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1、1新曙光专接本培训新曙光专接本培训新曙光专接本培训新曙光专接本培训计算机专接本之微机原理-5.存储器要点2新曙光专接本培训新曙光专接本培训新曙光专接本培训新曙光专接本培训5.1 5.1 半导体存储器的性能特点和分类半导体存储器的性能特点和分类l5.1.1.半导体存储器的分类l5.1.2 半导体存储器的主要性能指标l5.1.3 半导体存储芯片的组成3新曙光专接本培训新曙光专接本培训新曙光专接本培训新曙光专接本培训5.1.1.5.1.1.半导体存储器的分类半导体存储器的分类（1 1）随机存取存储器）随机存取存储器RAMRAMl信息可以随时写入或读出信息可以随时写入或读出l关闭电源后所存信息将全部丢
2、失关闭电源后所存信息将全部丢失l静态静态RAMRAM采用双稳电路存储信息，而动态采用双稳电路存储信息，而动态RAMRAM是以电容上是以电容上的电荷存储信息。的电荷存储信息。l静态静态RAMRAM速度更快，而动态速度更快，而动态RAMRAM的集成度更高、功耗和价的集成度更高、功耗和价格更低，动态格更低，动态RAMRAM必须定时刷新。必须定时刷新。（2 2）只读存储器）只读存储器ROMROMlROMROM是一种在工作过程中只能读不能写的非易失性存储是一种在工作过程中只能读不能写的非易失性存储器器l掉电后所存信息不会丢失掉电后所存信息不会丢失4新曙光专接本培训新曙光专接本培训新曙光专接本培训新曙光专
3、接本培训半导体存储器半导体存储器随机存取存储器随机存取存储器 （RAMRAM）只读存储器只读存储器（ROMROM）静态静态RAMRAM（SRAMSRAM）动态动态RAMRAM（DRAMDRAM）掩膜式掩膜式ROMROM可编程可编程ROMROM（PROMPROM）可擦除可擦除PROMPROM（EPROMEPROM）电可擦除电可擦除PROMPROM（E E2 2PROMPROM）按存取方式分类按存取方式分类5新曙光专接本培训新曙光专接本培训新曙光专接本培训新曙光专接本培训5.1.2 5.1.2 半导体存储器的主要性能指标半导体存储器的主要性能指标l存储容量l存取速度l功耗l可靠性l性价比6新曙光专
4、接本培训新曙光专接本培训新曙光专接本培训新曙光专接本培训主要性能指标主要性能指标l存储容量：存储容量：存储器所能记忆信息的多少即存储器所包含记忆单元的总存储器所能记忆信息的多少即存储器所包含记忆单元的总位数称为存储容量。位数称为存储容量。l存取速度存取速度 从从CPUCPU给出有效的存储地址到存储器给出有效数据所需的时给出有效的存储地址到存储器给出有效数据所需的时间间l功耗功耗 功耗反映了存储器耗电的多少，同时也相应地反映了发热功耗反映了存储器耗电的多少，同时也相应地反映了发热程度（温度会限制集成度的提高）。程度（温度会限制集成度的提高）。l可靠性可靠性 以平均无故障时间（以平均无故障时间（M
5、TBFMTBF）来衡量。平均无故障时间可以）来衡量。平均无故障时间可以理解为两次故障之间的平均时间间隔理解为两次故障之间的平均时间间隔 。l性价比性价比 衡量存储器的经济性能，它是存储容量、存取速度、可靠衡量存储器的经济性能，它是存储容量、存取速度、可靠性、价格等的一个综合指标性、价格等的一个综合指标 7新曙光专接本培训新曙光专接本培训新曙光专接本培训新曙光专接本培训5.1.3 5.1.3 半导体存储芯片的组成半导体存储芯片的组成l存储体l地址译码器l控制逻辑电路l数据缓冲器8新曙光专接本培训新曙光专接本培训新曙光专接本培训新曙光专接本培训半导体存储芯片的组成半导体存储芯片的组成1 1存储体存
6、储体l存储芯片的主体，它由若干个存储单元组成。存储芯片的主体，它由若干个存储单元组成。l每个存储单元有一个地址（称为存储单元地址）每个存储单元有一个地址（称为存储单元地址）l存储体总是按照二维矩阵的形式来排列存储元电路。存储体总是按照二维矩阵的形式来排列存储元电路。l体体内内基基本本存存储储元元的的排排列列结结构构通通常常有有两两种种。一一种种是是“多多字字一一位位”结结构构（简简称称位位结结构构），例例如如，1K11K1位位，4K14K1位位。另另一一种种排排列列是是“多多字字多多位位”结结构构（简简称称字字结结构构），如如静静态态RAMRAM的的61166116为为2K82K8，62646
7、264为为8K88K8等。等。2 2地址译码器地址译码器 l接收来自接收来自CPUCPU的的N N位地址，经译码后产生位地址，经译码后产生2n2n个地址选择信号个地址选择信号3 3控制逻辑电路控制逻辑电路l接接收收片片选选信信号号及及来来自自CPUCPU的的读读/写写控控制制信信号号，形形成成芯芯片片内内部部控控制制信号信号4 4数据缓冲器数据缓冲器l用于暂时存放来自用于暂时存放来自CPUCPU的写入数据或从存储体内读出的数据。的写入数据或从存储体内读出的数据。9新曙光专接本培训新曙光专接本培训新曙光专接本培训新曙光专接本培训 存储芯片组成示意图 R/W CSm10 n位位地址地址地地址址译译
8、码码器器存存 储储矩矩 阵阵 控控 制制逻逻 辑辑数数据据缓缓冲冲器器m位数据位数据10新曙光专接本培训新曙光专接本培训新曙光专接本培训新曙光专接本培训5.2 5.2 随机存取存储器随机存取存储器l1 静态RAMl2 动态RAMl3 PC机内存条11新曙光专接本培训新曙光专接本培训新曙光专接本培训新曙光专接本培训符号名称功能说明A0A9地址线接相应地址总线，用来对某存储单元寻址I/O1I/O4双向数据线用于数据的写入和读出(4位)片选线低电平时，选中该芯片写允许线 VCC电源线 5Vl常用的SRAM芯片有:l2114（1K4）、6116（2K8）、6232（4K8）、6264（8K8）、和62
9、256（32K8）等。=0 时写入数据=0，表表 Intel 2114芯片引脚功能说明芯片引脚功能说明1SRAM12新曙光专接本培训新曙光专接本培训新曙光专接本培训新曙光专接本培训2114 SRAM结构框图及引脚结构框图及引脚GND 1 182114 9 10A6A5A4A3A0A1A2CSVCCA7A8A9I/O1I/O2I/O3I/O4WE13新曙光专接本培训新曙光专接本培训新曙光专接本培训新曙光专接本培训2DRAM（1）DRAM芯片的结构特点lDRAM与SRAM一样，都是由许多基本存储元电路按行、列排列组成二维存储矩阵 lDRAM芯片都设计成位结构形式，即每个存储单元只有一位数据位，一个
10、芯片上含有若干字。如4K1位，8K1位，16K1位，64K1位或256K1位等l DRAM芯片集成度高，存储容量大，因而要求地址线引脚数量多 DRAM芯片常将地址输入信号分成两组，采用两路复用锁存方式，即分两次把地址送入芯片内部锁存起来，以减少引脚数量。14新曙光专接本培训新曙光专接本培训新曙光专接本培训新曙光专接本培训（2）DRAM的刷新l刷新就是不断地每隔一定时间（一般每隔2ms）对DRAM的所有单元进行读出，经读出放大器放大后再重新写入原电路中，以维持电容上的电荷，进而使所存信息保持不变l对DRAM的刷新是按行进行的，每刷新一次的时间称为刷新周期。从上一次对整个存储器刷新结束到下一次对整
11、个存储器全部刷新一遍所用的时间间隔称为最大的刷新时间间隔，一般为2ms。典型DRAM芯片lDRAM芯片常用的有：lIntel 2116（16K1位）、2164（64K1位）15新曙光专接本培训新曙光专接本培训新曙光专接本培训新曙光专接本培训例题例题1、已知单片、已知单片6116芯片的地址线是芯片的地址线是11位，位，每个存储单元是每个存储单元是8位，求其存储容量位，求其存储容量?解解:因为可编址范围因为可编址范围211，即，即M 211，每个存储单元可存每个存储单元可存8位，即位，即N 8，所以，所以，6116的存储容量的存储容量=2118 =210248 =2K8 2KB16新曙光专接本培训
12、新曙光专接本培训新曙光专接本培训新曙光专接本培训2、若要组成、若要组成64K字节的存储器，以下芯片各需几片字节的存储器，以下芯片各需几片?6116(2K8)4416(16K4)解解:(64K8)(2K8)=32(片片)(64K8)(16K4)=8(片片)17新曙光专接本培训新曙光专接本培训新曙光专接本培训新曙光专接本培训3.PC3.PC机内存条机内存条1SDRAM（Synchronous DRAM,同步内存）采用了多体存储器结构和突发模式，为双存储体结构，也就是有两个存储阵列，一个被CPU读取数据时，另一个已经做好被读取的准备，两者相互自动切换。2DDR（Double Data Rate,双倍
13、数据速率）SDRAM传统的SDRAM内存只在时钟周期的上升沿传输指令、地址和数据，而DDR SDRAM内存的数据线有特殊的电路，可以让它在时钟的上下沿都传输数据。18新曙光专接本培训新曙光专接本培训新曙光专接本培训新曙光专接本培训5.3 典型的典型的EPROM/E2PROM芯片芯片lEPROMEPROM的典型芯片有的典型芯片有Intel 2716Intel 2716（2K82K8）27322732（4K84K8）27642764（8K88K8）2712827128（16K816K8）2725627256（32K832K8）2751227512（64K864K8）lE2PROME2PROM的典型
14、芯片有的典型芯片有2K82K8的的Intel 2816Intel 2816、28172817、2816A2816A、2817A2817A8K88K8的的2864A2864A、2816A2816A、2817A2817A19新曙光专接本培训新曙光专接本培训新曙光专接本培训新曙光专接本培训Flash ROM从原理上看，从原理上看，FLASH Memory属于属于ROM型存储器，但是它可以随时改型存储器，但是它可以随时改写信息；从功能上看，它又相当于写信息；从功能上看，它又相当于RAM。20新曙光专接本培训新曙光专接本培训新曙光专接本培训新曙光专接本培训5.4 5.4 存储器接口技术存储器接口技术l1
15、 1 存储器与存储器与CPUCPU接口的一般问题接口的一般问题l2 2 存储器与地址总线的连接存储器与地址总线的连接l3 3 存储器与控制总线、数据总线的连接存储器与控制总线、数据总线的连接l4 4 存储器接口举例存储器接口举例21新曙光专接本培训新曙光专接本培训新曙光专接本培训新曙光专接本培训5.4.1 5.4.1 存储器与存储器与CPUCPU接口的一般问题接口的一般问题lCPUCPU总线的负载能力总线的负载能力l存储器与存储器与CPUCPU之间的时序配合之间的时序配合l存储芯片的选用和地址分配存储芯片的选用和地址分配22新曙光专接本培训新曙光专接本培训新曙光专接本培训新曙光专接本培训1CP
16、U总线的负载能力l一般小型系统中，CPU可直接与存储器芯片相连。而在较大系统中，当总线负载数超过限定时应当加接驱动器。l地址线、控制线时是单向的，故采用单向驱动器，如74LS244，Intel8282等，而数据线是双向传动的，故采用双向驱动器，如74LS245、Intel8286/8287等。23新曙光专接本培训新曙光专接本培训新曙光专接本培训新曙光专接本培训2存储器与CPU之间的时序配合l选用存储芯片时，必须考虑它的存取速度和CPU速度的匹配问题，即时序配合。l为了使CPU能与不同速度的存储器相连接，一种常用的方法是使用“等待申请”信号。该方法是在CPU设计时设置一条“等待申请”输入线。l若
17、与CPU连接的存储器速度较慢，使CPU在规定的的读/写周期内不能完成读/写操作，则在CPU执行访问存储器指令时，由等待信号发生器向CPU发出“等待申请”信号，使CPU在正常的读/写周期之外再插入一个或几个等待周期Tw，以便通过改变指令的时钟周期数使系统速度变慢，从而达到与慢速存储器匹配的目的。24新曙光专接本培训新曙光专接本培训新曙光专接本培训新曙光专接本培训3存储芯片的选用和地址分配存储芯片类型和芯片型号的选择因素存储芯片类型和芯片型号的选择因素l存放对象存放对象l存储容量存储容量l存取速度存取速度l结构结构l价格。价格。25新曙光专接本培训新曙光专接本培训新曙光专接本培训新曙光专接本培训5
18、.4.2 存储器与地址总线的连接存储器与地址总线的连接l存储器与地址总线的连接，本质上就是在地址分配的基础上实现地址译码，保证CPU能对存储器中所有单元正确寻址。l它包括两方面内容：一是高位地址线译码，用以选择存储芯片；二是低位地址线连接，用以通过片内地址译码器选择存储单元。l全译码法l部分译码法l线选法26新曙光专接本培训新曙光专接本培训新曙光专接本培训新曙光专接本培训 数据数据线线 IO/M 高位地址高位地址 CPU（子系（子系统统）WR 低位地址低位地址 RAMCSWE 芯片地址芯片地址 ROM CS 芯片地址芯片地址译译码码器器ABDB27新曙光专接本培训新曙光专接本培训新曙光专接本培
19、训新曙光专接本培训1全译码法l全译码法是指将地址总线中除片内地址以外的全部高位地址接到译码器的输入端参与译码。l采用全译码法，每个存储单元的地址都是唯一的，不存在地址重叠，但译码电路较复杂，连线也较多。l全译码法可以提供对全部存储空间的寻址能力。当存储器容量小于可寻址的存储空间时，可从译码器输出线中选出连续的几根作为片选控制，多余的令其空闲，以便需要时扩充。28新曙光专接本培训新曙光专接本培训新曙光专接本培训新曙光专接本培训例例5-1l设CPU寻址空间为64KB（地址总线为16位），存储器由8片容量为8KB的芯片构成。A13A153-8译码器Y0Y1Y7A0A128KB（1）CS8KB（2）C
20、S8KB（8）CS 全译码法结构图29新曙光专接本培训新曙光专接本培训新曙光专接本培训新曙光专接本培训2部分译码法l部分译码法是将高位地址线中的一部分（而不是全部）进行译码，产生片选信号。l该方法常用于不需要全部地址空间的寻址能力，但采用线选法地址线又不够用的情况。l采用部分译码法时，由于未参加译码的高位地址与存储器地址无关，因此存在地址重叠问题。l当选用不同的高位地址线进行部分译码时，其译码对应的地址空间不同。30新曙光专接本培训新曙光专接本培训新曙光专接本培训新曙光专接本培训例5-2lCPU地址总线为16位，存储器由4片容量为8KB的芯片构成时，采用部分译码法寻址32KB。Y1Y0Y2Y3
21、A14A132-4译码器译码器8KB（1）CS8KB（4）CS8KB（2）CS8KB（3）CSA15（不参加译码）（不参加译码）A0A12部分译码法结构部分译码法结构31新曙光专接本培训新曙光专接本培训新曙光专接本培训新曙光专接本培训3线选法l线选法是指高位地址线不经过译码，直接作为存储芯片的片选信号。l每根高位地址线接一块芯片，用低位地址线实现片内寻址。l线选法的优点是结构简单，缺点是地址空间浪费大，整个存储器地址空间不连续，而且由于部分地址线未参加译码，还会出现地址重叠。32新曙光专接本培训新曙光专接本培训新曙光专接本培训新曙光专接本培训例5-3l假定某微机系统的存储容量为8KB，CPU寻
22、址空间为64KB（即地址总线为16位），所用芯片容量为2KB（即片内地址为11位）。A0A10（1）2KBCS（4）2KBCS（2）2KBCS（3）2KBCS1111A11A12A13A14线选法结构图线选法结构图33新曙光专接本培训新曙光专接本培训新曙光专接本培训新曙光专接本培训5.4.3 5.4.3 存储器与控制总线、数据总线的连接存储器与控制总线、数据总线的连接l存储器与控制总线的连接l存储器与数据总线的连接34新曙光专接本培训新曙光专接本培训新曙光专接本培训新曙光专接本培训1存储器与控制总线的连接l与控制总线有关的外部接口信号线有：读写控制线。l对于工作速度与CPU大体相当的SRAM和
23、各种ROM存储芯片，只需将存储芯片的读/写控制端直接连到CPU总线或系统总线的相应功能端即可。l 如果存储芯片的工作速度比较慢，以至于不能在CPU的读写周期内完成读数、写数操作，那么CPU就需要在正常的读写周期之外再插入一个或几个等待周期，以实现读写时序的匹配与操作的同步。35新曙光专接本培训新曙光专接本培训新曙光专接本培训新曙光专接本培训2存储器与数据总线的连接l在微机中，无论字长是多少，一般每个存储模块（8位机为单存储模块，16位机为双模块，32位机为4模块）都是以一个字节为基本单位来划分存储单元的，即每8位为一个存储单元，对应一个存储地址。l当用这些存储字长不是8位的芯片构成内存时，必须
24、用多片合在一起并行构成具有8位字长的存储单元。l而在用多片构成存储单元时，它们的地址线、控制线完全是并联在一起的，数据线则分别接在数据总线的不同位线上。l当内存系统的存储器芯片数较多时，基于对总线负载能力的考虑，在数据总线与存储器数据线之间应采用双向驱动器。36新曙光专接本培训新曙光专接本培训新曙光专接本培训新曙光专接本培训存储器容量的扩充 当一片存储器芯片的容量不能满足系统要求时，当一片存储器芯片的容量不能满足系统要求时，当一片存储器芯片的容量不能满足系统要求时，当一片存储器芯片的容量不能满足系统要求时，需多片组合以扩充位数或单元数。这就是所谓的存储需多片组合以扩充位数或单元数。这就是所谓的
25、存储需多片组合以扩充位数或单元数。这就是所谓的存储需多片组合以扩充位数或单元数。这就是所谓的存储器容量扩充。器容量扩充。器容量扩充。器容量扩充。字扩充字扩充字扩充字扩充（串串串串联）联）联）联）：扩充存储器的存储单元扩充存储器的存储单元扩充存储器的存储单元扩充存储器的存储单元位扩充位扩充位扩充位扩充（并联）（并联）（并联）（并联）：扩充存储器的一个单元的位数扩充存储器的一个单元的位数扩充存储器的一个单元的位数扩充存储器的一个单元的位数37新曙光专接本培训新曙光专接本培训新曙光专接本培训新曙光专接本培训1 1 位（并联）扩充位（并联）扩充位（并联）扩充位（并联）扩充用用用用2 2片片片片8K8K
26、 8 8位的位的位的位的62646264扩扩扩扩充形成充形成充形成充形成8K8K 1616位的芯片位的芯片位的芯片位的芯片组组组组：除了数据线外，对应相除了数据线外，对应相连连38新曙光专接本培训新曙光专接本培训新曙光专接本培训新曙光专接本培训2 2 字（串联）扩充字（串联）扩充字（串联）扩充字（串联）扩充用用用用4 4片片片片8K88K8位芯片位芯片位芯片位芯片62646264构成构成构成构成32K832K8位的存储芯片组：位的存储芯片组：位的存储芯片组：位的存储芯片组：39新曙光专接本培训新曙光专接本培训新曙光专接本培训新曙光专接本培训2)再扩充单元数：将这再扩充单元数：将这再扩充单元数：
27、将这再扩充单元数：将这8 8个芯片组组合成个芯片组组合成个芯片组组合成个芯片组组合成8K88K8位存储位存储位存储位存储区。显然，区。显然，区。显然，区。显然，8K8K存储单元需要存储单元需要存储单元需要存储单元需要1313根地址线（根地址线（根地址线（根地址线（2 21313=8K=8K），），），），比原来每片的比原来每片的比原来每片的比原来每片的1010根地址线多了根地址线多了根地址线多了根地址线多了3 3根，可用根，可用根，可用根，可用3 38 8译码译码译码译码器芯片器芯片器芯片器芯片74LS13874LS1383 3 位和字同时（串并联）扩充位和字同时（串并联）扩充位和字同时（串并
28、联）扩充位和字同时（串并联）扩充当存储器的位数和单元数都需要扩充时，如用当存储器的位数和单元数都需要扩充时，如用当存储器的位数和单元数都需要扩充时，如用当存储器的位数和单元数都需要扩充时，如用1616片片片片1K41K4位芯片构成位芯片构成位芯片构成位芯片构成8K88K8位存储区：位存储区：位存储区：位存储区：1)先扩充位数：每先扩充位数：每先扩充位数：每先扩充位数：每2 2个芯片（个芯片（个芯片（个芯片（2424位位位位=8=8位）一组，位）一组，位）一组，位）一组，构成构成构成构成8 8个个个个1K81K8位芯片组；位芯片组；位芯片组；位芯片组；40新曙光专接本培训新曙光专接本培训新曙光专
29、接本培训新曙光专接本培训138译码器译码器C B A YC B A Y7 7 Y Y6 6 Y Y5 5 Y Y4 4 Y Y3 3 Y Y2 2 Y Y1 1 Y Y0 0 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 10 0 0 1 1 1 1 1 1 1 0 0 0 1 1 1 1 1 1 1 0 00 0 0 1 1 1 1 1 1 0 10 0 0 1 1 1 1 1 1 0 1 1 1 1 0 1 1 1 1 1 1 11 1 1 0 1 1 1 1 1 1 1G1 Y7G2A Y6G2B Y5 Y4 138 Y3C Y2B Y1A Y01 0 0 =1 0 0使能
30、输入端使能输入端41新曙光专接本培训新曙光专接本培训新曙光专接本培训新曙光专接本培训例题例题如图是某一如图是某一80888088系统的存储器连接图，试确定其中各芯片的地址空间。系统的存储器连接图，试确定其中各芯片的地址空间。42新曙光专接本培训新曙光专接本培训新曙光专接本培训新曙光专接本培训解解：（1 1）2712827128是是ROM ROM，没有，没有WRWR，Y Y0 0 0 0选中该片；选中该片；该片该片1414条地址线，条地址线，其基本地址：其基本地址：00 0000 0000 0000 11 1111 1111 111100 0000 0000 0000 11 1111 1111
31、1111；高高6 6位：位：A19A18 A19A18 0000；A17 A17 1 1；A16A15 A14A16A15 A14000000；所以所以2712827128地址范围：地址范围：0010 000010 0000 0000 0000 0000 00 0000 0000 0000 0010 000010 0011 1111 1111 111111 1111 1111 1111即即20000H23FFFH20000H23FFFH43新曙光专接本培训新曙光专接本培训新曙光专接本培训新曙光专接本培训0011 000011 0000 0000 0000 0000 00 0000 0000 0
32、000 0011 000011 0001 1111 1111 111101 1111 1111 1111即即30000H31FFFH30000H31FFFH解：解：（2 2）62646264是是SRAMSRAM，1313条地址线，用条地址线，用2 2片，基本地址片，基本地址0 0 0000 0000 00001 1111 1111 11110000 0000 00001 1111 1111 1111；1 162646264的高的高7 7位：位：A A13130 且且Y Y4 40 0有效选中此片有效选中此片，则则A A1616A A15 15 A A1414100100；A A1919A A1
33、8 18 0 0；A A17 17 1 1；1 162646264地址范围：地址范围：44新曙光专接本培训新曙光专接本培训新曙光专接本培训新曙光专接本培训26264地址范围：地址范围：0011 0010 0000 0000 0000 0011 0011 1111 1111 1111即即32000H33FFFH解：解：（2 2）62646264是是SRAMSRAM，1313条地址线，用条地址线，用2 2片，基片，基本地址本地址0 0000 0000 00001 1111 1111 11110 0000 0000 00001 1111 1111 1111；A A13131 1 且且Y Y4 40
34、0有效选中此片，有效选中此片，2 6264的高的高7位：位：则则A A1616A A15 15 A A1414100100；A A1919A A18 18 0000；A A17 17 1 1；45新曙光专接本培训新曙光专接本培训新曙光专接本培训新曙光专接本培训5.4.4 5.4.4 存储器接口举例存储器接口举例l用2716 EPROM（2K82K8）芯片为某8位微处理器设计一个16KB的ROM存储器。已知该微处理器地址线为A0A15，数据线为D0D7，“允许访存”控制信号为M，读出控制信号为RD。画出EPROM与CPU的连接框图。46新曙光专接本培训新曙光专接本培训新曙光专接本培训新曙光专接本
35、培训 D0 D7A0A10 RD CPUA11A13 MY7Y1Y0+5V74LS138G2AG2BG1GNDVcc+5V+5VVPP+25VO0O72716（1）OECEO0O72716（3）OECEO0O72716（2）OECE EPROM 与CPU连接框图47新曙光专接本培训新曙光专接本培训新曙光专接本培训新曙光专接本培训l某8位微机有地址总线16根，双向数据总线8根，控制总线中与主存相关的有“允许访存”信号MREQ（低电平有效）和读/写控制信号R/W（高电平读、低电平写）。试用SRAM芯片2114（1K4）为该机设计一个8KB的存储器并画出连接框图。48新曙光专接本培训新曙光专接本培训新曙光专接本培训新曙光专接本培训VccA12A11A10 CPU MREQA9A0 R/W D07 74LS138CBAG2A G2B G1Y7Y0Y1CS2114(2)CS2114(1)CS2114(4)CS2114(3)CS2114(16)CS2114(15)存储器与CPU连接框图49新曙光专接本培训新曙光专接本培训新曙光专接本培训新曙光专接本培训此课件下载可自行编辑修改，仅供参考！此课件下载可自行编辑修改，仅供参考！感谢您的支持，我们努力做得更好！谢谢感谢您的支持，我们努力做得更好！谢谢