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1、烧伤病人的治疗通常是取烧伤病人的健康皮肤进行自体移植，但对于大面积烧伤病人来讲，健康皮肤很有限，请同学们想一想如何来治疗该病人 半导体材料制备半导体材料制备烧伤病人的治疗通常是取烧伤病人的健康皮肤进行自体移植，但对于大面积烧伤病人来讲，健康皮肤很有限，请同学们想一想如何来治疗该病人生生长长技技术术n n体体单单晶晶生生长长技技术术 单单晶晶生生长长通通常常利利用用籽籽晶晶在在熔熔融融高高温温炉炉里里拉拉伸伸得得到到的的体体材材料料 ，半半导导体体硅硅的的单单晶晶生生长长可可以以获获得得电电子子级级（9 99 9.9 99 99 99 99 99 9%）的的单单晶晶硅硅 n n外外延延生生长长技
2、技术术 外外延延指指在在单单晶晶衬衬底底上上生生长长一一层层新新单单晶晶的的技技术术。新新生生单单晶晶层层的的晶晶向向取取决决于于衬衬底底，由由衬衬底底向向外外延延伸伸而而成成，故故称称“外外延延层层”。烧伤病人的治疗通常是取烧伤病人的健康皮肤进行自体移植，但对于大面积烧伤病人来讲，健康皮肤很有限，请同学们想一想如何来治疗该病人晶晶体体生生长长问问题题n n生长热力学n n生长动力学n n生长系统中传输过程烧伤病人的治疗通常是取烧伤病人的健康皮肤进行自体移植，但对于大面积烧伤病人来讲，健康皮肤很有限，请同学们想一想如何来治疗该病人 体体单单晶晶生生长长n n结晶过程驱动力n n杂质分凝n n组
3、分过冷烧伤病人的治疗通常是取烧伤病人的健康皮肤进行自体移植，但对于大面积烧伤病人来讲，健康皮肤很有限，请同学们想一想如何来治疗该病人结结晶晶过过程程驱驱动动力力烧伤病人的治疗通常是取烧伤病人的健康皮肤进行自体移植，但对于大面积烧伤病人来讲，健康皮肤很有限，请同学们想一想如何来治疗该病人杂杂质质分分凝凝n n杂质在液相和固相中的浓度不同烧伤病人的治疗通常是取烧伤病人的健康皮肤进行自体移植，但对于大面积烧伤病人来讲，健康皮肤很有限，请同学们想一想如何来治疗该病人组组分分过过冷冷n n生长过程中，杂质不断排向熔体，使熔体中杂质浓度越来越高，过冷度愈来愈大，离固液界面越远烧伤病人的治疗通常是取烧伤病人
4、的健康皮肤进行自体移植，但对于大面积烧伤病人来讲，健康皮肤很有限，请同学们想一想如何来治疗该病人 体体单单晶晶生生长长方方法法体单晶生长垂直生长水平生长直拉法磁控直拉法液体复盖直拉法蒸汽控制直拉法悬浮区熔法垂直梯度凝固法垂直布里奇曼法水平布里奇曼法烧伤病人的治疗通常是取烧伤病人的健康皮肤进行自体移植，但对于大面积烧伤病人来讲，健康皮肤很有限，请同学们想一想如何来治疗该病人 直直拉拉法法n n温度在熔点附近n n籽晶浸入熔体n n一定速度提拉籽晶烧伤病人的治疗通常是取烧伤病人的健康皮肤进行自体移植，但对于大面积烧伤病人来讲，健康皮肤很有限，请同学们想一想如何来治疗该病人n n最大生长速度n n熔
5、体中的对流n n生长界面形状n n各阶段生长条件的差异烧伤病人的治疗通常是取烧伤病人的健康皮肤进行自体移植，但对于大面积烧伤病人来讲，健康皮肤很有限，请同学们想一想如何来治疗该病人 直直拉拉生生长长技技术术的的改改进进n n磁控直拉法-Sin n连续生长法-Sin n液体覆盖直拉法-GaAs，InP，GaP，GaSb，InAsn n蒸汽控制直拉法-GaAs，InP烧伤病人的治疗通常是取烧伤病人的健康皮肤进行自体移植，但对于大面积烧伤病人来讲，健康皮肤很有限，请同学们想一想如何来治疗该病人 悬悬浮浮区区熔熔法法n n利用悬浮区的移动进行提纯和生长n n无坩埚生长技术，减少污染n n杂质分凝n n
6、Si烧伤病人的治疗通常是取烧伤病人的健康皮肤进行自体移植，但对于大面积烧伤病人来讲，健康皮肤很有限，请同学们想一想如何来治疗该病人 垂垂直直梯梯度度凝凝固固法法和和垂垂直直布布里里奇奇曼曼法法n nVGFVGFn n多段加热炉多段加热炉n n温度梯度温度梯度n nGaAsGaAs，InPInPn nVBVBn n加热炉相对于石英管加热炉相对于石英管移动移动n n温度梯度温度梯度n nCdTeCdTe，HgSHgS，CdSeCdSe，HgSeHgSe烧伤病人的治疗通常是取烧伤病人的健康皮肤进行自体移植，但对于大面积烧伤病人来讲，健康皮肤很有限，请同学们想一想如何来治疗该病人例例子子：硅硅的的单单
7、晶晶生生长长 第第第第一一一一步步步步：石石石石 英英英英（9 90 0%）还还还还 原原原原 脱脱脱脱 氧氧氧氧 成成成成 为为为为 熔熔熔熔 炼炼炼炼 级级级级 硅硅硅硅（9 99 9）烧伤病人的治疗通常是取烧伤病人的健康皮肤进行自体移植，但对于大面积烧伤病人来讲，健康皮肤很有限，请同学们想一想如何来治疗该病人第二步：熔第二步：熔第二步：熔第二步：熔 炼炼炼炼 级级级级 硅（硅（硅（硅（9999）到电子级多晶硅）到电子级多晶硅）到电子级多晶硅）到电子级多晶硅烧伤病人的治疗通常是取烧伤病人的健康皮肤进行自体移植，但对于大面积烧伤病人来讲，健康皮肤很有限，请同学们想一想如何来治疗该病人粗粗硅硅
8、提提纯纯到到电电子子级级多多晶晶硅硅n n粗硅与氯化氢在粗硅与氯化氢在200200以上反应以上反应 Si Si十十3HCl=SiHCl3HCl=SiHCl3 3+H+H2 2n n实际反应极复杂，除生成实际反应极复杂，除生成SiHClSiHCl3 3外，还可能生外，还可能生成成SiHSiH4 4、SiHSiH3 3ClCl、SiHSiH2 2Cl2Cl2、SiClSiCl4 4等各种氯化硅烷等各种氯化硅烷n n合成温度宜低，温度过高易生成副产物合成温度宜低，温度过高易生成副产物n n其中三氯代硅烷产量大、质量高、成本低的优其中三氯代硅烷产量大、质量高、成本低的优点，是当前制取多晶硅的主要方法点
9、，是当前制取多晶硅的主要方法烧伤病人的治疗通常是取烧伤病人的健康皮肤进行自体移植，但对于大面积烧伤病人来讲，健康皮肤很有限，请同学们想一想如何来治疗该病人精精馏馏n n利用杂质和利用杂质和SiHClSiHCl3 3沸点不同，用精馏的方法分沸点不同，用精馏的方法分离提纯离提纯 n n沸点沸点 SiClSiCl4 4(57.6(57.6o oC)C)SiHCl SiHCl3 3(33(33o oC)C)SiH SiH2 2ClCl2 2(8.2(8.2o oC)C)SiH SiH3 3Cl(-30.4Cl(-30.4o oC)C)SiH SiH4 4(-112(-112o oC)C)HCl(-84
10、.7 HCl(-84.7o oC)C)烧伤病人的治疗通常是取烧伤病人的健康皮肤进行自体移植，但对于大面积烧伤病人来讲，健康皮肤很有限，请同学们想一想如何来治疗该病人硅硅的的单单晶晶生生长长 第第第第三三三三步步步步：电电电电子子子子级级级级多多多多晶晶晶晶硅硅硅硅到到到到单单单单晶晶晶晶硅硅硅硅烧伤病人的治疗通常是取烧伤病人的健康皮肤进行自体移植，但对于大面积烧伤病人来讲，健康皮肤很有限，请同学们想一想如何来治疗该病人最最最最后后后后一一一一步步步步：研研研研磨磨磨磨，切切切切割割割割，抛抛抛抛光光光光烧伤病人的治疗通常是取烧伤病人的健康皮肤进行自体移植，但对于大面积烧伤病人来讲，健康皮肤很有
11、限，请同学们想一想如何来治疗该病人 片片状状晶晶生生长长n n熔体生长技术，主要用于制备太阳能级用片状硅n n避免硅锭切割造成的损失，节约加工成本烧伤病人的治疗通常是取烧伤病人的健康皮肤进行自体移植，但对于大面积烧伤病人来讲，健康皮肤很有限，请同学们想一想如何来治疗该病人n nD-Web技术n nS-R技术n nEFG技术烧伤病人的治疗通常是取烧伤病人的健康皮肤进行自体移植，但对于大面积烧伤病人来讲，健康皮肤很有限，请同学们想一想如何来治疗该病人 晶晶片片切切割割n n切切片片n n倒倒角角n n腐腐蚀蚀n n抛抛光光n n清清洗洗烧伤病人的治疗通常是取烧伤病人的健康皮肤进行自体移植，但对于大
12、面积烧伤病人来讲，健康皮肤很有限，请同学们想一想如何来治疗该病人 半半导导体体外外延延生生长长技技术术n n外外延延生生长长技技术术对对于于半半导导体体器器件件具具有有重重要要意意义义n n在在外外延延生生长长过过程程中中，衬衬底底起起到到籽籽晶晶的的作作用用，外外延延层层则则保保持持了了与与衬衬底底相相同同的的晶晶体体结结构构和和晶晶向向n n如如果果衬衬底底材材料料和和外外延延层层是是同同一一种种材材料料，称称为为同同质质外外延延n n如如果果衬衬底底材材料料和和外外延延层层不不是是同同一一种种材材料料，称称为为异异质质外外延延烧伤病人的治疗通常是取烧伤病人的健康皮肤进行自体移植，但对于大
13、面积烧伤病人来讲，健康皮肤很有限，请同学们想一想如何来治疗该病人外外延延生生长长的的优优点点n n1.1.外延生长中，外延层中的杂质浓度可以方便外延生长中，外延层中的杂质浓度可以方便地通过控制反应气流中的杂质含量加以调节，地通过控制反应气流中的杂质含量加以调节，而不依赖于衬底中的杂质种类与掺杂水平。单而不依赖于衬底中的杂质种类与掺杂水平。单晶生长需要进行杂质掺杂。晶生长需要进行杂质掺杂。n n2.2.外延生长可以选择性的进行生长，不同材料外延生长可以选择性的进行生长，不同材料的外延生长，不同成分的外延生长，这对于器的外延生长，不同成分的外延生长，这对于器件的制备尤为重要。件的制备尤为重要。n
14、n3.3.一些半导体材料目前只能用外延生长来制备，一些半导体材料目前只能用外延生长来制备，如如GaNGaN烧伤病人的治疗通常是取烧伤病人的健康皮肤进行自体移植，但对于大面积烧伤病人来讲，健康皮肤很有限，请同学们想一想如何来治疗该病人烧伤病人的治疗通常是取烧伤病人的健康皮肤进行自体移植，但对于大面积烧伤病人来讲，健康皮肤很有限，请同学们想一想如何来治疗该病人外外延延生生长长的的技技术术n n汽相外延汽相外延 （Vapor Phase EpitaxyVapor Phase Epitaxy）使化学气体中半导体成分结晶在衬底表面，从而生长使化学气体中半导体成分结晶在衬底表面，从而生长出半导体层的过程称
15、为汽相外延。出半导体层的过程称为汽相外延。n n液相外延液相外延 （Liquid Phase EpitaxyLiquid Phase Epitaxy）采用从溶液中再结晶原理的外延生长方法称液相外延采用从溶液中再结晶原理的外延生长方法称液相外延;n n分子束外延分子束外延 （Molecular Beam EpitaxyMolecular Beam Epitaxy）分子束外延是在超高真空条件下精确控制原材料的分分子束外延是在超高真空条件下精确控制原材料的分子束强度，并使其在加热的基片上进行外延生长的一子束强度，并使其在加热的基片上进行外延生长的一种技术。种技术。烧伤病人的治疗通常是取烧伤病人的健康
16、皮肤进行自体移植，但对于大面积烧伤病人来讲，健康皮肤很有限，请同学们想一想如何来治疗该病人汽汽相相外外延延生生长长的的优优点点n n1 1.汽汽相相外外延延生生长长具具有有生生长长温温度度低低和和纯纯度度高高的的优优点点n n2 2.汽汽相相外外延延技技术术为为器器件件的的实实际际制制造造工工艺艺提提供供了了更更大大的的灵灵活活性性n n3 3.汽汽相相外外延延生生长长的的外外延延层层和和衬衬底底层层间间具具有有非非常常明明显显清清晰晰的的分分界界n n因因此此，汽汽相相外外延延技技术术是是制制备备器器件件中中半半导导体体薄薄膜膜的的最最重重要要的的技技术术手手段段烧伤病人的治疗通常是取烧伤病
17、人的健康皮肤进行自体移植，但对于大面积烧伤病人来讲，健康皮肤很有限，请同学们想一想如何来治疗该病人1）真真空空热热蒸蒸发发沉沉积积n n真空热蒸发沉积是物理气相沉积技术的一种。真空热蒸发沉积是物理气相沉积技术的一种。n n所谓的物理气相沉积是指利用某种物理过程，所谓的物理气相沉积是指利用某种物理过程，如物质的热蒸发或在受到粒子轰击时物质表面如物质的热蒸发或在受到粒子轰击时物质表面原子的溅射等现象，实现物质原子从源物质到原子的溅射等现象，实现物质原子从源物质到薄膜的可控转移的过程。薄膜的可控转移的过程。n n所谓的热蒸发，是指蒸发材料在真空室中被加所谓的热蒸发，是指蒸发材料在真空室中被加热到足够
18、温度时，物质从固相变成气相的过程。热到足够温度时，物质从固相变成气相的过程。烧伤病人的治疗通常是取烧伤病人的健康皮肤进行自体移植，但对于大面积烧伤病人来讲，健康皮肤很有限，请同学们想一想如何来治疗该病人烧伤病人的治疗通常是取烧伤病人的健康皮肤进行自体移植，但对于大面积烧伤病人来讲，健康皮肤很有限，请同学们想一想如何来治疗该病人饱饱和和蒸蒸气气压压n n众所都知，任何物质总在不断众所都知，任何物质总在不断地发生着固、气、液三态变化。地发生着固、气、液三态变化。n n设在一定环境温度设在一定环境温度T T下，从固下，从固体物质表面蒸发出来的气体分体物质表面蒸发出来的气体分子与该气体分子从空间回到该
19、子与该气体分子从空间回到该物质表面的过程能达到平衡，物质表面的过程能达到平衡，该物质的饱和蒸气压为该物质的饱和蒸气压为PsPs：n n饱和蒸气压和温度呈指数关系，饱和蒸气压和温度呈指数关系，随着温度的升高，饱和蒸气压随着温度的升高，饱和蒸气压迅速增加。迅速增加。H为分子蒸发热K为积分常数R8.3l44焦耳/摩尔 烧伤病人的治疗通常是取烧伤病人的健康皮肤进行自体移植，但对于大面积烧伤病人来讲，健康皮肤很有限，请同学们想一想如何来治疗该病人2）化化学学气气相相沉沉积积n n化学气相沉积化学气相沉积(CVD)(CVD)是半导体工业中应用最为是半导体工业中应用最为广泛的用来沉积多种材料的技术，包括大范
20、围广泛的用来沉积多种材料的技术，包括大范围的绝缘材料，大多数金属材料和金属合金材料。的绝缘材料，大多数金属材料和金属合金材料。n n从理论上来说，它是很简单的：两种或两种以从理论上来说，它是很简单的：两种或两种以上的气态原材料导入到一个反应室内，然后他上的气态原材料导入到一个反应室内，然后他们相互之间发生化学反应，形成一种新的材料，们相互之间发生化学反应，形成一种新的材料，沉积到晶片表面上。沉积到晶片表面上。n n沉积氮化硅膜沉积氮化硅膜(Si(Si3 3NN4 4)就是一个很好的例子，它就是一个很好的例子，它是由硅烷和氮反应形成的。是由硅烷和氮反应形成的。烧伤病人的治疗通常是取烧伤病人的健康
21、皮肤进行自体移植，但对于大面积烧伤病人来讲，健康皮肤很有限，请同学们想一想如何来治疗该病人化化学学气气相相沉沉积积的的优优点点n n准确控制薄膜的组分和掺杂水平n n可在复杂的衬底上沉积薄膜n n不需要昂贵的真空设备n n高温沉积可改善结晶完整性n n可在大尺寸基片上沉积薄膜烧伤病人的治疗通常是取烧伤病人的健康皮肤进行自体移植，但对于大面积烧伤病人来讲，健康皮肤很有限，请同学们想一想如何来治疗该病人烧伤病人的治疗通常是取烧伤病人的健康皮肤进行自体移植，但对于大面积烧伤病人来讲，健康皮肤很有限，请同学们想一想如何来治疗该病人例例子子：硅硅的的气气相相外外延延生生长长n n将硅衬底在还原性气氛中加
22、热，并输入硅源气将硅衬底在还原性气氛中加热，并输入硅源气体，使之反应，生成硅原子沉积在衬底上，长体，使之反应，生成硅原子沉积在衬底上，长出具有与衬底相同晶向的硅单晶层。出具有与衬底相同晶向的硅单晶层。n n主要参数：衬底温度，源气体流量和载气流量主要参数：衬底温度，源气体流量和载气流量n n衬底温度影响对外延层的晶体完整性和生长速衬底温度影响对外延层的晶体完整性和生长速度；度；n n源气体流量影响生长速度；源气体流量影响生长速度；n n载气流量影响外延层厚度的均匀性；载气流量影响外延层厚度的均匀性；烧伤病人的治疗通常是取烧伤病人的健康皮肤进行自体移植，但对于大面积烧伤病人来讲，健康皮肤很有限，
23、请同学们想一想如何来治疗该病人硅硅源源烧伤病人的治疗通常是取烧伤病人的健康皮肤进行自体移植，但对于大面积烧伤病人来讲，健康皮肤很有限，请同学们想一想如何来治疗该病人n nSiClSiCl4 4和和SiHClSiHCl3 3在常温常在常温常压下是液体，向反应压下是液体，向反应器输运时，需要用辅器输运时，需要用辅助设备，操作麻烦助设备，操作麻烦n n但源容易获得高纯度但源容易获得高纯度n nSiH2Cl2SiH2Cl2和和SiH4SiH4常温常常温常压下是气体，输运操压下是气体，输运操作简单，含作简单，含Si Si量高；量高；n n但源的提纯较难但源的提纯较难n n在空气中易燃，安全在空气中易燃，
24、安全性不好性不好烧伤病人的治疗通常是取烧伤病人的健康皮肤进行自体移植，但对于大面积烧伤病人来讲，健康皮肤很有限，请同学们想一想如何来治疗该病人氢氢还还原原SiCl4硅硅外外延延n nSiCl4具有来源丰富，稳定性好，易于提纯，工艺成熟，生产安全等特点，在工业生长中得到广泛使用。n n一般以氢气作为还原剂和载运气体以及稀释气体烧伤病人的治疗通常是取烧伤病人的健康皮肤进行自体移植，但对于大面积烧伤病人来讲，健康皮肤很有限，请同学们想一想如何来治疗该病人卧卧式式烧伤病人的治疗通常是取烧伤病人的健康皮肤进行自体移植，但对于大面积烧伤病人来讲，健康皮肤很有限，请同学们想一想如何来治疗该病人硅硅外外延延生
25、生长长步步骤骤（1 1）硅片清洗）硅片清洗（2 2）装硅片）装硅片（3 3）通氢排气）通氢排气（4 4）升温）升温（5 5）高温处理）高温处理（6 6）气相抛光）气相抛光（7 7）通氢排气）通氢排气（8 8）外延生长）外延生长（9 9）通氢排气）通氢排气（1010）降温）降温（1111）开炉取片）开炉取片烧伤病人的治疗通常是取烧伤病人的健康皮肤进行自体移植，但对于大面积烧伤病人来讲，健康皮肤很有限，请同学们想一想如何来治疗该病人（1）硅硅片片清清洗洗n n清洗的目的：去除表面杂质，获得清洁的表面，有利于外延生长n n表面杂质的来源：硅片是硅锭经过定向、切割、研磨、倒角、腐蚀、抛光、清洗等工序制
26、备的。n n存放和使用过程中，环境不清洁也会带来杂质的污染。烧伤病人的治疗通常是取烧伤病人的健康皮肤进行自体移植，但对于大面积烧伤病人来讲，健康皮肤很有限，请同学们想一想如何来治疗该病人表表面面杂杂质质的的类类型型以分子形式附在硅表面：物理吸附油污染以离子形式附在硅表面：化学吸附腐蚀液污染以原子形式吸附在表面：原子附着加工机械烧伤病人的治疗通常是取烧伤病人的健康皮肤进行自体移植，但对于大面积烧伤病人来讲，健康皮肤很有限，请同学们想一想如何来治疗该病人清清洗洗步步骤骤（1 1）丙酮和乙醇超声清洗去除有机物）丙酮和乙醇超声清洗去除有机物（2 2）1 1号洗液清洗号洗液清洗 （温度（温度80800
27、0C C，时间，时间1515分钟）分钟）高纯去离子水过氧化氢氨水高纯去离子水过氧化氢氨水 比例：比例：7:1:17:1:1（3 3）2 2号洗液清洗（温度号洗液清洗（温度80800 0C C，时间，时间1515分钟）分钟）高纯去离子水过氧化氢盐酸高纯去离子水过氧化氢盐酸 比例：比例：8:2:18:2:1（4 4）去离子水冲洗干净）去离子水冲洗干净烧伤病人的治疗通常是取烧伤病人的健康皮肤进行自体移植，但对于大面积烧伤病人来讲，健康皮肤很有限，请同学们想一想如何来治疗该病人（2）装装衬衬底底片片衬底片要求：光亮，平整，无亮点，无划痕，无水迹，无灰尘衬底放在基座上，不要太靠近基座的边缘；装衬底时，防
28、止划伤衬底表面和落上灰尘烧伤病人的治疗通常是取烧伤病人的健康皮肤进行自体移植，但对于大面积烧伤病人来讲，健康皮肤很有限，请同学们想一想如何来治疗该病人（3）通通氢氢排排气气目的：1.将空气排出，避免加热时爆炸；2.保证生长过程中氢气的纯度一般会在系统中加一个真空系统，在通氢前，先把系统抽成真空状态，然后再通氢气烧伤病人的治疗通常是取烧伤病人的健康皮肤进行自体移植，但对于大面积烧伤病人来讲，健康皮肤很有限，请同学们想一想如何来治疗该病人（4）升升温温n n升到反应所需要的温度n n注意升温速率烧伤病人的治疗通常是取烧伤病人的健康皮肤进行自体移植，但对于大面积烧伤病人来讲，健康皮肤很有限，请同学们
29、想一想如何来治疗该病人（5）高高温温处处理理n n温度升到12000C时，保温10分钟，进行高温处理n n目的是对衬底进一步清洁：1.除去吸附在衬底表面的杂质；2.除去表面的薄层SiO2，生成的SiO易挥发烧伤病人的治疗通常是取烧伤病人的健康皮肤进行自体移植，但对于大面积烧伤病人来讲，健康皮肤很有限，请同学们想一想如何来治疗该病人（6）气气相相抛抛光光n n气相抛光的目的是对衬底表面进行腐蚀，以除去衬底表面1um的薄层，使硅表面以纯净的硅原子，晶格较完整的状态进行外延生长n n温度：12000C；时间10分钟；腐蚀用HCl浓度为总氢气载气的1%左右烧伤病人的治疗通常是取烧伤病人的健康皮肤进行自
30、体移植，但对于大面积烧伤病人来讲，健康皮肤很有限，请同学们想一想如何来治疗该病人（7）通通氢氢排排气气n n目的是排出反应室内残余的HCl等杂质n n通氢排气时间一般为5分钟烧伤病人的治疗通常是取烧伤病人的健康皮肤进行自体移植，但对于大面积烧伤病人来讲，健康皮肤很有限，请同学们想一想如何来治疗该病人（8）外外延延生生长长n n生长温度118012000Cn n通SiCl4，在高温下氢气和SiCl4反应，还原出硅原子并在衬底上进行外延生长n n可以改变各种气体的流量，以达到最佳参数烧伤病人的治疗通常是取烧伤病人的健康皮肤进行自体移植，但对于大面积烧伤病人来讲，健康皮肤很有限，请同学们想一想如何来
31、治疗该病人（9）通通氢氢排排气气n n外延生长后，关闭SiCl4n n保温，接着通氢气5分钟，排出反应室内的各种残余气体和副产物烧伤病人的治疗通常是取烧伤病人的健康皮肤进行自体移植，但对于大面积烧伤病人来讲，健康皮肤很有限，请同学们想一想如何来治疗该病人（10）降降温温n n一边通氢气，并分不同温度段进行降温n n在8000C以上，要缓慢降温，以消除外延层的内应力烧伤病人的治疗通常是取烧伤病人的健康皮肤进行自体移植，但对于大面积烧伤病人来讲，健康皮肤很有限，请同学们想一想如何来治疗该病人（11）开开炉炉取取片片n n主要是防止污染n n用肉眼观察外延层质量（片面明亮，无大亮点，无划痕等）n n
32、后面接着用专门的仪器设备进行检测。烧伤病人的治疗通常是取烧伤病人的健康皮肤进行自体移植，但对于大面积烧伤病人来讲，健康皮肤很有限，请同学们想一想如何来治疗该病人4）金金属属有有机机物物化化学学气气相相沉沉积积n nMOCVD是1968年马纳赛维特（Manasevit）首先提出，已经发展成为化合物半导体材料的主要生长手段n n基本原理：利用II，III族元素的烷基化合物的蒸气与V族或者VI族的氢化物或者烷基化合物气体混合，在一定温度下发生热解，合成反应，在衬底上沉积出化合物半导体材料烧伤病人的治疗通常是取烧伤病人的健康皮肤进行自体移植，但对于大面积烧伤病人来讲，健康皮肤很有限，请同学们想一想如何
33、来治疗该病人MOCVD的的特特点点n n1.1.适应性强，可以生长大部分化合物半导体材料适应性强，可以生长大部分化合物半导体材料烧伤病人的治疗通常是取烧伤病人的健康皮肤进行自体移植，但对于大面积烧伤病人来讲，健康皮肤很有限，请同学们想一想如何来治疗该病人n n2 2.可可以以通通过过精精确确控控制制各各种种气气体体的的流流量量来来控控制制外外延延层层的的组组分分，电电学学和和光光学学性性质质n n3 3.可可以以生生长长原原子子级级的的超超薄薄层层以以及及多多层层、异异质质结结构构材材料料，超超晶晶格格，量量子子阱阱等等微微结结构构材材料料n n4 4.可可以以生生长长大大面面积积均均匀匀薄薄
34、膜膜，膜膜的的均均匀匀性性和和电电学学性性重重复复性性较较好好，易易于于产产业业化化n n5 5.MMOOC CV VDD介介于于L LP PE E和和MMB BE E二二者者之之间间(速速率率、纯纯度度)烧伤病人的治疗通常是取烧伤病人的健康皮肤进行自体移植，但对于大面积烧伤病人来讲，健康皮肤很有限，请同学们想一想如何来治疗该病人MOCVD系系统统烧伤病人的治疗通常是取烧伤病人的健康皮肤进行自体移植，但对于大面积烧伤病人来讲，健康皮肤很有限，请同学们想一想如何来治疗该病人烧伤病人的治疗通常是取烧伤病人的健康皮肤进行自体移植，但对于大面积烧伤病人来讲，健康皮肤很有限，请同学们想一想如何来治疗该病人Vacuum andExhaust systemGas handle systemComputerControlReactorMOCVD Growth System