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1、模拟电子技术基础模拟综合试卷 12(附答案)最新好资料推荐-如有侵权请联系网站删除模拟综合试卷模拟综合试卷 1212 答案答案一、填空（24 分，每空 1 分）1半导体中存在两种载流子，分别为 电子和 空穴。杂质半导体分为两种，分别为 N 型半导体 和 P 型半导体。2、双极性晶体三极管工作于放大模式的外部条件是 发射结正偏，集电结反偏。3从信号的传输途径看，集成运放由 输入级、中间级、输出级、偏置电路 这几个部分组成。4某放大器的下限角频率L，上限角频率H，则带宽为（H-L）/2 Hz。5共发射极电路中采用恒流源做有源负载是利用其 交流电阻大 的特点以获得较高增益。6在 RC 桥式正弦波振荡
2、电路中，当满足相位起振条件时，则其中电压放大电路的放大倍数要略大于 3 才能起振。7电压比较器工作时，在输入电压从足够低逐渐增大到足够高的过程中，单限比较器的输出状态发生 1 次跃变，迟滞比较器的输出状态发生 1 次跃变。8、乙类推挽放大器的主要失真是 交越失真，要消除此失真，应改用 甲乙 类推挽放大器。9、负反馈系统产生自激的条件是。10、若三级放大电路中 AU1=AU2=30dB，AU3=20dB，则其总电压增益为 80 dB，折合为 10倍。11、差分放大电路，若两个输入信号uI1=uI2，则输出电压，uO=0V；若u I1=100V，u I2，相应的振幅条件是，相位条件是4=80V 则
3、差模输入电压uId=20V；共模输入电压uIc=90 V。二、按要求选其中正确的一项填入括号（26 分，每小题 2 分）1当环境温度升高时，二极管的反向饱和电流 Is将增大，是因为此时 PN 结内部的。（B）A 多数载流子浓度增大 B 少数载流子浓度增大C 多数载流子浓度减小 D 少数载流子浓度减小2、晶体三极管的各极电流是由（C）形成的。A、多数载流子 B、少数载流子 C、两种载流子 D、热运动3、若要提高某放大器的输入电阻且使输出电压稳定，可以加入下列负反馈：(B)A、电流串联 B、电压串联 C、电流并联 D、电压并联4、在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为 12V，3.7V
4、，3V，则它是（A）。ANPN 型硅管 B.NPN 型锗管 C.PNP 型硅管 D.PNP 型锗管精品好资料-如有侵权请联系网站删除最新好资料推荐-如有侵权请联系网站删除5.RC桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC串并联选频网络和（D）。A、基本共射放大电路 B、基本共集放大电路C、反相比例运算电路 D、同相比例运算电路6、直接耦合放大电路存在零点漂移的原因主要是（C）。A 电阻阻值有误差 B 晶体管参数的分散性C 晶体管参数受温度影响 D 受输入信号变化的影响7、某只硅稳压管的稳定电压 Vz=4v，其两端施加的电压分别为+5v（正向偏置）和5v（反向偏置）时，稳压管两端的最终电压分别为
5、（D）。A +5v 和-5v B -5v 和+4v C +4v 和-0.7v D +0.7v 和-4v8、差分放大电路的长尾电阻的主要功能是（A），而提高共模抑制比。A抑制共模信号；B 抑制差模信号；C 放大共模信号；D 既抑制共模信号又抑制差模信号；9、组合放大电路的输出级采用射极输出方式是为了使（D）。A电压放大倍数高 B输出电流小 C输出电阻增大 D带负载能力强10、由 NPN 型三极管组成的基本共射放大电路的静态工作点设置不当时，输出波形容易产生失真，Q 点偏高时的失真叫做失真，对应的输出电压波形将出现失真。（B）A 饱和；顶部 B饱和；底部 C截止；底部 D截止；顶部11、当我们想要
6、放大频率为 10KHZ 以上的信号时，应采用（B）滤波器。A、低通 B、高通 C、带阻 D、带通12、石英晶体振荡频率稳定的原因是（B）A 体积小 B品质因数高 C 振荡频率高 D 有两个振荡频率13、某场效应管的转移特性如图所示，该管为（D）。AP 沟道增强型 MOS 管 B、P 沟道结型场效应管C、N 沟道增强型 MOS 管 D、N 沟道耗尽型 MOS 管三、电路分析（16 分）-40iD/mA5uGS/V精品好资料-如有侵权请联系网站删除最新好资料推荐-如有侵权请联系网站删除1、判断图 3.1.1，图 3.1.2 电路的反馈极性与组态（6 分）图 3.1.1图 3.1.2（瞬时极性标图
7、1 上）（瞬时极性标图 2 上）电流并联负 反馈电压串联负反馈2、判断电路工作状况（10 分）+VCC（1）图 3.2.1 电路如下图示，请回答问题：图 1 电路无（填有或无）放大作用。简单说明理由：R2因电容隔直作用，该电路中基极静态偏置R1电流为零，所以放大电路处于截止状态，+无法对交流信号进行放大。C1图 3.2.1（2）图 3.2.2 电路如下图示，试判断各三极管分别工作在截止区、放大区还是饱和区，并说明理由。图 3.2.2解：图 A、晶体管为 PNP，因发射结正偏、集电结反偏，所以三级管工作在放大区；图 B、晶体管为 NPN，因发射结反偏、集电结反偏，所以三级管工作在截止区；图 C、
8、晶体管为 PNP，因发射结正偏、集电结偏置电压为零伏，所以三级管工作在临界饱和区；四、电路分析和计算（34 分）精品好资料-如有侵权请联系网站删除最新好资料推荐-如有侵权请联系网站删除1、如下图所示的电压串联负反馈电路中，假设集成运放的开环电压放大倍数 A=100000，电阻 R1=2K，RF=18K。（15 分）1)估算反馈系数和反馈深度；2)估算闭环放大倍数；3)如果开环电压放大倍数的相对变化量为10%，求闭环电压放大倍数的相对变化量。图 4.1解：该电路为电压串联负反馈电路，R12 0.1；反馈深度为1 AF 10000。1）反馈系数为F R1 RF2182）因反馈类型为电压串联负反馈，
9、所以闭环放大倍数即为闭环电压放大倍数。A100000Af101 AF11000000.1dA3）因 10%，所以闭环电压放大倍数的相对变化量为AdAf1dA1(10%)0.001%Af1 AF A11000000.12、下图示放大电路中，已知三极管的100，rbb 300，Rb 560k、RC 3k，VCC12V，RL 3k。（12 分）+VCCRbC1+Ui-图 4.2+RCC2+RLUO（1）试估算静态工作点；（2）计算三极管的rbe值；（3）求出中频时的电压放大倍数、输入电阻和输出电阻；精品好资料-如有侵权请联系网站删除最新好资料推荐-如有侵权请联系网站删除解：（1）IBQVCCUBEQ
10、Rb ICQUCEQVCC12V 0.02mAICQIBQ1000.02 2mA560K RC12 23 6V2626 300 1011.6KIEQ2（2）rbe rbb(1)（3）中频时的电压放大倍数、输入电阻和输出电阻为（微变等效电路不提供）RL3K/3K 100 94Ri Rb/rbe 560K/1.6K 1.6KAu rbe1.6KRO RC 3K3、试推导图 4.3 反相输入求和电路的求和表达式。（7 分）解：设R1上电流为I1，R2上电流为I2，Rf上电流为If。根据“虚断”可得I1 I2 If根据“虚短”可得UU 0V推导可得：RfRfvvvi1i2 ovo(vi1vi2)R1R2RfR1R2R1VI1VI2R2Rf-+RRLVoA A图 4.3精品好资料-如有侵权请联系网站删除