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1、存储器实验一、实验目的掌握静态随机存取存储器RAM工作特性及数据的读写方法。二、实验内容1、实验原理主存储器单元电路主要用于存放实险机的机器指令，如图5.1所 示，它的数据总线连到外部数据总线EXDOEXD7上；它的地址总线由地 址寄存器单元电路中的地址寄存器74LS273 (U37)给出，地址值由 8个LED灯LADOLAD7显示，高电平点亮，低电平熄灭；在手动方式 下，输入数据由8位数据开关KDOKD7提供，并经一三态门74LS245 (U51)连至外部数据总线EXD0 - EXD7,实验时将外部数据总线 EXD0-EXD7用8芯排线连到内部数据总线BUSDOBUSD7,分时给出 地址和数
2、据。它的读信号直接接地；它的写信号和片选信号由写入方式 确定。该存储器中机器指令的读写分手动和自动两种方式。手动方式下, 写信号由W/R提供，片选信号由CE提供；自动方式下，写信号由 控制CPU的P1.2提供，片选信号由控制CPU的P1.1提供。由于地址寄存器为8位，故接入6264的地址为A0A7,而高4 位A8-A12接地，所以其实使用容量为256字节。6264有9个控 制线：CS1为第一片选家CS2为第二片选线、二 读出使能线及WE 写使能线。其功能如表5. 1所示。CS1片选线由CE控制(对应开关CE）、OE读出使能线直接接地、WE写使能线由W/R控制（对应开关WE）、CS2 直接接+5
3、V。图5.1中信号线LDAR由开关LDAR提供，手动方式实验时，跳线 器LDAR拨至左侧，脉冲信号T3由实验机上时序电路模块TS3提供， 实验时只需将J22跳线器连上即可，T3的脉冲宽度可调。2、实验接线总清开关拨到“1”位置。MBUS 连BUS2;EXJ1 连BUS3;跳线器J22的T3连TS3;跳线器J16的SP连H23;跳线器SWB、CE、WE、LDAR拨至左侧（手动位置）。239 CD QC 03 X*5 C7 C9 C3 7654 3 2 1 5WW/874387432S88E2S2 lr8.rso9 22 0 2 2 。6 7 1，率器I注醇登sssssssg一 Expo、 2 e
4、xdk 3 EXD2、 5 EXD3、6 Elxk7 _IZDS 8 EXD6, 9 ExlsxLZD0,LZD7表5.1 6264功能表工作方式I/O输入DIDO/OE/WE/CS1非选择XHIGH-ZXXH读出HIGH-ZDOLHL写入DIHIGH-ZHLL写入DIHIGH-ZLLL选择XHIGH-ZHHL3、实验步骤连接实验线路，仔细查线无误后接通电源。 形成时钟脉冲信号T3。方法如下：在时序电路模块中有两个 二进制开关“运行控制”和“运行方式”。将“运行控制开关置为 “运行”状态、“运行方式”开关置为“连续”状态时，按动“运行启 动”开关，则T3有连续的方波信号输出，此时调节电位器W1
5、,用示波 器观察，使T3输出实脸要求的脉冲信号；本实险中“运行方式”开关 置为“单步”状态，每按动一次“启动运行”开关，则T3输出一个正 单脉冲，其脉冲宽度与连续方式相同。 向存储器的00地址单元中写入数据11,具体操作步骤如下:SWB=OCE=1SWB=iKD7DO=OOO(X)OO()LDAR=1CE=1T3= j|_（数据置入地址I 普存器SWB=OWE=1SWB=IKD7-D0=00010001 LDAR=0 据开关置数）?WB=0,输入三态门）LDAR=0T3= _TL（数据置入 l存襦察RAM据开关置品）WB= 正输入三态门）如果要对其它地址单元写入内容，方法同上，只是输入的地址和
6、 内容不同。读出刚才写入00地址单元的内容，观察内容是否与写入的一 致。具体操作步骤如下:SWB=OCE=1SWB=1_LDAR=1kd7do=ooooooo（） /x :沅/x T3= _TLg据开关置产驾g输入三态门）（数嘲簿址SWB=1CE=()LDAR=OWE=O /数据从存储器读出，三、实验数据记录1、记录向存储器写入数据的操作过程。按照前面介绍的实验步骤向存储器地址为OOH, 01H, 02H, 03H, 04H, 05H 的单元分别写入数据：55H, 33H, 44H, 66H, 08H, FOH。2、写出读出存储器单元内容的操作过程并记录以下地址单元读 出的内容。地址内容地址内容0000000000000100000000010000010100000010000010000000001100000100四、根据电路图分析向存储器置数和从存储器读数的工作原理