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1、174/54AC/ACT2.按制造工艺双极型TTL ECL I2L MOS型PMOS NMOS CMOS400054/74AS54/7454/74H54/74S54/74LS54/74ALS54/74HC/HCT54/74FASTBi-CMOS型第1页/共104页2TTL、CMOS集成逻辑门的基本结构、工作原理和外部特性（包括逻辑功能和外部电气特性）。3.本章内容第2页/共104页3第一节 分立元件门电路结论：F=AB一、二极管“与门”电路二极管为理想的0V 逻辑03V 逻辑13V0ABF12V二极管“与门”电路第3页/共104页4结论：F=A+B二、二极管“或门”电路二极管“或门”电路3V0
2、ABF二极管为理想的0V 逻辑03V 逻辑1第4页/共104页5三、“非”门电路（反相器）1.三极管开关特性(1)截止条件：e结反偏，c结反偏(2)饱和条件：e结正偏，c结正偏；在数字电路中，只利用截止区（关态）和饱和区（开态）第5页/共104页6图3.1.1三极管开关电路第6页/共104页7图3.1.2三极管截止和饱和时的等效电路第7页/共104页8ton、toff限制了电路的最高工作速度。(3)三极管瞬时开关特性ton（开启时间）、toff（关闭时间）第8页/共104页9图3.1.3三极管瞬时开关特性第9页/共104页10tontoffuIuO第10页/共104页112.三极管反相器(1)
3、工作原理结论：P=A1AF（b）逻辑符号R1Vcc F(uO)(+12V)VD(+3V)-V BB(-12V)A(u1)iBiCRCDR23.4V0.2V（a）电路图3.1.4三极管反相器电路第11页/共104页12(2)负载能力负载灌电流负载(三极管处于临界饱和且满足ICM要求）拉电流负载若 ICSICM 则若 ICSICM 则(iD=0)最大灌电流的确定：最大拉电流的确定：第12页/共104页13第13页/共104页14(a)灌电流负载等效图第14页/共104页15图3.1.5负载等效电路第15页/共104页16 第二节 TTL门电路一、典型TTL与非门1.电路结构:输入级、中间级、输出级
4、第16页/共104页17(a)电路AF&B（b）逻辑符号图3.2.1典型TTL与非门第17页/共104页18图3.2.2 T1结构及输入级逻辑等效电路第18页/共104页192.工作原理：设UIH=3.4V UIL=0.2V Uon=0.7V VCC=5V结论：Y=AB(1)A=B=1,(2)A=0,B=1,Y=0 开态Y=1 关态(3)A=1,B=0,Y=1 关态(4)A=0,B=0,Y=1 关态第19页/共104页203.TTL与非门的主要外部特性(1)电压传输特性0 0.5 1.0 1.5 uI/V a bcd e3.02.01.0uO/V UT（a）电压传输特性uIVccuO&VV+_
5、（b）测试电路图3.2.3 TTL与非门电压传输特性第20页/共104页21ab段（截止区）：uI0.6V,T1深饱和uB20.7V,uO=3.4Vcd段（转折区）：1.3 VuI1.5V,T2放大饱和,T5 放大饱和阀值电压（开启电压)UT=1.4Vbc段（线性区）：0.6 VuI1.3V,T2放大，T5截止结论：UI=0.2V时，T1深饱和第21页/共104页22de段（饱和区）：1.5VuI ，T2、T5 饱和，结论：UI=3.4V时，T1倒置放大。uO=0.2V第22页/共104页23阀值电压：UT=1.4V关门电平、开门电平及噪声容限 主要静态参数：输出逻辑高电平和低电平标准值 合格
6、值高电平UOH3.4V2.4V0.2V0.4V低电平UOL第23页/共104页242.4UoffUon0.41.00uO/V uI/V3.02.02.52.01.51.00.50.8V2.0V第24页/共104页25UNHUNL10100.4V0.8VuIuO2.0V2.4V11uOuIG1G2图3.2.4输入端噪声容限示意图第25页/共104页26(2)输入特性iI/mA O-0.5-1.0-1.5-2.0-1.0 -0.5 0.5 1.0 1.5 2.0 uI/V 1.4(a)输入特性第26页/共104页27uIVccuO&V+_mAiI(b)测试电路输入短路电流：IIS=-1.07mA图
7、3.2.5 输入特性曲线输入漏电流：IIH=IB1(0.01)约为40 A第27页/共104页28定义时，只用一个输入端，当有2个或2个以上输入端并联时，输入电流如何？IIH2IIH&UIH&IIS1IIS2第28页/共104页29(a)电路AF&B（b）逻辑符号图3.2.1典型TTL与非门第29页/共104页30(3)输入负载特性当 uI 10ns。3.应用目前I2L电路主要用于制作大规模集成电路的内部逻辑电路（为提高抗干扰能力，接口电路与TTL电平兼容），很少用来制作中、小规模集成电路。第82页/共104页83第四节 CMOS门电路CMOS门电路的特点:CMOS反相器（串联互补）、CMOS
8、传输门（并联互补）是CMOS集成电路的基本组件。制作工艺简单，集成度高；工作电源允许的变化范围大，功耗低；输入阻抗高，扇出系数大；抗干扰能力强。第83页/共104页84一、CMOS反相器1.电路结构：NMOS、PMOS管串联互补。开启电压 分别为UTN、UTP，为正常工作，要求：VDD UTP +UTN2.工作原理设UTP=-3V，UTN=3V，VDD=10V。(1)UIL=0V 第84页/共104页85（b）逻辑符号1AP图3.4.1 CMOS反相器 第85页/共104页86(2)UIH=VDDT1、T2 构成一种推拉式输出。故输出端不能并接实现“线与”功能。第86页/共104页873.电压
9、传输特性和电流转移特性图3.4.2 3.4.2 电压传输特性和电流转移特性uIiDABCDE F（b）电流转移特性OuIVDDuOUTNABCDE FUTUTPVDDO(a)(a)电压传输特性第87页/共104页88 静态参数：噪声容限：UOL=0V，UOH=VDD （电压利用率高）在CC4000系列CMOS电路的性能指标中规定：在输出高、低电平的变化不大于10%VDD的条件下，输入信号低，高电平允许的最大变化量。第88页/共104页89UNHUNL1010uIuOUOH(min)11uOuIG1G2输入端噪声容限示意图UOL(max)UONUOFF第89页/共104页904.加电后，CMOS
10、器件输入端不能悬空输入电位不定（此时输入电位由保护二极管的反向电阻比来决定），从而破坏了电路的正常逻辑关系；由于输入阻抗高，易接受外界噪声干扰，使电路产生误动作；极易使栅极感应静电，造成栅击穿。第90页/共104页91二、其它类型的CMOS电路两个反相器的负载管并联，驱动管串联。1.CMOS与非门(1)电路结构第91页/共104页92&BAP（b）逻辑符号图3.4.3 CMOS与非门第92页/共104页93输出阻抗变化大；A B P RO 0 0 1 RON/2 0 1 1 RON 1 0 1 RON 1 1 0 2RON P=A+B存在的缺点：输入端数目，UOL，UNL。(2)工作原理第93
11、页/共104页94BA1P111图3.4.4 带缓冲级的CMOS与非门第94页/共104页952.CMOS 或非门(1)电路结构两个反相器的负载管串联，驱动管并联。(2)工作原理输出阻抗变化大；存在的缺点：输入端数目，UOH，UNH。第95页/共104页961BAP（b）逻辑符号图3.4.5 CMOS或非门第96页/共104页97BA1P&11图3.4.6 带缓冲级的CMOS或非门第97页/共104页98例4 写出下图CMOS电路的逻辑表达式。1ABP2VDDENEN1BA逻辑符号P2解：当B=0时，当B=1时，P2=A；P2 为高阻态。第98页/共104页993.CMOS双向传输门(1)电路结构 NMOS、PMOS管并联互补。(2)工作原理c=1时传输，c=0时关断。c=1时；N管导通；P管导通0VDD第99页/共104页100TGCCCC(b)国标符号(c)曾用符号图3.4.7 CMOS3.4.7 CMOS双向传输门第100页/共104页101例5 写出下图CMOS电路的逻辑表达式。解：当B=0时，当B=1时，P4 为高阻态。1ABVDDTGP4P4=A；ENEN1BA逻辑符号P4第101页/共104页102作业题3.1(a)3.23.3第102页/共104页103作业题3.93.113.16第103页/共104页104感谢您的观看！第104页/共104页