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1、数字逻辑设计习题解答第三章王坚王坚 3.1 3.1 逻辑逻辑0 0 逻辑逻辑1 1以及不确定逻辑以及不确定逻辑HIGHABNOMALLOW不确定逻辑因此是逻辑0是逻辑0为逻辑1为不确定逻辑2VDD=+5.0VVOUTVINTpTn反向器不确定逻辑:电路可将其解释为逻辑不确定逻辑:电路可将其解释为逻辑0也可以解释为逻辑也可以解释为逻辑13.7 二输入CMOS与非门中晶体管的类型和个数2个NMOS,2个PMOSVDD=+5.0VZAB对于给定的硅面积,CMOS与非门要CMOS或非门速度要快。N沟道的导通电阻比P沟道的导通电阻低。VDD ZABVDDZABNANDNOR3.16 CMOS反向门还是非
2、反向门用的晶体管少?CMOS反相器所用的晶体管数少,因为CMOS非反相器为2个CMOS反相器串联组成,且CMOS反相器是CMOS逻辑中用门最少的。(课本60页)VDD=+5.0VVOUTVINTpTn反向器如果输出电流为负值,那么是提供电流还是吸收电流?输出是提供电流(source)输入是吸收电流(sink)因为规定流出节点电流为负,流入节点电流为正。题目说器件输出电流为负值。所以为提供电流。(见图3-53)一个斯密特反向触发器:HIGHABNOMALLOWVILmaxVIHmin滞后为3.39 open-drain上拉电阻问题漏极开路输出:指漏极通常处于悬空状态,电路输出为高阻态(即断开)。
3、为了使这个器件正常工作,通常在它的输出端上拉一个电阻。则电路内部断开时则输出为高电平,若内部导通时上拉电阻的另一端则被拉到地,输出为低电平。上拉电阻之前上拉电阻后3.39 open-drain上拉电阻问题有利不利上拉大电阻 功耗降低增大低态噪声容限时间常数增加上拉小电阻 增大高电平噪声容限 时间常数减小功耗增加开漏形式的电路有以下几个特点:1.利用外部电路的驱动能力,减少IC内部的驱动,或驱动比芯片电源电压高的负载。2.可以将多个开漏输出的Pin,连接到一条线上。通过一只上拉电阻,在不增加任何器件的情况下,形成“线与逻辑”关系。这也是I2C,SMBus等总线判断总线占用状态的原理。3.由于漏级
4、开路,所以后级电路必须接一上拉电阻,上拉电阻的电源电压就可以决定输出电平。这样就可以进行任意电平的转换了。4.漏极开路提供了灵活的输出方式,但是也有其弱点,就是带来上升沿的延时。因为上升沿是通过外接上拉无源电阻对负载充电,所以当电阻选择小时延时就小,但功耗大;反之延时大功耗小。所以如果对延时有要求,则建议用下降沿输出。思考?中所提到的线与逻辑为什么比单个与门要慢3.47 N 输入的二极管与门需要N个二极管 如右图所示N输入的二极管构成的与门,只要有一个输入为低电平,则输出也为低电平,共有N个二极管VCCD1D2Dn-1DnX1X2Xn-1XnYY=X1X2.Xn只要有一个为逻辑0时,输出为逻辑
5、0所有的为逻辑1时,输出为逻辑13.49 TTL 驱动多个TTL(表3-10)n74LS驱动74AS 低态扇出:IOLMAX/IILMAX=|8mA/-0.5mA|=16 高态扇出:IOHMAX/IIHMAX=|-400A/20A|=20 总扇出min(高态扇出,低态扇出)=16,高态还有剩余驱动能力所以高态剩余驱动能力:(20-16)*20A=80A n74LS驱动74F 低态扇出:IOLMAX/IILMAX=|8mA/0.6mA|(下取整)=13 高态扇出:IOHMAX/IIHMAX=|-400A/20A|=20 总扇出min(高态扇出,低态扇出)=13,高态还有剩余驱动能力所以高态剩余驱
6、动能力:(20-13)*20A=140A 噪声门限:多大的噪声会使最坏输出电压被破坏得不可识别VDDVoutHIGHVOHminVSSLOWVOLmaxVDDHIGHVIHminVSSLOWVILmaxVinNoise MarginNoise MarginHIGH State Noise Margin:(VOHmin-VIHmin)LOW State Noise Margin:(VILmax-VOLmax)3.57 CMOS驱动TTL(a)74HCT驱动74LS 低态扇出:IOLMAX/IILMAX=4mA/0.4mA=10 高态扇出:IOHMAX/IIHMAX=400mA/20A=200 总
7、扇出min(高态扇出,低态扇出)=10 所以高态剩余驱动能力:(200-10)*20A=3800A(b)74VHCT驱动74S 低态扇出:IOLMAX/IILMAX=8mA/2mA=4 高态扇出:IOHMAX/IIHMAX=8mA/50A=160 总扇出min(高态扇出,低态扇出)=4 所以高态剩余驱动能力:(160-4)*50A=7800An思考题:漏极开路门电路的上拉电阻比标准CMOS门的p沟道晶体管的“导通”电阻大,和有源上拉的标准门相比,其低态到高态输出转换时间要长得多。例:漏极开路门电路为HC系列CMOS,低态时“导通”阻约为 ,从高态到低态转换的时间常数为8ns,然而从低态到高态转换的时间常数为150ns。CMOS与或非门的速度快。与或非门与门