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1、正文目录1第三代半导体SIC：性能优异，爆发前夜1.1 第三代半导体SIC材料的性能优势 51.2 第三代半导体SIC器件的性能优势 61.3 政策支持VS产业成熟度提升71.451 C产业链总结92 sle器件：10年20倍成长，国内全面布局102.1 应用：新月匕源I充电桩和光伏等将率7tl木JJ 102.2 门槛：SIC器件的壁垒和难点132.3 空间&增速：SIC器件未来5-10年复合40%增长 132.4 格局：SIC器件的竞争格局 143sle晶片：高成长高壁垒，国产奋起直追 153.1 成长分析153.2 壁垒分析183.3 竞争分析193.4 价值分析204投资建议204.1
2、天科合达204.2 山东天岳254.3 斯达半导264.4 三安光电274.5 华润微284.6 捷捷微电284.7 扬杰科技294.8 露笑科技29风险提示：30图表10 2019年各个领域的SiC模块产品推出情况数据来源：CASA,华安证券研究所时间厂商产品参数特点2019.6三菱SiC模块3.3kV/750A全SiC高压半桥模块，其内部包含SiC MOSFET及反并联 SiC SBD,模块采用全新LV100封装，采用交直流分开的 主端子布局，利于并联应用并实现极低内部杂散电感。2019.7英飞凌SiC模块（混合）1200V采用先进中性点钳位拓扑结构，将混合SiC和IGBT功率 模块Eas
3、yPACK2B提升至ij 1200Vo该模块分别针对Cool SiC MOSFET和TRENCHSTOP IGBT4芯片组的最正确损耗 点进行了优化，具有更高的功率密度和高达48kHz的开关 频率，适用于新一代1500V光伏和储能应用。2019.10WolfspeedSiC模块1200V/450A全SiC半桥模块CAB450M12XM3,该产品可最大限度地提 高功率密度，其重量和体积仅为62mm标准模块的一半， 同时最大限度地降低环路电感并实现简单的功率总线，该 产品适用于电动车充电器，牵引驱动器和不间断电源（UPS）等应用。SIC肖特基二极管的应用比传统的肖特基二极管同样有优势。碳化硅肖特基
4、 二极管相比于传统的硅快恢复二极管（SiFRD）,具有理想的反向恢复特性。在 器件从正向导通向反向阻断转换时，几乎没有反向恢复电流，反向恢复时间小于 20ns,因此碳化硅肖特基二极管可以工作在更高的频率，在相同频率下具有更高 的效率。另一个重要的特点是碳化硅肖特基二极管具有正的温度系数，随着温度 的上升电阻也逐渐上升，这使得SIC肖特基二极管非常适合并联实用，增加了系 统的平安性和可靠性。总结来看，SIC肖特基二极管具有的特点如 下：1）几乎无开关损耗；2）更高的开关频率；3）更高的效率；4）更高的工作 温度；5）正的温度系数，适合于并联工作；6）开关特性几乎与温度无关。根据CASA的统计，业
5、内反响SiC SBD实际的批量采购成交价已经降至1 元/A以下，耐压600-650V的产品业内批量采购价约为0.6元/A,而耐压1200V 的产品业内批量采购价约为1元/A。图表11 2018-2019年不同制造商SiC SBD产品价格比照 单位（元/A）数据来源：CASA,华安证券研究所厂家年份/降幅2019600V2018降幅20191200V2018降幅安森美-2.69-罗姆4.54.73-5%6.7310.39-35%英飞凌2.43.42-30%2.946.84-57%意法半导体1.492.19-32%3.044.03-25%科锐2.554.13-38%6.189.46-35%平均降幅
6、-26%-38%如上表所示，2019年局部SIC肖特基二极管产品价格实现了 20%-35%的降 幅，SIC二极管价格的持续降低以及和Si二极管价差的缩小将进一步促进SIC二 极管的应用。2.2门槛：SIC器件的壁垒和难点SIC难度大局部集中在SIC晶片的长晶和衬底制作方面，但是要做成器件， 也有一些自身的难点，主要包括：1、外延工艺效率低：碳化硅的气相同质外延一般要在1500以上的高温下 进行。由于有升华的问题，温度不能太高，一般不能超过1800,因而生长速率 较低。液相外延温度较低、速率较高，但产量较低。2 .欧姆接触的制作：欧姆接触是器件器件制作中十分重要的工艺之一，要形 成好的碳化硅的欧
7、姆接触在实际中还是有较大难度；3 .配套材料的耐高温：碳化硅芯片本身是耐高温的，但与其配套的材料就不 见得能够耐得住600以上的温度。所以整体工作温度的提高，需要不断的进行 配套材料方面创新。SIC的优异性能大家认识的较早，之所以最近几年才有较好的进展主要是因 为SIC片和SIC器件两个方面相比传统的功率器件均有一些难点，器件生产的高 难度高本钱加上碳化硅片制造的高难度（后面会提及），两者互为循环，一定程 度上制约了过去几年SIC应用的推广速度，我们认为随着产业链逐渐成熟，SIC 正处于爆发的前夜，拐点渐行渐近。2.3空间&增速：SIC器件未来5-10年复合40%增长IHS预计未来5-10年S
8、IC器件复合增速40%：根据IHSMarkit数据，2018 年碳化硅功率器件市场规模约3.9亿美元，受新能源汽车庞大需求的驱动，以及 光伏风电和充电桩等领域对于效率和功耗要求提升，预计到2027年碳化硅功率 器件的市场规模将超过100亿美元，18-27年9年的复合增速接近40%。12,000 0 收入M模(百万美元)图表12 SiC功率器件市场规模预测苴他应用军事&航天领域奎引系统领域光伏逆变器混合动力汽车充 电基础设海工业电机驱动混合动力汽车&电访汽车 UP环间断电薄电源装艮数据来源：IHS,华安证券研究所渗透率角度测算SIC MOS器件市场空间：（SICMOS只是SIC器件的一种） SI
9、C MOS器件的下游和IGBT重合度较大，因此，驱动IGBT行业空间高成长驱 动因素如车载、充电桩、工控、光伏风电以及家电市场，也都是SICMOS功率器 件将来要涉足的领域；根据我们之前系列行业报告的大致测算，2019年IGBT全球58亿美金，中国22亿美金空间，在车载和充电桩和工控光伏风电等的带动下, 预计2025年IGBT全球120亿美金，中国60亿美金。OBCDCDCSiC SBDSiC SBD + SiC MOSSi SBDSiC MOS逆变器IGBT + Si FRD无线充电SiC SBD + SiC MOSSiC MOS大功率DCDC （用 于快速充电）数据来源：Rohm,华安证券
10、研究所SIC MOS器件的渗透率取决于其本钱下降和产业链成熟的速度，根据英飞凌 和国内相关公司调研和产业里的专家的判断来看，SIC MOS渗透IGBT的拐点可 能在2024年附近。预计2025年全球渗透率25%,那么全球有30亿美金SICMOS器 件市场，中国按照20%渗透率2025年那么有12亿美金的SICMOS空间。即不考虑 SIC SBD和其他SIC功率器件，仅测算替代IGBT那局部的SIC MOS市场预计 2025年全球30亿美金，相对2019年不到4亿美金有超过7倍成长，且2025-2030 年增速延续。2.4格局：SIC器件的竞争格局目前，碳化硅器件市场还是以国外的传统功率龙头公司
11、为主，2017年全球 市场份额占比前三的是科锐，罗姆和意法半导体，其中CREE从SIC上游材料切 入到了 SIC器件，相当于其拥有了从上游SIC片到下游SIC器件的产业链一体化 能力。图表14 2017年SIC器件和模块市场份额科锐罗姆半导体英飞凌意法半导体其他数据来源：Rohm,华安证券研究所国内的企业均处于初创期或者刚刚介入SIC领域，包括传统的功率器件厂 商华润微、捷捷微电、扬杰科技，从传统的硅基MOSFET、晶闸管、二极管等 切入SIC领域，IGBT厂商斯达半导、比亚迪半导体等，但国内当前的SIC器件 营收规模都比拟小（扬杰科技最新披露SIC营收2020年上半年19.28万元左 右）；
12、未上市公司和单位中做的较好的有前面产业链总结中提到的一些，包括：泰科天润：可以量产SiC SBD,产品涵盖600V/5A50A、1200V/5A50A和 1700V/10A系歹U;并且早在2015年，泰科天润就宣布推出了一款高功率碳化硅肖 特基二极管产品，是从事SIC器件的较纯粹的公司；中电科55所：国内从4-6寸碳化硅外延生长、芯片设计与制造、模块封装实 现全产业链的单位；深圳基本半导体：成立于2016年，由清华大学、浙江大学、剑桥大学等国内 外知名高校博士团队创立，专注于SIC功率器件，也是深圳第三代半导体研究院 发起单位之一，目前已经开始推出其1200V的SiC MOSFET产品。3sl
13、e晶片：高成长高壁垒，国产奋起直追成长分析3.1.1 SIC晶片对应的下游器件如前分析所述，碳化硅晶片主要用来做成高压功率器件和高频功率器件：sic 片主要分为两种类型：导电型的SIC晶片经过SIC外延后制作高压功率器件；半 绝缘型的SIC晶片经过GaN外延后制5G射频器件（特别是PA）;图表15 SiC晶片产业链数据来源：天科合达招股说明书，华安证券研究所数据来源：天科合达招股说明书，华安证券研究所3.1.2 SIC晶片的下游器件未来市场空间及增长碳化硅晶片主要用于大功率和高频功率器件：2018年氮化螺射频器件全球 市场规模约4.2亿美元（约28亿元人民币），随着5G通讯网络的推进，氮化 镇
14、射频器件市场将迅速扩大，Yolc预计到2023年，全球射频氮化镀器件市场规 模将到达13亿美元（约91亿元人民币）；继续引用前面IHS的预测，那么SIC 功率器件将由2019年的4.5亿美元到2025年接近30亿美元。第三代半导体在功率器件领域的市场规模：（这里的GaN是用于功率器件）图表16 SIC和GaN功率器件市场规模预测2018E2019E2020ECSI数据来源：Yole,华安证券研究所第三代半导体GaN在高频射频领域的市场规模：根据Yole的数据，2017年 氮化镇射频市场规模为4亿美元，将于2023年增长至接近13亿美元，复合增速 为22%,下游应用结构整体保持稳定，以通讯与军工
15、为主，二者合计占比约为80% o 而整体射频器件的市场空间在2018-2025在8%左右，GaN射频器件增速远远高于 射频器件整体市场的增长。图表17射频器件整体市场规模增长预测2018 年150亿美元2018 年150亿美元40 6英寸数据来源：Yole,华安证券研究所SIC晶片本身的市场空间及增速导电型碳化硅单晶衬底材料是制造碳化硅功率半导体器件的基材，根据中国 宽禁带功率半导体及应用产业联盟的测算：2017-2020年市场需求：2017年4英寸10万片、6英寸1.5万片。预计到2020 年4英寸保持10万片、6英寸超过8万片。2020-2025年市场需求：4英寸逐步从10万片市场减少到5
16、万片，6英寸晶 圆将从8万片增长到20万片；20252030年：4英寸晶圆逐渐退出市场，6英寸晶圆将增长至40万片。图表18导电型碳化硅衬底市场规模（万片）45403530252015 1010100 二 |ZU1 /ZUZ.U 4英寸数据来源：中国宽禁带功率半导体及应用产业联盟，华安证券研究所半绝缘碳化硅具备高电阻的同时可以承受更高的频率，主要应用在高频射频 器件；同样根据中国宽禁带功率半导体及应用产业联盟的测算：图表19半绝缘碳化硅衬底市场规模（万片）2520 4英寸6英寸数据来源：中国宽禁带功率半导体及应用产业联盟，华安证券研究所2017年市场需求：全球半绝缘碳化硅晶片的市场需求约4万片
17、；2020年：4 英寸半绝缘SIC维持4万片、6英寸半绝缘SIC晶片5万片；2025年市场需求：预计4英寸半绝缘到2万片、6英寸到10万片；2025-2030年市场需求：4英寸半绝缘衬底逐渐退出市场，而6英寸需求到20 万片。我们预计，整体SIC晶片全球市场空间预计从2020的30亿RMB增长至2027 年150亿元RMB,作为比照，2018年全球硅片市场90亿美元，国内硅片市场约 130亿元（近8年复合增长5%-7%） o32壁垒分析sic晶片的壁垒较高，主要表达在：SIC晶片的核心参数包括微管密度、位错密度、电阻率、翘曲度、外表粗糙 度等。在密闭高温腔体内进行原子有序排列并完成晶体生长、同
18、时控制参数指标是 复杂的系统工程，将生长好的晶体加工成可以满足半导体器件制造所需晶片又涉及 一系列高难度工艺调控；随着碳化硅晶体尺寸的增大及产品参数要求的提高，生产 参数的定制化设定和动态控制难度会进一步提升。因此，稳定量产各项性能参数指 标波动幅度较低的高品质碳化硅晶片的技术难度很大，主要表达在下面几个方面：1 .精确调控温度：碳化硅晶体需要在2,000以上的高温环境中生长，且在生 产中需要精确调控生长温度，控制难度极大；2 .容易产生多晶型杂质：碳化硅存在200多种晶体结构类型，其中六方结构 的4H型（4H-SiC） 等少数几种晶体结构的单晶型碳化硅才是所需的半导体材 料，在晶体生长过程中
19、需要精确控制硅碳比、生长温度梯度、晶体生长速率以及 气流气压等参数，否那么容易产生多晶型夹杂，导致产出的晶体不合格；U-VI16%0.5%SiCrystal 12%CREE 62%3 .晶体扩径难度大：气相传输法下，碳化硅晶体生长的扩径技术难度极大， 随着晶体尺寸的扩大，其生长难度工艺呈几何级增长；4 .硬度极大难切割：碳化硅硬度与金刚石接近，切割、研磨、抛光技术难度 大，工艺水平的提高需要长期的研发积累；竞争分析331海外基本垄断市场目前，碳化硅晶片产业格局呈现美国全球独大的特点。以导电型产品为例, 2018年美国占有全球碳化硅晶片产量的70%以上，仅CREE公司就占据60% 以上市场份额，
20、剩余份额大局部被日本和欧洲的其他碳化硅企业占据。图表20 2018年导电型碳化硅晶片厂商市场占有率Dow4%Showa Denko2%Norstel数据来源：（）f砚c Dcvclo /o332后进者难度较大由于碳化硅材料特殊的物理性质，其晶体生长、晶体切割、晶片加工等环 节的技术和工艺要求高，需要长期投入和深耕才能形成产业化生产能力，行业 门槛很高。后进入的碳化硅晶片生产商在短期内形成规模化供应能力存在较大难度， 市场供给仍主要依靠现有晶片生产商扩大自身生产能力，国内碳化硅晶片供给 缺乏的局面预计仍将维持一段时间。图表21行业内各公司不同尺寸SIC晶片的推出比照数据来源：天科合达招股说明书，
21、华安证券研究所工程CREEn-viSiCiystal山东天岳天科合达4英寸晶片成功研制并规模 化生产成功研制并规模 化生产成功研制并规模 化生产成功研制并规模 化生产成功研制并规模 化生产6英寸晶片2012年全球首次 成功研制并规模 化生产成功研制并规模 化生产成功研制并规模 化生产成功研制，2019 年宣布产线建设 计划2014年国内首次 成功研制，已规 模化生产8英寸晶片成功研制，2019 年宣布产线建设 计划2015年全球首次 成功研制，2019 年宣布产线建设 计划未披露未披露2020年启动研发34价值分析上游SIC晶片主要用于SIC功率器件和5G高频射频器件，未来10年市场 空间随着
22、下游SIC功率器件+高频射频器件的增长而增长，我们预计将从2020年 30亿RMB到2027年接近150亿RMB;行业高增长+国产替代+高壁垒：天科合达/山东天岳可简单类比于SIC晶片 领域的沪硅产业，而且传统硅片分布在日韩美五个巨头，而SIC晶片龙头70%+ 的份额都在美国CREE和ILVI等公司，国产化也更迫切；在过去十年下游半导 体的成长中，国内上游硅片商参与的有限；而这一次，未来10年的SIC器件和 5G高频射频器件中，国内的SIC晶片龙头将积极参与其中，行业爆发增长和国产 化同时进行，可持续享受较高估值。4投资建议天科合达4.1.1 公司概况：SIC晶片领军企业，成长速度快天科合达是
23、国内第三代半导体材料SIC晶片的领军企业：公司成立于2006 年9月12日，2017年4月至2019年8月在全国股转系统挂牌转让，2020年7 月拟在科创板市场上市。公司成长速度极快，2017-2019年公司收入由0.24亿增长至L55亿元，两年 复合增长率154%。.0.1320161.5537%其他碳化硅产 品碳化硅单晶炉15%碳化硅晶片48%图表22天科合达维持高增长1.801.601.401.201.000.800.600.400.200.00-0.20-0.40资料来源：天科合达招股说明书，华安证券研究所营收构成：SIC晶片占比约为一半公司营收由三局部构成：碳化硅晶片占比48.12%
24、,宝石等其他碳化硅产品 占比36.65%,碳化硅单晶生长炉占比15.23%。图表23天科合达营收构成碳化硅单晶炉碳化硅晶片 其他碳化硅产品资料来源：天科合达招股说明书，华安证券研究所4.1.2 设备自制：从设备到SIC片一体化布局公司以高纯硅粉和高纯碳粉作为原材料，采用物理气相传输法(PVT)生长 碳化硅晶体，加工制成碳化硅晶片；其中的碳化硅晶体的生长设备-碳化硅单晶 生长炉公司也能完成自制并对外销售。图表目录图表1半导体产业链一览5图表2Si与SIC材料优缺点比照6图表3SlCMOS相比Si功率器件的比照6图表42019年国际企业推出的局部经典SIC器件产品7图表52017-2019年国家第
25、三代半导体相关政策 8图表6SlCvsGANvsSl在电力电子器件中的渗透率9图表7SIC产业链以及国内外的主要玩家10图表8SIC器件的主要应用领域11图表9SICMOS多种优势带动电动车续航力提升11图表10 2019年各个领域的SIC模块产品推出情况12图表11 2018-2019年不同制造商SlCSBD产品价格比照 单位（元/A） 12图表12 SIC功率器件市场规模预测13图表13 SIC功率器件在电动车里的渗透时间预测14图表14 2017年SIC器件和模块市场份额 15图表15 SIC晶片产业链16图表16 SIC和GAN功率器件市场规模预测16图表17射频器件整体市场规模增长预
26、测 17图表18导电型碳化硅衬底市场规模（万片）17图表19半绝缘碳化硅衬底市场规模（万片）18图表20 2018年导电型碳化硅晶片厂商市场占有率19图表21行业内各公司不同尺寸SIC晶片的推出比照20图表22天科合达维持高增长 21图表23天科合达营收构成21图表24天科合达主要产品间的关系 22图表25天科合达主要产品毛利率23图表26天科合达产能与产量23图表27天科合达SIC晶片的单价23图表28天科合达在导电型碳化硅晶片市场占有率（2018年）24图表29天科合达前五大客户 24图表30斯达半导积极进行SIC布局26图表31斯达官网中的SIC模块27图表24天科合达主要产品间的关系单
27、晶生长炉销售单晶生长炉销售单晶生长炉杼晶情售晶体俏售晶体生长晶体生长的“种子”切割及加工晶体晶片销售资料来源：天科合达招股说明书，华安证券研究所44.4管理层(1)刘伟先生，出生于1967年3月，中国国籍，无境外永久居留权，正高 级工程师，毕业于西安交通大学电气工程专业，硕士研究生。1990年7月至 2001年3月，历任石河子热电厂生产技术科专工、锅炉分厂主任、检修分厂副 主任、热力分公司经理、生产技术科科长、副厂长、厂长；2001年3月至2008 年12月，任天富热电副总经理兼热电厂厂长、东热电厂厂长、南热电厂书记 和厂长；2008年12月至2019年6月，历任天富集团党委委员兼天富热电党委
28、 副书记和南热电厂厂长、董事长，天富集团党委副书记、党委书记、董事长 兼天富热电(天富能源)党委书记、副董事长；2019年6月至今，任天富集团 党委书记、董事长、天富能源党委书记、董事长。2015年3月至2015年10 月，任天科合达有限董事长；2015年10月至今，任公司董事长。(2) 杨建先生，出生于1976年9月，中国国籍，无境外永久居留权，毕 业于中国科学院大学工程管理专业，硕士研究生。1999年7月至2001年12月， 任新疆众和股份财务部会计；2002年1月至2006年12月，任北京天 富科技财务部经理；2007年1月至2011年9月，任天科合达有限财务 总监；2012年1月至20
29、13年8月，任掌金科技(北京)副总经理。 2013年9月至2015年10月，历任天科合达有限副总经理、董事兼总经理； 2015年10月至今，任公司董事、总经理。4.1.5 公司毛利率公司产品毛利率随着规模增大而显著增加，从2017年度的-12%增长到2020 年 Q1 的 29.45%o图表25天科合达主要产品毛利率工程2020 年 1-3 月毛利率收入占比2019年度毛利率 收入占比2018年度毛利率收入占比2017毛利率年度收入占比碳化硅晶片29.45%62.83%19.46%48.12%13.49%52.71%-12.09%42.91%其他碳化硅产品43.66%37.17%44.43%3
30、6.65%32.35%39.64%-1.39%52.31%碳化硅单晶生长炉-61.52%15.23%68.95%7.65%50.67%4.78%资料来源：天科合达招股说明书，华安证券研究所4.1.6 公司产能与产量公司2019年SIC产能37525片，产量36879片，产能利用率超过98%,过 去两年产能利用率也都维持高位。图表26天科合达产能与产量I产品类别工程2020 年 Q12019年度2018年度2017年度I碳化硅晶片产能（片）11,48437,52516,6405,374产量（片）10,99836,87916,2255,264产能利用率95.77%98.28%97.69%97.95
31、%碳化硅单晶生长 炉产能（台）7530075-产量（台）162804()-产能利用率21.33%93.33%53.33%-资料来源：天科合达招股说明书，华安证券研究所注：1碳化硅晶片产品产能和产量统一折合成4英寸产品的数量；2、沈阳分公司成立于2018年8月31日，2018年10月开始从事碳化硅单晶生长 炉销售业务。产能为25台/月。4.1.7 公司销量与单价天科合达SIC片的销售均价2017/2018/2019/2020Q1分别为2002.95元 /2420.57元/2286.75元/3042.96元,均价呈现稳中有升的态势。图表27天科合达SIC晶片的单价资料来源：天科合达招股说明书，华安
32、证券研究所工程2020 年 1 -3 月2019年度2018年度2017年度销售数量（万片）0.673.251.700.51销售均价（元/片）3,042,962,420.572,002,95销售金额（万元）2,024.797,439.734,111.581,020.904.1.8 行业格局与公司地位公司地位：2018年，以导电型的SIC来看，天科合达以1.7%的市场占有率 排名全球第六，排名国内导电型碳化硅晶片第一。图表28天科合达在导电型碳化硅晶片市场占有率（2018年）天科合达1.7%资料来源：Yole Development,华安证券研究所司前五大客户公司前五大客户，大多是国内SIC产业
33、链公司，包括三安集成、中电化合 物、东莞天域等。图表29天科合达前五大客户资料来源：天科合达招股说明书，华安证券研究所2019年度1客户A、客户C2,743.1417.68%2广西梧州星亿系公司1,952.3212.58%3中电化合物半导体1,946.0212.54%4三安集成1,264.348.15%9HONG KONG TOPGR/XDE 系公司1,009.976.51%合计8,915.7957.46%2018年度1客户A、客户C1,572.3220.12%2东莞天域852.8710.92%3广西梧州星亿系公司785.0810.05%4HONG KONG TOPGRADE 系公司422.8
34、95.41%0三安集成417.375.34%合计4,050.5351.84%4.1.9 研发投入与技术水平公司研发投入：2018年研发投入：1262万；2019年研发投入：2919万； 2020年1-3月：568万；公司技术研发人员共75人，占公司员工总数的13.7%, 其中核心技术人员5名；公司拥有已获授权的专利34项，其中已获授权创造专 利33项（含6项国际创造专利）；公司先后荣获“十一五”国家科技计划执 行优秀团队奖、新疆生产建设兵团科学技术进步奖一等奖等重要奖项；公司产品和研发的阶段：阶段一：06-07年：2寸导电型、半绝缘型研发成 功；08-11年：3英寸导电型、半绝缘型产品研发成功
35、并少量销售；阶段二：12- 16年：4英寸导电/半绝缘型研发成功并少量销售；阶段三：2017年：4英寸导电 型规模化量产；2018年:6英寸半绝缘型研发成功；2019:4英寸半绝缘型产品规模 量产；2020年：8英寸的产品开始启动研发。4.1.10 未来开展规划和募投产能：募投工程：公司在现有产能的基础上，拟对主营业务碳化硅衬底材料进行 扩产。内容包括主要建设一个包括晶体生长、晶片加工和清洗检测等全生产环 节的生产基地。 工程目标：工程投产后年产12万片6英寸碳化硅晶片，其中6英寸导电型碳化硅晶片约为8.2万片，6英寸半绝缘型碳化硅晶片约为3.8万片。 工程投资：本工程总投资金额95,706.
36、00万元，其中固定资产投资88,438.00 万元，流动资金7,268.00万元。工程建设期2年。4.2 山东天岳1、半绝缘SIC片的领军企业：公司成立于2010年，专注于碳化硅晶体衬底 材料的生产；公司产品主要在半绝缘型的SIC片。公司投资建成了第三代半导 体材料产业化基地，具备研发、生产国际先进水平的半导体衬底材料的软硬件 条件，是我国第三代半导体衬底材料行业的先进企业。2、成长能力：据了解，公司收入从2018年收入1.1亿左右增加至2019年超 过2.5亿总收入（其中也有约一半是SIC衍生产品宝石等），同比增长100%以上。 公司的SIC片主要集中在半绝缘型，而天科合达主要集中在导电型。
37、3、华为入股：华为旗下的哈勃科技投资持股山东天岳8.17%。4、生产能力（公司采用的是长晶炉的数量进行表征）：山东天岳的产能主 要由长晶炉的数量决定，2019年产线上长晶炉接近250台，销售衬底约2.5万 片，预计年底前再购置一批长晶炉，目标增加至550台以上；5、销售价格：2018、2019年公司衬底平均销售价格大数大约在6300元/ 片、8900元/片，预计今年的平均价格将会突破9000元，价格变动的主要原因 是2,3寸小尺寸衬底、N型等相对低价的衬底销售占比逐步降低，高值的4寸 高纯半绝缘产品占比逐步提升导致单位售价提高。6、技术实力：山东天岳的碳化硅技术起源于山东大学晶体国家重点实验
38、室，公司于2011年购买了该实验室蒋明华院士专利，并投入了大量研发，历经 多年工艺积累，将碳化硅衬底从实验室的技术开展成为了产业化技术；山东天岳 除30人的研发团队外，还在海外设有6个联合研发中心；公司拥有专利近300项，其中先进创造专利约50多项，先进实用性专利约220项，申请中的 创造专利约50多项。4.3 斯达半导1、斯达半导97.5%的收入均是IGBT,是功率半导体已上市公司中最纯粹的 IGBT 标的，2019 收入 7.8 亿(yoy+15.4%),归母净利润 1.35 (yoy+39.8%), IGBT模块全球市占率2%,排名全球第八；2、斯达半导在积极进行第三代半导体SIC的布局
39、。公司SiC相关的产品 和技术储藏在紧锣密鼓的进行：图表30斯达半导积极进行SIC布局资料来源：斯达半导招股说明书，华安证券研究所3、公司在未来重点攻关技术研发与开发计划：主要提到三项重要产品开发：1、全系列FS-Trcnch型IGBT芯片的研发； 2、新一代IGBT芯片的研发；3、SiC、GaN等前沿功率半导体产品的研发、 设计及规模化生产：公司将坚持科技创新，不断完善功率半导体产业布局，在 大力推广常规IGBT模块的同时，依靠自身的专业技术，积极布局宽禁 带半导体模块(SiC模块、GaN模块)，不断丰富自身产品种类，加强自身竞 争力，进一步巩固自身行业地位。4、公司和宇通客车等客户合作研发
40、SIC车用模块2020年6月5日，客车行业规模领先的宇通客车宣布，其新能源技术团队 正在采用斯达半导体和CREE合作开发的1200V SiC功率模块，开发业界领先 的高效率电机控制系统，各方共同推进SiC逆变器在新能源大巴领域的商业化应 用o宇通方面表示，“斯达和CREE在SiC方面的努力和创新，与宇通电机控 制器高端化的产品开展路线不谋而合，同时也践行了宇通“为美好出行”的发 展理念，相信三方在SiC方面的合作一定会硕果累累。”图表31斯达官网中的SiC模块额定电压：1700V额定电流：300A产品编号:MD300HFC170c2s详情产品手册:下我C2.0.Half Bridge额定电压：
41、1200V额定电流：100A产品编号:FD100DGC120D6s详情产品手册:下载数据来源：斯达半导官网，华安证券研究所我们在之前发布的斯达半导深度报告中测算斯达在不同sic渗透率和不同 SIC市占率情境下2025年收入弹性，中性预计2025年斯达在国内的SIC器件市 占率为6-8%。预计2023-2024年国内SIC产业链如山东天岳、三安光电等更加成 熟后，SIC将迎来替代IGBT拐点，但是IGBT和SICMOS等也将长期共存，相 信国内的技术领先优质的IGBT龙头斯达半导能够不断储藏相关技术和产品，积 极拥抱迎接这一行业创新。4.4 三安光电1、公司主要从事化合物半导体材料的研发与应用，
42、以种化像、氮化钱、碳 化硅、磷化锢、氮化铝、蓝宝石等半导体新材料所涉及的外延片、芯片为核心 主业，产品主要应用于照明、显示、背光、农业、医疗、微波射频、激光通 讯、功率器件、光通讯、感应传感等领域；2、公司主业LED芯片，占公司营收的80%以上，LED是基于化合物半导 体的光电器件，在衬底、外延和器件环节具有技术互通性；3、公司专注于化合物半导体的子公司三安集成，2019年业务与同期相比呈 现积极变化：1)射频业务产品应用于2G-5G手机射频功放 WiFi、物联网、路由器、通 信基站射频信号功放、卫星通讯等市场应用，种化镁射频出货客户累计超过90 家，客户地区涵盖国内外；氮化镀射频产品重要客户
43、已实现批量。生产，产能正 逐步爬坡；2) 2020年6月18日公司公告，三安光电决定在长沙高新技术产业开发区 管理委员会园区成立子公司投资建设包括但不限于碳化硅等化合物第三代半导 体的研发及产业化工程，包括长晶一衬底制作一外延生长一芯片制备一封装产 业链，投资总额160亿元，公司在用地各项手续和相关条件齐备后24个月内完成一期工程建设并实现投产，48个月内完成二期工程建设和固定资产投资并实 现投产，72个月内实现达产；3）三安集成推出的高功率密度碳化硅功率二极管及MOSFET及硅基氮化 镇功率器件主要应用于新能源汽车、充电桩、光伏逆变器等电源市场，客户累 计超过60家，27种产品已进入批量量产
44、阶段。4）三安集成19年实现销售收入2.41亿元，同比增长40.67%; 三安集成 产品的认可度和行业趋势已现，可以预见未来在第三代材料SiC/GaN的功率半 导体中开展空间非常广阔。4.5 华润微1、公司是中国领先的拥有芯片设计、晶圆制造、封装测试等全产业链一体 化经营能力的半导体企业，产品聚焦于功率半导体、智能传感器与智能控制领 域；2、产品与制造并行：公司2019年收入57亿元，其中产品与方案占比 43.8%,制造与服务占比55%,制造与服务业务主要是晶圆制造和封测业务；产 品与方案主体主要是功率半导体，占比90%,包括MOSFET、IGBT、SBD和 FRD等产品；3、公司目前拥有6英
45、寸晶圆制造产能约为247万片/年，8英寸晶圆制造 产能约为133万片/年，具备为客户提供全方位的规模化制造服务能力；4、SIC领域积极布局：在2020年7月4日，公司进行了 SIC产品的发布 会，发布了全系列的1200V/650V的SIC二极管产品，公司有望通过IDM模式 在SIC材料的各个功率半导体产品领域深耕并持续受益于产品升级和国产替代。4.6 捷捷微电1、公司是国内晶闸管龙头，持续布局MOSFET和IGBT等高端功率半导体 器件。按照公司年报口径，2019年功率分立器件收入占比75%,功率半导体芯片 收入占比23%;公司的功率分立器件，50%左右业务是晶闸管（用于电能变换与 控制）,还有局部二极管业务，其余是防护器件系列（主要作用是防浪涌冲击、 防静电的电子产品内部，保护内部昂贵的电子电路）；2、公司于2020年2月27日与中芯集成电路制造（绍兴）（简称 “SMEC”）签订了功率器件战略合作协议，在MOSFET、IGBT等相关高 端功率器件的研发和生产领域展开深度合作；公告披露，捷捷微电方保证把 SMEC作为战略合作伙伴，最大化的填充SMEC产能，2020年度总投片不低于 80000片，月度投片不低于7000片/月。3、公司长期深耕晶闸管和二极管等分立器件，这些客户和MOSFET和 IGBT等