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1、5.1 金属金属-氧化物氧化物-半导体半导体（MOS）场效应管）场效应管5.1.1 N沟道增强型沟道增强型MOSFET5.1.5 MOSFET的主要参数的主要参数5.1.2 N沟道耗尽型沟道耗尽型MOSFET5.1.3 P沟道沟道MOSFET5.1.4 沟道长度调制效应沟道长度调制效应P沟道沟道耗尽型耗尽型P沟道沟道P沟道沟道N沟道沟道增强型增强型N沟道沟道N沟道沟道（耗尽型）（耗尽型）FET场效应管场效应管JFET结型结型MOSFET绝缘栅型绝缘栅型(IGFET)耗尽型耗尽型：场效应管没有加偏置电压时，就有导电沟道存在：场效应管没有加偏置电压时，就有导电沟道存在增强型增强型：场效应管没有加偏
2、置电压时，没有导电沟道：场效应管没有加偏置电压时，没有导电沟道场效应管的分类：场效应管的分类：5.1.1 N沟道增强型沟道增强型MOSFET1.结构结构（N沟道）沟道）L：沟道长度：沟道长度W：沟道宽度：沟道宽度tox：绝缘层厚度：绝缘层厚度通常通常 W L（动画动画2-3）5.1.1 N沟道增强型沟道增强型MOSFET剖面图剖面图1.结构结构（N沟道）沟道）符号符号5.1.1 N沟道增强型沟道增强型MOSFET2.工作原理工作原理（1）vGS对沟道的控制作用对沟道的控制作用当当vGSGS=0=0时时 无导电沟道，无导电沟道，d、s间加电压时，也间加电压时，也无电流产生。无电流产生。当当00v
3、GS GS V VT T）时，）时，vDSDS iD D 沟道电位梯度沟道电位梯度 整个沟道呈整个沟道呈楔形分布楔形分布(动画2-5)当当vGSGS一定（一定（vGS GS V VT T）时，）时，vDSDS iD D 沟道电位梯度沟道电位梯度 当当vDSDS增加到使增加到使vGDGD=V VT T 时，时，在紧靠漏极处出现预夹断。在紧靠漏极处出现预夹断。2.工作原理工作原理（2）vDS对沟道的控制作用对沟道的控制作用在预夹断处：在预夹断处：vGDGD=vGSGS-vDS DS=V VT T预夹断后，预夹断后，vDSDS 夹断区延长夹断区延长沟道电阻沟道电阻 iD D基本不变基本不变2.工作原
4、理工作原理（2）vDS对沟道的控制作用对沟道的控制作用2.工作原理工作原理（3）vDS和和vGS同时作用时同时作用时 vDSDS一定，一定，vGSGS变化时变化时 给定一个给定一个vGS GS，就有一条不同，就有一条不同的的 iD D vDS DS 曲线。曲线。（4）正常放大时外加偏置电压的要求正常放大时外加偏置电压的要求:2.工作原理工作原理3.V-I 特性曲线特性曲线（1）输出特性）输出特性 截止区截止区当当vGSVT时时，导导电电沟沟道道尚尚未未形形成成，iD0，为为截截止止工工作状态。作状态。3.V-I 特性曲线特性曲线（1）输出特性）输出特性 可变电阻区可变电阻区 vDS（vGSVT
5、）由于由于vDS较小，可近似为较小，可近似为:rdso是一个受是一个受vGS控制的可变电阻控制的可变电阻 3.V-I 特性曲线特性曲线（1）输出特性）输出特性 可变电阻区可变电阻区 n：反型层中电子迁移率：反型层中电子迁移率Cox：栅栅极极（与与衬衬底底间间）氧氧化层单位面积电容化层单位面积电容本征电导因子本征电导因子其中其中Kn为电导常数，单位：为电导常数，单位：mA/VmA/V2 23.V-I 特性曲线特性曲线（1）输出特性）输出特性 饱和区饱和区（恒流区又称放大区）（恒流区又称放大区）vGS GS VT，且，且vDSDS（v vGSGSVT）是是vGSGS2 2VT时的时的iD D V
6、V-I I 特性：特性：3.V-I 特性曲线特性曲线（2）转移特性）转移特性5.1.2 N沟道耗尽型沟道耗尽型MOSFET1.结构和工作原理简述结构和工作原理简述（N沟道）沟道）二氧化硅绝缘层中掺有大量的正离子二氧化硅绝缘层中掺有大量的正离子 可以在正或负的栅源电压下工作，而且基本上无栅流可以在正或负的栅源电压下工作，而且基本上无栅流5.1.2 N沟道耗尽型沟道耗尽型MOSFET2.V-I 特性曲线特性曲线 （N N沟道增强型）沟道增强型）5.1.3 P沟道沟道MOSFET5.1.5 MOSFET的主要参数的主要参数一、直流参数一、直流参数1.1.开启电压开启电压V VT T （增强型参数）（
7、增强型参数）2.2.夹断电压夹断电压V VP P （耗尽型参数）（耗尽型参数）3.3.饱和漏电流饱和漏电流I IDSSDSS （耗尽型参数）（耗尽型参数）4.4.直流输入电阻直流输入电阻R RGSGS （10109 910101515 ）二、交流参数二、交流参数 1.1.输出电阻输出电阻r rdsds 5.1.5 MOSFET的主要参数的主要参数2.2.低频互导低频互导g gm m 二、交流参数二、交流参数 考虑到考虑到 则则其中其中对于对于N沟道增强型沟道增强型MOSFET：5.1.5 MOSFET的主要参数的主要参数end三、极限参数三、极限参数 1.1.最大漏极电流最大漏极电流I IDM
8、DM 2.2.最大耗散功率最大耗散功率P PDMDM 3.3.最大漏源电压最大漏源电压V V（BRBR）DSDS 4.4.最大栅源电压最大栅源电压V V（BRBR）GSGS 5.2 MOSFET放大电路放大电路5.2.1 MOSFET放大电路放大电路1.直流偏置及静态工作点的计算直流偏置及静态工作点的计算2.小信号模型分析小信号模型分析*5.2.2 带带PMOS负载的负载的NMOS放大电路放大电路3.MOSFET 三种基本放大电路比较三种基本放大电路比较5.2.1 MOSFET放大电路放大电路1.直流偏置及静态工作点的计算直流偏置及静态工作点的计算（1）简单的共源极放大电路）简单的共源极放大电
9、路（N沟道）沟道）共源极放大电路共源极放大电路直流通路直流通路5.2.1 MOSFET放大电路放大电路1.直流偏置及静态工作点的计算直流偏置及静态工作点的计算（1）简单的共源极放大电路）简单的共源极放大电路（N沟道）沟道）假设工作在饱和区，即假设工作在饱和区，即验证是否满足验证是否满足如果不满足，则说明假设错误如果不满足，则说明假设错误须满足须满足VGS VT，否则工作在截止区，否则工作在截止区再假设工作在可变电阻区再假设工作在可变电阻区即即假设工作在饱和区假设工作在饱和区(放大区）放大区）满足满足假设成立，结果即为所求。假设成立，结果即为所求。解：解：例：例：设设Rg1=60k，Rg2=40
10、k，Rd=15k，试计算电路的静态漏极电流试计算电路的静态漏极电流IDQ和漏源和漏源电压电压VDSQ。VDD=5V，VT=1V，5.2.1 MOSFET放大电路放大电路1.直流偏置及静态工作点的计算直流偏置及静态工作点的计算（2）带源极电阻的）带源极电阻的NMOS共源极放大电路共源极放大电路(例）例）假设工作在饱和区假设工作在饱和区(放大区）：放大区）：需要验证是否满足需要验证是否满足5.2.1 MOSFET放大电路放大电路1.直流偏置及静态工作点的计算直流偏置及静态工作点的计算静态时，静态时，vI0 0，VG 0 0，ID I电流源偏置电流源偏置 VS VG VGS（饱和区）（饱和区）VDS
11、 VD VS =VDDIDRD VS（3）电流源作偏置的）电流源作偏置的NMOS共源极放大电路共源极放大电路5.2.1 MOSFET放大电路放大电路2.小信号模型分析小信号模型分析（1）模型）模型静态值静态值（直流）（直流）动态值动态值（交流）（交流）非线性非线性失真项失真项 当当，vgs 2(2(VGSQ-VT)时，时，5.2.1 MOSFET放大电路放大电路2.小信号模型分析小信号模型分析（1）模型）模型=0=0时时其他类型的其他类型的MOSFET小信号模型，在电路形式上一样，小信号模型，在电路形式上一样，参数计算式有所不同，如参数计算式有所不同，如gm。2.小信号模型分析小信号模型分析解
12、：例的直流分析已求得：解：例的直流分析已求得：（2）放大电路分析）放大电路分析（例）（例）s2.小信号模型分析小信号模型分析（2）放大电路分析）放大电路分析（例）（例）s2.小信号模型分析小信号模型分析（2）放大电路分析）放大电路分析（例）（例）共漏共漏2.小信号模型分析小信号模型分析（2）放大电路分析）放大电路分析共漏共漏3.MOSFET 三种基本放大电路比较三种基本放大电路比较(p.221)共源极放大电路共源极放大电路共漏极放大电路共漏极放大电路(源极输出器）源极输出器）共栅极放大电路共栅极放大电路5.3 结型场效应管结型场效应管 5.3.1 JFET的结构和工作原理的结构和工作原理 5.
13、3.2 JFET的特性曲线及参数的特性曲线及参数 5.3.3 JFET放大电路的小信号模型分析法放大电路的小信号模型分析法 5.3.1 JFET的结构和工作原理的结构和工作原理1.结构结构#符号中的箭头方向表示什么？符号中的箭头方向表示什么？符号中的箭头方向表示什么？符号中的箭头方向表示什么？(动画2-8）2.工作原理工作原理 vGS对沟道的控制作用对沟道的控制作用当当vGS0时时（以（以N沟道沟道JFET为例）为例）当沟道夹断时，对应的栅源电压当沟道夹断时，对应的栅源电压vGS称为称为夹断电压夹断电压VP（或或VGS(off)）。）。对于对于N沟道的沟道的JFET，VP 0。PN结反偏结反偏
14、耗尽层加厚耗尽层加厚沟道变窄。沟道变窄。vGS继续减小，沟道继续变窄。继续减小，沟道继续变窄。（动画2-9）2.工作原理工作原理（以（以N沟道沟道JFET为例）为例）vDS对沟道的控制作用对沟道的控制作用当当vGS=0时，时，vDS iD g、d间间PN结的反向结的反向电压增加，使靠近漏极电压增加，使靠近漏极处的耗尽层加宽，沟道处的耗尽层加宽，沟道变窄，从上至下呈楔形变窄，从上至下呈楔形分布。分布。当当vDS增加到使增加到使vGD=VP 时，在紧靠漏时，在紧靠漏极处出现预夹断。极处出现预夹断。此时此时vDS 夹断区延长夹断区延长沟道电阻沟道电阻 iD基本不变基本不变2.工作原理工作原理（以（以
15、N沟道沟道JFET为例）为例）vGS和和vDS同时作用时同时作用时当当VP vGS0 时，导电沟道更容易夹断，时，导电沟道更容易夹断，对于同样的对于同样的vDS，iD的值比的值比vGS=0时的值要小。时的值要小。在预夹断处在预夹断处vGD=vGS-vDS=VP 综上分析可知综上分析可知JFET是电压控制电流器件，是电压控制电流器件，iD受受vGS控制。控制。预夹断前预夹断前iD与与vDS呈呈近似线性关系；预夹断后，近似线性关系；预夹断后，iD趋于趋于饱和。饱和。#为什么为什么为什么为什么JFETJFET的输入电阻比的输入电阻比的输入电阻比的输入电阻比BJTBJT高得多？高得多？高得多？高得多？
16、JFET栅极与沟道间的栅极与沟道间的PN结是反向偏置的，因结是反向偏置的，因 此此iG 0，输入电阻很高。输入电阻很高。5.3.2 JFET的特性曲线及参数的特性曲线及参数2.转移特性转移特性 1.输出特性输出特性 (VPvGS0)与耗尽型与耗尽型MOSFET类似类似3.主要参数主要参数5.3.2 JFET的特性曲线及参数的特性曲线及参数5.3.3 JFET放大电路的小信号模型分析法放大电路的小信号模型分析法1.JFET小信号模型小信号模型（1）低）低频（及中（及中频）模型）模型2.动态指标分析动态指标分析（1 1）中频小信号等效电路）中频小信号等效电路2.动态指标分析动态指标分析（2）中频电
17、压增益）中频电压增益（3）输入电阻）输入电阻（4）输出电阻）输出电阻忽略忽略 rds，由输入输出回路得由输入输出回路得则则end5.5 各种放大电路性能比较各种放大电路性能比较N沟沟道道增增强强型型绝缘栅场效应管P沟沟道道增增强强型型 1.各类场效应管的特性曲线比较各类场效应管的特性曲线比较绝缘栅场效应管1.各类场效应管的特性曲线各类场效应管的特性曲线比较比较N沟沟道道耗耗尽尽型型P沟沟道道耗耗尽尽型型结型场效应管1.各类场效应管的特性曲线各类场效应管的特性曲线比较比较N沟沟道道P沟沟道道双极型三极管场效应三极管噪声噪声较大较大较小较小温度温度特性特性受温度影响较大受温度影响较大受温度影响较小，有零温受温度影响较小，有零温度系数点度系数点输入输入电阻电阻几十到几千欧姆几十到几千欧姆几兆欧姆以上几兆欧姆以上静电静电影响影响不受静电影响不受静电影响易受静电影响易受静电影响集成集成工艺工艺不易大规模集成不易大规模集成适合于大规模和超大规模适合于大规模和超大规模集成集成2.BJT与与FET的比较的比较3.各种放大器件电路比较各种放大器件电路比较详见教材详见教材P.240