大。在要求存取速度快的场合常用双极型RAM电路，对速度要求不高场合下，常用单极型存储器。我们主要以单极型存储器为例介绍RAM的工作原理。电工电子技术电工电子技术首首 页页存储数据
4、输出存储数据输出T1QQ+UDD1 1 1 1位线(1)静态RAM存储单元0 0 0 0位线行选择线T2T3T4T6T5 图中T1和T2、T3和T4分别构成两个反相器。两个反相器交叉耦合又构成了基本触发器，作为储存信号的单元，当Q时为“1 1”态，Q0 0时为“0 0”态。T5和T6是门控管，其导通和截止均受行选择线控制。当行选择线为高电平时，T5T6导通，触发器输出端与位线接通1 1当行选择线为低电平时，T5T6截止，存储单元和位线断开。导导导导通通通通导导导导通通通通0 0截截截截止止止止截截截截止止止止保持原态不变保持原态不变1 10 0电工电子技术电工电子技术首首 页页动态RAM存储单
5、元(2)动态RAM存储单元C 一个MOS管和一个电容即可组成一个最简单的动态存储单元电路。由于C和数据线的分布电容C0相并，因此C要损失部分电荷。为保持原有信息不变，使放大后的数据同时回送到数据线上，对C应进行重写，称为刷新。对长时间无读/写操作的存储单元，C会缓慢放电，所以存储器必须定时对所有存储单元进行刷新，这是动态存储器的特点。字选线TC0数据线 当存储单元未被选中时：当存储单元被选中时：0 0截止截止隔隔离离 写入时，送到数据线上的二进制信号经T存入C中；读出时，C的电平经数据线读出，读出的数据经放大后，再送到输出端。1 1导通导通读/写操作电工电子技术电工电子技术首首 页页 3.RA
6、M的容量扩展 RAM的容量由地址码的位数n和字的位数m共同决定。因此常用的容量扩展法有位扩展位扩展、字扩展字扩展和字位扩展字位扩展三种形式。16片1024字1位的RAM构成1024字16位的RAM。地址码A0A9CSCSI/O 16 片1片16片2I/O 2I/O 1 如果一片RAM中的字数已经够用，而每个字的位数不够用时，可采用位扩展连接方式解决。其数据位的扩展方法是：将各个RAM的地址码并联片选端并联并联片选端并联即可。电工电子技术电工电子技术首首 页页 RAM的字扩展 下图所示为RAM字扩展的典型实例：利用两片1024字4位的RAM器件构成2048字4位的RAM。A0A9A10片 1片
7、2I/O 14CS1 1CS 利用地址码的最高位A10控制RAM器件的片选CS端，以决定哪一片RAM工作。地址码的低A0A9并联接到两片RAM的地址输入端。两片RAM的数据输入/输出端（I/O14）按位对应地并联使用。电工电子技术电工电子技术首首 页页 RAM的字位同时扩展字位同时扩展连接较复杂，如下图示：16片10244位的 RAM和3线8线译码器74LS138相接可扩展三个地址输入端，构成一个8K4位的RAM。74LS138译码器译码器A10A11A12A0A9R/WY0Y7I/00I/01I/02I/03电工电子技术电工电子技术首首 页页RAM有几种类型的有几种类型的存储单元？各适用存储
8、单元？各适用于什么场合？于什么场合？什么是随机存储器什么是随机存储器？随机存储器有何？随机存储器有何特点？特点？多看多练多做多看多练多做 存储器的容量由存储器的容量由什么来决定？什么来决定？在工作过程中，既可方便地读出在工作过程中，既可方便地读出所存信息，又能随时写入新的数所存信息，又能随时写入新的数据的存储器称为随机存储器，随据的存储器称为随机存储器，随机存储器。其特点是在系统工作机存储器。其特点是在系统工作时，可以很方便地随机地对各个时，可以很方便地随机地对各个存储单元进行读存储单元进行读/写操作，但发写操作，但发生掉电时数据易丢失。生掉电时数据易丢失。按功能不同可分为静按功能不同可分为静
9、态和动态两类，按所态和动态两类，按所用元件可分为双极型用元件可分为双极型和单极型双极型存储和单极型双极型存储器适用于存取速度要器适用于存取速度要求高的场合，单极型求高的场合，单极型的存储器适用于容量的存储器适用于容量大、低功耗，对速度大、低功耗，对速度 要求不高的场合。要求不高的场合。存储器的容量是由地址码的位数存储器的容量是由地址码的位数n和和字长的位数字长的位数m共同决定的。共同决定的。电工电子技术电工电子技术首首 页页 可编程逻辑器件属于只读存储器ROM，其方框图与RAM相似。ROM将RAM的读写电路改为输出电路；ROM的存储单元由一些二极管、MOS管及熔丝构成，结构比较简单。1.只读存
10、储器ROM的基本概念 只读存储器在工作时只能进行读出操作，结构原理如下：存储单存储单元矩阵元矩阵地址译码n2n“位位”mm数据I/O地址码“字字”输出电路 只读存储器ROM的特点是：存储单元简单，集成度高，且掉电时数据不会丢失。11.2 可编程逻辑器件电工电子技术电工电子技术首首 页页 只读存储器ROM存入数据的过程称为“编程编程”。根据编程方式的不同，可分为内容固定的ROM，一次性编程的PROM、可多次编程的EPROM和电改写的E2PROM。早期制造的PROM可编程逻辑器件的存储单元利用其内部熔丝是否被烧断来写入数据的，因此只能写入一次，使其应用受到很大限制。目前使用的PROM可多次写入，其
11、存储单元是在MOS管中置入浮置栅浮置栅的方法实现的。2、可编程逻辑器件的存储单元 左图是浮置栅型PMOS管的结构原理图，浮置栅被包围在绝缘的二氧化硅之中。写入时，在漏极和衬底之间加足够高的反向脉冲电压把PN结击穿，雪崩击穿产生的高能电子穿透二氧化硅绝缘层进入浮置栅中。脉冲电压消失后，浮置栅中的电子无放电回路而被保留下来。P+P+P+P+N N型衬底型衬底S SD D浮置栅浮置栅电工电子技术电工电子技术首首 页页字线浮置栅MOS管位线+UDDEPROMEPROM存储单元存储单元 浮置栅PMOS写入数据后，带电荷的浮置栅使PMOS管的源极和漏极之间导通，当字线选中某一存储单元时，该单元位线即为低电
12、平；若浮置栅中无电荷(未写入)，浮置栅PMOS管截止，位线为高电平。当用户需要 改写存储单元中的内容时，要用紫外线或X射线照射擦除，使浮置栅上注入的电荷形成光电流泄漏掉，EPROM可恢复原来未写入时的状态，因此又可重新写入新信息。利用光照抹掉写入内容需要大约30min左右较长时间。为了缩短抹去时间，人们研制出了电擦除方式。电擦除的速度一般为ms数量级，其擦除的过程就是改写的过程，改写是以字为单位进行的。电擦除的E2PROM既可以在掉电时不丢失数据，又可以随时改写写入的数据，重复擦除和改写的次数可达1万次以上。电工电子技术电工电子技术首首 页页 3、可编程逻辑器件 可编程逻辑器件按编程方式可分为
13、掩膜编程和现场编程。掩膜编程是由生产厂家采用掩模工艺专门为用户制作；现场编程则是由用户在工作现场进行编程，以实现所需要的逻辑功能。任意一个逻辑函数都可以写成与或表达形式，所以可编程逻辑器件的基本结构是一个与阵列和一个或阵列。PLDPLD主体示意图主体示意图 PLD有较大的与或阵列，其逻辑图的画法也与传统的画法有较大的区别。&A B C DF F1 1F F1 1=ABD=ABD固定连接固定连接逻辑连接逻辑连接与阵列11A B C DF F2 2或阵列F F2 2=A+C=A+C电工电子技术电工电子技术首首 页页 可编程逻辑阵列PLA在存储器中的主要应用是构成组合逻辑电路，下面我们举例进行说明。
14、(1)可编程逻辑阵列PLA 用PLA实现 4 位二进制数转换为Gray 码的电路。GG0 0GG1 1GG2 2GG3 3与与阵阵列列B0B0B1B1B2B2B3B3或或阵阵列列PLA的特点：与阵列和或与阵列和或阵列都可以编程。阵列都可以编程。PLA中的与阵列被编程产生所需的全部与项；PLA中的或阵列被编程完成相应与项间的或运算并产生输出。由此大大提高了芯片面积的有效利用率。电工电子技术电工电子技术首首 页页由图可得 Y1=ABC+ABC+ABC Y2=ABC+ABC Y3=ABC+ABCABC与阵列Y3Y2Y1或阵列 用 PLD 实现逻辑函数L0=ABC+ABC+ABC+ABCL1=BC+B
15、CL2=BC+BCL0L1L2电工电子技术电工电子技术首首 页页(2)可编程阵列逻辑PALPALPAL结构示意图结构示意图 可编程阵列逻辑PAL的速度高且价格低，电路输出结构形式有多种，因可以方便地进行现场编程，所以受到用户欢迎。为实现时序逻辑电路的功能，可编程阵列逻辑PAL又设计制造了在或门和三态门之间加入D触发器，并且将D触发器的输出反馈回与阵列，从而使PAL的功能大大提高。与同样位数的PLA相比，PAL不但减少了编程点数，而且也简化了编程工作，更加有利于辅助设计系统的开发。电工电子技术电工电子技术首首 页页 PAL编程是按“熔丝图熔丝图”进行的，下图所示为实现“异或异或”函数的熔丝图，图
16、中“”表示熔丝保留，而无“”的交点表示熔丝烧断。11&1 11 1ABABAB 由于PAL采用双极型熔丝工艺，工作速度较高，但由于与阵列的“熔丝熔丝”工艺，因此只能进行一次编程，而且需要在专门的编程器上进行编程，所以其应用仍受到限制。电工电子技术电工电子技术首首 页页(3)通用阵列逻辑GAL 目前多用GAL，因为与PAL相比，GAL采用的是浮栅编程技术；有较高的通用性和灵活性。GAL可重复编程、工作速度高、价格低、具有强大的编程工具和软件支撑，并且用可编程的输出逻辑宏单元取代了固定输出电路，因而功能更强。GAL内部原理图（局部）OLMC O011&11OLMC O01&11CPI0I71OE电
17、工电子技术电工电子技术首首 页页可编程的含义是什可编程的含义是什么？有哪几种编程么？有哪几种编程方式？方式？PLD有几种类型？有几种类型？指出它们的不同点指出它们的不同点？多看多练多做多看多练多做 PLD通常有可编程逻辑阵列通常有可编程逻辑阵列PLA、可编程阵列逻辑、可编程阵列逻辑PAL、通用阵列逻辑通用阵列逻辑GAL。PLA的的与阵列和或阵列都可编程，输与阵列和或阵列都可编程，输出电路固定；出电路固定；PAL与阵列可编与阵列可编程，或阵列固定，输出电路固程，或阵列固定，输出电路固定；定；GAL与阵列可编程，或与阵列可编程，或阵列固定，输出电路可组态。阵列固定，输出电路可组态。存储信息由用户根据存储信息由用户根据需要可以重新编程修需要可以重新编程修改即可编程。可编程改即可编程。可编程方式有掩膜编程和现方式有掩膜编程和现场编程两种方式。场编程两种方式。电工电子技术电工电子技术首首 页页本章学习结束本章学习结束 Goodbye!