《微电子词典gqxs.docx》由会员分享，可在线阅读，更多相关《微电子词典gqxs.docx（23页珍藏版）》请在taowenge.com淘文阁网|工程机械CAD图纸|机械工程制图|CAD装配图下载|SolidWorks_CaTia_CAD_UG_PROE_设计图分享下载上搜索。
1、微电子辞辞典 Abrruptt juuncttionn 突变变结 AAcceelerrateed ttesttingg 加速速实验 Acccepttor 受主 Acccepttor atoom 受受主原子子 Acccumuulattionn 积累累、堆积积 Acccummulaatinng cconttactt 积累累接触 Acccumuulattionn reegioon 积积累区 Acccumuulattionn laayerr 积累累层 Acttivee reegioon 有有源区 Acttivee coompoonennt 有有源元 Acttivee deevicce 有有源器件件 A
2、cctivvatiion 激活 Acttivaatioon eenerrgy 激活能能 Acctivve rregiion 有源（放放大）区区 Admmitttancce 导导纳 AAlloowedd baand 允带 Allloy-junnctiion devvicee合金结结器件 Aluuminnum(Aluuminniumm) 铝铝 Aluuminnum ooxidde 铝铝氧化物物 Allumiinumm paassiivattionn 铝钝钝化 Ambbipoolarr 双极极的 AAmbiientt teempeeratturee 环境境温度 Amoorphhouss 无定定形的，
3、非非晶体的的 Ammpliifieer 功功放 扩扩音器 放大器器 Anaaloggue(Anaalogg) ccompparaatorr 模拟拟比较器器 Anngsttromm 埃 Annneall 退火火 Annisootroopicc 各向向异性的的 Anoode 阳极 Arsseniic (AS) 砷 Augger 俄歇 Augger proocesss 俄俄歇过程程 Avaalannchee 雪崩崩 Avvalaanchhe bbreaakdoown 雪崩击击穿 Avaalannchee exxcittatiion雪雪崩激发发 Bacckgrrounnd ccarrrierr 本底底
4、载流子子 Baackggrouund doppingg 本底底掺杂 Bacckwaard 反向 Bacckwaard biaas 反反向偏置置 Balllasstinng rresiistoor 整整流电阻阻 Baall bonnd 球球形键合合 Bannd 能能带 BBandd gaap 能能带间隙隙 Barrrieer 势势垒 BBarrrierr laayerr 势垒垒层 Barrrieer wwidtth 势势垒宽度度 Baase 基极 Basse cconttactt 基区区接触 Basse sstreetchhingg 基区区扩展效效应 Basse ttrannsitt tiime
5、 基区渡渡越时间间 Baase traanspportt effficcienncy基基区输运运系数 Basse-wwidtth mmoduulattionn基区宽宽度调制制 Baasiss veectoor 基基矢 Biaas 偏偏置 BBilaaterral swiitchh 双向向开关 Binnaryy coode 二进制制代码BBinaary commpouund semmicoonduuctoor 二二元化合合物半导导体 Bippolaar 双双极性的的 Biipollar Junnctiion Traansiistoor (BJTT)双极极晶体管管 Blooch 布洛赫赫 Bllo
6、ckkingg baand 阻挡能能带 Bloockiing conntacct 阻阻挡接触触 Boody - ccenttereed 体体心立方方 Boddy-ccenttredd cuubicc sttruccturre 体体立心结结构 BBolttzmaann 波尔兹兹曼 Bonnd 键键、键合合 Boondiing eleectrron 价电子子 Bonndinng ppad 键合点点 Boootsstraap ccirccuitt 自举举电路 Boootsttrapppedd emmittter folllowwer 自举射射极跟随随器Booronn 硼 Borrosiiliccat
7、ee gllasss 硼硅硅玻璃 Bouundaary conndittionn 边界界条件 Bouund eleectrron 束缚电电子 BBreaadbooardd 模拟拟板、实实验板 Breeak dowwn 击击穿 BBreaak ooverr 转折折 Briilloouinn 布里里渊 BBrilllouuin zonne 布布里渊区区 Buiilt-in 内建的的 Buuildd-inn ellecttricc fiieldd 内建建电场 Bullk 体体/体内内 Buulk abssorpptioon 体体吸收 Bullk ggeneerattionn 体产产生 BBulkk
8、reecommbinnatiion 体复合合 Burrn - inn 老化化 Buurn outt 烧毁毁 Burriedd chhannnel 埋沟 Burriedd diiffuusioon rregiion 隐埋扩扩散区 Cann 外壳壳 Caapaccitaancee 电容容 Cappturre ccrosss ssecttionn 俘获获截面 Cappturre ccarrrierr 俘获获载流子子 Carrrieer 载载流子、载载波 CCarrry bbit 进位位位 Carrry-in bitt 进位位输入 Carrry-outt biit 进进位输出出 Casscadde 级
9、级联 CCasee 管壳壳 Catthodde 阴阴极 CCentter 中心 Cerramiic 陶陶瓷（的的） CChannnell 沟道道 Chaanneel bbreaakdoown 沟道击击穿 CChannnell cuurreent 沟道电电流 Chaanneel ddopiing 沟道掺掺杂 CChannnell shhortteniing 沟道缩缩短 Chaanneel wwidtth 沟沟道宽度度 Chharaacteerissticc immpeddancce 特特征阻抗抗 Chaargee 电荷荷、充电电 Chhargge-ccomppenssatiion efffect
10、ts 电电荷补偿偿效应 Chaargee coonseervaatioon 电电荷守恒恒 Chhargge nneuttrallityy coondiitioon 电电中性条条件 Chaargee drrivee/exxchaangee/shhariing/traansffer/stooragge 电电荷驱动动/交换换/共享享/转移移/存储储 Cheemmiicall ettchiing 化学腐腐蚀法 Cheemiccallly-PPoliish 化学抛抛光 Cheemmiicallly-Mecchannicaallyy Poolissh (CMPP) 化化学机械械抛光 Chiip 芯芯片 C
11、hiip yyielld 芯芯片成品品率 CClammpedd 箝位位 Claampiing dioode 箝位二二极管 Cleeavaage plaane 解理面面 Cloock ratte 时时钟频率率 Cllockk geenerratoor 时时钟发生生器 Cloock fliip-fflopp 时钟钟触发器器 Cllosee-paackeed sstruuctuure 密堆积积结构 Cloose-looop ggainn 闭环环增益 Colllecctorr 集电电极 Colllissionn 碰撞撞 Coompeensaatedd OPP-AMMP 补补偿运放放 Commmonn-
12、baase/colllecctorr/emmittter connnecctioon 共共基极/集电极极/发射射极连接接 Commmonn-gaate/draain/souurcee coonneectiion 共栅/漏/源源连接 Commmonn-moode gaiin 共共模增益益 Coommoon-mmodee innputt 共模模输入 Commmonn-moode rejjecttionn raatioo (CCMRRR) 共共模抑制制比 Commpattibiilitty 兼兼容性 Commpennsattionn 补偿偿 Commpennsatted imppuriitiees
13、补补偿杂质质 Coompeensaatedd seemiccondducttor 补偿半半导体 Commpleemenntarry DDarllinggtonn ciircuuit 互补达达林顿电电路 Commpleemenntarry MMetaal-OOxidde-SSemiiconnducctorr Fiieldd-Efffecct-TTrannsisstorr(CMMOS) 互补金金属氧化化物半导导体场效效应晶体体管 Commpleemenntarry eerroor ffuncctioon 余余误差函函数 Commputter-aidded dessignn (CCAD)/teest
14、(CATT)/mmanuufaccturre(CCAM) 计算算机辅助助设计/ 测试试 /制制 造 Commpouund Semmicoonduuctoor 化化合物半半导体 Connducctannce 电导 Connducctioon bbandd (eedgee) 导导带(底底) CCondducttionn leevell/sttatee 导带带态 Connducctorr 导体体 Coonduuctiivitty 电电导率 Connfigguraatioon 组组态 CConllombb 库仑仑 Connpleed CConffiguurattionn Deevicces 结构组组态
15、 CConsstannts 物理常常数 Connstaant eneergyy suurfaace 等能面面 Coonsttantt-soourcce ddifffusiion恒恒定源扩扩散 Conntacct 接接触 CConttamiinattionn 治污污 Conntinnuitty eequaatioon 连连续性方方程 CConttactt hoole 接触孔孔 Conntacct ppoteentiial 接触电电势 CConttinuuityy coondiitioon 连连续性条条件 Conntraa doopinng 反反掺杂 Conntroolleed 受受控的 Conn
16、verrterr 转换换器 CConvveyeer 传传输器 Coppperr innterrconnnecctioon ssysttem 铜互连连系统CCouppingg 耦合合 Covvaleent 共阶的的 Crrosssoveer 跨跨交 Criiticcal 临界的的 Crrosssundder 穿交 Cruucibble坩坩埚 CCrysstall deefecct/ffacee/orrienntattionn/laattiice 晶体缺缺陷/晶晶面/晶晶向/晶晶 格 Currrennt ddenssityy 电流流密度 Currvatturee 曲率率 Cutt offf 截截止
17、 CCurrrentt drriftt/diirvee/shhariing 电流漂漂移/驱驱动/共共享 Currrennt SSensse 电电流取样样 Cuurvaaturre 弯弯曲 Cusstomm innteggratted cirrcuiit 定定制集成成电路 Cyllinddriccal 柱面的的 Czoochrralsshiccrysstall 直立立单晶 Czoochrralsski tecchniiquee 切克克劳斯基基技术（CCz法直直拉晶体体J） Danngliing bonnds 悬挂键键 Daark currrennt 暗暗电流 Deaad ttimee 空载载时间
18、 Debbye lenngthh 德拜拜长度 De.broogliie 德德布洛意意 Deecdeeratte 减减速 Deccibeel (dB) 分贝贝 Deecodde 译译码 Deeep aacceeptoor lleveel 深深受主能能级 DDeepp doonorr leevell 深施施主能级级 Deeep iimpuuritty lleveel 深深度杂质质能级 Deeep ttrapp 深陷陷阱 Deffeatt 缺陷陷 Deggeneeratte ssemiiconnducctorr 简并并半导体体 Deegenneraacy 简并度度 Deggraddatiion 退化
19、 Deggreee Ceelsiius(cenntiggradde) /Keelviin 摄摄氏/开开氏温度度 Dellay 延迟 Dennsitty 密密度 Dennsitty oof sstattes 态密度度 Deepleetioon 耗耗尽 Depplettionn appprooximmatiion 耗尽近近似 DDeplletiion conntacct 耗耗尽接触触 Depplettionn deepthh 耗尽尽深度 Depplettionn efffecct 耗耗尽效应应 Depplettionn laayerr 耗尽尽层 DDeplletiion MOSS 耗尽尽MOSS
20、Depplettionn reegioon 耗耗尽区 Depposiitedd fiilm 淀积薄薄膜 Depposiitioon pproccesss 淀积积工艺 Dessignn ruuless 设计计规则 Diee 芯片片（复数数dicce） Dioode 二极管管 Dieelecctriic 介介电的 Dieelecctriic iisollatiion 介质隔隔离 Diffferrencce-mmodee innputt 差模模输入 Diffferrenttiall ammpliifieer 差差分放大大器 Diffferrenttiall caapaccitaancee 微分分电容
21、 Difffussed junnctiion 扩散结结 Difffussionn 扩散散 Diiffuusioon ccoeffficciennt 扩扩散系数数 Difffussionn coonsttantt 扩散散常数 Difffussiviity 扩散率率 Difffussionn caapaccitaancee/baarriier/currrennt/ffurnnacee 扩散散电容/势垒/电流/炉 Diggitaal ccirccuitt 数字字电路 Dippolee doomaiin 偶偶极畴 Dippolee laayerr 偶极极层 DDireect-couupliing 直接
22、耦耦合 Dirrectt-gaap ssemiiconnducctorr 直接接带隙半半导体 Dirrectt trranssitiion 直接跃跃迁 Disschaargee 放电电 Diiscrretee coompoonennt 分分立元件件 Disssippatiion 耗散 Disstriibuttionn 分布布 Disstriibutted cappaciitannce 分布电电容 DDisttribbuteed mmodeel 分分布模型型 Dissplaacemmentt 位移移 Diisloocattionn 位错错 Dommainn 畴 Donnor 施主 Donnor
23、exhhausstioon 施施主耗尽尽 Doopannt 掺掺杂剂 Dopped semmicoonduuctoor 掺掺杂半导导体 DDopiing conncenntraatioon 掺掺杂浓度度 Douublee-diiffuusivve MMOS(DMOOS)双双扩散MMOS. Driift 漂移 Driift fieeld 漂移电电场 Driift mobbiliity 迁移率率 Drry eetchhingg 干法法腐蚀 Dryy/weet ooxiddatiion 干/湿湿法氧化化 Doose 剂量 Dutty ccyclle 工工作周期期 Duual-in-linne ppa
24、ckkagee （DDIP） 双列直直插式封封装 Dynnamiics 动态 Dynnamiic ccharractteriistiics 动态属属性 Dynnamiic iimpeedannce 动态阻阻抗 Earrly efffectt 厄利利效应 Earrly faiilurre 早早期失效效 Efffecttivee maass 有效质质量 EEinssteiin rrelaatioon(sshipp) 爱爱因斯坦坦关系 Eleectrric Eraase Proograammaablee Reead Onlly MMemoory(E2PPROMM) 一一次性电电可擦除除只读存存储器
25、Eleectrrodee 电极极 Ellecttrommingggraatimm 电迁迁移 Eleectrron afffiniity 电子亲亲和势 Eleectrroniic -graade 电子能能 Eleectrron-beaam pphotto-rresiist expposuure 光致抗抗蚀剂的的电子束束曝光 Eleectrron gass 电子子气 EElecctroon-ggradde wwateer 电电子级纯纯水 Eleectrron traappiing cennterr 电子子俘获中中心 EElecctroon VVoltt (eeV) 电子伏伏 Eleectrrost
26、tatiic 静静电的 Eleemennt 元元素/元元件/配配件 Eleemenntall seemiccondducttor 元素半半导体 Elllipsse 椭椭圆 Elllipssoidd 椭球球 Emmittter 发射极极 Emiitteer-ccouppledd loogicc 发射射极耦合合逻辑EEmittterr-coouplled paiir 发发射极耦耦合对 Emiitteer ffollloweer 射射随器 Emppty bannd 空空带 Emiitteer ccrowwdinng eeffeect 发射极极集边（拥拥挤）效效应 Endduraancee teest
27、 =liife tesst 寿寿命测试试 Ennerggy sstatte 能能态 Eneergyy moomenntumm diiagrram 能量-动量(E-KK)图 Enhhanccemeent modde 增增强型模模式 Enhhanccemeent MOSS 增强强性MOOS EEnteeficc (低低)共溶溶的 Envviroonmeentaal ttestt 环境境测试 Epiitaxxiall 外延延的 Epiitaxxiall laayerr 外延延层 EEpittaxiial sliice 外延片片 Exppitaaxy 外延 Equuivaalennt ccurccui
28、tt 等效效电路 Equuiliibriium majjoriity /miinorrityy caarriierss 平衡衡多数/少数载载流子 Eraasabble Proograammaablee ROOM (EPRROM)可搽取取（编程程）存储储器 Errror funnctiion commpleemennt 余余误差函函数 Etcch 刻刻蚀 EEtchhantt 刻蚀蚀剂 Etcchinng mmaskk 抗蚀蚀剂掩模模 Exxcesss ccarrrierr 过剩剩载流子子 Exccitaatioon eenerrgy 激发能能 Exxcitted staate 激发态态 Exc
29、citoon 激激子 EExtrrapoolattionn 外推推法 Exttrinnsicc 非本本征的 Exttrinnsicc seemiccondducttor 杂质半半导体 Facce - ceenteeredd 面心心立方 Falll ttimee 下降降时间 Fann-inn 扇入入 Faan-oout 扇出 Fasst rrecooverry 快快恢复 Fasst ssurffacee sttatees 快快界面态态 Feeedbaack 反馈 Ferrmi levvel 费米能能级 Ferrmi-Dirrac Disstriibuttionn 费米米-狄拉拉克分布布 Feem
30、i pottenttiall 费米米势 Ficck eequaatioon 菲菲克方程程（扩散散） FFielld eeffeect traansiistoor 场场效应晶晶体管 Fieeld oxiide 场氧化化层 FFillled bannd 满满带 Fillm 薄薄膜 FFlassh mmemoory 闪烁存存储器 Flaat bbandd 平带带 Fllat pacck 扁扁平封装装 Fliickeer nnoisse 闪闪烁（变变）噪声声 Fllip-floop ttogggle 触发器器翻转 Flooatiing gatte 浮浮栅 FFluooridde eetchh 氟化化氢
31、刻蚀蚀 Forrbidddenn baand 禁带 Forrwarrd bbiass 正向向偏置 Forrwarrd bblocckinng /connducctinng正向向阻断/导通 Freequeencyy deeviaatioon nnoisse频率率漂移噪噪声 Freequeencyy reespoonsee 频率率响应 Funnctiion 函数 Gaiin 增增益 GGallliumm-Arrsennidee(GaaAs) 砷化化钾 Gammy rray r 射射线 GGatee 门、栅栅、控制制极 Gatte ooxidde 栅栅氧化层层 Gaausss（iaan） 高斯 Ga
32、uussiian disstriibuttionn prrofiile 高斯掺掺杂分布布Genneraatioon-rrecoombiinattionn 产生生-复合合 Geoomettriees 几几何尺寸寸 Geermaaniuum(GGe) 锗 Graadedd 缓变变的 GGradded (grraduual) chhannnel 缓变沟沟道 Graadedd juuncttionn 缓变变结 GGraiin 晶晶粒 Graadieent 梯度 Groown junnctiion 生长结结 Guaard rinng 保保护环 Gummmell-Pooom moddel 葛谋-潘 模模型
33、 Gunnn - efffecct 狄狄氏效应应 Harrdenned devvicee 辐射射加固器器件 HHeatt off foormaatioon 形形成热 Heaat ssinkk 散热热器、热热沉 HHeavvy/llighht hholee baand 重/轻轻 空穴穴带 Heaavy satturaatioon 重重掺杂 Helll - efffecct 霍霍尔效应应 Hetteroojunnctiion 异质结结 Heeterrojuuncttionn sttruccturre 异异质结结结构 Hetteroojunnctiion Bippolaar TTrannsissto
34、rr（HBBT）异异质结双双极型晶晶体 Higgh ffielld pproppertty 高高场特性性 Higgh-pperfformmancce MMOS.( HH-MOOS)高高性能MMOS. Hoormaalizzed 归一化化 Horrizoontaal eepittaxiial reaactoor 卧卧式外延延反应器器 Hoot ccarrriorr 热载载流子 Hybbridd innteggrattionn 混合合集成 Imaage - fforcce 镜镜象力 Imppactt ioonizzatiion 碰撞电电离 Imppedaancee 阻抗抗 Immperrfecct
35、 sstruuctuure 不完整整结构 Impplanntattionn doose 注入剂剂量 IImpllantted ionn 注入入离子 Imppuriity 杂质 Imppuriity scaatteerinng 杂杂志散射射 Inccremmenttal ressisttancce 电电阻增量量（微分分电阻）IIn-cconttactt maask 接触式式掩模 Inddiumm tiin ooxidde (ITOO) 铟铟锡氧化化物 IInduucedd chhannnel 感应沟沟道 Inffrarred 红外的的 Innjecctioon 注注入 Inpput offfse
36、tt vooltaage 输入失失调电压压 Innsullatoor 绝绝缘体 Inssulaatedd Gaate FETT(IGGFETT)绝缘缘栅FEET IInteegraatedd innjecctioon llogiic集成成注入逻逻辑 Inttegrratiion 集成、积积分 IInteercoonneectiion 互连 Inttercconnnecttionn tiime dellay 互连延延时 IInteerdiigittateed sstruuctuure 交互式式结构 Intterffacee 界面面 Innterrferrencce 干干涉 Intternnati
37、ionaal ssysttem of uniionss国际单单位制 Intternnallly sscattterringg 谷间间散射 Intterppolaatioon 内内插法 Inttrinnsicc 本征征的 Inttrinnsicc seemiccondducttor 本征半半导体 Invversse ooperratiion 反向工工作 Invverssionn 反型型 Innverrterr 倒相相器 Ionn 离子子 Ioon bbeamm 离子子束 Ionn ettchiing 离子刻刻蚀 IIon impplanntattionn 离子子注入 Ionnizaatioon
38、电电离 IIoniizattionn ennerggy 电电离能 Irrradiiatiion 辐照 Isoolattionn laand 隔离岛岛 Isootroopicc 各向向同性 Junnctiion FETT(JFFET) 结型型场效应应管 JJuncctioon iisollatiion 结隔离离 Junnctiion spaacinng 结结间距 Junnctiion sidde-wwalll 结侧侧壁 Lattch up 闭锁 Latteraal 横横向的 Lattticce 晶晶格 LLayoout 版图 Lattticce bbinddingg/ceell/connstaa
39、nt/deffectt/diistoortiion 晶格结结合力/晶胞/晶格/晶格常常熟 /晶格格缺陷/晶格畸畸变 Leaakagge ccurrrentt （泄泄）漏电电流 LLeveel sshifftinng 电电平移动动 Liffe ttimee 寿命命 liineaaritty 线线性度 Linnkedd boond 共价键键 Liiquiid NNitrrogeen 液液氮 Liqquiddphhasee eppitaaxiaal ggrowwth tecchniiquee 液相相外延生生长技术术 Litthoggrapphy 光刻 Ligght Emiittiing Dioode
40、(LEDD) 发发光二极极管 Loaad llinee orr Vaariaablee 负载载线 LLocaatinng aand Wirringg 布局局布线 Lonngittudiinall 纵向向的 LLogiic sswinng 逻逻辑摆幅幅 Lorrenttz 洛洛沦兹 Lummpedd moodell 集总总模型 Majjoriity carrrieer 多多数载流流子 MMaskk 掩膜膜板，光光刻板 Massk lleveel 掩掩模序号号 Maask sett 掩模模组 Masss - acctioon llaw质质量守恒恒定律 Massterr-sllavee D flii
41、p-fflopp主从DD触发器器 Mattchiing 匹配 Maxxwelll 麦麦克斯韦韦 Meaan ffreee paath 平均自自由程 Meaandeeredd emmittter junnctiion梳梳状发射射极结 Meaan ttimee beeforre ffailluree (MMTBFF) 平平均工作作时间 Meggetoo - ressisttancce 磁磁阻 MMesaa 台面面 MESSFETT-Meetall Seemiccondducttor金金属半导导体FEET Mettalllizaatioon 金金属化 Miccroeelecctroonicc tee
42、chnniquue 微微电子技技术 Miccroeelecctrooniccs 微微电子学学 Miilleen iindiicess 密勒勒指数 Minnoriity carrrieer 少少数载流流子 MMisffit 失配 Missmattchiing 失配 Mobbilee ioons 可动离离子 Mobbiliity 迁移率率 Moodulle 模模块 Moddulaate 调制 Mollecuularr crrysttal分分子晶体体 Monnoliithiic IIC 单单片ICC MOOSFEET金属属氧化物物半导体体场效应应晶体管管 Moss. TTrannsisstorr(M
43、OOST )MOOS. 晶体管管 Muultiipliicattionn 倍增增 Moddulaatorr 调制制 Muultii-chhip IC 多芯片片IC Mullti-chiip mmoduule(MCMM) 多多芯片模模块 MMulttipllicaatioon ccoeffficciennt倍增增因子 Nakked chiip 未未封装的的芯片（裸裸片） Neggatiive feeedbaack 负反馈馈 Neggatiive ressisttancce 负负阻 NNesttingg 套刻刻 Neggatiive-temmperratuure-coeeffiicieent 负温
44、度度系数 Noiise marrginn 噪声声容限 Nonnequuiliibriium 非平衡衡 Noonroolattilee 非挥挥发（易易失）性性 Norrmallly offf/onn 常闭闭/开 Nummeriicall annalyysiss 数值值分析 Occcupiied bannd 满满带 OOffiicieenayy 功率率 Offfsett 偏移移、失调调 Onn sttanddby 待命状状态 Ohmmic conntacct 欧欧姆接触触 Oppen cirrcuiit 开开路 Opeerattingg poointt 工作作点 OOperratiing biaa
45、s 工工作偏置置 Opeerattionnal amppliffierr (OOPAMMP)运运算放大大器 Optticaal pphotton =phhotoon 光光子 OOptiicall quuencchinng光猝猝灭 Optticaal ttrannsittionn 光跃跃迁 OOptiicall-coouplled isoolattor光光耦合隔隔离器 Orgganiic ssemiiconnducctorr有机半半导体 Oriienttatiion 晶向、定定向 Outtlinne 外外形 OOut-of-conntacct mmaskk非接触触式掩模模 Outtputt chharaacteerissticc 输出出特性 Outtputt vooltaage swiing 输出电电压摆幅幅 Oveercoompeensaatioon 过过补偿 Oveer-ccurrrentt prrote