《潮州存储器项目建议书.docx》由会员分享，可在线阅读，更多相关《潮州存储器项目建议书.docx（131页珍藏版）》请在taowenge.com淘文阁网|工程机械CAD图纸|机械工程制图|CAD装配图下载|SolidWorks_CaTia_CAD_UG_PROE_设计图分享下载上搜索。
1、泓域咨询/潮州存储器项目建议书潮州存储器项目潮州存储器项目建议书建议书xxxx 有限责任公司有限责任公司泓域咨询/潮州存储器项目建议书目录目录第一章第一章 市场分析市场分析.9一、产业链下游应用场景丰富，市场需求广阔.9二、半导体存储器简介.12三、半导体存储产业链特征.14第二章第二章 背景及必要性背景及必要性.17一、产业链上游存储晶圆市场格局及技术路线.17二、行业发展面临的机遇与挑战.19三、全球半导体存储产业概况.21四、全面深化改革，营造良好发展环境.24五、项目实施的必要性.25第三章第三章 总论总论.26一、项目名称及投资人.26二、编制原则.26三、编制依据.27四、编制范围
2、及内容.28五、项目建设背景.28六、结论分析.30主要经济指标一览表.32第四章第四章 公司基本情况公司基本情况.34一、公司基本信息.34二、公司简介.34泓域咨询/潮州存储器项目建议书三、公司竞争优势.35四、公司主要财务数据.37公司合并资产负债表主要数据.37公司合并利润表主要数据.38五、核心人员介绍.38六、经营宗旨.40七、公司发展规划.40第五章第五章 产品方案产品方案.42一、建设规模及主要建设内容.42二、产品规划方案及生产纲领.42产品规划方案一览表.42第六章第六章 建筑工程说明建筑工程说明.44一、项目工程设计总体要求.44二、建设方案.44三、建筑工程建设指标.4
3、7建筑工程投资一览表.48第七章第七章 法人治理结构法人治理结构.50一、股东权利及义务.50二、董事.52三、高级管理人员.56四、监事.59第八章第八章 SWOT 分析说明分析说明.62泓域咨询/潮州存储器项目建议书一、优势分析（S）.62二、劣势分析（W）.64三、机会分析（O）.64四、威胁分析（T）.65第九章第九章 发展规划分析发展规划分析.69一、公司发展规划.69二、保障措施.70第十章第十章 运营管理模式运营管理模式.73一、公司经营宗旨.73二、公司的目标、主要职责.73三、各部门职责及权限.74四、财务会计制度.77第十一章第十一章 项目节能分析项目节能分析.81一、项目
4、节能概述.81二、能源消费种类和数量分析.82能耗分析一览表.83三、项目节能措施.83四、节能综合评价.85第十二章第十二章 组织机构、人力资源分析组织机构、人力资源分析.86一、人力资源配置.86劳动定员一览表.86二、员工技能培训.86泓域咨询/潮州存储器项目建议书第十三章第十三章 技术方案技术方案.88一、企业技术研发分析.88二、项目技术工艺分析.91三、质量管理.92四、设备选型方案.93主要设备购置一览表.94第十四章第十四章 投资计划投资计划.95一、投资估算的依据和说明.95二、建设投资估算.96建设投资估算表.98三、建设期利息.98建设期利息估算表.98四、流动资金.10
5、0流动资金估算表.100五、总投资.101总投资及构成一览表.101六、资金筹措与投资计划.102项目投资计划与资金筹措一览表.103第十五章第十五章 经济效益评价经济效益评价.104一、基本假设及基础参数选取.104二、经济评价财务测算.104营业收入、税金及附加和增值税估算表.104泓域咨询/潮州存储器项目建议书综合总成本费用估算表.106利润及利润分配表.108三、项目盈利能力分析.109项目投资现金流量表.110四、财务生存能力分析.112五、偿债能力分析.112借款还本付息计划表.113六、经济评价结论.114第十六章第十六章 风险评估分析风险评估分析.115一、项目风险分析.115
6、二、项目风险对策.118第十七章第十七章 项目总结分析项目总结分析.119第十八章第十八章 附表附件附表附件.120建设投资估算表.120建设期利息估算表.120固定资产投资估算表.121流动资金估算表.122总投资及构成一览表.123项目投资计划与资金筹措一览表.124营业收入、税金及附加和增值税估算表.125综合总成本费用估算表.126固定资产折旧费估算表.127泓域咨询/潮州存储器项目建议书无形资产和其他资产摊销估算表.128利润及利润分配表.128项目投资现金流量表.129报告说明报告说明NORFlash 特点在于允许 CPU 直接从存储单元中读取代码执行（eXecuteInPlace
7、,XIP），即应用程序可直接在 Flash 内运行，而不必再读到系统 RAM 中；但 NORFlash 写入和擦除速度慢，因此不适宜作为大容量存储器，仅在小容量场景具有成本效益。根据谨慎财务估算，项目总投资 13301.31 万元，其中：建设投资10207.52 万元，占项目总投资的 76.74%；建设期利息 218.25 万元，占项目总投资的 1.64%；流动资金 2875.54 万元，占项目总投资的21.62%。项目正常运营每年营业收入 29400.00 万元，综合总成本费用24798.53 万元，净利润 3356.99 万元，财务内部收益率 17.23%，财务净现值 1547.38 万元
8、，全部投资回收期 6.45 年。本期项目具有较强的财务盈利能力，其财务净现值良好，投资回收期合理。经初步分析评价，项目不仅有显著的经济效益，而且其社会救益、生态效益非常显著，项目的建设对提高农民收入、维护社会稳定，构建和谐社会、促进区域经济快速发展具有十分重要的作用。项泓域咨询/潮州存储器项目建议书目在社会经济、自然条件及投资等方面建设条件较好，项目的实施不但是可行而且是十分必要的。本期项目是基于公开的产业信息、市场分析、技术方案等信息，并依托行业分析模型而进行的模板化设计，其数据参数符合行业基本情况。本报告仅作为投资参考或作为学习参考模板用途。泓域咨询/潮州存储器项目建议书第一章第一章 市场
9、分析市场分析一、产业链下游应用场景丰富，市场需求广阔产业链下游应用场景丰富，市场需求广阔存储器产业链下游涵盖智能手机、平板电脑、计算机、网络通信设备、可穿戴设备、物联网硬件、安防监控、工业控制、汽车电子等行业以及个人移动存储等领域。不同应用场景对存储器的参数要求复杂多样，涉及容量、读写速度、可擦除次数、协议、接口、功耗、尺寸、稳定性、兼容性等多项内容。半导体存储器根据下游应用场景形成了不同的产品形态，NANDFlash 主要包括嵌入式存储（用于电子移动终端低功耗场景）、固态硬盘（大容量存储场景）、移动存储（便携式存储场景）等，其中嵌入式存储与固态硬盘是 NANDFlash 的主要产品类别，市场
10、规模占NANDFlash 市场 85%以上。NANDFlash 中，嵌入式存储市场主要受智能手机、平板等消费电子行业驱动，固态硬盘下游市场主要包括服务器、个人电脑，移动存储广泛应用于各类消费者领域。DRAM 中，LPDDR 主要与嵌入式存储配合应用于智能手机、平板等消费电子产品，近年来亦应用于功耗限制严格的个人电脑产品，DDR 主要应用于服务器、个人电脑等。1、智能手机市场泓域咨询/潮州存储器项目建议书随着移动通信技术的发展和移动互联网的普及，作为半导体存储下游重要的细分市场，智能手机的景气度是 NANDFlash，特别是嵌入式存储市场发展的核心驱动力。全球智能手机市场得益于 3G/4G 通信
11、网络的建设，出货量自 2010年的 3.05 亿台迅速攀升至 2016 年的 14.73 亿台。2017 年开始智能手机趋向饱和，主要是随着 4G 通信普及，4G 智能手机增量市场触及天花板，智能手机整体出货量主要受存量市场手机单位容量增长驱动。2019 年是 5G 商用化元年，随着 5G 逐渐普及，新一轮的换机周期开启。据 Omida（IHSMarkit）预测，2020-2025 年，5G 智能手机出货量年均复合增长率（CAGR）将达到约 44.95%。同时，智能手机对于NANDFlash 需求不仅取决于手机出货量，同时取决于单台手机的存储容量。根据 Omdia（IHSMarkit）数据，单
12、台智能手机的 RAM 模块（LPDDR）和 ROM 模块（嵌入式 NANDFlash）均在经历持续、大幅的提升。随着 5G 手机渗透率的逐步提升，智能手机的性能进一步升级，RAM 扩容是 CPU 提升处理速率的必要条件。功能更为强大的移动终端将允许手机搭载功能更为复杂、占据存储容量更大的软件程序，且消费者通过移动终端欣赏更高画质、音质内容物的消费习惯亦会进一步持续推动智能手机 ROM 扩容。2、数据中心市场泓域咨询/潮州存储器项目建议书近年来，云计算、大数据、物联网、人工智能等市场规模不断扩大，数据量呈现几何级增长，数据中心固定投资不断增加。据国际数据公司（IDC）预测，全球数据总量预计 20
13、20 年达到 44ZB，我国数据量将达到 8,060EB，占全球数据总量的 18%。数据爆发式增长为存储行业带来巨大的需求空间。一方面互联网巨头纷纷自建数据中心，同时传统企业上云进程加快，两者共同带动服务器数据存储市场规模快速增长。根据国际数据公司（IDC）统计，2019 年第四季度全球服务器出货量 340 万台，同比增长 14%，服务器厂商收入同比增长 7.5%至 254亿美元。在数据中心作为新型基础设施加快建设的背景下，服务器/数据存储的市场规模将继续快速增长，该细分领域的需求将大幅增加。3、个人电脑（PC）市场个人电脑（PC）市场曾是磁性存储器的主要市场之一，由于NANDFlashSSD
14、 的制造成本较高，PC 端数据存储过去主要使用机械硬盘（HDD）。HDD 是以磁性材料为存储载体的存储器，在平整的磁性表面存储和检索数字数据。近年来，随着 NANDFlash 单位存储经济效益持续凸显，同时笔记本电脑，特别是轻薄笔记本电脑对存储物理空间限制严格，SSD 对 HDD 的替代效应显著。同时，PC 与其他消费电子产品相同，正在经历性能和数据存储需求的持续增长。随着消费者处理数据的需求不断增加，单台设备的存储容量需求亦持续增加。泓域咨询/潮州存储器项目建议书4、移动存储消费市场用户对于可靠的存储解决方案的需求是移动存储消费市场存在的前提，经过多年的发展，移动存储消费市场已经充分发展，产
15、品形态以 U 盘、存储卡以及移动便携 SSD 产品为主，产品形态趋于成熟，需求稳中有降，整体市场进入成熟期，移动存储消费市场的品牌作用日益凸显。5、汽车电子市场随着汽车消费升级、新能源汽车的推广以及相关政策推动，汽车电动化和智能化将成为新趋势。随着智能化程度的不断加深，汽车正逐步完成由交通工具到移动终端的转变，同时也给存储行业带来新的市场机遇。当前，汽车产品中主要是信息娱乐系统、动力系统和高级驾驶辅助（ADAS）系统中需要使用存储设备，随着自动化程度提高，所需的存储容量也随之增长。根据 Gartner 的数据显示，2019 年全球ADAS 中的 NANDFlash 存储消费达到 2.2 亿 G
16、B，同比增长 214.29%，未来几年增速有所放缓但仍将保持强劲增长，预计至 2024 年，全球 ADAS领域的 NANDFlash 存储消费将达到 41.5 亿 GB，2019 年-2024 年复合增速达 79.9%。二、半导体存储器简介半导体存储器简介泓域咨询/潮州存储器项目建议书存储器是指利用磁性材料或半导体等材料作为介质进行信息存储的器件，半导体存储器利用半导体介质贮存电荷以实现信息存储，存储与读取过程体现为电荷的贮存或释放，半导体存储是集成电路的重要分支。1、易失性存储易失性存储主要指随机存取存储器（RAM）。RAM 需要维持通电以临时保存数据供主系统 CPU 读写和处理。由于 RA
17、M 可以实现对数据的高速读写，因此通常作为操作系统或其他正在运行中的程序的临时数据存储媒介。RAM 根据是否需要周期性刷新以维持数据存储，进一步分为动态随机存取存储器（DRAM）和静态随机存取存储器（SRAM）。动态随机存取存储器（DRAM）需要在维持通电的同时，通过周期性刷新来维持数据，故称“动态”存储器。DRAM 结构简单，因此单位面积的存储密度显著高于 SRAM，但访问速度慢于 SRAM；此外，由于 DRAM 需要周期性刷新以维持正确的数据，因此功耗较 SRAM 更高。DRAM 作为一种高密度的易失性存储器，主要用作 CPU 处理数据的临时存储装置，广泛应用于智能手机、个人电脑、服务器等
18、主流应用市场。2、非易失性存储泓域咨询/潮州存储器项目建议书非易失性存储主要指只读存储器（ROM），无需持续通电亦能长久保存数据的存储器。早期的 ROM 产品信息首次写入后即固定下来，以非破坏性读出方式工作，只能读出而无法修改或再次写入信息，故称“只读”存储器。ROM 经过不断演变发展，经过掩膜只读存储器（MaskROM）、可编程只读存储器（PROM）、可编程可擦除只读存储器（EPROM）、电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）和快闪存储器（Flash）等阶段，已经突破原有的“只读”限制。Flash 主要包括NANDFlash 和 NORFlash。NANDFlash 是使用电可擦技术的高密
19、度非易失性存储。NANDFlash 每位只使用一个晶体管，存储密度远高于其他ROM；在正常使用情况下，Flash 所存的电荷（数据）可长期保存；同时，NANDFlash 能够实现快速读写和擦除。NANDFlash 为大容量数据存储的实现提供了廉价有效的解决方案，是目前全球市场大容量非易失存储的主流技术方案。NORFlash 特点在于允许 CPU 直接从存储单元中读取代码执行（eXecuteInPlace,XIP），即应用程序可直接在 Flash 内运行，而不必再读到系统 RAM 中；但 NORFlash 写入和擦除速度慢，因此不适宜作为大容量存储器，仅在小容量场景具有成本效益。三、半导体存储产
20、业链特征半导体存储产业链特征泓域咨询/潮州存储器项目建议书半导体存储产业链形态与逻辑芯片产业有所不同。逻辑芯片产业从 1990 年代起，受降低成本和提升效率等要素驱动，原来主流的 IDM（设计-制造垂直整合）模式向产业链分工模式切换，Fabless（设计）、Foundry（制造）、Test（测试）各环节开始独立，产业链纵向分化；而半导体存储器由于布图设计与晶圆制造的技术结合更为紧密，半导体存储主要晶圆厂仍采用 IDM 模式经营。同时，半导体存储器核心功能即为数据存储，存储晶圆标准化程度高，应用场景所需的功能则在 NANDFlash 主控芯片设计、固件开发以及 SiP 封装等产业链后端环节实现。
21、因此存储原厂完成晶圆制造后，仍需开发大量应用技术以实现从标准化存储晶圆到具体存储产品的转化。由于以上的产业特征，部分存储原厂凭借晶圆优势向下游存储产品领域渗透，同时独立的存储器供应商（含品牌商）应运而生。存储原厂的竞争重心在于创新晶圆 IC 设计与提升晶圆制程，在产品应用领域，囿于产品化成本等要素限制，原厂仅能聚焦具有大宗数据存储需求的行业和客户（如智能手机、个人电脑及服务器行业的头部客户）。存储原厂的目标市场之外，仍存在极为广泛的应用场景和市场需求，包括细分行业存储需求（如工业控制、商用设备、汽车电子、网络通信设备、家用电器、影像监控、物联网硬件等）以及主流应用市场中小客户的需求。泓域咨询/
22、潮州存储器项目建议书存储器厂商面向下游细分行业客户的客制化需求，进行晶圆分析、主控芯片选型与定制、固件开发、封装设计、芯片测试、提供后端的技术支持等，将标准化存储晶圆转化为存储产品，扩展了半导体存储器的应用场景，提升了半导体存储器在各类应用场景的适用性，推动实现存储晶圆的产品化，是半导体存储产业链承上启下的重要环节。领先的存储器厂商在存储晶圆产品化的过程中形成品牌声誉，推动存储产品企业塑造自身的品牌形象，进而巩固其市场地位并改善利润空间，推动其增加研发投入，形成良性循环。泓域咨询/潮州存储器项目建议书第二章第二章 背景及必要性背景及必要性一、产业链上游存储晶圆市场格局及技术路线产业链上游存储晶
23、圆市场格局及技术路线存储晶圆的设计与制造产业具有较高的技术和资本门槛，早期进入存储器领域的全球领先企业通过巨额资本投入不断积累市场竞争优势，全球存储晶圆市场被韩国、美国和日本的少数企业主导。国际领先的存储原厂凭借多年技术积累，不断提升晶圆制程以提高单位面积的存储密度和降低存储芯片功耗，随着制程工艺不断逼近极限，芯片设计与晶圆制造的研发门槛不断提高，研发资本投入不断增加。同时，主要存储原厂还需通过持续大额资本支出来投放成熟制程产能，维持规模优势和市场份额。1、NANDFlash 市场竞争格局及技术路线NANDFlash 全球市场高度集中，根据 Omdia（IHSMarkit）数据，2020 年全
24、球 NANDFlash 市场规模为 571.95 亿美元，由三星电子、铠侠、西部数据、美光科技、SK 海力士、英特尔六家公司主导，其中三星电子全球市场份额约 34%，此外，SK 海力士收购英特尔 NANDFlash业务已于 2021 年获得主要市场监管当局批准，全球 NANDFlash 市场将进一步集中。技术路线方面，主要存储原厂在激烈竞争中不断提升NANDFlash 存储密度。泓域咨询/潮州存储器项目建议书目前，存储密度提升的主要技术路径包括提高存储单元的可存储数位（bit）量和提升 3DNANDFlash 的堆叠层数。根据每个存储单元存储的可存储数位量，NANDFlash 分为 SLC、M
25、LC、TLC、QLC。SLC（Single-levelCell）为每个存储单元存储的数据只有 1 位，而 MLC（Multi-levelCell）、TLC（Triple-levelCell）和 QLC（Quad-LevelCell）每个存储单元存储的数据分别为 2 位、3 位与 4 位，存储密度梯度提升。传统 NANDFlash 为平面闪存（2DNAND），3DNAND 使用多层垂直堆叠技术，拥有更大容量、更低功耗、更优耐用性以及更低成本的优势。三星电子 2013 年率先开发出可以商业化应用的 24 层3DNAND，2020 年 3DNAND 高端先进制程进入 176 层阶段。2、DRAM 市
26、场竞争格局及技术路线DRAM 全球市场相较于 NANDFlash 更为集中，2020 年全球 DRAM 市场规模为 663.83 亿美元，由三星电子、SK 海力士和美光科技三家公司主导。技术路线方面，行业龙头三星电子于 2014 年率先实现 20 纳米制程量产（4GbDDR3DRAM），将技术路线竞争引入 20nm 时代，此后DRAM 制程大约每两年实现一次突破，从 1Xnm（16nm-19nm）到 1Ynm（14nm-16nm）到 1Znm（12-14nm）。2021 年 1 月，美光科技率先宣布量产 1nm（接近 10nm）DRAM 产品，主流原厂开始进入 1nm 制程阶泓域咨询/潮州存储
27、器项目建议书段。目前市场高端制程为 1Znm，该制程生产的芯片主要标准规格包括DDR4X/5 及 LPDDR4X/5。3、中国大陆存储晶圆仍处于发展初期近年来，在集成电路产业政策和国家集成电路基金等市场资本的扶持推动下，中国在 DRAM 与 NANDFlash 两大存储核心领域均取得关键技术突破，以长江存储和长鑫存储为代表的本土存储晶圆原厂技术实力与国际主流原厂快速缩小；依托中国市场广阔需求，市场份额取得实质进展。尽管国产晶圆生产取得实质进展，但是国产晶圆在技术实力和市场规模方面与国际存储原厂仍有显著差距。二、行业发展面临的机遇与挑战行业发展面临的机遇与挑战1、行业机遇（1）国家政策高度重视集
28、成电路行业发展集成电路产业是现代信息产业的基础和核心产业之一。近年来，为加快推进我国集成电路及封装测试产业发展，国务院、国家发改委、工信部等政府部门从投资、融资、财政、税收、技术和人才等多方面推出了一系列法规和产业政策，国家层面也设立相应产业投资基金，给行业注入新动力。（2）下游应用行业蓬勃发展，国内市场对存储器芯片需求较大泓域咨询/潮州存储器项目建议书存储器行业的发展主要取决于下游的终端应用领域。随着一系列国家战略的持续深入实施，下游制造业的升级换代进程加快，其中消费电子、云计算、大数据、物联网、汽车电子等存储器应用的重要领域维持较快增速。下游市场处于蓬勃发展的态势，直接推动存储器产业链的持
29、续扩张，有利于维持存储器行业需求端的规模增长。（3）存储产业链向大陆转移带来的机遇随着国内集成电路行业的发展，全球集成电路行业经历了向中国转移的过程，中国已经成为世界最大的集成电路芯片市场。在这一趋势带动下，存储晶圆厂和主控芯片代工厂商如台积电、三星电子、日月光等纷纷在大陆投资建厂和扩张生产线，下游晶圆加工工艺持续改进，国内封装测试企业技术水平达到国际先进水平，为存储器厂商提供了充足的产能基础和完整的产业链配套。（4）信创产业助力存储行业发展近年来，国家大力推动信创产业发展，从最上游的半导体材料到核心芯片、元器件、基础软件，再到整机、应用软件全面实现自主安全可控。而存储是信创产业的关键一环，当
30、前信创产业处于全面提速阶段，必将对整个国产存储产业链起到带动作用。2、行业挑战（1）高端技术人才不足泓域咨询/潮州存储器项目建议书在市场需求增长、国家政策支持、产业中心转移等利好因素下，高端技术才是企业抓住机遇、发展壮大的关键。国内具备战略视野和产业运营经验的领军型人才和国际高端技术人才相对稀缺。（2）国内存储晶圆制造能力仍需进一步实现突破存储晶圆制造能力是存储产业实力的重要体现，当前世界先进的存储晶圆制造工艺及主要市场份额仍掌握在国外存储原厂手中，国内存储晶圆制造仍处于起步阶段，专利和技术积累相对薄弱，虽然长江存储、合肥长鑫等存储原厂已经实现量产，但与国外存储原厂在技术和市场份额方面仍存在较
31、大差距。（3）我国集成电路基础技术有待提升国际市场上主流的集成电路公司大都经历了四十年以上的发展。国内同行业的厂商仍处于一个成长的阶段，与国际大厂依然存在技术差距，尤其是制造及封装测试环节所需的高端技术支持存在明显的短板，目前我国集成电路行业中的部分高端市场仍由国外企业占据主导地位。因此，产业链上下游的技术水平也在一定程度上限制了我国集成电路行业的发展。三、全球半导体存储产业概况全球半导体存储产业概况1、全球半导体存储产业在波动中呈现总体增长趋势泓域咨询/潮州存储器项目建议书半导体存储器作为电子系统的基本组成部分，是现代信息产业应用最为广泛的电子器件之一。随着现代电子信息系统的数据存储需求指数
32、级增长，半导体存储出货量持续大幅增长，另一方面，由于存储晶圆制程基本按照摩尔定律不断取得突破，单位存储成本在长期曲线中呈现单边下降趋势，市场的总体规模在短期供需波动中总体保持长期增长趋势。2、DRAM 与 NANDFlash 是半导体存储的主流市场半导体存储市场中，DRAM 和 NANDFlash 占据主导地位，根据ICInsights 数据，2019 年全球半导体存储器市场中 DRAM 占比达 58%，NANDFlash 约占 40%，此外 NORFlash 占据约 1%的市场份额。随着电子产品对即时响应速度和数据处理速度的要求不断提高和CPU 升级迭代，DRAM 器件的主流存储容量亦持续扩
33、大。近年来随着NANDFlash 技术不断发展，单位存储成本的经济效益不断优化，应用场景持续拓展，用户需求不断攀升。在长期增长的总体趋势下，DRAM 和NANDFlash 的短期市场规模与产品价格受到晶圆技术迭代与产能投放、下游端市场需求、渠道市场备货，以及全球贸易环境等多重因素影响，供求平衡较为敏感。（1）NANDFlash 市场泓域咨询/潮州存储器项目建议书根据 Omdia（IHSMarkit）数据，2020 年全球 NANDFlash 市场实现销售额为 571.95 亿美元，较 2019 年增长 24.17%。2012 年至 2017年，全球 NANDFlash 在数据爆炸中保持持续稳定
34、增长，特别是 2016 年至 2018 年初，受 4G 智能手机等移动终端需求驱动，以及存储原厂的生产工艺从 2D 向 3D 升级造成的产能切换，NANDFlash 供不应求，量价齐升，市场快速扩张。2018 年初，4G 智能手机市场经过数年发展趋于饱和，同时存储原厂基本完成 3DNANDFlash 的工艺升级，导致晶圆单位存储密度大幅度提升，NANDFlash 供过于求，价格迎来拐点并持续下跌，而由于存储原厂产能投放充足，存储原厂持续将产能传导至渠道市场，市场规模仍保持增长惯性，直至 2019 年大幅回落。2020 年受新冠疫情影响，居家办公、远程通信需求持续拉动个人电脑、服务器市场增长，同
35、时全球产能受疫情管制措施干扰，DRAM 与 NANDFlash 价格上涨，2020 年市场规模实现增长。（2）DRAM 市场根据 Omdia（IHSMarkit）数据，2020 年全球 DRAM 市场实现销售额为 663.83 亿美元，较 2019 年小幅增长 6.75%。DRAM 市场由于集中度更高，主要供应商的产能布局和市场需求之间的动态平衡更为脆弱，存储原厂产能规划对市场价格和总体规模影响较大。2018 年由于三大存储原厂 DRAM 制程切换中产能储备不足，与 NANDFlash 年初即迎泓域咨询/潮州存储器项目建议书来价格拐点不同，市场缺货行情支撑 DRAM 价格仍然保持增长至 201
36、8第三季度，并助推 2018 年市场规模实现较高增长，此后 DRAM 与NANDFlash 同样受疲软需求拖累，2019 年 DRAM 价格及市场规模均大幅跳水，2020 年市场需求有所恢复性增长。四、全面深化改革，营造良好发展环境全面深化改革，营造良好发展环境深化营商环境改革。把深化改革作为推动发展的根本动力，充分发挥市场在资源配置中的决定性作用，更好发挥政府作用，推动有效市场和有为政府更好结合。持续深入推进“放管服”改革，进一步压缩项目审批期限，简化企业办事流程，不断强化主动服务企业意识。推行以“证照分离”为重点的商事制度改革，深化工程项目建设审批制度改革，在更大范围内实现“一网通办”“一
37、网统管”。推进全省“数字住房（粤安居）”系统建设试点、省政务大数据中心潮州分节点及大数据分析应用平台试点建设及运营项目。积极规范市场经济秩序，提升营商环境法治化水平。深入推进“暖企行动”，落实领导挂钩联系企业制度，畅通政企沟通渠道，跟踪协调解决企业发展中的困难。加强社会信用体系建设，推进规范失信联合惩戒对象认定，开展联合惩戒和失信专项整治。打造“审批事项少、办事效率高、政务环境优、老百姓获得感强”的便民利业之地。泓域咨询/潮州存储器项目建议书加快要素市场化配置改革。创新土地供给方式，运用市场化机制盘活存量土地和低效用地，借助国家新型城镇化综合试点契机，加大“三旧”改造力度，释放城市空间、完善城
38、市功能、发展城市经济，向“三旧”改造要用地指标。畅通劳动力和人才社会性流动渠道，加快建立劳动力、人才流动政策体系和交流合作机制。着力降低企业要素性成本，围绕税费、融资、用能、物流、人工和制度性交易等方面综合施策，打造“成本洼地”。建立实施要素差别化配置机制，引导资源要素向高效领域和优质企业聚集，全面提高全要素生产率。加速“贸易链、供应链、物流链、金融链、政务链”的数据采集和平台整合建设。五、项目实施的必要性项目实施的必要性（一）提升公司核心竞争力项目的投资，引入资金的到位将改善公司的资产负债结构，补充流动资金将提高公司应对短期流动性压力的能力，降低公司财务费用水平，提升公司盈利能力，促进公司的
39、进一步发展。同时资金补充流动资金将为公司未来成为国际领先的产业服务商发展战略提供坚实支持，提高公司核心竞争力。泓域咨询/潮州存储器项目建议书第三章第三章 总论总论一、项目名称及投资人项目名称及投资人（一）项目名称（一）项目名称潮州存储器项目（二）项目投资人（二）项目投资人xx 有限责任公司（三）建设地点（三）建设地点本期项目选址位于 xx（待定）。二、编制原则编制原则1、项目建设必须遵循国家的各项政策、法规和法令，符合国家产业政策、投资方向及行业和地区的规划。2、采用的工艺技术要先进适用、操作运行稳定可靠、能耗低、三废排放少、产品质量好、安全卫生。3、以市场为导向，以提高竞争力为出发点，产品无
40、论在质量性能上，还是在价格上均应具有较强的竞争力。4、项目建设必须高度重视环境保护、工业卫生和安全生产。环保、消防、安全设施和劳动保护措施必须与主体装置同时设计，同时泓域咨询/潮州存储器项目建议书建设，同时投入使用。污染物的排放必须达到国家规定标准，并保证工厂安全运行和操作人员的健康。5、将节能减排与企业发展有机结合起来，正确处理企业发展与节能减排的关系，以企业发展提高节能减排水平，以节能减排促进企业更好更快发展。6、按照现代企业的管理理念和全新的建设模式进行规划建设，要统筹考虑未来的发展，为今后企业规模扩大留有一定的空间。7、以经济救益为中心，加强项目的市场调研。按照少投入、多产出、快速发展
41、的原则和项目设计模式改革要求，尽可能地节省项目建设投资。在稳定可靠的前提下，实事求是地优化各成本要素，最大限度地降低项目的目标成本，提高项目的经济效益，增强项目的市场竞争力。8、以科学、实事求是的态度，公正、客观的反映本项目建设的实际情况，工程投资坚持“求是、客观”的原则。三、编制依据编制依据1、国家和地方关于促进产业结构调整的有关政策决定；2、建设项目经济评价方法与参数；3、投资项目可行性研究指南；4、项目建设地国民经济发展规划；泓域咨询/潮州存储器项目建议书5、其他相关资料。四、编制范围及内容编制范围及内容本报告对项目建设的背景及概况、市场需求预测和建设的必要性、建设条件、工程技术方案、项
42、目的组织管理和劳动定员、项目实施计划、环境保护与消防安全、项目招投标方案、投资估算与资金筹措、效益评价等方面进行综合研究和分析，为有关部门对工程项目决策和建设提供可靠和准确的依据。五、项目建设背景项目建设背景半导体存储产业链形态与逻辑芯片产业有所不同。逻辑芯片产业从 1990 年代起，受降低成本和提升效率等要素驱动，原来主流的 IDM（设计-制造垂直整合）模式向产业链分工模式切换，Fabless（设计）、Foundry（制造）、Test（测试）各环节开始独立，产业链纵向分化；而半导体存储器由于布图设计与晶圆制造的技术结合更为紧密，半导体存储主要晶圆厂仍采用 IDM 模式经营。同时，半导体存储器
43、核心功能即为数据存储，存储晶圆标准化程度高，应用场景所需的功能则在 NANDFlash 主控芯片设计、固件开发以及 SiP 封装等产业链后端环节实现。因此存储原厂完成晶圆制造后，仍需开发大量应用技术以实现从标准化存储晶圆到具体存储产品的转化。由于以上的产业特征，部分存储原厂凭借晶圆优势向下游存储产品领域渗透，同时独泓域咨询/潮州存储器项目建议书立的存储器供应商（含品牌商）应运而生。存储原厂的竞争重心在于创新晶圆 IC 设计与提升晶圆制程，在产品应用领域，囿于产品化成本等要素限制，原厂仅能聚焦具有大宗数据存储需求的行业和客户（如智能手机、个人电脑及服务器行业的头部客户）。存储原厂的目标市场之外，
44、仍存在极为广泛的应用场景和市场需求，包括细分行业存储需求（如工业控制、商用设备、汽车电子、网络通信设备、家用电器、影像监控、物联网硬件等）以及主流应用市场中小客户的需求。展望二三五年，潮州将与全国全省同步基本实现社会主义现代化，经济实力、科技实力、综合竞争力大幅提升，经济总量和城乡居民人均收入迈上新的大台阶，人均地区生产总值达到更高水平，“把潮州建设得更加美丽”的宏伟目标基本实现。全面构建新发展格局，潮州特色的现代化经济体系基本建成，新型工业化、信息化、城镇化、农业现代化基本实现，区域产业合作和竞争优势更加明显。各方面制度更加完善，基本实现市域治理体系和治理能力现代化，建成更高水平的法治潮州、
45、平安潮州。社会文明程度达到新高度，人民群众思想道德、文明素养显著提高，社会主义精神文明与物质文明更加协调，建成文化强市。全面深化改革和发展深度融合、高效联动，形成高水平开放型经济新体制。生态环境明显提质，人与自然和谐共生格局基本形成。城市人居环境进一步提升，人民群众生活更加美好，基泓域咨询/潮州存储器项目建议书本公共服务实现均等化，城乡区域差距显著缩小，全市人民共同富裕取得实质性进展。六、结论分析结论分析（一）项目选址（一）项目选址本期项目选址位于 xx（待定），占地面积约 36.00 亩。（二）建设规模与产品方案（二）建设规模与产品方案项目正常运营后，可形成年产 xx 件存储器的生产能力。（
46、三）项目实施进度（三）项目实施进度本期项目建设期限规划 24 个月。（四）投资估算（四）投资估算本期项目总投资包括建设投资、建设期利息和流动资金。根据谨慎财务估算，项目总投资 13301.31 万元，其中：建设投资 10207.52万元，占项目总投资的 76.74%；建设期利息 218.25 万元，占项目总投资的 1.64%；流动资金 2875.54 万元，占项目总投资的 21.62%。（五）资金筹措（五）资金筹措项目总投资 13301.31 万元，根据资金筹措方案，xx 有限责任公司计划自筹资金（资本金）8847.03 万元。泓域咨询/潮州存储器项目建议书根据谨慎财务测算，本期工程项目申请银
47、行借款总额 4454.28 万元。（六）经济评价（六）经济评价1、项目达产年预期营业收入（SP）：29400.00 万元。2、年综合总成本费用（TC）：24798.53 万元。3、项目达产年净利润（NP）：3356.99 万元。4、财务内部收益率（FIRR）：17.23%。5、全部投资回收期（Pt）：6.45 年（含建设期 24 个月）。6、达产年盈亏平衡点（BEP）：12276.04 万元（产值）。（七）社会效益（七）社会效益本项目符合国家产业发展政策和行业技术进步要求，符合市场要求，受到国家技术经济政策的保护和扶持，适应本地区及临近地区的相关产品日益发展的要求。项目的各项外部条件齐备，交通
48、运输及水电供应均有充分保证，有优越的建设条件。，企业经济和社会效益较好，能实现技术进步，产业结构调整，提高经济效益的目的。项目建设所采用的技术装备先进，成熟可靠，可以确保最终产品的质量要求。泓域咨询/潮州存储器项目建议书本项目实施后，可满足国内市场需求，增加国家及地方财政收入，带动产业升级发展，为社会提供更多的就业机会。另外，由于本项目环保治理手段完善，不会对周边环境产生不利影响。因此，本项目建设具有良好的社会效益。（八）主要经济技术指标（八）主要经济技术指标主要经济指标一览表主要经济指标一览表序号序号项目项目单位单位指标指标备注备注1占地面积24000.00约 36.00 亩1.1总建筑面积
49、40569.541.2基底面积14400.001.3投资强度万元/亩274.772总投资万元13301.312.1建设投资万元10207.522.1.1工程费用万元8936.452.1.2其他费用万元1045.602.1.3预备费万元225.472.2建设期利息万元218.252.3流动资金万元2875.54泓域咨询/潮州存储器项目建议书3资金筹措万元13301.313.1自筹资金万元8847.033.2银行贷款万元4454.284营业收入万元29400.00正常运营年份5总成本费用万元24798.536利润总额万元4475.987净利润万元3356.998所得税万元1118.999增值税万元
50、1045.7710税金及附加万元125.4911纳税总额万元2290.2512工业增加值万元8004.5113盈亏平衡点万元12276.04产值14回收期年6.4515内部收益率17.23%所得税后16财务净现值万元1547.38所得税后泓域咨询/潮州存储器项目建议书第四章第四章 公司基本情况公司基本情况一、公司基本信息公司基本信息1、公司名称：xx 有限责任公司2、法定代表人：吴 xx3、注册资本：1230 万元4、统一社会信用代码：xxxxxxxxxxxxx5、登记机关：xxx 市场监督管理局6、成立日期：2014-9-227、营业期限：2014-9-22 至无固定期限8、注册地址：xx