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1、2二次击穿的影响 iCuCEOBA二次击穿一次击穿S/B曲线二次击穿现象二次击穿临界曲线iCuCEO第1页/共10页1.V型NMOS管的结构 结构剖面图9.3.2 功率MOSFET s 源极 g 栅极 金属 源极S i O2沟道沟道外延层衬底d 漏极_N+PPNN+N+第2页/共10页2.V型NMOS管的主要特点(1)开关速度高(2)驱动电流小(3)过载能力强(4)易于并联 第3页/共10页IGBT等效电路dT1gsRT2IGBT电路符号gsdT9.3.3 绝缘栅双极型晶体管（IGBT）第4页/共10页绝缘栅双极型晶体管(IGBT)的主要特点：(1)输入阻抗高(2)工作速度快(3)通态电阻低(
2、4)阻断电阻高(5)承受电流大兼顾了MOSFET和BJT的优点，成为当前功率半导体器件发展的重要方向。第5页/共10页外壳c集电结j散热器sR(t h)j cR(t h)c sR(t h)s a环境a9.3.4 功率器件的散热晶体管的散热示意图第6页/共10页导电回路（电路）散热回路（热路）参 量 符 号 单 位参 量符 号 单位电 压UV温 差ToC电 流IA最大允许功耗PCMW电 阻R热 阻RToC/W 功率器件的散热分析方法导电回路和散热回路参数对照表电热模拟法,即用电路来模拟功率器件的散热回路。第7页/共10页Tj集电结的结温Tc 功率管的壳温Ts 散热器温度Ta 环境温度Rjc 集电结到管壳的热阻Rcs 管壳至散热片的热阻Rsa 散热片至环境的热阻散热等效热路TjTcTsTaRjcRcsRsajcsaPCM第8页/共10页散热回路的总热阻为 最大允许功耗 TajCMRTTP-=TjTcTsTaRjcRcsRsajcsaPCM第9页/共10页谢谢您的观看！第10页/共10页