模拟电子技术基础模拟综合试卷附答案.docx

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1、模拟综合试卷12答案一, 填空24分,每空1分1半导体中存在两种载流子,分别为 电子与 空穴 。杂质半导体分为两种,分别为 N型半导体 与 P型半导体 。2, 双极性晶体三极管工作于放大模式的外部条件是 放射结正偏,集电结反偏 。3从信号的传输途径看,集成运放由 输入级 , 中间级 , 输出级 , 偏置电路 这几个局部组成。4某放大器的下限角频率,上限角频率,那么带宽为-/2 Hz。5共放射极电路中接受恒流源做有源负载是利用其 沟通电阻大 的特点以获得较高增益。6在RC桥式正弦波振荡电路中,当满足相位起振条件时,那么其中电压放大电路的放大倍数要略大于 3 才能起振。7电压比拟器工作时,在输入电

2、压从足够低慢慢增大到足够高的过程中,单限比拟器的输出状态发生 1 次跃变,迟滞比拟器的输出状态发生 1 次跃变。8, 乙类推挽放大器的主要失真是 交越失真 ,要消退此失真,应改用 甲乙 类推挽放大器。9, 负反应系统产生自激的条件是 ,相应的振幅条件是,相位条件是。10, 假设三级放大电路中AU1=AU2=30dB,AU3=20dB,那么其总电压增益为 80 dB,折合为 104 倍。11, 差分放大电路,假设两个输入信号uI1=uI2,那么输出电压,uO= 0 mV;假设u I1=100mV,u I 2=80mV那么差模输入电压uId= 20 mV;共模输入电压uIc= 90 mV。二, 按

3、要求选其中正确的一项填入括号26分,每题2分1当环境温度上升时,二极管的反向饱与电流Is将增大,是因为此时PN结内部的。 BA 多数载流子浓度增大 B少数载流子浓度增大C多数载流子浓度减小 D少数载流子浓度减小2, 晶体三极管的各极电流是由 C 形成的。A, 多数载流子 B, 少数载流子 C, 两种载流子 D, 热运动3, 假设要提高某放大器的输入电阻且使输出电压稳定,可以参加以下负反应:( B )A, 电流串联 B, 电压串联 C, 电流并联 D, 电压并联4, 在某放大电路中,测的三极管三个电极的静态电位分别为12V,V,3V,那么它是 A 。ANPN 型硅管 B.NPN 型锗管 C.PN

4、P 型硅管 D.PNP 型锗管5.RC桥式正弦波振荡电路由两局部电路组成,即RC串并联选频网络与 D 。A, 根本共射放大电路 B, 根本共集放大电路C, 反相比例运算电路 D, 同相比例运算电路6, 干脆耦合放大电路存在零点漂移的缘由主要是 C 。 A 电阻阻值有误差 B 晶体管参数的分散性 C 晶体管参数受温度影响 D 受输入信号变更的影响7, 某只硅稳压管的稳定电压Vz = 4v,其两端施加的电压分别为+5v正向偏置与5v反向偏置时,稳压管两端的最终电压分别为 D 。8, 差分放大电路的长尾电阻的主要功能是 A ,而提高共模抑制比。A 抑制共模信号; B 抑制差模信号;C 放大共模信号;

5、 D既抑制共模信号又抑制差模信号;9, 组合放大电路的输出级接受射极输出方式是为了使 D 。 A 电压放大倍数高 B 输出电流小 C 输出电阻增大 D 带负载实力强10, 由NPN型三极管组成的根本共射放大电路的静态工作点设置不当时,输出波形简洁产生失真,Q点偏高时的失真叫做 失真,对应的输出电压波形将出现 失真。 B A 饱与;顶部 B 饱与;底部 C 截止;底部 D 截止;顶部11, 当我们想要放大频率为10KHZ以上的信号时,应接受 B 滤波器。A, 低通 B, 高通 C, 带阻 D, 带通0iD/mA-4 uGS/V512, 石英晶体振荡频率稳定的缘由是 B A 体积小 B 品质因数高

6、 C 振荡频率高 D 有两个振荡频率13, 某场效应管的转移特性如下图,该管为 D 。AP沟道增加型MOS管 B, P沟道结型场效应管 C, N沟道增加型MOS管 D, N沟道耗尽型MOS管三 , 电路分析16分1, 推断图,图3.1.2电路的反应极性与组态6分 图瞬时极性标图1上 瞬时极性标图2上 电流并联负 反应 电压串联负反应+VCCR2R1+C12, 推断电路工作状况10分1图电路如以下图示,请答复以下问题:图1电路无填有或无放大作用。简洁说明理由:因电容隔直作用,该电路中基极静态偏置电流为零,所以放大电路处于截止状态,无法对沟通信号进展放大。 图2图电路如以下图示,试推断各三极管分别

7、工作在截止区, 放大区还是饱与区,并说明理由。 图解:图A, 晶体管为PNP,因放射结正偏, 集电结反偏,所以三级管工作在放大区; 图B, 晶体管为NPN,因放射结反偏, 集电结反偏,所以三级管工作在截止区; 图C, 晶体管为PNP,因放射结正偏, 集电结偏置电压为零伏,所以三级管工作在临界饱与区;四, 电路分析与计算34分1, 如以下图所示的电压串联负反应电路中,假设集成运放的开环电压放大倍数A=100000,电阻R1 = 2K,RF = 18K。15分1)估算反应系数与反应深度;2)估算闭环放大倍数;3)假如开环电压放大倍数的相对变更量为10%,求闭环电压放大倍数的相对变更量。解:该电路为电压串联负反应电路,1反应系数为;反应深度为。2因反应类型为电压串联负反应,所以闭环放大倍数即为闭环电压放大倍数。3因,所以闭环电压放大倍数的相对变更量为C2Ui-+RL+VCCRCRbC1UO2, 以下图示放大电路中,三极管的, ,, ,。12分1试估算静态工作点;2计算三极管的值;3求出中频时的电压放大倍数, 输入电阻与输出电阻; 解:1 2 3中频时的电压放大倍数, 输入电阻与输出电阻为 微变等效电路不供应3, 试推导图4.3反相输入求与电路的求与表达式。7分A+-RLRVI2VI1R1R2RfVo解:设上电流为,上电流为,上电流为。依据“虚断可得 依据“虚短可得 推导可得:第 5 页

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