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1、v一、硅单晶中氧、碳的分布状况一、硅单晶中氧、碳的分布状况v1、氧、氧：在硅单晶中，以间隙氧的形式存在：在硅单晶中，以间隙氧的形式存在v（1）硅中氧的含量：）硅中氧的含量：v直拉单晶硅：直拉单晶硅：4101731018原子原子/cm3v多晶硅：多晶硅：10161017原子原子/cm3v（2）最大溶解度：）最大溶解度：v熔硅：熔硅：2.21018原子原子/cm3v固体硅：固体硅：2.751018原子原子/cm3 v（3）分布：硅单晶中的氧，由于分凝作用在晶体中呈条纹）分布：硅单晶中的氧，由于分凝作用在晶体中呈条纹状分布，头部高，尾部低。状分布，头部高，尾部低。v（4）间隙氧对硅单晶结构和性能产生
2、的影响：）间隙氧对硅单晶结构和性能产生的影响：v1）可以增加硅片的机械强度，避开弯曲和翘曲等变形。）可以增加硅片的机械强度，避开弯曲和翘曲等变形。v2）形成热施主，会变更器件的电阻率和反向击穿电压，形）形成热施主，会变更器件的电阻率和反向击穿电压，形成堆垛层错和漩涡缺陷。成堆垛层错和漩涡缺陷。v3）形成氧沉淀，产生位错、堆垛层错等缺陷。）形成氧沉淀，产生位错、堆垛层错等缺陷。v2、碳：在硅单晶中，一间隙氧的形式存在、碳：在硅单晶中，一间隙氧的形式存在v（1）单晶硅中氧碳的含量：）单晶硅中氧碳的含量：10161017原子原子/cm3v（2）最大溶解度：）最大溶解度：v熔硅：熔硅：341018原子
3、原子/cm3v固体硅：固体硅：5.51017原子原子/cm3v（3）分布：硅单晶中的碳，由于分凝作用在晶体中呈条纹）分布：硅单晶中的碳，由于分凝作用在晶体中呈条纹状分布，头部低，尾部高。状分布，头部低，尾部高。v（4）碳对硅单晶的影响）碳对硅单晶的影响v1）碳以替位形式存在，使晶格发生畸变，是硅的生长条纹）碳以替位形式存在，使晶格发生畸变，是硅的生长条纹可能与碳的分布有关。可能与碳的分布有关。v2）碳在硅单晶中成为杂质氧的成核点，促进氧的沉淀。）碳在硅单晶中成为杂质氧的成核点，促进氧的沉淀。v3）导致晶体中堆垛层错、漩涡缺陷等的产生。降低器件的）导致晶体中堆垛层错、漩涡缺陷等的产生。降低器件的
4、反向电压，增大漏电电流，降低器件的性能。反向电压，增大漏电电流，降低器件的性能。v二、红外光谱法测单晶硅中氧、碳的含量二、红外光谱法测单晶硅中氧、碳的含量v1、硅中氧和碳的红外吸取光谱。如图所示、硅中氧和碳的红外吸取光谱。如图所示v（1）氧吸取峰：）氧吸取峰：v1）波长为）波长为1=8.3m(波数为波数为1205 -),此吸取波峰主要为分此吸取波峰主要为分子对称伸缩振动产生的，吸取峰强度很小。子对称伸缩振动产生的，吸取峰强度很小。v2)波长为波长为2=9m(波数为波数为1105 -),此吸取波峰主要为分子反此吸取波峰主要为分子反对称伸缩振动产生的，吸取峰强度最大。对称伸缩振动产生的，吸取峰强度
5、最大。v3）波长为）波长为3=19.4m(波数为波数为515 -),此吸取波峰主要为分此吸取波峰主要为分子弯曲振动产生的，吸取峰强度较小。子弯曲振动产生的，吸取峰强度较小。v（2）碳吸取峰：）碳吸取峰：v1）波长为）波长为1=16.47m(波数为波数为607.2cm-),此吸取波峰为基此吸取波峰为基频峰，吸取峰强度较大。频峰，吸取峰强度较大。v2)波长为波长为2=8.2m(波数为波数为1217cm-),此吸取波峰主要为倍此吸取波峰主要为倍频峰，吸取峰很小。频峰，吸取峰很小。v2 2、半导体与光学常数之间的关系、半导体与光学常数之间的关系v半导体对不同波长的光或电磁辐射有不同的吸取性能，常半导体
6、对不同波长的光或电磁辐射有不同的吸取性能，常用吸取系数用吸取系数来描述这种吸取特性。来描述这种吸取特性。的大小与光的波的大小与光的波长长有关，因而可以构成一个有关，因而可以构成一个的连续普带，即吸的连续普带，即吸取光谱。取光谱。v如图所示，样品受到一束强度为如图所示，样品受到一束强度为 I0 I0，分为三部分：，分为三部分：v IR IR、IK IK 和和 IT IT，因此有，因此有dv将上式除将上式除 I0，可得，可得vR、K、T分别为反射率、吸取率和透射率。分别为反射率、吸取率和透射率。v在上图中的志向镜面，且两面平行的样品的状况下，考虑在上图中的志向镜面，且两面平行的样品的状况下，考虑光
7、在样品内部经多次反射，忽视干涉效应，透射光的强度光在样品内部经多次反射，忽视干涉效应，透射光的强度v因此有v吸取系数定义为相当于波的能量经过1/距离时减弱为1/e倍。因此越大，光强度透射减弱越多，光的吸取性能越高。v对于硅，R=30%,因此分析红外光谱，依据上式可以计算得到吸取系数。v2、max和半峰宽和半峰宽 v的求法的求法v用如下公式来求吸取系数用如下公式来求吸取系数 max 比较麻烦，比较麻烦，v一般用如下公式来求一般用如下公式来求 ：vI-从吸取峰到零透射线的测量值从吸取峰到零透射线的测量值vI0-从氧峰所对应的波数值横坐标的垂线与基线的从氧峰所对应的波数值横坐标的垂线与基线的交点到零
8、透射线的测量值交点到零透射线的测量值v半波峰半波峰 ：在吸取系数与波数的关系曲线上，取：在吸取系数与波数的关系曲线上，取1/2v max为半峰高，在半峰高处吸取峰的宽度波数值。如图所为半峰高，在半峰高处吸取峰的宽度波数值。如图所示示ACABD基线v实际半波峰的作法：实际半波峰的作法：v令令C点在上红外光谱吸取峰值的纵坐标上的一点，由点在上红外光谱吸取峰值的纵坐标上的一点，由C点对点对应的透射强度大小为应的透射强度大小为 ,过点过点C作基线的平行线，与波峰两作基线的平行线，与波峰两侧交点之间的波数宽度为半峰宽侧交点之间的波数宽度为半峰宽。v只要证明只要证明A点的吸取系数为点的吸取系数为1/2ma
9、x ,则说明该处得到的波则说明该处得到的波数宽即为半峰宽：数宽即为半峰宽：v证明：证明：v因为因为 v及及v所以所以v3、氧、碳含量的计算公式：、氧、碳含量的计算公式：v（1）爱因斯坦模型理论计算公式：）爱因斯坦模型理论计算公式：v此公式在公式推导过程中把此公式在公式推导过程中把Si-O振子电荷看成是完整的电子振子电荷看成是完整的电子电荷，与实际不符，目前不接受此公式计算。电荷，与实际不符，目前不接受此公式计算。v（2）定氧含量的）定氧含量的ASTM(美国材料试验协会）阅历公式：美国材料试验协会）阅历公式：v此方法设定将半峰宽此方法设定将半峰宽 固定为一常数：固定为一常数：32厘米厘米-1，硅
10、单晶，硅单晶中的氧与中的氧与max 成正比关系（波数为成正比关系（波数为1105cm-1的特征峰），的特征峰），接受真空熔化气体分析法，并用空气参考法和差别法测得到接受真空熔化气体分析法，并用空气参考法和差别法测得到红外吸取光谱计算吸取系数，因此得到红外吸取光谱计算吸取系数，因此得到ASTM阅历公式：阅历公式：v1）空气参考法：）空气参考法：v室温下（室温下（300K):v77K ：v2）差别法：）差别法：v室温下（室温下（300K):v77K ：v（3）定碳含量的）定碳含量的ASTM阅历公式：阅历公式：v用差别法测量得到红外光谱，由于用差别法测量得到红外光谱，由于Si-C振动的波数为振动的波
11、数为607cm-1(16.4微米微米)。由于在室温条件下，在波长为。由于在室温条件下，在波长为16微米微米处出现硅晶格的吸取波峰，强度很大，因此接受差别法消退处出现硅晶格的吸取波峰，强度很大，因此接受差别法消退晶格吸取系数。得到阅历公式：晶格吸取系数。得到阅历公式：ASTM公司通过对公司通过对C的放射的放射性元素性元素C14试验得到吸取系数与碳含量的关系，得到阅历公试验得到吸取系数与碳含量的关系，得到阅历公式：式：v（4）德国工业标准测氧、碳的阅历公式：）德国工业标准测氧、碳的阅历公式：v这一公式与这一公式与ASTM阅历公式相比较，由于吸取系数换算为氧、阅历公式相比较，由于吸取系数换算为氧、碳
12、含量的折算系数。因此有：碳含量的折算系数。因此有：v此测试条件与此测试条件与ASTM阅历公式的测试条件相同阅历公式的测试条件相同v（5）我国测定标准的阅历计算公式：）我国测定标准的阅历计算公式：v国内用氦载气熔化国内用氦载气熔化-气相色谱装置测定硅中氧含量与红外吸气相色谱装置测定硅中氧含量与红外吸取系数之间的关系，得到如下阅历公式取系数之间的关系，得到如下阅历公式:v三、我国测试硅晶体中间隙氧含量的标准方法三、我国测试硅晶体中间隙氧含量的标准方法 v1、测试方法与范围：、测试方法与范围：v（1)红外吸取法红外吸取法v(2）范围：适用于室温电阻大于）范围：适用于室温电阻大于0.1 的硅晶体。测量
13、范围的硅晶体。测量范围为为:3.51015at -3至最大固溶度。至最大固溶度。v2、用红外光谱仪测定、用红外光谱仪测定Si-O键在键在1105cm-处的吸取系数来确处的吸取系数来确定硅晶体中间隙氧的含量。定硅晶体中间隙氧的含量。v3、测量仪器、测量仪器v（1）双光束红外分光光度计或傅里叶变换红外光谱仪。）双光束红外分光光度计或傅里叶变换红外光谱仪。（仪器在（仪器在1105cm-处的辨别率小于处的辨别率小于5cm-。）。）v（2）低温测量装置。）低温测量装置。v（3）千分尺，精度）千分尺，精度0.01mm.v（4)被测试样架和参比样品架。被测试样架和参比样品架。v4、试样制备：、试样制备：v（
14、1）测试试样）测试试样v1）试样切取（从头部取）、研磨，试样的厚度偏差小于）试样切取（从头部取）、研磨，试样的厚度偏差小于10m。v2）抛光：机械抛光或化学抛光，使两表面均呈镜面。）抛光：机械抛光或化学抛光，使两表面均呈镜面。v3）在）在 试样测量部位，两表面的平整度均不大于试样测量部位，两表面的平整度均不大于2.2 m.v4）试样测量部位试验的厚度差均不大于）试样测量部位试验的厚度差均不大于10 m。v5）氧含量大于或等于）氧含量大于或等于11017at -3 的试样厚度约为的试样厚度约为2mm;氧氧含量含量 小于小于11017at -3 的试样厚度约为的试样厚度约为10mm。v（2）参比样
15、的制备方法同上，要求参比样品与待测试样品）参比样的制备方法同上，要求参比样品与待测试样品的厚度差小于的厚度差小于0.5%。5.测试步骤：测试步骤：（1）选择方法：）选择方法：O 11017at -3 的试样，用空气参考法或的试样，用空气参考法或差别法；含量差别法；含量 O 11017at -3 的试样的试样,接受差别。接受差别。具体操作步骤：具体操作步骤：1）分别在试样光束和参考比光束中安放样品架，通光孔径为）分别在试样光束和参考比光束中安放样品架，通光孔径为直径直径510mm.2）调整透过率）调整透过率0%和和100%.3)放置在样品架上分别放置待测样品和参考样品（空气参考放置在样品架上分别
16、放置待测样品和参考样品（空气参考法不需放）。法不需放）。4）双光束红外分光光度计要调整扫描速度、时间常数、狭缝）双光束红外分光光度计要调整扫描速度、时间常数、狭缝宽度和增益等仪器参数。在宽度和增益等仪器参数。在1105cm-处作半峰宽。如图所示。处作半峰宽。如图所示。5）在）在1300 1000cm-范围内扫描，得到范围内扫描，得到1105cm-处的硅处的硅-氧吸氧吸取带。取带。6）吸取峰（）吸取峰（T0-T)小于小于5%时，应接受低温测量。时，应接受低温测量。7）接受）接受78K测量时，峰值位于测量时，峰值位于1127.6cm-(8.8684m）处，半）处，半峰宽为峰宽为20cm-。8）重复
17、测量三次，取结果的平均值。）重复测量三次，取结果的平均值。v6、测量结果的计算：将测量值代入、测量结果的计算：将测量值代入 计算吸取计算吸取系数系数 。v7、氧含量的计算：、氧含量的计算：v8、精确度：单个试验室为、精确度：单个试验室为2%，多个试验室测试为，多个试验室测试为3%。9、测试的影响因素：、测试的影响因素：（1）在氧吸取谱带位置有一个硅晶格吸取振动谱带，）在氧吸取谱带位置有一个硅晶格吸取振动谱带，参考样品与待测样品的厚度小于参考样品与待测样品的厚度小于 0.5%，以避开晶，以避开晶格吸取的影响。格吸取的影响。（2）由于氧吸取谱带与硅晶格吸取谱带都会随样品）由于氧吸取谱带与硅晶格吸取
18、谱带都会随样品温度的变更而变更，因此测试期间光谱仪样品室的温度的变更而变更，因此测试期间光谱仪样品室的温度恒定为温度恒定为275。（3）电阻率低于）电阻率低于1 的的n型硅单晶和电阻率低于型硅单晶和电阻率低于3 的的p型硅单晶中的自由载流子吸取比较严峻，因此型硅单晶中的自由载流子吸取比较严峻，因此保证参考样品的电阻率尽量一样。保证参考样品的电阻率尽量一样。（4）电阻率低于）电阻率低于0.1 的的n型硅单晶和电阻率低于型硅单晶和电阻率低于0.5 的的p型硅单晶中的自由载流子吸取会使大多数光谱仪难以获得满型硅单晶中的自由载流子吸取会使大多数光谱仪难以获得满足的能量。足的能量。（5）沉淀氧浓度较高时
19、，其在）沉淀氧浓度较高时，其在1230cm-或或1073cm-处的吸取处的吸取谱带可能会导致间隙氧浓度的测量误差。谱带可能会导致间隙氧浓度的测量误差。（6）300K时，硅中间隙氧吸取带的半峰宽应为时，硅中间隙氧吸取带的半峰宽应为32cm-。宽较。宽较大时会导致误差。大时会导致误差。v四、我国测试硅晶体中替位碳含量的标准方法四、我国测试硅晶体中替位碳含量的标准方法v1、测试方法与范围：、测试方法与范围：v（1）红外吸取法：利用红外光谱进行定性定量分析的方法）红外吸取法：利用红外光谱进行定性定量分析的方法v（2）范围：适用于室温电阻大于）范围：适用于室温电阻大于0.1 的硅晶体，载流子浓的硅晶体，
20、载流子浓度小于度小于 51016at -3。测量范围为。测量范围为:室温下室温下11016at -3 至至最大固溶度。最大固溶度。77K时下限降为时下限降为51015at -3。v2、测试原理：用红外光谱仪测定、测试原理：用红外光谱仪测定Si-C键在键在607.2cm-（16.47m)处的吸取系数来确定硅晶体中替位碳的含量。处的吸取系数来确定硅晶体中替位碳的含量。v3、测测量量仪仪器器v（1）双光束）双光束红红外分光光度外分光光度计计或傅里叶或傅里叶变换红变换红外光外光谱仪谱仪。（光（光谱谱范范围围700550cm,室温下室温下仪仪器在器在607.2cm-处处的辨的辨别别率小于率小于2cm-,
21、在在77K时时，偏移到，偏移到仪仪器在器在607.5cm-处处的辨的辨别别率率小于小于1cm-。）。）v（2）低温恒温器能使）低温恒温器能使试样试样与参比与参比样样品品维维持在持在77K的温度。的温度。v（3）厚度）厚度测测量量仪仪，精度，精度0.025mm.v（4)被被测试样测试样架和参比架和参比样样品架避开任何品架避开任何绕过样绕过样品的品的红红外外辐辐射。射。v4、试样制备：、试样制备：v（1）测试试样）测试试样v1）试样切取（从尾部取样）、研磨。）试样切取（从尾部取样）、研磨。v2）抛光：机械抛光或化学抛光，使两表面均呈镜面。）抛光：机械抛光或化学抛光，使两表面均呈镜面。v3）试样厚度
22、约为）试样厚度约为2mm或更薄。或更薄。v4）在）在 试样测量部位，两表面的平整度均不大于试样测量部位，两表面的平整度均不大于2.2 m。v5）试样测量部位试验的厚度均不大于）试样测量部位试验的厚度均不大于0.005mm。v（2）制备方法同上，要求参比样品与待测试样品的厚度差）制备方法同上，要求参比样品与待测试样品的厚度差小于小于0.01mm。参比样品替位碳浓度小于。参比样品替位碳浓度小于11015at -3 5.测试步骤：测试步骤：1）分别在试样光束和参考比光束中安放样品架，通光孔径为）分别在试样光束和参考比光束中安放样品架，通光孔径为直径直径510mm.2）调整透过率）调整透过率0%和和1
23、00%.3)放置在样品架上分别放置待测样品和参考样品。放置在样品架上分别放置待测样品和参考样品。4）双光束红外分光光度计要调整扫描速度、时间常数、狭缝）双光束红外分光光度计要调整扫描速度、时间常数、狭缝宽度和增益等仪器参数。在宽度和增益等仪器参数。在607.2cm-处作半峰宽。要求半峰处作半峰宽。要求半峰宽不大于宽不大于6cm-，如图所示。，如图所示。5）在）在700 550cm-范围内扫描，得到范围内扫描，得到607.2cm-处的硅处的硅-碳吸碳吸取带。取带。6）若要提高灵敏度，接受）若要提高灵敏度，接受77K测量时，峰值位于测量时，峰值位于607.5cm-处处,要求半峰宽为要求半峰宽为3c
24、m-，试样厚度增加到，试样厚度增加到5mm,最大扫描速度为最大扫描速度为1cm/min。v6、测量结果的计算：将测量值代入、测量结果的计算：将测量值代入 计算吸取计算吸取系数系数 。v7、碳含量的计算：、碳含量的计算：v8、精确度：单个试验室为、精确度：单个试验室为10%。9、测试的影响因素：、测试的影响因素：（1）投射到探测器的杂散光会降低吸取系数的计算值。）投射到探测器的杂散光会降低吸取系数的计算值。（2）参比样品和被测样品的温度必需相同，以避开与温度有）参比样品和被测样品的温度必需相同，以避开与温度有关的晶格吸取对测量的影响。关的晶格吸取对测量的影响。（3）参比样品的碳浓度应小于）参比样
25、品的碳浓度应小于11015at -3，使样品造成的，使样品造成的误差低于最低检测下限的误差低于最低检测下限的10%。（4）室温下碳吸取带的半峰宽小于）室温下碳吸取带的半峰宽小于6cm-。仪器平衡调整不正。仪器平衡调整不正确或扫描速度过快会导致半峰宽变宽。确或扫描速度过快会导致半峰宽变宽。（5）硅中的晶格吸取在）硅中的晶格吸取在625cm-处很强，应用差别法测量，以处很强，应用差别法测量，以消退硅晶格吸取带的影响。消退硅晶格吸取带的影响。（6)本方法的最低检测下限取决于记录仪的信噪比。本方法的最低检测下限取决于记录仪的信噪比。人有了学问，就会具备各种分析实力，明辨是非的实力。所以我们要勤恳读书，广泛阅读，古人说“书中自有黄金屋。”通过阅读科技书籍，我们能丰富学问，培育逻辑思维实力；通过阅读文学作品，我们能提高文学鉴赏水平，培育文学情趣；通过阅读报刊，我们能增长见识，扩大自己的学问面。有很多书籍还能培育我们的道德情操，给我们巨大的精神力气，鼓舞我们前进。