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1、太阳电池用多晶硅片（G B/T 2 90 55-2 0 12）链接：w w w.c h i n a-n e n g y u a n.c o m/t e c h/6 916 3.h t m l 来源：新能源网 c h i n a-n e n g y u a n.c o m太阳电池用多晶硅片（G B/T 2 90 55-2 0 12）前言 本标准按照G B/T 1.1-2 0 0 9给出的规则起草。本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会（SA C/T C 2 0 3/SC 2)归口。本标准起草单位：江西赛维LD K 太阳能高科技有限公司、宁波晶元太阳能有限公司、无锡尚德太阳能
2、电力有限公司。本标准主要起草人：万跃鹏、唐骏、孙世龙、游达、朱华英、刘林艳、段育红。1范围 本标准规定了太阳电池用多晶硅片的术语定义、符号及缩略语、产品分类、技术要求、试验方法、检测规则以及标志、包装、运输、贮存等。本标准适用于铸锭多晶切片垂直于长晶方向生产的太阳电池用多晶硅片。2 规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。G B/T 1550 非本征半导体材料导电类型测试方法 G B/T 1551硅单晶电阻率测定方法 G B/T 2 8 2 8.1计数抽样检验程序
3、第1部分：按接收质量限（A Q L)检索的逐批检验抽样计划 G B/T 6 6 16 半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法非接触涡流法 G B/T 6 6 18 硅片厚度和总厚度变化测试方法 G B/T 6 6 19硅片弯曲度测试方法 G B/T 142 6 4半导体材料术语 G B/T 2 90 54太阳能级铸造多晶硅块 SEM I M F1535用微波反射非接触光电导衰减方法测试硅晶片载流子复合寿命的方法 3术语和定义 G B/T 142 6 4界定的以及下列术语和定义适用于本文件。3.1 密集线痕d e n s e s a w m a r k 硅块切割时，在硅片表面留下的密集型划痕。
4、4外形尺寸分类 页面 1/5太阳电池用多晶硅片（G B/T 2 90 55-2 0 12）链接：w w w.c h i n a-n e n g y u a n.c o m/t e c h/6 916 3.h t m l 来源：新能源网 c h i n a-n e n g y u a n.c o m 太阳电池用多晶硅片的规格系列见表1，在表1中未列出的尺寸规格要求由供需双方协商。5要求 5.1表面质量 5.1.1硅片外观要求表面洁净，无沽污、色斑、目视裂纹、孔洞等目视缺陷。5.1.2 硅片表面允许有深度0.5m m，长度1.0 m m 的崩边缺陷整片2 处，不允许“v 型缺角的崩边缺陷。5.1.
5、3硅片允许有深度0.3m m 的边缘缺陷，并且边缘缺陷的单边累积长度应 10 m m。5.1.4硅片表面允许存在长度10 m m 的范围内晶粒的数量10 个。5.2 尺寸规格 太阳电池用多晶硅片的尺寸偏差应符合表2 的要求，如用户有特殊要求时，由供需双方协商。5.3性能 5.3.1电阻率：范围为（0.5-3.0)c m，或由供需双方协商。5.3.2 导电类型:P2 9或由供需双方协商。5.3.3间隙氧浓度：间隙氧浓度应小于8 10 17 a t o m s/c m 3，或由供需双方协商。5.3.4代位碳浓度：代位碳含量应小于510 17 a t o m s/c m 3，或由供需双方协商。页面
6、2 /5太阳电池用多晶硅片（G B/T 2 90 55-2 0 12）链接：w w w.c h i n a-n e n g y u a n.c o m/t e c h/6 916 3.h t m l 来源：新能源网 c h i n a-n e n g y u a n.c o m 5.3.5少子寿命：平均少子寿命应大于1 s，或由供需双方协商。6 试验方法 6.1表面质量：在430 l x 一6 50 l x 光强度的荧光灯或乳白灯下目视进行。6.2 外形尺寸：用游标卡尺或相应精度的量具进行。6.3厚度测量及T T V测量按G B/T 6 6 18 进行。6.4弯曲度检验按G B/T 6 6 1
7、9进行，或由供需双方协商。6.5相邻两边的垂直度：用万能角尺或相应精度的量具进行。6.6 线痕深度取单条线痕最大处用表面粗糙度侧试仪在垂直线痕左右5m m 范围内测量该线痕的极差值（Ry)，当存在多条线痕时应进行多次测量取最大值。6.7 电阻率检验按G B/T 1551或G B/T 6 6 16 进行。6.8 导电类型检验按G B/T 1550 进行。6.9间隙氧浓度的检验参考G B/T 2 90 54中太阳能级铸造多晶硅块的间隙氧含量的测量结果。6.10 代位碳浓度的检验参考G B/T 2 90 54中太阳能级铸造多晶硅块的代位碳含量的测量结果。6.11少子寿命的检验参考太阳能级铸造多晶硅块
8、少子寿命的测量结果或SEM IM F1535中太阳能级铸造多晶硅片的载流子复合寿命的测量结果。7 检验规则 7.1检验和验收 7.1.1产品应由供方技术（质量）监督部门进行检验，保证产品质量符合本标准的规定，并填写产品质量保证书。7.1.2 需方可对收到的产品按本标准（或订货合同）进行检验，若检验结果与本标准（或订货合同）的规定不符时，应在收到产品之日起三个月内向供方提出，由供需双方协商解决。7.2 组批 每批应由相同尺寸和相同电阻率范围硅片组成。7.3检验项目 硅片检验的项目有：导电类型、电阻率范围、表面质量、外形和几何尺寸等。7.4抽样及检验结果的判定 硅片抽样按G B/T2 8 2 8.
9、1正常检查一次抽样方案进行，具体的抽样项目、检查水平和合格质量水平如表3所示，或由供需双方商定。页面 3/5太阳电池用多晶硅片（G B/T 2 90 55-2 0 12）链接：w w w.c h i n a-n e n g y u a n.c o m/t e c h/6 916 3.h t m l 来源：新能源网 c h i n a-n e n g y u a n.c o m 8 标志、包装、运输和贮存 8.1标志、包装 8.1.1产品封装于相应规格包装盒及包装箱内，并在包装盒、箱内填满具有减震作用的填充物，防止硅片和包装盒松动。特殊包装由供需双方协商。8.1.2 包装箱外应标有“小心轻放”、
10、“防腐”、“防潮”字样或标志，并注明：a)需方名称，地点；b）产品名称及规格；c)产品毛重、净重；d)产品件数；e)供方名称。8.2 运输、贮存 8.2.1产品在运输过程中应轻装轻卸，严禁抛掷，勿挤压，且应采取防震、防潮措施。8.2.2 产品应贮存在清洁、干燥的环境中。8.3质量保证书 每批产品应有质量证明书，写明：a)供方名称；b）产品名称及规格；c)产品批号；d)产品片数；页面 4/5太阳电池用多晶硅片（G B/T 2 90 55-2 0 12）链接：w w w.c h i n a-n e n g y u a n.c o m/t e c h/6 916 3.h t m l 来源：新能源网 c h i n a-n e n g y u a n.c o m e)各项参数检验结果和检验部门的印记；f)本标准编号；g）出厂日期。9订货单（或合同）内容 订购本标准所列产品的订货单（或合同）应包括下列内容：a)外形和尺寸；b)型号；c）数量；d）本标准编号；e）其他。原文地址：h t t p:/w w w.c h i n a-n e n g y u a n.c o m/t e c h/6 916 3.h t m lPo w e r e d b y T CPD F(w w w.t c p d f.o r g)页面 5/5