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1、泓域咨询/北京存储器项目建议书北京存储器项目建议书xxx有限公司目录第一章 项目基本情况8一、 项目概述8二、 项目提出的理由9三、 项目总投资及资金构成10四、 资金筹措方案10五、 项目预期经济效益规划目标10六、 项目建设进度规划11七、 环境影响11八、 报告编制依据和原则11九、 研究范围12十、 研究结论13十一、 主要经济指标一览表13主要经济指标一览表13第二章 项目投资背景分析16一、 产业链上游存储晶圆市场格局及技术路线16二、 半导体存储器简介18三、 加快发展现代产业体系20四、 加快建设国际科技创新中心21五、 项目实施的必要性23第三章 行业、市场分析24一、 产业
2、链下游应用场景丰富，市场需求广阔24二、 全球半导体存储产业概况27三、 行业发展现状及未来发展趋势30第四章 建筑工程方案分析31一、 项目工程设计总体要求31二、 建设方案32三、 建筑工程建设指标33建筑工程投资一览表33第五章 项目选址35一、 项目选址原则35二、 建设区基本情况35三、 深入推进京津冀协同发展38四、 发展更高层次开放型经济41五、 项目选址综合评价41第六章 运营管理模式43一、 公司经营宗旨43二、 公司的目标、主要职责43三、 各部门职责及权限44四、 财务会计制度47第七章 法人治理结构51一、 股东权利及义务51二、 董事54三、 高级管理人员60四、 监
3、事62第八章 发展规划66一、 公司发展规划66二、 保障措施67第九章 SWOT分析70一、 优势分析（S）70二、 劣势分析（W）71三、 机会分析（O）72四、 威胁分析（T）72第十章 项目节能分析78一、 项目节能概述78二、 能源消费种类和数量分析79能耗分析一览表80三、 项目节能措施80四、 节能综合评价82第十一章 组织架构分析83一、 人力资源配置83劳动定员一览表83二、 员工技能培训83第十二章 项目进度计划86一、 项目进度安排86项目实施进度计划一览表86二、 项目实施保障措施87第十三章 环保分析88一、 编制依据88二、 建设期大气环境影响分析89三、 建设期水
4、环境影响分析90四、 建设期固体废弃物环境影响分析91五、 建设期声环境影响分析92六、 环境管理分析92七、 结论94八、 建议94第十四章 项目投资分析95一、 编制说明95二、 建设投资95建筑工程投资一览表96主要设备购置一览表97建设投资估算表98三、 建设期利息99建设期利息估算表99固定资产投资估算表100四、 流动资金101流动资金估算表102五、 项目总投资103总投资及构成一览表103六、 资金筹措与投资计划104项目投资计划与资金筹措一览表104第十五章 经济效益106一、 基本假设及基础参数选取106二、 经济评价财务测算106营业收入、税金及附加和增值税估算表106综
5、合总成本费用估算表108利润及利润分配表110三、 项目盈利能力分析110项目投资现金流量表112四、 财务生存能力分析113五、 偿债能力分析114借款还本付息计划表115六、 经济评价结论115第十六章 招标及投资方案117一、 项目招标依据117二、 项目招标范围117三、 招标要求117四、 招标组织方式119五、 招标信息发布121第十七章 项目风险评估122一、 项目风险分析122二、 项目风险对策124第十八章 总结评价说明127第十九章 附表附录129主要经济指标一览表129建设投资估算表130建设期利息估算表131固定资产投资估算表132流动资金估算表133总投资及构成一览表
6、134项目投资计划与资金筹措一览表135营业收入、税金及附加和增值税估算表136综合总成本费用估算表136利润及利润分配表137项目投资现金流量表138借款还本付息计划表140第一章 项目基本情况一、 项目概述（一）项目基本情况1、项目名称：北京存储器项目2、承办单位名称：xxx有限公司3、项目性质：技术改造4、项目建设地点：xx（以选址意见书为准）5、项目联系人：苏xx（二）主办单位基本情况公司在“政府引导、市场主导、社会参与”的总体原则基础上，坚持优化结构，提质增效。不断促进企业改变粗放型发展模式和管理方式，补齐生态环境保护不足和区域发展不协调的短板，走绿色、协调和可持续发展道路，不断优化
7、供给结构，提高发展质量和效益。牢固树立并切实贯彻创新、协调、绿色、开放、共享的发展理念，以提质增效为中心，以提升创新能力为主线，降成本、补短板，推进供给侧结构性改革。公司秉承“以人为本、品质为本”的发展理念，倡导“诚信尊重”的企业情怀；坚持“品质营造未来，细节决定成败”为质量方针；以“真诚服务赢得市场，以优质品质谋求发展”的营销思路；以科学发展观纵观全局，争取实现行业领军、技术领先、产品领跑的发展目标。 展望未来，公司将围绕企业发展目标的实现，在“梦想、责任、忠诚、一流”核心价值观的指引下，围绕业务体系、管控体系和人才队伍体系重塑，推动体制机制改革和管理及业务模式的创新，加强团队能力建设，提升
8、核心竞争力，努力把公司打造成为国内一流的供应链管理平台。公司依据公司法等法律法规、规范性文件及公司章程的有关规定，制定并由股东大会审议通过了董事会议事规则，董事会议事规则对董事会的职权、召集、提案、出席、议事、表决、决议及会议记录等进行了规范。 （三）项目建设选址及用地规模本期项目选址位于xx（以选址意见书为准），占地面积约23.00亩。项目拟定建设区域地理位置优越，交通便利，规划电力、给排水、通讯等公用设施条件完备，非常适宜本期项目建设。（四）产品规划方案根据项目建设规划，达产年产品规划设计方案为：xx件存储器/年。二、 项目提出的理由NANDFlash中，嵌入式存储市场主要受智能手机、平板
9、等消费电子行业驱动，固态硬盘下游市场主要包括服务器、个人电脑，移动存储广泛应用于各类消费者领域。DRAM中，LPDDR主要与嵌入式存储配合应用于智能手机、平板等消费电子产品，近年来亦应用于功耗限制严格的个人电脑产品，DDR主要应用于服务器、个人电脑等。三、 项目总投资及资金构成本期项目总投资包括建设投资、建设期利息和流动资金。根据谨慎财务估算，项目总投资10830.39万元，其中：建设投资8693.17万元，占项目总投资的80.27%；建设期利息253.35万元，占项目总投资的2.34%；流动资金1883.87万元，占项目总投资的17.39%。四、 资金筹措方案（一）项目资本金筹措方案项目总投
10、资10830.39万元，根据资金筹措方案，xxx有限公司计划自筹资金（资本金）5660.01万元。（二）申请银行借款方案根据谨慎财务测算，本期工程项目申请银行借款总额5170.38万元。五、 项目预期经济效益规划目标1、项目达产年预期营业收入（SP）：19100.00万元。2、年综合总成本费用（TC）：16589.05万元。3、项目达产年净利润（NP）：1823.91万元。4、财务内部收益率（FIRR）：9.87%。5、全部投资回收期（Pt）：7.52年（含建设期24个月）。6、达产年盈亏平衡点（BEP）：9942.44万元（产值）。六、 项目建设进度规划项目计划从可行性研究报告的编制到工程竣
11、工验收、投产运营共需24个月的时间。七、 环境影响本期工程项目设计中采用了清洁生产工艺，应用清洁原材料，生产清洁产品，同时采取完善和有效的清洁生产措施，能够切实起到消除和减少污染的作用；因此，本期工程项目建成投产后，各项环境指标均符合国家和地方清洁生产的标准要求。八、 报告编制依据和原则（一）编制依据1、国家和地方关于促进产业结构调整的有关政策决定；2、建设项目经济评价方法与参数；3、投资项目可行性研究指南；4、项目建设地国民经济发展规划；5、其他相关资料。（二）编制原则1、所选择的工艺技术应先进、适用、可靠，保证项目投产后，能安全、稳定、长周期、连续运行。2、所选择的设备和材料必须可靠，并注
12、意解决好超限设备的制造和运输问题。3、充分依托现有社会公共设施，以降低投资，加快项目建设进度。4、贯彻主体工程与环境保护、劳动安全和工业卫生、消防同时设计、同时建设、同时投产。5、消防、卫生及安全设施的设置必须贯彻国家关于环境保护、劳动安全的法规和要求，符合行业相关标准。6、所选择的产品方案和技术方案应是优化的方案，以最大程度减少投资，提高项目经济效益和抗风险能力。科学论证项目的技术可靠性、项目的经济性，实事求是地作出研究结论。九、 研究范围1、对项目提出的背景、建设必要性、市场前景分析；2、对产品方案、工艺流程、技术水平进行论述，确定建设规模；3、对项目建设条件、场地、原料供应及交通运输条件
13、的评价；4、对项目的总图运输、公用工程等技术方案进行研究；5、对项目消防、环境保护、劳动安全卫生和节能措施的评价；6、对项目实施进度和劳动定员的确定；7、投资估算和资金筹措和经济效益评价；8、提出本项目的研究工作结论。十、 研究结论本期项目技术上可行、经济上合理，投资方向正确，资本结构合理，技术方案设计优良。本期项目的投资建设和实施无论是经济效益、社会效益等方面都是积极可行的。十一、 主要经济指标一览表主要经济指标一览表序号项目单位指标备注1占地面积15333.00约23.00亩1.1总建筑面积28980.311.2基底面积9813.121.3投资强度万元/亩375.032总投资万元10830
14、.392.1建设投资万元8693.172.1.1工程费用万元7635.852.1.2其他费用万元818.232.1.3预备费万元239.092.2建设期利息万元253.352.3流动资金万元1883.873资金筹措万元10830.393.1自筹资金万元5660.013.2银行贷款万元5170.384营业收入万元19100.00正常运营年份5总成本费用万元16589.056利润总额万元2431.887净利润万元1823.918所得税万元607.979增值税万元658.9210税金及附加万元79.0711纳税总额万元1345.9612工业增加值万元4874.0313盈亏平衡点万元9942.44产值
15、14回收期年7.5215内部收益率9.87%所得税后16财务净现值万元-1831.57所得税后第二章 项目投资背景分析一、 产业链上游存储晶圆市场格局及技术路线存储晶圆的设计与制造产业具有较高的技术和资本门槛，早期进入存储器领域的全球领先企业通过巨额资本投入不断积累市场竞争优势，全球存储晶圆市场被韩国、美国和日本的少数企业主导。国际领先的存储原厂凭借多年技术积累，不断提升晶圆制程以提高单位面积的存储密度和降低存储芯片功耗，随着制程工艺不断逼近极限，芯片设计与晶圆制造的研发门槛不断提高，研发资本投入不断增加。同时，主要存储原厂还需通过持续大额资本支出来投放成熟制程产能，维持规模优势和市场份额。1
16、、NANDFlash市场竞争格局及技术路线NANDFlash全球市场高度集中，根据Omdia（IHSMarkit）数据，2020年全球NANDFlash市场规模为571.95亿美元，由三星电子、铠侠、西部数据、美光科技、SK海力士、英特尔六家公司主导，其中三星电子全球市场份额约34%，此外，SK海力士收购英特尔NANDFlash业务已于2021年获得主要市场监管当局批准，全球NANDFlash市场将进一步集中。技术路线方面，主要存储原厂在激烈竞争中不断提升NANDFlash存储密度。目前，存储密度提升的主要技术路径包括提高存储单元的可存储数位（bit）量和提升3DNANDFlash的堆叠层数。
17、根据每个存储单元存储的可存储数位量，NANDFlash分为SLC、MLC、TLC、QLC。SLC（Single-levelCell）为每个存储单元存储的数据只有1位，而MLC（Multi-levelCell）、TLC（Triple-levelCell）和QLC（Quad-LevelCell）每个存储单元存储的数据分别为2位、3位与4位，存储密度梯度提升。传统NANDFlash为平面闪存（2DNAND），3DNAND使用多层垂直堆叠技术，拥有更大容量、更低功耗、更优耐用性以及更低成本的优势。三星电子2013年率先开发出可以商业化应用的24层3DNAND，2020年3DNAND高端先进制程进入17
18、6层阶段。2、DRAM市场竞争格局及技术路线DRAM全球市场相较于NANDFlash更为集中，2020年全球DRAM市场规模为663.83亿美元，由三星电子、SK海力士和美光科技三家公司主导。技术路线方面，行业龙头三星电子于2014年率先实现20纳米制程量产（4GbDDR3DRAM），将技术路线竞争引入20nm时代，此后DRAM制程大约每两年实现一次突破，从1Xnm（16nm-19nm）到1Ynm（14nm-16nm）到1Znm（12-14nm）。2021年1月，美光科技率先宣布量产1nm（接近10nm）DRAM产品，主流原厂开始进入1nm制程阶段。目前市场高端制程为1Znm，该制程生产的芯片
19、主要标准规格包括DDR4X/5及LPDDR4X/5。3、中国大陆存储晶圆仍处于发展初期近年来，在集成电路产业政策和国家集成电路基金等市场资本的扶持推动下，中国在DRAM与NANDFlash两大存储核心领域均取得关键技术突破，以长江存储和长鑫存储为代表的本土存储晶圆原厂技术实力与国际主流原厂快速缩小；依托中国市场广阔需求，市场份额取得实质进展。尽管国产晶圆生产取得实质进展，但是国产晶圆在技术实力和市场规模方面与国际存储原厂仍有显著差距。二、 半导体存储器简介存储器是指利用磁性材料或半导体等材料作为介质进行信息存储的器件，半导体存储器利用半导体介质贮存电荷以实现信息存储，存储与读取过程体现为电荷的
20、贮存或释放，半导体存储是集成电路的重要分支。1、易失性存储易失性存储主要指随机存取存储器（RAM）。RAM需要维持通电以临时保存数据供主系统CPU读写和处理。由于RAM可以实现对数据的高速读写，因此通常作为操作系统或其他正在运行中的程序的临时数据存储媒介。RAM根据是否需要周期性刷新以维持数据存储，进一步分为动态随机存取存储器（DRAM）和静态随机存取存储器（SRAM）。动态随机存取存储器（DRAM）需要在维持通电的同时，通过周期性刷新来维持数据，故称“动态”存储器。DRAM结构简单，因此单位面积的存储密度显著高于SRAM，但访问速度慢于SRAM；此外，由于DRAM需要周期性刷新以维持正确的数
21、据，因此功耗较SRAM更高。DRAM作为一种高密度的易失性存储器，主要用作CPU处理数据的临时存储装置，广泛应用于智能手机、个人电脑、服务器等主流应用市场。2、非易失性存储非易失性存储主要指只读存储器（ROM），无需持续通电亦能长久保存数据的存储器。早期的ROM产品信息首次写入后即固定下来，以非破坏性读出方式工作，只能读出而无法修改或再次写入信息，故称“只读”存储器。ROM经过不断演变发展，经过掩膜只读存储器（MaskROM）、可编程只读存储器（PROM）、可编程可擦除只读存储器（EPROM）、电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）和快闪存储器（Flash）等阶段，已经突破原有的“只读”限制
22、。Flash主要包括NANDFlash和NORFlash。NANDFlash是使用电可擦技术的高密度非易失性存储。NANDFlash每位只使用一个晶体管，存储密度远高于其他ROM；在正常使用情况下，Flash所存的电荷（数据）可长期保存；同时，NANDFlash能够实现快速读写和擦除。NANDFlash为大容量数据存储的实现提供了廉价有效的解决方案，是目前全球市场大容量非易失存储的主流技术方案。NORFlash特点在于允许CPU直接从存储单元中读取代码执行（eXecuteInPlace,XIP），即应用程序可直接在Flash内运行，而不必再读到系统RAM中；但NORFlash写入和擦除速度慢，
23、因此不适宜作为大容量存储器，仅在小容量场景具有成本效益。三、 加快发展现代产业体系坚持推动先进制造业和现代服务业深度融合，不断提升“北京智造”“北京服务”竞争力。提升产业链供应链现代化水平，以头部企业带动实施产业基础再造和重大技术改造升级工程，“一链一策”定制重点产业链配套政策。深入开展质量提升行动。坚持智能制造、高端制造方向，壮大实体经济根基，保持制造业一定比重。大力发展集成电路、新能源智能汽车、医药健康、新材料等战略性新兴产业，前瞻布局量子信息、人工智能、工业互联网、卫星互联网、机器人等未来产业，培育新技术新产品新业态新模式。在顺义、大兴、亦庄、昌平、房山等新城，打造具有国际竞争力的先进智
24、造产业集群。巩固现代服务业优势，推动生产性服务业向专业化和价值链高端延伸，推动生活性服务业向高品质和多样化升级。提升金融业核心竞争力，服务保障国家金融管理中心功能，大力发展数字金融、科技金融、绿色金融和普惠金融。加快数字货币试验区、金融科技与专业服务创新示范区、银行保险产业园、基金小镇、金融安全产业园等建设，支持各类金融企业做大做强。稳妥推进数字货币研发应用，发展全球财富管理。激发科技服务、研发设计等服务业活力，发展全国技术交易市场和知识产权交易市场。推动商务服务业高端化国际化发展，提升北京商务中心区国际化水平，探索建立专业服务国际联合体和行业联盟。促进生活性服务业标准化、品牌化发展，织密便民
25、商业网点，着力发展健康、养老、育幼、文化、旅游、体育、家政、物业等服务业。提升都市型现代农业发展水平，抓好“米袋子”“菜篮子”重要农产品稳产保供，发展种业、观光农业、特色农业、智慧农业、精品民宿，建设一批现代化设施农业基地，打造一批具有地域特色的农产品品牌。四、 加快建设国际科技创新中心全面服务科教兴国、人才强国、创新驱动发展等国家重大战略，制定实施国际科技创新中心建设战略行动计划，建设科技北京。办好国家实验室，加快综合性国家科学中心建设，推进在京国家重点实验室体系重组，推动国家级产业创新中心、技术创新中心等布局建设，形成国家战略科技力量。支持量子、脑科学、人工智能、区块链、纳米能源、应用数学
26、、干细胞与再生医学等领域新型研发机构发展，统筹布局“从0到1”基础研究和关键核心技术攻关，提高科技创新能力和水平。聚焦高端芯片、基础元器件、关键设备、新材料等短板，完善部市合作、央地协同机制，集中力量突破一批“卡脖子”技术。加强科技成果转化应用，打通基础研究到产业化绿色通道。推进“三城一区”融合发展。进一步聚焦中关村科学城，提升基础研究和战略前沿高技术研发能力，取得一批重大原创成果和关键核心技术突破，发挥科技创新出发地、原始创新策源地和自主创新主阵地作用，率先建成国际一流科学城。进一步突破怀柔科学城，推进大科学装置和交叉研究平台建成运行，形成国家重大科技基础设施群，打造世界级原始创新承载区。进
27、一步搞活未来科学城，深化央地合作，盘活存量空间资源，引进多元创新主体，推进“两谷一园”建设，打造全球领先的技术创新高地。进一步提升“一区”高精尖产业能级，深入推进北京经济技术开发区和顺义创新产业集群示范区建设，承接好三大科学城创新效应外溢，打造技术创新和成果转化示范区。强化中关村国家自主创新示范区先行先试带动作用，设立中关村科创金融试验区，推动“一区多园”统筹协同发展。深化科技体制改革，推动促进科技成果转化条例、“科创30条”等落深落细。改进科技项目组织管理方式，实行“揭榜挂帅”等制度。加强知识产权保护和运用，提升知识产权交易中心能级。促进政产学研用深度融合，建立健全军民融合创新体系。支持在京
28、高校和科研机构发起和参与全球重大科学计划，办好世界智能网联汽车大会等国际性科技交流活动。强化企业创新主体地位，促进各类创新要素向企业集聚。发挥企业家在技术创新中的重要作用，鼓励企业加大研发投入，有效落实对企业投入基础研究等方面的税收优惠，支持企业牵头组建创新联合体。发挥大企业引领支撑作用，支持创新型中小微企业成长为创新重要发源地。积极培育硬科技独角兽企业、隐形冠军企业。优化创新创业生态，完善创新创业服务体系，推动科技企业孵化器、大学科技园、众创空间等专业化、品牌化、国际化发展。五、 项目实施的必要性（一）提升公司核心竞争力项目的投资，引入资金的到位将改善公司的资产负债结构，补充流动资金将提高公
29、司应对短期流动性压力的能力，降低公司财务费用水平，提升公司盈利能力，促进公司的进一步发展。同时资金补充流动资金将为公司未来成为国际领先的产业服务商发展战略提供坚实支持，提高公司核心竞争力。第三章 行业、市场分析一、 产业链下游应用场景丰富，市场需求广阔存储器产业链下游涵盖智能手机、平板电脑、计算机、网络通信设备、可穿戴设备、物联网硬件、安防监控、工业控制、汽车电子等行业以及个人移动存储等领域。不同应用场景对存储器的参数要求复杂多样，涉及容量、读写速度、可擦除次数、协议、接口、功耗、尺寸、稳定性、兼容性等多项内容。半导体存储器根据下游应用场景形成了不同的产品形态，NANDFlash主要包括嵌入式
30、存储（用于电子移动终端低功耗场景）、固态硬盘（大容量存储场景）、移动存储（便携式存储场景）等，其中嵌入式存储与固态硬盘是NANDFlash的主要产品类别，市场规模占NANDFlash市场85%以上。NANDFlash中，嵌入式存储市场主要受智能手机、平板等消费电子行业驱动，固态硬盘下游市场主要包括服务器、个人电脑，移动存储广泛应用于各类消费者领域。DRAM中，LPDDR主要与嵌入式存储配合应用于智能手机、平板等消费电子产品，近年来亦应用于功耗限制严格的个人电脑产品，DDR主要应用于服务器、个人电脑等。1、智能手机市场随着移动通信技术的发展和移动互联网的普及，作为半导体存储下游重要的细分市场，智
31、能手机的景气度是NANDFlash，特别是嵌入式存储市场发展的核心驱动力。全球智能手机市场得益于3G/4G通信网络的建设，出货量自2010年的3.05亿台迅速攀升至2016年的14.73亿台。2017年开始智能手机趋向饱和，主要是随着4G通信普及，4G智能手机增量市场触及天花板，智能手机整体出货量主要受存量市场手机单位容量增长驱动。2019年是5G商用化元年，随着5G逐渐普及，新一轮的换机周期开启。据Omida（IHSMarkit）预测，2020-2025年，5G智能手机出货量年均复合增长率（CAGR）将达到约44.95%。同时，智能手机对于NANDFlash需求不仅取决于手机出货量，同时取决
32、于单台手机的存储容量。根据Omdia（IHSMarkit）数据，单台智能手机的RAM模块（LPDDR）和ROM模块（嵌入式NANDFlash）均在经历持续、大幅的提升。随着5G手机渗透率的逐步提升，智能手机的性能进一步升级，RAM扩容是CPU提升处理速率的必要条件。功能更为强大的移动终端将允许手机搭载功能更为复杂、占据存储容量更大的软件程序，且消费者通过移动终端欣赏更高画质、音质内容物的消费习惯亦会进一步持续推动智能手机ROM扩容。2、数据中心市场近年来，云计算、大数据、物联网、人工智能等市场规模不断扩大，数据量呈现几何级增长，数据中心固定投资不断增加。据国际数据公司（IDC）预测，全球数据总
33、量预计2020年达到44ZB，我国数据量将达到8,060EB，占全球数据总量的18%。数据爆发式增长为存储行业带来巨大的需求空间。一方面互联网巨头纷纷自建数据中心，同时传统企业上云进程加快，两者共同带动服务器数据存储市场规模快速增长。根据国际数据公司（IDC）统计，2019年第四季度全球服务器出货量340万台，同比增长14%，服务器厂商收入同比增长7.5%至254亿美元。在数据中心作为新型基础设施加快建设的背景下，服务器/数据存储的市场规模将继续快速增长，该细分领域的需求将大幅增加。3、个人电脑（PC）市场个人电脑（PC）市场曾是磁性存储器的主要市场之一，由于NANDFlashSSD的制造成本
34、较高，PC端数据存储过去主要使用机械硬盘（HDD）。HDD是以磁性材料为存储载体的存储器，在平整的磁性表面存储和检索数字数据。近年来，随着NANDFlash单位存储经济效益持续凸显，同时笔记本电脑，特别是轻薄笔记本电脑对存储物理空间限制严格，SSD对HDD的替代效应显著。同时，PC与其他消费电子产品相同，正在经历性能和数据存储需求的持续增长。随着消费者处理数据的需求不断增加，单台设备的存储容量需求亦持续增加。4、移动存储消费市场用户对于可靠的存储解决方案的需求是移动存储消费市场存在的前提，经过多年的发展，移动存储消费市场已经充分发展，产品形态以U盘、存储卡以及移动便携SSD产品为主，产品形态趋
35、于成熟，需求稳中有降，整体市场进入成熟期，移动存储消费市场的品牌作用日益凸显。5、汽车电子市场随着汽车消费升级、新能源汽车的推广以及相关政策推动，汽车电动化和智能化将成为新趋势。随着智能化程度的不断加深，汽车正逐步完成由交通工具到移动终端的转变，同时也给存储行业带来新的市场机遇。当前，汽车产品中主要是信息娱乐系统、动力系统和高级驾驶辅助（ADAS）系统中需要使用存储设备，随着自动化程度提高，所需的存储容量也随之增长。根据Gartner的数据显示，2019年全球ADAS中的NANDFlash存储消费达到2.2亿GB，同比增长214.29%，未来几年增速有所放缓但仍将保持强劲增长，预计至2024年
36、，全球ADAS领域的NANDFlash存储消费将达到41.5亿GB，2019年-2024年复合增速达79.9%。二、 全球半导体存储产业概况1、全球半导体存储产业在波动中呈现总体增长趋势半导体存储器作为电子系统的基本组成部分，是现代信息产业应用最为广泛的电子器件之一。随着现代电子信息系统的数据存储需求指数级增长，半导体存储出货量持续大幅增长，另一方面，由于存储晶圆制程基本按照摩尔定律不断取得突破，单位存储成本在长期曲线中呈现单边下降趋势，市场的总体规模在短期供需波动中总体保持长期增长趋势。2、DRAM与NANDFlash是半导体存储的主流市场半导体存储市场中，DRAM和NANDFlash占据主
37、导地位，根据ICInsights数据，2019年全球半导体存储器市场中DRAM占比达58%，NANDFlash约占40%，此外NORFlash占据约1%的市场份额。随着电子产品对即时响应速度和数据处理速度的要求不断提高和CPU升级迭代，DRAM器件的主流存储容量亦持续扩大。近年来随着NANDFlash技术不断发展，单位存储成本的经济效益不断优化，应用场景持续拓展，用户需求不断攀升。在长期增长的总体趋势下，DRAM和NANDFlash的短期市场规模与产品价格受到晶圆技术迭代与产能投放、下游端市场需求、渠道市场备货，以及全球贸易环境等多重因素影响，供求平衡较为敏感。（1）NANDFlash市场根据
38、Omdia（IHSMarkit）数据，2020年全球NANDFlash市场实现销售额为571.95亿美元，较2019年增长24.17%。2012年至2017年，全球NANDFlash在数据爆炸中保持持续稳定增长，特别是2016年至2018年初，受4G智能手机等移动终端需求驱动，以及存储原厂的生产工艺从2D向3D升级造成的产能切换，NANDFlash供不应求，量价齐升，市场快速扩张。2018年初，4G智能手机市场经过数年发展趋于饱和，同时存储原厂基本完成3DNANDFlash的工艺升级，导致晶圆单位存储密度大幅度提升，NANDFlash供过于求，价格迎来拐点并持续下跌，而由于存储原厂产能投放充足
39、，存储原厂持续将产能传导至渠道市场，市场规模仍保持增长惯性，直至2019年大幅回落。2020年受新冠疫情影响，居家办公、远程通信需求持续拉动个人电脑、服务器市场增长，同时全球产能受疫情管制措施干扰，DRAM与NANDFlash价格上涨，2020年市场规模实现增长。（2）DRAM市场根据Omdia（IHSMarkit）数据，2020年全球DRAM市场实现销售额为663.83亿美元，较2019年小幅增长6.75%。DRAM市场由于集中度更高，主要供应商的产能布局和市场需求之间的动态平衡更为脆弱，存储原厂产能规划对市场价格和总体规模影响较大。2018年由于三大存储原厂DRAM制程切换中产能储备不足，
40、与NANDFlash年初即迎来价格拐点不同，市场缺货行情支撑DRAM价格仍然保持增长至2018第三季度，并助推2018年市场规模实现较高增长，此后DRAM与NANDFlash同样受疲软需求拖累，2019年DRAM价格及市场规模均大幅跳水，2020年市场需求有所恢复性增长。三、 行业发展现状及未来发展趋势集成电路产业是现代信息产业的基础，集成电路主要分为存储芯片、逻辑芯片、模拟芯片、微处理器芯片等。根据世界半导体贸易统计组织（WSTS）数据，2020年全球集成电路产业规模为3,612.26亿美元，其中存储芯片规模为1,174.82亿美元，约占集成电路产业总体规模的32.52%，与逻辑芯片共同构成
41、集成电路产业的两大支柱。第四章 建筑工程方案分析一、 项目工程设计总体要求（一）土建工程原则根据生产需要，本项目工程建设方案主要遵循如下原则：1、布局合理的原则。在平面布置上，充分利用好每寸土地，功能设施分区设置，人流、物流布置得当、有序，做到既利于生产经营，又方便交通。2、配套齐全、方便生产的原则。立足厂区现有基础条件，充分利用好现有功能设施，保证水、电供应设施齐全，厂区内外道路畅通，方便生产。在建筑结构设计，严格执行国家技术经济政策及环保、节能等有关要求。在满足工艺生产特性，设备布置安装、检修等前提下，土建设计要尽量做到技术先进、经济合理、安全适用和美观大方。建筑设计要简捷紧凑，组合恰当、
42、功能合理、方便生产、节约用地；结构设计要统一化、标准化、并因地制宜，就地取材，方便施工。（二）土建工程采用的标准为保证建筑物的质量，保证生产安全和长寿命使用，本项目建筑物严格按照相关标准进行施工建设。1、工业企业设计卫生标准2、公共建筑节能设计标准3、绿色建筑评价标准4、外墙外保温工程技术规程5、建筑照明设计标准6、建筑采光设计标准7、民用建筑电气设计规范8、民用建筑热工设计规范二、 建设方案（一）混凝土要求根据混凝土结构耐久性设计规范（GB/T50476）之规定，确定构筑物结构构件最低混凝土强度等级，基础混凝土结构的环境类别为一类，本工程上部主体结构采用C30混凝土，上部结构构造柱、圈梁、过
43、梁、基础采用C25混凝土，设备基础混凝土强度等级采用C30级，基础混凝土垫层为C15级，基础垫层混凝土为C15级。（二）钢筋及建筑构件选用标准要求1、本工程建筑用钢筋采用国家标准热轧钢筋：基础受力主筋均采用HRB400，箍筋及其它次要构件为HPB300。2、HPB300级钢筋选用E43系列焊条，HRB400级钢筋选用E50系列焊条。3、埋件钢板采用Q235钢、Q345钢，吊钩用HPB235。4、钢材连接所用焊条及方式按相应标准及规范要求。（三）隔墙、围护墙材料本工程框架结构的填充墙采用符合环境保护和节能要求的砌体材料（多孔砖），材料强度均应符合GB50003规范要求：多孔砖强度MU10.00，
44、砂浆强度M10.00-M7.50。（四）水泥及混凝土保护层1、水泥选用标准：水泥品种一般采用普通硅酸盐水泥，并根据建（构）筑物的特点和所处的环境条件合理选用添加剂。2、混凝土保护层：结构构件受力钢筋的混凝土保护层厚度根据混凝土结构耐久性设计规范（GB/T50476）规定执行。三、 建筑工程建设指标本期项目建筑面积28980.31，其中：生产工程18464.38，仓储工程6059.60，行政办公及生活服务设施2120.80，公共工程2335.53。建筑工程投资一览表单位：、万元序号工程类别占地面积建筑面积投资金额备注1生产工程5495.3518464.382387.941.11#生产车间1648
45、.615539.31716.381.22#生产车间1373.844616.10596.991.33#生产车间1318.884431.45573.111.44#生产车间1154.023877.52501.472仓储工程2453.286059.60497.662.11#仓库735.981817.88149.302.22#仓库613.321514.90124.422.33#仓库588.791454.30119.442.44#仓库515.191272.52104.513办公生活配套521.082120.80305.533.1行政办公楼338.701378.52198.593.2宿舍及食堂182.38742.28106.944公共工程1373.842335.53272.24辅助用房等5绿化工程2069.9535.40绿化率13.50%6其他工程3449.937.647合计15333.0028980.313506.41第五章 项目选址一、 项目选址原则项目建设区域以城市总体规划为依据，布局相对独立，便于集中开展科研、生产经营和管理活动，并且统筹考虑用地与城市发展的关系，与当地的建成区有较方便的联系