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1、 模拟电子技术复习资料总结 第一章 半导体二极管 一.半导体的基础知识 1.半导体-导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅 Si、锗 Ge)。2.特性-光敏、热敏和掺杂特性。3.本征半导体-纯净的具有单晶体结构的半导体。4.两种载流子-带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。5.杂质半导体-在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。*N型半导体:在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。6.杂质半导体的特性 *载流子的浓度-多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。*
2、体电阻-通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。*转型-通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。7.PN 结 *PN结的接触电位差-硅材料约为0.60.8V，锗材料约为0.20.3V。*PN结的单向导电性-正偏导通，反偏截止。8.PN 结的伏安特性 二.半导体二极管 *单向导电性-正向导通，反向截止。*二极管伏安特性-同结。*正向导通压降-硅管 0.60.7V，锗管 0.20.3V。*死区电压-硅管 0.5V，锗管 0.1V。3.分析方法-将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若 V阳 V阴(正偏)，二极管导通(短路);若 V阳 V 阴(正偏)，二极管导通(短路);若 V
3、 阳 u-时，uo=+Uom 当u+u-时，uo=-Uom 两输入端的输入电流为零:i+=i-=0 第七章 放大电路中的反馈 一.反馈概念的建立 开环放大倍数 闭环放大倍数 反馈深度 环路增益：1当时，下降，这种反馈称为负反馈。2当时，表明反馈效果为零。3当时，升高，这种反馈称为正反馈。4当时，。放大器处于“自激振荡”状态。二反馈的形式和判断 1.反馈的范围-本级或级间。2.反馈的性质-交流、直流或交直流。直流通路中存在反馈则为直流反馈，交流通路中存 在反馈则为交流反馈，交、直流通路中都存在反馈 则为交、直流反馈。3.反馈的取样-电压反馈：反馈量取样于输出电压；具有稳定输出电压的作用。（输出短
4、路时反馈消失）电流反馈：反馈量取样于输出电流。具有稳定输出电流的作用。（输出短路时反馈不消失）4.反馈的方式-并联反馈：反馈量与原输入量在输入电路中以电 流形式相叠加。Rs 越大反馈效果越好。反馈信号反馈到输入端）串联反馈：反馈量与原输入量在输入电路中以电压 的形式相叠加。Rs 越小反馈效果越好。反馈信号反馈到非输入端）5.反馈极性-瞬时极性法：（1）假定某输入信号在某瞬时的极性为正（用+表示），并设信号 的频率在中频段。（2）根据该极性，逐级推断出放大电路中各相关点的瞬时极性（升 高用+表示，降低用 表示）。（3）确定反馈信号的极性。（4）根据 Xi 与 X f 的极性，确定净输入信号的大小
5、。Xid 减小为负反 馈；Xid 增大为正反馈。三.反馈形式的描述方法 某反馈元件引入级间（本级）直流负反馈和交流电压（电流）串 联（并联）负反馈。四.负反馈对放大电路性能的影响 1.提高放大倍数的稳定性 2.3.扩展频带 4.减小非线性失真及抑制干扰和噪声 5.改变放大电路的输入、输出电阻 *串联负反馈使输入电阻增加 1+AF倍 *并联负反馈使输入电阻减小 1+AF倍 *电压负反馈使输出电阻减小 1+AF倍 *电流负反馈使输出电阻增加 1+AF倍 五.自激振荡产生的原因和条件 1.产生自激振荡的原因 附加相移将负反馈转化为正反馈。2.产生自激振荡的条件 若表示为幅值和相位的条件则为：第八章
6、信号的运算与处理 分析依据-“虚断”和“虚短”一.基本运算电路 1.反相比例运算电路 R2=R1/Rf 2.同相比例运算电路 R2=R1/Rf 3.反相求和运算电路 R4=R1/R2/R3/Rf 4.同相求和运算电路 R1/R2/R3/R4=Rf/R5 5.加减运算电路 R1/R2/Rf=R3/R4/R5 二.积分和微分运算电路 1.积分运算 2.微分运算 第九章 信号发生电路 一.正弦波振荡电路的基本概念 1.产生正弦波振荡的条件(人为的直接引入正反馈)自激振荡的平衡条件:即幅值平衡条件：相位平衡条件：2.起振条件:幅值条件：相位条件:3.正弦波振荡器的组成、分类 正弦波振荡器的组成(1)放大电路-建立和维持振荡。(2)正反馈网络-与放大电路共同满足振荡条件。(3)选频网络-以选择某一频率进行振荡。(4)稳幅环节-使波形幅值稳定，且波形的形状良好。*正弦波振荡器的分类(1)RC振荡器-振荡频率较低,1M 以下;(2)LC振荡器-振荡频率较高,1M 以上;(3)石英晶体振荡器-振荡频率高且稳定。