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1、关于X射线光电子能谱分析第一页,本课件共有48页6.1 6.1 电子能谱的基本原理电子能谱的基本原理能量关系可表示:能量关系可表示:原子的反冲能量原子的反冲能量忽略忽略 (0.1eV(0.1eV)得)得电子结合能电子结合能电子动能电子动能基本原理就是光电效应基本原理就是光电效应。第二页,本课件共有48页对固体样品,必须对固体样品,必须考虑晶体势场和表考虑晶体势场和表面势场对光电子的面势场对光电子的束缚作用,通常选束缚作用,通常选取取费米费米(Fermi)能级能级为为 的参考点。的参考点。0k0k时固体能带中充时固体能带中充满电子的最高能级满电子的最高能级对孤立原子或分子,对孤立原子或分子,就是
2、把电子从所在轨道移就是把电子从所在轨道移到真空需的能量,是以真空能级为能量零点的。到真空需的能量,是以真空能级为能量零点的。功函数功函数第三页,本课件共有48页功函数功函数为防止样品上正电荷积累,固体样品必须保持和谱为防止样品上正电荷积累,固体样品必须保持和谱仪的良好电接触,两者费米能级一致。仪的良好电接触,两者费米能级一致。实际测到的电子动能为:实际测到的电子动能为:仪器功函数仪器功函数第四页,本课件共有48页特征特征:XPSXPS采用能量为采用能量为 的射线源,能激发内层电的射线源,能激发内层电子。各种元素内层电子的结合能是有特征性的子。各种元素内层电子的结合能是有特征性的,因此可因此可以
3、用来鉴别化学元素。以用来鉴别化学元素。UPSUPS采用采用 或或 作激发源。作激发源。与与X X射线相比能量较低,只能使原子的价电子射线相比能量较低,只能使原子的价电子电离,用于电离,用于研究价电子和能带结构的特征。研究价电子和能带结构的特征。AESAES大大都用电子作激发源,因为电子激发得到的俄歇电子谱都用电子作激发源,因为电子激发得到的俄歇电子谱强度较大。强度较大。光光电电子子或或俄俄歇歇电电子子,在在逸逸出出的的路路径径上上自自由由程程很很短短,实实际际能能探探测测的的信信息息深深度度只只有有表表面面几几个个至至十十几几个个原原子子层层,光电子能谱通常用来作为表面分析的方法。光电子能谱通
4、常用来作为表面分析的方法。第五页,本课件共有48页6.2 6.2 紫外光电子能谱紫外光电子能谱(UPS)(UPS)紫紫外外光光电电子子谱谱是是利利用用能能量量在在 的的真真空空紫紫外外光光子子照照射射被被测测样样品品,测测量量由由此此引引起起的的光光电电子子能能量量分分布布的的一一种种谱谱学学方方法法。忽忽略略分分子子、离离子子的的平平动动与与转转动动能能,紫紫外外光光激激发发的的光光电子能量满足如下公式电子能量满足如下公式:由于光源能量较低,线宽较窄(约为由于光源能量较低,线宽较窄(约为0.01eV),0.01eV),只能使原子只能使原子的外层价电子、价带电子电离,并可分辨出分子的振动能级的
5、外层价电子、价带电子电离,并可分辨出分子的振动能级,因此被广泛地用来研究气体样品的价电子和精细结构以及固体因此被广泛地用来研究气体样品的价电子和精细结构以及固体样品表面的原子、电子结构。样品表面的原子、电子结构。第六页,本课件共有48页6.2.1 6.2.1 谱图特征谱图特征苯在苯在Ni(111)Ni(111)上的上的UPSUPS谱谱横坐标为分子的电离能横坐标为分子的电离能I In n 或或光电子动能光电子动能紫外光电子谱图的形状取紫外光电子谱图的形状取决于电离后离子的状态。决于电离后离子的状态。气体分子有明显气体分子有明显的振动精细结构的振动精细结构凝聚分子的谱带明显增宽,并失去精细结构化学
6、吸附后,化学吸附后,带发生了位移带发生了位移第七页,本课件共有48页6.2.2 6.2.2 振动精细结构振动精细结构 对于同一电子能级,分子还可能有许多不同的对于同一电子能级,分子还可能有许多不同的振动能级,因此实际测得的紫外光电子能谱图既振动能级,因此实际测得的紫外光电子能谱图既有结合能峰,又有振动精细结构。有结合能峰,又有振动精细结构。光光 电电 子子 动动 能能入入 射射 光光 子子 能能 量量绝绝 热热 电电 离离 能能离子的振动态能量离子的振动态能量振振 动动 基基 态态振振动动激激发发态态第八页,本课件共有48页 COCO的光电子能谱及其相关能级图的光电子能谱及其相关能级图非键电子
7、跃迁CO+的基态()成键电子跃迁CO+第一激发态()CO+第二激发态()第九页,本课件共有48页 O O2 2和和O O2 2的分子轨道示意图的分子轨道示意图第十页,本课件共有48页自自旋旋轨轨道道耦耦合合的的结结果果导导致致其其能能级级发发生生分分裂裂,形形成成两两个个具具有有不不同同能能量量的的态态,例例如如轨轨道道量量子子数数为为 ,即得,即得,它们的能量差值它们的能量差值:6.2.3 6.2.3 自旋轨道耦合自旋轨道耦合第十一页,本课件共有48页6.2.4 6.2.4 自旋自旋耦合自旋自旋耦合对对开开壳壳层层分分子子,当当其其它它成成对对电电子子中中一一个个被被激激发发发发射射出出来来
8、后后,留留下下一一个个未未配配对对电电子子。与与原原来来未未配配对对电电子子的的自自旋旋相相互互作作用用可可出出现现平平行行和和反反平平行行二二种种情情况况,从从而而有有二二种种不不同同能能量量状状态态,并并使使光光电电子子能能量量也也不不同同,引引起起谱谱线线的分裂。的分裂。例如例如O O2 2分子分子 的谱带结构和特征直接与分子轨道的谱带结构和特征直接与分子轨道能级次序、成键性质有关。因此对分析分能级次序、成键性质有关。因此对分析分子的电子结构是非常有用的一种技术。子的电子结构是非常有用的一种技术。第十二页,本课件共有48页6.3 X6.3 X射线光电子能谱(射线光电子能谱(XPSXPS)
9、由于各种原子轨道中电子的结合能是一定的,因此由于各种原子轨道中电子的结合能是一定的,因此 XPS XPS 可用来测定固体表面的化学成分可用来测定固体表面的化学成分,一般又称为化学一般又称为化学分析光电子能谱法(分析光电子能谱法(Electron Spectroscopy for Electron Spectroscopy for Chemical AnalysisChemical Analysis,简称,简称 ESCAESCA)。)。与紫外光源相比,射线的线宽在与紫外光源相比,射线的线宽在0.7eV0.7eV以上,因此不能分以上,因此不能分辨出分子、离子的振动能级。辨出分子、离子的振动能级。在
10、实验时样品表面受辐照损伤小,能检测周期表中除在实验时样品表面受辐照损伤小,能检测周期表中除 H H 和和 He He 以外所有的元素,并具有很高的绝对灵敏度。因此以外所有的元素,并具有很高的绝对灵敏度。因此是目前表面分析中使用最广的谱仪之一。是目前表面分析中使用最广的谱仪之一。第十三页,本课件共有48页6.3.1 6.3.1 谱图特征谱图特征右图是表面被氧化且右图是表面被氧化且有部分碳污染的金属有部分碳污染的金属铝的典型的图谱铝的典型的图谱是宽能量范围扫描的全谱是宽能量范围扫描的全谱低结合能端的放大谱低结合能端的放大谱O O 和和 C C 两条谱线的存在两条谱线的存在表明金属铝的表面已被部表明
11、金属铝的表面已被部分氧化并受有机物的污染分氧化并受有机物的污染O O的的KLLKLL俄歇谱线俄歇谱线第十四页,本课件共有48页金属铝低结合能端金属铝低结合能端的放大谱的放大谱(精细结构精细结构)相邻的肩峰则分相邻的肩峰则分别对应于别对应于AlAl2 2O O3 3中中铝的铝的2s2s和和2p2p轨道轨道的电子的电子第十五页,本课件共有48页6.3.2 6.3.2 化学位移化学位移由于化合物结构的变化和元素氧化状态的变由于化合物结构的变化和元素氧化状态的变化引起谱峰有规律的位移称为化学位移化引起谱峰有规律的位移称为化学位移化合物聚对苯二化合物聚对苯二甲酸乙二酯中三甲酸乙二酯中三种完全不同的碳种完
12、全不同的碳原子和两种不同原子和两种不同氧原子氧原子1s1s谱峰的谱峰的化学位移化学位移第十六页,本课件共有48页化学位移现象起因及规律化学位移现象起因及规律内层电子一方面受到原子核强烈的库仑作用内层电子一方面受到原子核强烈的库仑作用而具有一定的结合能,另一方面又受到外层而具有一定的结合能,另一方面又受到外层电子的屏蔽作用。当外层电子密度减少时,电子的屏蔽作用。当外层电子密度减少时,屏蔽作用将减弱,内层电子的结合能增加;屏蔽作用将减弱,内层电子的结合能增加;反之则结合能将减少。因此当被测原子的氧反之则结合能将减少。因此当被测原子的氧化价态增加,或与电负性大的原子结合时,化价态增加,或与电负性大的
13、原子结合时,都导致其都导致其XPSXPS峰将向结合能的增加方向位移。峰将向结合能的增加方向位移。第十七页,本课件共有48页6.4 6.4 俄歇电子能谱俄歇电子能谱(AES)(AES)俄歇电子能谱的基本机理是:入射电子束或俄歇电子能谱的基本机理是:入射电子束或X X射射线使原子内层能级电子电离,外层电子产生无辐射线使原子内层能级电子电离,外层电子产生无辐射俄歇跃迁,发射俄歇电子,用电子能谱仪在真空中俄歇跃迁,发射俄歇电子,用电子能谱仪在真空中对它们进行探测。对它们进行探测。19251925年法国的物理学家俄歇(年法国的物理学家俄歇(P.Auger)在用)在用X X射线研究光电效射线研究光电效应时
14、就已发现俄歇电子,并对现象给予了正确的解释。应时就已发现俄歇电子,并对现象给予了正确的解释。19681968年年L.A.Harris采用微分电子线路,使俄歇电子能谱开始进入采用微分电子线路,使俄歇电子能谱开始进入实用阶段。实用阶段。19691969年,年,Palmberg、Bohn和和Tracey引进了筒镜能量分析器,引进了筒镜能量分析器,提高了灵敏度和分析速度,使俄歇电子能谱被广泛应用。提高了灵敏度和分析速度,使俄歇电子能谱被广泛应用。第十八页,本课件共有48页6.4.1 6.4.1 俄歇过程和俄歇电子能量俄歇过程和俄歇电子能量 WXY俄歇过程示意图俄歇过程示意图WXYWXY跃跃迁迁产产生生
15、的的俄俄歇歇电电子子的的动动能能可可近近似似地地用用经经验公式估算,即:验公式估算,即:俄歇电子俄歇电子功功函函数数原子序数原子序数实验值在实验值在 和和 之间之间另一表达式另一表达式第十九页,本课件共有48页俄歇跃迁能量的另一表达式为:俄歇跃迁能量的另一表达式为:俄歇过程至少有两个能级和三个电子参与,所以俄歇过程至少有两个能级和三个电子参与,所以氢原子和氦原子不能产生俄歇电子。氢原子和氦原子不能产生俄歇电子。(Z(Z 3)3)孤立孤立的锂原子因最外层只有一个电子,也不能产生俄歇电的锂原子因最外层只有一个电子,也不能产生俄歇电子,但固体中因价电子是共用的,所以金属锂可以发子,但固体中因价电子是
16、共用的,所以金属锂可以发生生 KVV KVV 型的俄歇跃迁。型的俄歇跃迁。第二十页,本课件共有48页6.4.2 6.4.2 俄歇谱图俄歇谱图石墨的俄歇谱石墨的俄歇谱 从微分前俄歇谱的从微分前俄歇谱的 看出,这部分电子能量看出,这部分电子能量减小后迭加在俄歇峰的减小后迭加在俄歇峰的低能侧,把峰的前沿变低能侧,把峰的前沿变成一个缓慢变化的斜坡,成一个缓慢变化的斜坡,而峰的高能侧则保持原而峰的高能侧则保持原来的趋势不变。俄歇峰来的趋势不变。俄歇峰两侧的变化趋势不同,两侧的变化趋势不同,微分后出现正负峰不对微分后出现正负峰不对称称。第二十一页,本课件共有48页6.4.3 6.4.3 化学效应化学效应化
17、学环境的强烈影响常常导致俄歇谱有如下三种化学环境的强烈影响常常导致俄歇谱有如下三种可能的变化:可能的变化:(称为化学效应称为化学效应)锰和氧化锰的俄歇电子谱锰和氧化锰的俄歇电子谱1 1)俄歇跃迁不涉及价带,)俄歇跃迁不涉及价带,化学环境的不同将导致内层化学环境的不同将导致内层电子能级发生微小变化,造电子能级发生微小变化,造成俄歇电子能量微小变化,成俄歇电子能量微小变化,表现在俄歇电子谱图上,谱表现在俄歇电子谱图上,谱线位置有微小移动,这就是线位置有微小移动,这就是化学位移化学位移。第二十二页,本课件共有48页锰和氧化锰的俄歇电子谱锰和氧化锰的俄歇电子谱氧化锰氧化锰540540eVeV58758
18、7eVeV636636eVeV 锰锰543543eV eV 590590eV eV 637637eVeV锰锰氧化锰氧化锰第二十三页,本课件共有48页2 2)当俄歇跃迁涉及到)当俄歇跃迁涉及到价电子能带时,情况价电子能带时,情况就复杂了,这时俄歇就复杂了,这时俄歇电子位移和原子的化电子位移和原子的化学环境就不存在简单学环境就不存在简单的关系,不仅峰的位的关系,不仅峰的位置会变化,而且峰的置会变化,而且峰的形状也会变化。形状也会变化。Mo2C、SiC、石墨和金刚石中、石墨和金刚石中碳的碳的 KLL(KVV或)俄歇谱或)俄歇谱第二十四页,本课件共有48页3)3)能量损失机理导致的变化将改变俄歇峰低能
19、能量损失机理导致的变化将改变俄歇峰低能侧的拖尾峰。侧的拖尾峰。由于俄歇电子位移机理比较复杂,由于俄歇电子位移机理比较复杂,涉及到三个能级,不象涉及到三个能级,不象X X射线光电子能谱射线光电子能谱那样容易识别和分析,并且通常使用的那样容易识别和分析,并且通常使用的俄歇谱仪分辨率较低,这方面的应用受俄歇谱仪分辨率较低,这方面的应用受到了很大的限制。到了很大的限制。第二十五页,本课件共有48页6.5 6.5 电子能谱仪简介电子能谱仪简介 电子能谱仪主要由电子能谱仪主要由激发源激发源、电子能量分析器电子能量分析器、探、探测电子的测电子的监测器监测器和和真空系统真空系统等等几个部分组成。几个部分组成。
20、第二十六页,本课件共有48页6.5.1 6.5.1 激发源激发源电子能谱仪通常采用的激发源有三种:电子能谱仪通常采用的激发源有三种:X X射线源射线源、真空真空紫外灯紫外灯和和电子枪电子枪。商品谱仪中将这些激发源组装在同一。商品谱仪中将这些激发源组装在同一个样品室中,成为一个多种功能的综合能谱仪。个样品室中,成为一个多种功能的综合能谱仪。电子能谱常用激发源电子能谱常用激发源第二十七页,本课件共有48页1.1.射线源射线源XPSXPS中最常用的中最常用的X X射射线源主要由灯丝、线源主要由灯丝、栅极和阳极靶构成栅极和阳极靶构成。双阳极双阳极X X射线源示意图射线源示意图要获得高分辨谱图和减少要获
21、得高分辨谱图和减少伴峰的干扰,可以采用射伴峰的干扰,可以采用射线单色器来实现。即用球线单色器来实现。即用球面弯曲的石英晶体制成,面弯曲的石英晶体制成,能够使来自能够使来自X X射线源的光射线源的光线产生衍射和线产生衍射和“聚焦聚焦”,从而去掉伴线和韧致辐射,从而去掉伴线和韧致辐射,并降低能量宽度,提高谱并降低能量宽度,提高谱仪的分辨率。仪的分辨率。第二十八页,本课件共有48页2.2.紫外光源紫外光源紫外光电子能谱仪中紫外光电子能谱仪中使用的高强度单色紫使用的高强度单色紫外线源常用稀有气体外线源常用稀有气体的放电共振灯提供的放电共振灯提供。UPSUPS中的中的HeIHeI气体放电灯示意图气体放电
22、灯示意图第二十九页,本课件共有48页3.3.电子源电子源电子通常由金属的热发射过程得到。电子束具有可以聚焦、电子通常由金属的热发射过程得到。电子束具有可以聚焦、偏转、对原子的电离效率高、简单易得等优点,在电子能谱偏转、对原子的电离效率高、简单易得等优点,在电子能谱中,电子束主要用于俄歇电子能谱仪,因用电子枪作激发源中,电子束主要用于俄歇电子能谱仪,因用电子枪作激发源得到的俄歇电子谱强度较大得到的俄歇电子谱强度较大。常用于常用于AESAES的一种电子枪的一种电子枪第三十页,本课件共有48页6.5.2 6.5.2 电子能量分析器电子能量分析器电子能量分析器其作用是探测样品发射出来的不同能电子能量分
23、析器其作用是探测样品发射出来的不同能量电子的相对强度。它必须在高真空条件下工作即压量电子的相对强度。它必须在高真空条件下工作即压力要低于力要低于1010-3-3帕,以便尽量减少电子与分析器中残余气帕,以便尽量减少电子与分析器中残余气体分子碰撞的几率。体分子碰撞的几率。第三十一页,本课件共有48页半球形电子能量分析器半球形电子能量分析器半球形分析器示意图半球形分析器示意图第三十二页,本课件共有48页 筒镜形电子能量分析器筒镜形电子能量分析器筒镜分析器示意图筒镜分析器示意图第三十三页,本课件共有48页6.5.3 6.5.3 检测器检测器检测器通常为单通道电子倍增器和多通道倍增器检测器通常为单通道电
24、子倍增器和多通道倍增器光电子或俄歇电光电子或俄歇电子流子流倍增器倍增器 通道电子倍增器是通道电子倍增器是一种采用连续倍增电极一种采用连续倍增电极表面(管状通道内壁涂表面(管状通道内壁涂一层高阻抗材料的薄膜)一层高阻抗材料的薄膜)静电器件。内壁具有二静电器件。内壁具有二次发射性能。电子进入次发射性能。电子进入器件后在通道内连续倍器件后在通道内连续倍增,增益可达增,增益可达 10109 9 。多通道检测器是由多多通道检测器是由多个微型单通道电子倍个微型单通道电子倍增器组合在一起而制增器组合在一起而制成的一种大面积检测成的一种大面积检测器,也称位敏检测器器,也称位敏检测器(PSDPSD)或多阵列检测
25、)或多阵列检测器器。第三十四页,本课件共有48页6.5.4 6.5.4 真空系统真空系统电子能谱仪的真空系统有两个基本功能。电子能谱仪的真空系统有两个基本功能。1 1、使样品室和分析器、使样品室和分析器保持一定的真空度,保持一定的真空度,以便使样品发射出来以便使样品发射出来的电子的平均自由程的电子的平均自由程相对于谱仪的内部尺相对于谱仪的内部尺寸足够大,减少电子寸足够大,减少电子在运动过程中同残留在运动过程中同残留气体分子发生碰撞而气体分子发生碰撞而损失信号强度。损失信号强度。2 2、降低活性残余气体的分压。、降低活性残余气体的分压。因在记录谱图所必需的时间内,因在记录谱图所必需的时间内,残留
26、气体会吸附到样品表面上,残留气体会吸附到样品表面上,甚至有可能和样品发生化学反甚至有可能和样品发生化学反应,从而影响电子从样品表面应,从而影响电子从样品表面上发射并产生外来干扰谱线。上发射并产生外来干扰谱线。298K298K吸附一层气体分子所需时间吸附一层气体分子所需时间1010-4-4PaPa时为时为1 1秒;秒;1010-7-7PaPa时为时为10001000秒秒第三十五页,本课件共有48页6.5.5 6.5.5 样品处理样品处理气气化化冷冷冻冻气体气体液体液体固体固体采用差分抽气的方法把气体采用差分抽气的方法把气体引进样品室直接进行测定引进样品室直接进行测定块状块状:直接夹在或粘在:直接
27、夹在或粘在样品托上在样品托上;样品托上在样品托上;粉末粉末:可以粘在双面胶:可以粘在双面胶带上或压入铟箔(或金带上或压入铟箔(或金属网)内,也可以压成属网)内,也可以压成片再固定在样品托上。片再固定在样品托上。(1 1)真空加热;)真空加热;(2 2)氩离子刻蚀。)氩离子刻蚀。电子能谱仪原则上可以分析固体、气体和液体样品。电子能谱仪原则上可以分析固体、气体和液体样品。校正或消除样校正或消除样品的荷电效应品的荷电效应电中和法、电中和法、内标法和内标法和外标法外标法第三十六页,本课件共有48页6.6 6.6 应用举例应用举例电子能谱目前主要应用于催化、金属腐蚀、粘合、电极过电子能谱目前主要应用于催
28、化、金属腐蚀、粘合、电极过程和半导体材料与器件等这样一些极有应用价值的领域,程和半导体材料与器件等这样一些极有应用价值的领域,探索固体表面的组成、形貌、结构、化学状态、电子结构探索固体表面的组成、形貌、结构、化学状态、电子结构和表面键合等信息。随着时间的推移,电子能谱的应用范和表面键合等信息。随着时间的推移,电子能谱的应用范围和程度将会越来越广泛,越来越深入。围和程度将会越来越广泛,越来越深入。UPSUPS主要用于提供主要用于提供1 1)清清洁洁表表面面或或有有化化学学吸吸附附物物的的表表面面的的电电子子结结构构;2 2)参参与与表表面面化化学学键键的的金金属属电电子子和和分分子子轨轨道道的的
29、组组合合等等信息;信息;3 3)有关电子激发和电荷转移的信息。)有关电子激发和电荷转移的信息。第三十七页,本课件共有48页XPS XPS 是用是用X X射线光子激发原子的内层电子发生电离,射线光子激发原子的内层电子发生电离,产生光电子,这些内层能级的结合能对特定的元素产生光电子,这些内层能级的结合能对特定的元素具有特定的值,因此通过测定电子的结合能和谱峰具有特定的值,因此通过测定电子的结合能和谱峰强度,可鉴定除强度,可鉴定除H H和和HeHe(因为它们没有内层能级)之(因为它们没有内层能级)之外的全部元素以及元素的定量分析。外的全部元素以及元素的定量分析。AES AES 也不能分析也不能分析H
30、 H、HeHe,对样品有一定的破坏作用,对样品有一定的破坏作用,但其具有表面灵敏度高(检测极限小于但其具有表面灵敏度高(检测极限小于1010-18-18g g)、分)、分析速度快等优点,在表面科学领域主要进行析速度快等优点,在表面科学领域主要进行1 1)表面组成的定性和定量;)表面组成的定性和定量;2 2)表面元素的二维分布图和显微像;)表面元素的二维分布图和显微像;3 3)表面元素的三维分布分析)表面元素的三维分布分析;4 4)表面元素的化学环境和键合等方面的研究。)表面元素的化学环境和键合等方面的研究。第三十八页,本课件共有48页6.6.1 6.6.1 表面组成的分析表面组成的分析Ag-P
31、dAg-Pd合金退火前后的合金退火前后的AESAES谱谱a.a.退火前;退火前;b.700Kb.700K退火退火5min.5min.研究表明,表面组成和体研究表明,表面组成和体相组成不同,这是由于发相组成不同,这是由于发生表面富集或形成强的吸生表面富集或形成强的吸附键所导致的。用附键所导致的。用AESAES或或XPSXPS能能测量样品表面测量样品表面“富富集集”情况。情况。体相体相PdPd原子浓度为原子浓度为40%40%的的Ag-PdAg-Pd合金合金ArAr轰击表面清洁处理后,由轰击表面清洁处理后,由于于AgAg的溅射几率较高,合金的溅射几率较高,合金表面表面PdPd的相对浓度为的相对浓度为
32、57%57%高温退火后,合金稳定的表高温退火后,合金稳定的表面组成为面组成为PdPd3232AgAg6868,表面为,表面为AgAg富集。富集。第三十九页,本课件共有48页样品的深度分析样品的深度分析Ni-BNi-B合金表面合金表面NiNi、B B、O O的表面浓度与氩刻时间的关系的表面浓度与氩刻时间的关系体相体相Ni72B28氧化态氧化态B B元素态元素态B B第四十页,本课件共有48页6.6.2 6.6.2 化学状态的鉴定化学状态的鉴定原子化学环境的变化对原子化学环境的变化对XPSXPS和和AESAES中测量中测量的电子能量都有影响,使之偏离标准值产的电子能量都有影响,使之偏离标准值产生所
33、谓的化学位移。根据化学位移的数值,生所谓的化学位移。根据化学位移的数值,可以给出待测样品的化学状态的信息。可以给出待测样品的化学状态的信息。下面是下面是NiNi8080P P2020合金表面合金表面NiNi的的2 2P P3/23/2、O O的的1 1S S以及以及P P的的2P XPS2P XPS图谱。图谱。第四十一页,本课件共有48页 Ni-PNi-P合金的合金的Ni 2pNi 2p3/23/2 XPS XPS谱谱a a 清洁表面;清洁表面;b 1barOb 1barO2 2、403K403K氧化氧化1 1小时小时金属态的镍金属态的镍Ni较较高高氧氧化化态态的的镍镍NiNi3+3+第四十二
34、页,本课件共有48页Ni-PNi-P合金的合金的O 1s XPS谱谱a a 清洁表面;清洁表面;b 1barOb 1barO2 2、403K403K氧化氧化1 1小时小时氧氧化化镍镍中中的的氧氧表面污染的氧表面污染的氧P P2 2O O5 5中中的的氧氧第四十三页,本课件共有48页 Ni-PNi-P合金中合金中P P的的2p XPS2p XPS谱谱a a 清洁表面;清洁表面;b 1barOb 1barO2 2、403K403K氧化氧化1 1小时小时P P2 2O O5 5中中的的磷磷第四十四页,本课件共有48页氧吸附对表面氧吸附对表面B B和和NiNi的影响的影响Ni-BNi-B合金表面合金表
35、面AESAES谱谱1L=11L=1.310.310-4-4Pa60sPa60s元素态硼主要在元素态硼主要在180eV180eV处有一个强峰处有一个强峰氧化态氧化态B B于处于处172eV172eV的的谱线出现并逐渐变强谱线出现并逐渐变强第四十五页,本课件共有48页6.6.3 6.6.3 在催化研究中的应用在催化研究中的应用 合成氨催化剂的合成氨催化剂的Fe Fe 2P2P3/2 3/2 芯能级的结合能随芯能级的结合能随还原程度还原程度 a af f而变化。而变化。第四十六页,本课件共有48页MoOMoO3 3/Al/Al2 2O O3 3催催化剂的化剂的XPSXPS谱谱第四十七页,本课件共有48页感感谢谢大大家家观观看看第四十八页,本课件共有48页