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1、精选优质文档-倾情为你奉上模拟综合试卷12答案一、填空（24分，每空1分）1半导体中存在两种载流子，分别为 电子和 空穴 。杂质半导体分为两种，分别为 N型半导体 和 P型半导体 。2、双极性晶体三极管工作于放大模式的外部条件是 发射结正偏，集电结反偏 。3从信号的传输途径看，集成运放由 输入级 、中间级 、 输出级 、偏置电路 这几个部分组成。4某放大器的下限角频率，上限角频率，则带宽为（-）/2 Hz。5共发射极电路中采用恒流源做有源负载是利用其 交流电阻大 的特点以获得较高增益。6在RC桥式正弦波振荡电路中，当满足相位起振条件时，则其中电压放大电路的放大倍数要略大于 3 才能起振。7电压
2、比较器工作时，在输入电压从足够低逐渐增大到足够高的过程中，单限比较器的输出状态发生 1 次跃变，迟滞比较器的输出状态发生 1 次跃变。8、乙类推挽放大器的主要失真是 交越失真 ，要消除此失真，应改用 甲乙 类推挽放大器。9、负反馈系统产生自激的条件是 ，相应的振幅条件是，相位条件是。10、若三级放大电路中AU1=AU2=30dB，AU3=20dB，则其总电压增益为 80 dB，折合为 104 倍。11、差分放大电路，若两个输入信号uI1=uI2，则输出电压，uO= 0 mV；若u I1=100mV，u I 2=80mV则差模输入电压uId= 20 mV；共模输入电压uIc= 90 mV。二、按
3、要求选其中正确的一项填入括号（26分，每小题2分）1当环境温度升高时，二极管的反向饱和电流Is将增大，是因为此时PN结内部的。（ B）A 多数载流子浓度增大 B少数载流子浓度增大C多数载流子浓度减小 D少数载流子浓度减小2、晶体三极管的各极电流是由（ C ）形成的。A、多数载流子 B、少数载流子 C、两种载流子 D、热运动3、若要提高某放大器的输入电阻且使输出电压稳定，可以加入下列负反馈：( B )A、电流串联 B、电压串联 C、电流并联 D、电压并联4、在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为12V，3.7V，3V，则它是（ A ）。ANPN 型硅管 B.NPN 型锗管 C.PNP
4、 型硅管 D.PNP 型锗管5.RC桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC串并联选频网络和（ D ）。A、基本共射放大电路 B、基本共集放大电路C、反相比例运算电路 D、同相比例运算电路6、直接耦合放大电路存在零点漂移的原因主要是（ C ）。 A 电阻阻值有误差 B 晶体管参数的分散性 C 晶体管参数受温度影响 D 受输入信号变化的影响7、 某只硅稳压管的稳定电压Vz = 4v，其两端施加的电压分别为+5v（正向偏置）和5v（反向偏置）时，稳压管两端的最终电压分别为（ D ）。A +5v和-5v B -5v和+4v C +4v和-0.7v D +0.7v和-4v8、差分放大电路的长尾电阻的
5、主要功能是（ A ），而提高共模抑制比。A 抑制共模信号； B 抑制差模信号；C 放大共模信号； D既抑制共模信号又抑制差模信号；9、组合放大电路的输出级采用射极输出方式是为了使（ D ）。 A 电压放大倍数高 B 输出电流小 C 输出电阻增大 D 带负载能力强10、由NPN型三极管组成的基本共射放大电路的静态工作点设置不当时，输出波形容易产生失真，Q点偏高时的失真叫做 失真，对应的输出电压波形将出现 失真。（ B ）A 饱和；顶部 B 饱和；底部 C 截止；底部 D 截止；顶部11、当我们想要放大频率为10KHZ以上的信号时，应采用（ B ）滤波器。A、低通 B、高通 C、带阻 D、带通0i
6、D/mA-4 uGS/V512、石英晶体振荡频率稳定的原因是（ B ）A 体积小 B 品质因数高 C 振荡频率高 D 有两个振荡频率13、某场效应管的转移特性如图所示，该管为（ D ）。AP沟道增强型MOS管 B、P沟道结型场效应管 C、N沟道增强型MOS管 D、N沟道耗尽型MOS管三 、电路分析（16分）1、判断图3.1.1，图3.1.2电路的反馈极性与组态（6分） 图3.1.1 图3.1.2（瞬时极性标图1上） （瞬时极性标图2上） 电流并联负 反馈 电压串联负反馈+VCCR2R1+C12、判断电路工作状况（10分）（1）图3.2.1电路如下图示，请回答问题：图1电路无（填有或无）放大作用
7、。简单说明理由：因电容隔直作用，该电路中基极静态偏置电流为零，所以放大电路处于截止状态，无法对交流信号进行放大。 图3.2.1（2）图3.2.2电路如下图示，试判断各三极管分别工作在截止区、放大区还是饱和区，并说明理由。 图3.2.2解：图A、晶体管为PNP，因发射结正偏、集电结反偏，所以三级管工作在放大区； 图B、晶体管为NPN，因发射结反偏、集电结反偏，所以三级管工作在截止区； 图C、晶体管为PNP，因发射结正偏、集电结偏置电压为零伏，所以三级管工作在临界饱和区；四、电路分析和计算（34分）1、如下图所示的电压串联负反馈电路中，假设集成运放的开环电压放大倍数A=，电阻R1 = 2K，RF
8、= 18K。（15分）1)估算反馈系数和反馈深度；2)估算闭环放大倍数；3)如果开环电压放大倍数的相对变化量为10%，求闭环电压放大倍数的相对变化量。 图4.1解：该电路为电压串联负反馈电路，1）反馈系数为；反馈深度为。2）因反馈类型为电压串联负反馈，所以闭环放大倍数即为闭环电压放大倍数。3）因，所以闭环电压放大倍数的相对变化量为C2Ui-+RL+VCCRCRbC1UO2、下图示放大电路中，已知三极管的， ，、，。（12分）（1）试估算静态工作点；（2）计算三极管的值；（3）求出中频时的电压放大倍数、输入电阻和输出电阻；图4.2 解：（1） （2） （3）中频时的电压放大倍数、输入电阻和输出电阻为 （微变等效电路不提供） 3、试推导图4.3反相输入求和电路的求和表达式。（7分）A+-RLRVI2VI1R1R2RfVo解：设上电流为，上电流为，上电流为。根据“虚断”可得 根据“虚短”可得 推导可得： 图4.3专心-专注-专业