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1、第二章、晶体结构缺陷1、缺陷的概念 2、热缺陷 （弗伦克尔缺陷、肖特基缺陷） 热缺陷是一种本征缺陷、高于0K就存在，热缺陷浓度的计算 影响热缺陷浓度的因数：温度和热缺陷形成能（晶体结构） 弗伦克尔缺陷 肖特基缺陷3、杂质缺陷、固溶体 4、非化学计量化合物结构缺陷（半导体） 种类、形成条件、缺陷的计算等5、连续置换型固溶体的形成条件 6、影响形成间隙型固溶体的因素7、组分缺陷（补偿缺陷）：不等价离子取代 形成条件、特点（浓度取决于掺杂量和固溶度） 缺陷浓度的计算、与热缺陷的比较 幻灯片68、缺陷反应方程和固溶式 9、固溶体的研究与计算 写出缺陷反应方程固溶式、算出晶胞的体积和重量理论密度（间隙型
2、、置换型） 和实测密度比较 10、位错概念 刃位错：滑移方向与位错线垂直，伯格斯矢量b与位错线垂直 螺位错：滑移方向与位错线平行，伯格斯矢量b与位错线平行 混合位错：滑移方向与位错线既不平行，又不垂直。幻灯片7第三章、非晶态固体1、熔体的结构：不同聚合程度的各种聚合物的混合物 硅酸盐熔体的粘度与组成的关系2、非晶态物质的特点 3、玻璃的通性 4、 Tg 、Tf ,相对应的粘度和特点5、网络形成体、网络改变（变性）体、网络中间体 玻璃形成的结晶化学观点：键强，键能 6、玻璃形成的动力学条件 (相变)，3T图7、玻璃的结构学说（二种玻璃结构学说的共同之处和不同之处）8、玻璃的结构参数 Z可根据玻璃
3、类型定，先计算R，再计算X、Y 注意网络中间体在其中的作用。9、硅酸盐晶体与硅酸盐玻璃的区别10、硼的反常现象幻灯片8第四章、表面与界面1、表面能和表面张力，表面的特征2、润湿的概念、定义、计算；槽角、二面角的计算 改善润湿的方法：去除表面吸附膜（提高固体表面能）、 改变表面粗糙度、降低固液界面能 3、表面粗糙度对润湿的影响 4、吸附膜对润湿的影响 5、弯曲表面的效应 (开尔文公式的应用)6、界面的分类与特点 7、多晶体组织 8、粘土荷电的原因，阳离子交换序9、粘土与水的作用，电动电位及对泥浆性能的影响 流动性，稳定性，悬浮性，触变性，可塑性10、瘠性料的悬浮与塑化泥浆发生触变的原因，改善方法
4、 幻灯片9第五章、相平衡1、相律以及相图中的一些基本概念 相、独立组分、自由度等 2、水型物质相图的特点（固液界线的斜率为负）3、单元系统相图中可逆与不可逆多晶转变的特点4、SiO2相图中的多晶转变（重建型转变、位移型转变）5、一致熔化合物和不一致熔化合物的特点6、形成连续固溶体的二元相图的特点（没有二元无变量点）7、相图应用 幻灯片108、界线、连线的概念，以及他们的关系9、等含量规则、等比例规则、背向规则、杠杆规则、连线规则、切线规则、重心规则。10、独立析晶（非平衡析晶）11、三元相图析晶路径的分析 判断化合物的性质 划分副三角形 标出界线上的温度走向和界线的性质 确定无变量点的性质 分
5、析具体的析晶路程 幻灯片11第六章、固体中的扩散1、固体中扩散的特点 2、菲克定律（宏观现象） 菲克第一定律：稳态扩散 菲克第二定律：不稳态扩散3、扩散系数是一个什么样的参数（物理意义） 4、扩散推动力（化学位梯度） 5、扩散系数的一般热力学关系6、质点的扩散方式（五种、其中空位最常见，所需能量最小） 7、本征扩散、非本征扩散，及其相应的扩散系数D 产生本征扩散与非本征扩散的原因，分析、计算DT关系，斜率8、短路扩散幻灯片12第七章、固相反应1、固相反应的定义、泰曼温度2、固相反应的热力学特征 固相反应的热力学计算热力学势函数法（函数法）3、固相反应的转化率 4、固相反应的一般动力学关系（反应
6、的总阻力=各个分阻力之和）5、固相反应的特点 （化学反应动力学范围、扩散动力学范围）6、杨德尔方程 G0.3 7、金斯特林格方程 G0.8 8、几个固相反应动力学方程的比较9、影响固相反应的条件幻灯片13第八章、相变1、相变的概念与特征2、相变的分类：马氏体相变、有序无序相变 3、相变的热力学特征：一级相变、二级相变 4、相变的热力学驱动力：相变过程中的亚稳态 5、固态相变动力学6、晶核的形成条件、临界晶核rk。（要有T）7、均匀成核、非均匀成核 8、胚核生长（晶体生长）速率9、晶粒粗化速率10、相变动力学速率形式理论：成核与晶体生长相比，需要更大的T11、过冷度T与成核速率、与晶体生长速率的
7、关系12、成核生长与失稳分解：分相现象、分相的概念及两种分相机制的异同幻灯片14第九章、材料的烧结1、烧结的概念、定义 2、烧成与烧结、烧结与固相反应3、烧结的推动力（过剩的表面能DG）4、烧结的模型 （烧结初期的动力学关系、颈部增长率与烧结收缩率之间的关系）5、固态烧结的类型、特点，与温度、时间、粒径的关系 蒸发-凝聚传质过程的特点（L/L=0）6、液态烧结的类型、特点，与温度、时间、粒径的关系7、液相烧结与固相烧结的异同点 烧结温度对传质过程的影响8、晶粒生长与二次再结晶的概念（烧结中后期） 9、烧结后期气孔的排除9、晶粒生长的计算公式：D2-Do2=kt ，加入晶界移动控制剂后的变化10、晶粒生长与二次再结晶的区别 11、造成二次再结晶的原因以及防止方法