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1、题目:光刻车间曝光机工艺规范题目:光刻车间曝光机工艺规范 康惠（惠州）半导体有限公司 康惠（惠州）半导体有限公司 文件编号：文件编号：TIN-07-407 TIN-07-407 版次：版次：A/2 A/2 文件种类 文件种类 GOP 运作程序 WIN 工作指示 GOP 运作程序 WIN 工作指示 QIN 品质控制指示 PFC 工序流程图 QIN 品质控制指示 PFC 工序流程图 DWG 工程图纸 CMD 客户文件 DWG 工程图纸 CMD 客户文件 SIN 国家/国际标准 TIN 工艺规范 SIN 国家/国际标准 TIN 工艺规范 文件控制 文件控制 部门：签署：日期：部门：签署：日期：编制
2、（生产工艺部）编制 （生产工艺部）复核 （生产工艺部）复核 （生产工艺部）复核 （品 管 部）复核 （品 管 部）复核 （生产计划部）复核 （生产计划部）批准 （厂 长）批准 （厂 长）更改记录 更改记录 版次 版次 文件状况 文件状况 生效日期 生效日期 更改摘要 更改摘要 A 新发行 新发行 2008-6-26 2008-6-26 原生产操作指示与工艺规范文件整合 原生产操作指示与工艺规范文件整合 A/1 修改第 1、5-6 页 修改第 1、5-6 页 2008-10-162008-10-16增加环境要求、曝光房玻璃暂存规定及修改曝光机读数增加环境要求、曝光房玻璃暂存规定及修改曝光机读数A
3、/2 修改第 1、7 页修改第 1、7 页 2008-11-102008-11-10修改环境要求、注意事项第修改环境要求、注意事项第5条曝光房玻璃暂存规定条曝光房玻璃暂存规定 康惠（惠州）半导体有限公司 第 1 页，共 6 页 工序号：4 康惠（惠州）半导体有限公司 第 1 页，共 6 页 工序号：4 标题：光刻车间曝光工位工艺操作规范标题：光刻车间曝光工位工艺操作规范 文件编号：TIN-07-407 版次：A/2 文件编号：TIN-07-407 版次：A/2 一、环境要求 一、环境要求 曝光房曝光机外洁净度（粒子浓度）管制标准为 1000 粒/英尺曝光房曝光机外洁净度（粒子浓度）管制标准为
4、1000 粒/英尺3 3,曝光机内洁净度（粒子浓,曝光机内洁净度（粒子浓度）管制标准为 100 粒/英尺度）管制标准为 100 粒/英尺3 3 温度 223 湿度 55%RH 温度 223 湿度 55%RH 二、设备操作 二、设备操作(一)、1 号(一)、1 号曝光机 EXF-1856 操作 1、开机操作 a.把 AIR 压缩空气气压阀打开，确定压力表读数在工艺规范值范围后，再把曝光机后面的进气阀打开，然后把 VAC 真空气压阀打开。b.依次把曝光机紫外灯(Lamp unit 部分)的电源和曝光机操作面右下方电源开关打到“ON”状态。c.开启曝光机前面右上方的“ON”钮后，再开启右下方“UV-
5、MIO”控制器的“POWER”钮，并按工艺规范设定紫外曝光参数。d.在触摸屏上按以下顺序依次点击按钮：(按住约 5 秒钟使 由红色变成绿色后)(出现有黄底色指示“Possibility automatic 处于手动待命状态即可。operation”后)出现有 “Automatic operation”处自动待命状态即可。2、关机操作 e.手动待命状态下：(出现有黄底色提示“possibility automatic operation”后)(按住约 5 秒钟，并让 的显示状态条由兰色完全变黑后）与开机程序相反完成电、气 操作即可。f.自动待命状态下：（按住约 5 秒钟 Lamp ON read
6、yend Home START end manual Auto start end Home start end Lamp OFF After cool Cycle stop end lamp OFF康惠（惠州）半导体有限公司 第 2 页，共 6 页 工序号：4 康惠（惠州）半导体有限公司 第 2 页，共 6 页 工序号：4 标题：光刻车间曝光工位工艺操作规范标题：光刻车间曝光工位工艺操作规范 文件编号：TIN-07-407 版次：A/2 文件编号：TIN-07-407 版次：A/2 并让 的显示状态条由兰色完全变黑后）与开机程序相反完成电、气操作即可。3、手动/自动转换 g.手动状态转换成自
7、动待命状态：（出现“Possibility automatic operation”后）（出现“Automatic operation”提示后）即可。h.自动状态转换成手动待命状态：（出现“Possibility automatic operation”提示后）即可。4、掩膜版架的装卸 a、掩膜版架的安装：在手动待命状态下，打开曝光机前门，按一下“Reticle lock”键，使其指示灯熄灭后，然后把已上好掩膜版的架子上到“Mask base”基台上，调好位置，再拧紧四个角上的固定螺钮。b、拆卸掩膜版架的程序在按启“Reticle lock”键后与安装相反。5、注意事项：1、异常报警按触摸屏上
8、 进行解除。2、装卸掩膜架时不能同时按启“Reticle lock”键和“Mask base HOLD”键。3、出现程序上的轻微异常情况，要立即按启触摸屏上 钮后进行处理，如出现严重的异常情况，要立即按急停键或关闭电源，并通知主管或工程师进行处理。After cool end Home START end Auto start end manual CYCLE STOP BZ STOP STOP 康惠（惠州）半导体有限公司 第 3 页，共 6 页 工序号：4 康惠（惠州）半导体有限公司 第 3 页，共 6 页 工序号：4 标题：光刻车间曝光工位工艺操作规范标题：光刻车间曝光工位工艺操作规范 文
9、件编号：TIN-07-407 版次：A/2 文件编号：TIN-07-407 版次：A/2 7、附图 康惠（惠州）半导体有限公司 第 4 页，共 6 页 工序号：4 康惠（惠州）半导体有限公司 第 4 页，共 6 页 工序号：4 标题：光刻车间曝光工位工艺操作规范标题：光刻车间曝光工位工艺操作规范 文件编号：TIN-07-407 版次：A/2 文件编号：TIN-07-407 版次：A/2 （二）2 号 MAP-2400 曝光机操作 1.开电源开关。2.分别开 380V，220V，100V 开关。3.开灯电源开关，按下“预置 RESET”,再按灯电流键 3-4 秒后松开。4.按玻璃尺寸大小调尺寸拨
10、盘，1614玻璃调为“407”,并按尺寸校正键。5.先选择“手动”键，按“OPEN”键使 Mask 架升起，左手持住有缺角的一边将 Mask插入 Mask 架中，轻轻放下，按“CLOSE”键，待其指示灯闪三次再按“LOCK”，指示灯闪三次后，将 Mask 锁定。6.装 Mask：a.对产品资料确定 Mask 正、反面，与产品资料相反的面朝上安装。b.1614Mask 对外线。c.运行方向与产品资料一致。7.按“ON”键，按回“AUTO”状态，选择“自动”方式，待灯强度稳定后（电压指示50V，电流指示 50A 左右），按“START”键即可放玻璃曝光，玻璃放入时，涂胶面朝上。8.关机时应先按下灯
11、“OFF”键，关闭灯电源 10 分钟后，以开机相反次序逐一关闭开关或按钮。三、工艺规范三、工艺规范（一）、1 号曝光机：1、曝光能量设定：膜面材料 线距 d 曝光能量 d0.02mm 100+50mJ/cm2铬版 0.015 mmd0.02mm 90+20mJ/cm2菲林 /70+30mJ/cm22、压缩空气管进气压力设定：5.50.5kg/cm2 3、曝光机右下方压力表设定：Main air Panel air lift Mask Base Balancer 0.500.08MPa 0.120.02MPa 0.20.015MPa 康惠（惠州）半导体有限公司 第 5 页，共 6 页 工序号：4
12、 康惠（惠州）半导体有限公司 第 5 页，共 6 页 工序号：4 标题：光刻车间曝光工位工艺操作规范标题：光刻车间曝光工位工艺操作规范 文件编号：TIN-07-407 版次：A/2 文件编号：TIN-07-407 版次：A/2 4、检查曝光机左下方数字表读数：Main Air(MPa)Main VAC(KPa)Panel VAC(KPa)0.500.08-90.06.0-5.0X0（待命状态）-92.0X-84.0（工作状态）（二）、2 号曝光机：1、光时间设定：膜面材料 产品类别 线宽、线距 曝光光强 曝光时间 铬版/菲林 字符、点阵 /4475 mW/cm26.5+4.0SEC 2、曝光机
13、的 SUBSTRATE SIZE 设定：407MM 3、压缩空气管进气压力设定：5.50.5kg/cm2 4、曝光机右下方压力表设定：RETICLE POS.PIN2 RETICLE POS.PIN1 RETICLE AIRFLOW SUBSTRATE AIRFLOW CONTACT 0.20+0.08MPa 0.22+0.08MPa 0.220.08MPa 0.100.05MPa 0.300.05MPa 5、曝光机正下方压力表设定：VACUUM PRESSURE MASKHOLDER SUCTION SUBSTRATE SUCTION 605cmHg（待命状态）405cmHg（工作状态）60
14、7+50KPa（待命状态）433+50KPa（工作状态）-200KPa（待命状态）325+50KPa（工作状态）（三）、曝光生产操作前，必须确认铬版的版次以及铬版上的图案与产品资料上的图案一致才能进行曝光操作。（四）、曝光机内的洁净度测量要求在百级以内，由 PQA 监控并作记录，具体见工艺运行表，如发现异常情况要及时通知给工程师。（五）、曝光灯使用时间1600 小时，1 号曝光灯工作时平均光强必须满足I8.5 mW/cm2 （入=365nm），2 号曝光灯工作时平均光强必须满足I6.5 mW/cm2（入=365nm），各点光强之差IR1.5mW/cm2，生产部对曝光机台板四角以及中心五点需每周
15、进行一次光强测定，并记录，如异常及时通知给设备部处理。康惠（惠州）半导体有限公司 第 6 页，共 6 页 工序号：4 康惠（惠州）半导体有限公司 第 6 页，共 6 页 工序号：4 标题：光刻车间曝光工位工艺操作规范标题：光刻车间曝光工位工艺操作规范 文件编号：TIN-07-407 版次：A/2 文件编号：TIN-07-407 版次：A/2 四、注意事项：四、注意事项：1.每天上班时，要用无尘布沾无水酒精小心地对曝光机内进行仔细清洁，清洁时不能碰到曝光灯上的反光镜和台板上的感应器，及时清除可能有的灰尘或玻璃碎，清洁时不能碰到曝光机内的反光镜，每班中途每两个小时擦一边地板，防止地板扬尘。2.曝光
16、机生产时要认真核对资料，注意玻璃类型、阻值、厚度、大倒角方向。3、曝光机报警等异常情况及时汇报主管或工程师 4、每班岗位员工或组长记录一次曝光灯使用时间.每周测量一次曝光灯光强，如发现超标及时反馈设备动力部.5、曝光房玻璃暂存：最小线宽、曝光房玻璃暂存：最小线宽20m和伟易达品种在曝光暂存数量和伟易达品种在曝光暂存数量 03 篮，暂存时间篮，暂存时间小于小于 30 分钟，其它情况未曝光玻璃存放不超过 12 小时。分钟，其它情况未曝光玻璃存放不超过 12 小时。五、相关记录 五、相关记录 1.号机曝光灯使用记录（7-34）2.号机曝光灯使用记录（7-35）发文部门：生产工艺部 拟文人：生效日期：2008-11-10 审批部门：生产工艺部 品 管 部 生产计划部 签 署：_ 厂长签署：