模拟电子技术基本练习题(解).doc

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1、精品文档,仅供学习与交流,如有侵权请联系网站删除电子技术基础(模拟部分)综合练习题2010-12-12一填空题:(将正确答案填入空白中)1N型半导体是在本征半导体中掺入 3 价元素,其多数载流子是 电子 ,少数载流子是 空穴 。P型半导体是在本征半导体中掺入 5 价元素,其多数载流子是 空穴 ,少数载流子是 电子 。2为使三极管能有效地有放大作用,要求三极管的发射区掺杂浓度 最高 ;基区宽度 最薄 ;集电结结面积 最大 。3三极管工作在放大区时,发射结要 正向 偏置,集电结 反向 偏置,工作在饱和区时,发射结要 正向 偏置,集电结 正向 偏置,工作在截止区时,发射结要 反向 偏置,集电结 反向

2、 偏置。4工作在放大状态的三极管,流过发射结的电流主要是 扩散电流 ,流过集电结的电流主要是 漂移电流 。5某三极管,其=0.98,当发射极电流为2mA,其基极电流为 0.04mA ,该管的值为 49 。6某三极管,其=100,当集电极极电流为5mA,其基极电流为 0.05mA ,该管的值为 0.99 。7某三极管工作在放大区时,当IB从20A增大到40A,IC从1mA变成2mA。则该管的约为 50 。8.半导体三极管通过基极电流控制输出电流,所以它属于 电流 控制器件。其输入电阻 较低 ;场效应管通过栅极电压控制输出电流,所以它属于 电压 控制器件。其输入电阻 很高 。9.晶体管的三个工作区

3、是 放大区 , 截止区 , 饱和区 。场效应的三个工作区是 可变电阻区 , 饱和区 , 截止区 。10场效应管又称单极型管,是因为 只有一种载流子参与导电 ;半导体三极管又称双极型管,是因为 有两种载流子参与导电 。11串联式直流稳压电源是由组成 取样电路 ; 比较放大器 ; 基准电压 和 调整管 。12集成运算放大器的内部电路是由 偏置电路 , 中间放大器 , 输入级和 输出级 四部分组成。13在一个三级放大电路中,已知Av1=20;Av2=-100;Av3=1,则可知这三级放大电路中A1是 共基极 组态;A2是 共射极 组态;A3是 共集电极 组态。14正弦波振荡电路一般是由如下四部分组成

4、 放大器 ; 反馈网络 ; 稳幅电路 和 选频网络 。15为稳定放大电路的输出电流和提高输出电阻,在放大电路中应引入 电流串联负反馈 。16PNP三极管基区中的多数载流子是 电子 。少数载流子是 空穴 。17对于放大电路,所谓开环是指 放大电路没有反馈支路 。18为稳定放大电路的输出电压和增大输入电阻,应引入 电压串联负 反馈。19单相桥式整流电路中,设变压器的副边电压为V2,则输出直流电压的平均值为 0.9V2 。20差动放大电路中,共模抑制比KCMR是指 差模电压放大倍数与共模电压放大倍数之比的绝对值 。二选择题1电路如图所示,设二极管的正向压降VD=0.6V,则流过二极管的电流ID为(

5、B )。(A)0.775mA(B)1.31mA(C)0.55mA(D)1mA2电路如图所示,设二极管具有理想特性,已知vi=1.0Sint (V),V=2V,则输出vo 的波形如图( a )所示。3由稳压管组成的稳压电路如图所示,已知Vi=18V,稳压管DZ1的稳压值为7V,稳压管DZ2的稳压值为6V,稳压管具有理想特性,则输出Vo为( B )。 (A) 13V(B) 1V(C) 6V(D) 7V4电路如图(a)(b)所示,已知vi=20Sint (V),稳压管DZ1稳定电压VZ1=10V,稳压管DZ2稳定电压VZ2=6V,稳压管的正向压降忽略不计。图(e)所示波形为电路图( b )的输出波形

6、。5电路如图所示,该电路的静态电流表达式ICQ=( C )。6电路如图所示,已知晶体管的饱和压降VCES=0.3V,RC=RL=2k,静态工作点ICQ=2mA,VCEQ=6V。该放大电路的最大不失真输出正弦电压的幅值为 B 。(A) 6V(B) 5.7V(C) 6.6V(D) 2V7电路如图(a)所示,其等效电路如图(b)所示。该电路的电压放大倍数表达式为 B 。8电路如图所示,已知晶体管的=50,VBE=0.6V,rbe=1.5k。该电路的输入电阻Ri为 C 。 (A) 1.36k (B)15k (C) 13.4k ( D ) 1.5k9电路如图所示,C1、C2可视为交流短路,该电路的输出电

7、阻为 D 。(A) (B) (C) (D) 10如图所示为一深度负反馈放大电路,所有电容认为对交流短路。该电路的闭环电压放大倍数Avf=Vo/Vi=( C )。 (A) 10 (B) -11 (C) 11 (D) -1011电路如图所示,要引入电压并联负反馈,正确的接法是( D )。 (A)C1接N,C2接P,F接B1; (B)C1接N,C2接P,F接B2; (C)C1接P,C2接N,F接B1; (D)C1接P,C2接N,F接B2。*12某放大电路的电压放大倍数的对数幅频特性如图所示,其下限频率fL、上限频率fH及下限频率和上限频率所对应的实际电压增益Av是( B )。 (A) fL=100H

8、Z ,fH=100kHZ , Av=60dB (B) fL=100HZ ,fH=100kHZ , Av=57dB (C) fL100HZ ,fH100HZ ,fH100kHZ , Av=57dB 13差动放大电路如图所示,已知 |Avd|=100,Avc=0,vi1=10mV,vi2=5mV,则输出电压 |vo| 为( A )。 (A)500mV (B) 200mV (C) 250mV (D) 125mV14带有调零电路的差动放大电路如图所示,若输入电压vi1=vi2=0时,输出电压vo=vo1-vo20,则电路的输出与输入关系为( D )。23由运算放大器组成的比较器电路如图所示,设VREF

9、0,则该电路的电压传输特性为图中的图( C )所示。 (A) (B) (C) (D) 24比较器电路如图所示,已知Vi1=2V,Vi2=1V,则输出电压VO=( C )。(A) +12V(B) -12V(C) -6V(D) +6V25具有RC串并联选频网络的正弦波振荡电路如图所示,已知Rf =120k,为保证电路起振,R1应满足( D )。(A) R1120k(B) R160k(D) R15W,ICM2.5A ,V(BR)CEO40V(B) PCM5W,ICM2.5A ,V(BR)CEO20V(C) PCM25W,ICM2.5A ,V(BR)CEO40V(D) PCM25W,ICM2.5A ,

10、V(BR)CEO20V30带电容滤波的桥式整流电路如图所示,设变压器副边电压v2=24Sint(V),负载电阻RL=10。则流过二极管的平均电流ID和二极管承受的最大反向电压VRM约为( B )。(A) ID=2A,VRM=17V (B)ID=1A,VRM=24V(C) ID=2A,VRM=24V (D)ID=1A,VRM=17V31串联式稳压电路如图所示,已知T1的VCE1=5V,T2的VBE2=0.6V,稳压管VZ=5.4V,R1=R2=2k,RW=1k,则变压器的副边电压有效值V2为( B )。(A) 15V (B) 16.7V(C) 20V (D) 12.532并联式稳压电路如图所示,

11、已知稳压管稳定电压VZ=8V,最小稳定法电流Izmin=5mA,最大允许电流Izmax=30mA,Vi=22V,RL的变化范围为400800。限流电阻R的取值范围约为( A )。(A) 350560 (B)280933(C) 560933 (D)280560 33某MOS场效应管的转移特性如图所示,则该MOS管为( B )。(A) 增强型N沟道MOS管(B) 耗尽型N沟道MOS管(C) 增强型P沟道MOS管(D) 耗尽型P沟道MOS管34某MOS场效应管的转移特性如图所示,则该MOS管为( A )。(A) 增强型N沟道MOS管(B) 耗尽型N沟道MOS管(C) 增强型P沟道MOS管(D) 耗尽

12、型P沟道MOS管36某MOS场效应管的转移特性如图所示,则该MOS管为( C )。(A) 增强型N沟道MOS管(B) 耗尽型N沟道MOS管(C) 增强型P沟道MOS管(D) 耗尽型P沟道MOS管37甲乙类互补功率放大电路如图所示,图中D1、D2的作用是消除( C )。(A)饱和失真(B)截止失真(C)交越失真(D)频率失真38如图所示功率放大电路,已知VCC=20V,RL=8。该功率放大器的最大输出功率为( D )。(E) Pom=25W(F) Pom=50W(G) Pom=15W(H) Pom=6.25W39LC振荡电路如图所示。试判断那个电路满足相位平衡条件( C )。 (A) (B) (C) (D)40RC振荡电路如图所示。试判断那个电路满足相位平衡条件( A、D )。 (A) (B) (C) (D)【精品文档】第 7 页

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