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4、工大学 | 更新时间：2023-09-20 15:10:54 共享到： 共享到微信朋友圈 翻开微信，点击底部的“发觉”， 使用“扫一扫”即可将网页共享至朋友圈。 院校简介 推举免试 招生院系 专业名目 考研大纲 招生简章 成绩查询 报考录用 分数线 报录比 复试信息 调剂信息 参考书目 奖助学金 考研大纲是规定全国硕士讨论生入学考试相应科目的考试范围、考试要求、考试形式、试卷构造等权威政策指导性考研用书。本篇文章中公研招信息小编整理了“北京理工大学2023硕士讨论生考试大纲：887集成电路工程根底”，具体内容请查阅正文。 887 集成电路工程根底 1考试内容 （1）电子技术根底局部 主要包括二
5、极管、三极管的构造、特性及主要参数；把握饱和、放大、截止的根本概念和条件。把握二极管的根本应用。把握BJT和FET放大电路的组成和工作原理。把握图解分析法和等效模型分析法。把握放大电路的三种组态及性能特点。电路的三种耦合方式及特点。反应的根本概念：正、负反应；电压、电流、串联、并联负反应；把握反应类型和极性推断，引入负反应对放大性能的影响。把握运放电路的根本构成，差放与电流源电路。把握比例、加减、微积分线性运算电路。一般了解对数、指数运算电路的工作原理。把握频率响应的概念，以及放大电路频率响应的分析，了解产生自激振荡的条件。把握一阶、二阶有源滤波器的电路组成、频率特性。把握电压比拟器，用电压比
6、拟器组成的非正弦波发生电路。 （2）半导体物理局部 主要包含半导体中的电子状态；半导体中的电子状态和能带、电子的运动，本征半导体的导电机构、空穴，盘旋共振，硅和锗的能带构造；半导体中的杂质和缺陷能级，硅、锗晶体中的杂质能级、缺陷、位错能级；半导体中载流子的统计分布、状态密度，费米能级、载流子浓度的计算，简并半导体；载流子的位移与集中运动，载流子的散射、迁移率、电阻率、强场效应、热载流子、多能谷散射，耿氏效应；非平衡载流子的注入，复合寿命，费米能级，复合理论，陷阱效应，载流子的迁移运动，爱因斯坦关系，连续性方程；PN结的伏安特性，PN结电容，击穿；金属和半导体的接触的理论，少子的注入与欧姆接触；
7、外表态，外表场效应，C-V特性，外表电场对PN结特性的影响；半导体的光学性质，光电性质，发光现象，半导体激光器；半导体的热电性质，温差电动势率，热电效应及其应用；半导体磁效应和压阻效应。 2 题型及分值安排 (1) 题型:简答题和计算题。简答题包含概念题和重要数学公式及其物理意义，计算题包含数学模型、重要物理量计算、设计等。 (2) 分值安排：简答题占40%，计算题占60%。 参考书目 电子技术根底-模拟局部(第6版)高等教育出版社康华光2023年半导体物理学（第7版）电子工业出版社刘恩科，朱秉升，罗晋生等2023年 原标题：北京理工大学2023年硕士讨论生招生考试业务课考试大纲 文章来源：
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