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1、电子技术基础（模拟部分）综合练习题电子技术基础（模拟部分）综合练习题2010-12-122010-12-12一填空题：一填空题：（将正确答案填入空白中）1N 型半导体是在本征半导体中掺入3 3 价元素，其多数载流子是电子电子，少数载流子是空穴空穴。P 型半导体是在本征半导体中掺入5 5价元素，其多数载流子是空穴空穴，少数载流子是电子电子。2为使三极管能有效地有放大作用，要求三极管的发射区掺杂浓度最高最高；基区宽度最薄最薄；集电结结面积最大最大。3三极管工作在放大区时，发射结要正向正向偏置，集电结反向反向偏置，工作在饱和区时，发射结要正向正向偏置，集电结正向正向偏置，工作在截止区时，发射结要反向
2、反向偏置，集电结反向反向偏置。4工作在放大状态的三极管，流过发射结的电流主要是扩散电流扩散电流，流过集电结的电流主要是漂移电流漂移电流。5某三极管，其=0.98，当发射极电流为 2mA，其基极电流为0.04mA0.04mA，该管的 值为4949。6某三极管，其=100，当集电极极电流为 5mA，其基极电流为0.05mA0.05mA，该管的 值为0.990.99。7某三极管工作在放大区时，当 IB从 20A 增大到 40A，IC从 1mA 变成 2mA。则该管的 约为 50 50。8.半导体三极管通过基极电流控制输出电流，所以它属于电流电流控制器件。其输入电阻较低较低；场效应管通过栅极电压控制输
3、出电流，所以它属于电压电压控制器件。其输入电阻很高很高。9.晶体管的三个工作区是放大区放大区，截止区截止区，饱和区饱和区。场效应的三个工作区是 可变电阻区可变电阻区，饱和区饱和区，截止区截止区。10场效应管又称单极型管，是因为只有一种载流子参与导电只有一种载流子参与导电；半导体三极管又称双极型管，是因为有两种载流子参与导电有两种载流子参与导电。11串联式直流稳压电源是由组成取样电路取样电路；比较放大器比较放大器；基准电压基准电压和调整管调整管。12集成运算放大器的内部电路是由 偏置电路偏置电路,中间放大器中间放大器,输入级输入级和输出级输出级四部分组成。13在一个三级放大电路中，已知 Av1=
4、20；Av2=-100；Av3=1，则可知这三级放大电路中 A1是共基极共基极组态；A2是共射极共射极组态；A3是 共集电极共集电极组态。14正弦波振荡电路一般是由如下四部分组成放大器放大器；反馈网络反馈网络；稳幅电路稳幅电路和选频网络选频网络。15 为稳定放大电路的输出电流和提高输出电阻，在放大电路中应引入电流串电流串联负反馈联负反馈。16PNP 三极管基区中的多数载流子是电子电子。少数载流子是空穴空穴。17对于放大电路，所谓开环是指放大电路没有反馈支路放大电路没有反馈支路。18为稳定放大电路的输出电压和增大输入电阻，应引入 电压串联负电压串联负反馈。19单相桥式整流电路中，设变压器的副边电
5、压为 V2，则输出直流电压的平均值为0.9V0.9V2 2。20差动放大电路中，共模抑制比KCMR是指差模电压放大倍数与共模电压放差模电压放大倍数与共模电压放大倍数之比的绝对值大倍数之比的绝对值。二选择题二选择题1电路如图所示，设二极管的正向压降 VD=0.6V，则流过二极管的电流 ID为（B B）。（A）0.775mA（B）1.31mA（C）0.55mA（D）1mA2电路如图所示，设二极管具有理想特性，已知vi=1.0Sin t(V)，V=2V，则输出 vo的波形如图（a a）所示。3 由稳压管组成的稳压电路如图所示，已知 Vi=18V，稳压管 DZ1的稳压值为 7V，稳压管 DZ2的稳压值
6、为 6V，稳压管具有理想特性，则输出 Vo为（B B）。（A）13V（B）1V（C）6V（D）7V4 电路如图（a）(b)所示，已知 vi=20Sin t（V），稳压管 DZ1稳定电压 VZ1=10V，稳压管 DZ2稳定电压 VZ2=6V，稳压管的正向压降忽略不计。图（e）所示波形为电路图（b b）的输出波形。5电路如图所示，该电路的静态电流表达式 ICQ=（C C）。VCCVBE(A)(1)RbReVCCVBE(C)Rb(1)ReVCCVBE(B)RbReVCCVBE(D)Rb(1)Re6电路如图所示，已知晶体管的饱和压降VCES=0.3V，RC=RL=2k，静态工作点 ICQ=2mA，VC
7、EQ=6V。该放大电路的最大不失真输出正弦电压的幅值为B B。（A）6V（B）5.7V（C）6.6V（D）2V7电路如图（a）所示，其等效电路如图（b）所示。该电路的电压放大倍数表达式为B B。(A)RLrbe(1)ReRL(B)RLRLrbe(1)Re(C)rbe Re(D)rbe Re8电路如图所示，已知晶体管的=50，VBE=0.6V，rbe=1.5k。该电路的输入电阻 Ri 为C C。（A）1.36k（B）15k（C）13.4k(D)1.5k9电路如图所示，C1、C2可视为交流短路，该电路的输出电阻为D D。（A）R2/RL（B）R2（C）R2/RL/(RS/R1)rbe1（D）R2/
8、(RS/R1)rbe110如图所示为一深度负反馈放大电路，所有电容认为对交流短路。该电路的闭环电压放大倍数 Avf=Vo/Vi=(C C)。（A）10（B）-11（C）11（D）-1011电路如图所示，要引入电压并联负反馈，正确的接法是（D D）。（A）C1接 N，C2接 P，F 接 B1；（B）C1接 N，C2接 P，F 接 B2；（C）C1接 P，C2接 N，F 接 B1；（D）C1接 P，C2接 N，F 接 B2。*12某放大电路的电压放大倍数的对数幅频特性如图所示，其下限频率 fL、上限频率 fH及下限频率和上限频率所对应的实际电压增益 Av是（B B）。（A）fL=100HZ，fH=
9、100kHZ,Av=60dB（B）fL=100HZ，fH=100kHZ,Av=57dB（C）fL100HZ，fH100HZ，fH100kHZ,Av=57dB13差动放大电路如图所示，已知|Avd|=100，Avc=0，vi1=10mV，vi2=5mV，则输出电压|vo|为（A A）。（A）500mV（B）200mV（C）250mV（D）125mV14带有调零电路的差动放大电路如图所示，若输入电压 vi1=vi2=0 时，输出电压 vo=vo1-vo20，则电路的输出与输入关系为（D D）。(A)vo kvi1vi2kvi1(B)vovi2(C)vovi2(D)vokvi1kvi1vi223由运
10、算放大器组成的比较器电路如图所示，设 VREF0，则该电路的电压传输特性为图中的图（C C）所示。（A）（B）（C）（D）24比较器电路如图所示，已知 Vi1=2V，Vi2=1V，则输出电压 VO=（C C）。(A)+12V(B)-12V(C)-6V(D)+6V25具有 RC 串并联选频网络的正弦波振荡电路如图所示，已知 Rf=120k，为保证电路起振，R1应满足（D D）。(A)R1120k(B)R160k(D)R15W，ICM2.5A，V（BR）CEO40V（B）PCM5W，ICM2.5A，V（BR）CEO20V（C）PCM25W，ICM2.5A，V（BR）CEO40V（D）PCM25W，
11、ICM2.5A，V（BR）CEO20V30带电容滤波的桥式整流电路如图所示，设变压器副边电压 v2=24Sin t(V)，负载电阻 RL=10。则流过二极管的平均电流 ID和二极管承受的最大反向电压VRM约为（B B）。（A）ID=2A，VRM=17V（B）ID=1A，VRM=24V（C）ID=2A，VRM=24V（D）ID=1A，VRM=17V31串联式稳压电路如图所示，已知 T1的 VCE1=5V，T2的 VBE2=0.6V，稳压管VZ=5.4V，R1=R2=2k，RW=1k，则变压器的副边电压有效值V2为（B B）。（A）15V（B）16.7V（C）20V（D）12.532并联式稳压电路
12、如图所示，已知稳压管稳定电压 VZ=8V，最小稳定法电流Izmin=5mA，最大允许电流Izmax=30mA，Vi=22V，RL的变化范围为 400800。限流电阻 R 的取值范围约为（A A）。（A）350560（B）280933（C）560933（D）28056033某 MOS 场效应管的转移特性如图所示，则该 MOS 管为（B B）。(A)增强型 N 沟道 MOS 管(B)耗尽型 N 沟道 MOS 管(C)增强型 P 沟道 MOS 管(D)耗尽型 P 沟道 MOS 管34某 MOS 场效应管的转移特性如图所示，则该 MOS 管为（A A）。(A)增强型 N 沟道 MOS 管(B)耗尽型
13、N 沟道 MOS 管(C)增强型 P 沟道 MOS 管(D)耗尽型 P 沟道 MOS 管36某 MOS 场效应管的转移特性如图所示，则该 MOS 管为（C C）。(A)增强型 N 沟道 MOS 管(B)耗尽型 N 沟道 MOS 管(C)增强型 P 沟道 MOS 管(D)耗尽型 P 沟道 MOS 管37甲乙类互补功率放大电路如图所示，图中 D1、D2的作用是消除（C C（A）饱和失真（B）截止失真（C）交越失真（D）频率失真。）38如图所示功率放大电路，已知 VCC=20V，RL=8。该功率放大器的最大输出功率为（D D）。（E）Pom=25W（F）Pom=50W（G）Pom=15W（H）Pom=6.25W39LC 振荡电路如图所示。试判断那个电路满足相位平衡条件（C C）。（A）（B）（C）（D）40RC 振荡电路如图所示。试判断那个电路满足相位平衡条件（A A、D D）。（A）（B）（C）（D）