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1、上页上页下页下页返回返回模拟电子技术基础模拟电子技术基础双极型功率晶体管BJT Still waters run deep.流静水深流静水深,人静心深人静心深 Where there is life,there is hope。有生命必有希望。有生命必有希望上页上页下页下页返回返回模拟电子技术基础模拟电子技术基础2二次击穿的影响二次击穿的影响 iCuCEOBA二次击穿二次击穿一次击穿一次击穿S/B曲线曲线二次击穿现象二次击穿现象二次击穿临界曲线二次击穿临界曲线iCuCEO上页上页下页下页返回返回模拟电子技术基础模拟电子技术基础1.V型型NMOS管的结构管的结构 结构剖面图结构剖面图9.3.2
2、功率功率MOSFET s 源极源极 g 栅极栅极 金属金属 源极源极S i O2沟道沟道沟道沟道外延层外延层衬底衬底d 漏极漏极_ _N+PPNN+N+上页上页下页下页返回返回模拟电子技术基础模拟电子技术基础2.V型型NMOS管的主要特点管的主要特点(1)开关速度高开关速度高 (2)驱动电流小驱动电流小 (3)过载能力强过载能力强 (4)易于并联易于并联 上页上页下页下页返回返回模拟电子技术基础模拟电子技术基础IGBT等等效电路效电路dT1gsRT2IGBT电电路符号路符号gsdT9.3.3 绝缘栅双极型晶体管（绝缘栅双极型晶体管（IGBT）上页上页下页下页返回返回模拟电子技术基础模拟电子技术
3、基础绝缘栅双极型晶体管绝缘栅双极型晶体管(IGBT)的主要特点：的主要特点：(1)输入阻抗高输入阻抗高(2)工作速度快工作速度快(3)通态电阻低通态电阻低(4)阻断电阻高阻断电阻高(5)承受电流大承受电流大兼兼顾顾了了MOSFET和和BJT的的优优点点，成成为为当当前前功功率率半半导导体器件发展的重要方向。体器件发展的重要方向。上页上页下页下页返回返回模拟电子技术基础模拟电子技术基础外壳外壳c集电结集电结j散热器散热器sR(t h)j cR(t h)c sR(t h)s a环境环境a9.3.4 功率器件的散热功率器件的散热晶体管的散热示意图晶体管的散热示意图上页上页下页下页返回返回模拟电子技术
4、基础模拟电子技术基础导电回路（电路）导电回路（电路）散热回路（热路）散热回路（热路）参参 量量 符符 号号 单单 位位参参 量量符符 号号 单位单位电电 压压UV温温 差差ToC电电 流流IA最大允最大允许功耗许功耗PCMW电电 阻阻R热热 阻阻RToC/W 功率器件的散热分析方法功率器件的散热分析方法导电回路和散热回路参数对照表导电回路和散热回路参数对照表电电热热模模拟拟法法,即即用用电电路路来来模模拟拟功功率率器器件件的的散散热热回路。回路。上页上页下页下页返回返回模拟电子技术基础模拟电子技术基础Tj集电结的结温集电结的结温Tc 功率管的壳温功率管的壳温Ts 散热器温度散热器温度Ta 环境温度环境温度Rjc 集电结到管壳的热阻集电结到管壳的热阻Rcs 管壳至散热片的热阻管壳至散热片的热阻Rsa 散热片至环境的热阻散热片至环境的热阻散热等效热路散热等效热路TjTcTsTaRjcRcsRsajcsaPCM上页上页下页下页返回返回模拟电子技术基础模拟电子技术基础散热回路的总热阻为散热回路的总热阻为 最大允许功耗最大允许功耗 TajCMRTTP-=TjTcTsTaRjcRcsRsajcsaPCM