《MLCC用高介电常数陶瓷介质材料的研究现状及发展趋势.pdf》由会员分享，可在线阅读，更多相关《MLCC用高介电常数陶瓷介质材料的研究现状及发展趋势.pdf（5页珍藏版）》请在taowenge.com淘文阁网|工程机械CAD图纸|机械工程制图|CAD装配图下载|SolidWorks_CaTia_CAD_UG_PROE_设计图分享下载上搜索。
1、第 2卷第 3期 2 0 0 3年 9月 材 料与 冶金学报 J o u r n a l o f Ma t e r i a l s a n d Me t a l l u r g y Vo1 2 No 3 S e p t 2 0 0 3 ML C C用高介 电常数 陶瓷介质材 料 的研 究现状及发 展趋 势 王森，纪箴，张跃，周成(北京科技大学材料科学与工程学院，北京 1 0 0 0 8 3)摘要：多层片式陶瓷电容器(ML C C)是片式元器件的一个重要门类，其性能与所用介质材料密 切相关本文综述了当前 ML C C用高介电常数介质材料的研究现状和发展趋势，重点介绍 了 ML C C用介质材料
2、3种主要的材料体系和未来的研究方向 关键词：ML C C；介电常数；介温特性；电阻率 中图分 类号：TN3 0 4 文献标识码：A 文章编号：1 6 7 1 6 6 2 0(2 0 0 3)0 3 0 2 2 7 0 5 Cu r r e n t s t a t e a n d t r e nd s o f h i g h-8 di e l e c t r i c u s e d i n M LCC WANG S e n，J I Z h e n，Z HANG Yu e，Z HOU Ch e n g (S c h o o l o f Ma t e r i a l s S c i e n c e
3、a n d En g i n e e r i n g，Un i v e r s i t y o f S c i e n c e a n d Te c h n o l o g y，B e i j i n g 1 0 0 0 8 3，C h i n a)Ab s t r a c t：MLC C i s a ma i n c l a s s o f c h i p de c t ron i c c o mp o n e n t s，a n d i t s p r o p e r t i e s a r e c l o s e l y r e l a t e d t O t h e d i e l e
4、 c t r i c ma t e r i a l s T h e p a p e r s u mma r i z e d t h e c u r r e n t s t a t e and t r e n d s o f h i g h-d i e l e c t ri c u s e d i n MLCC，e s p e c i a l l y o n t h r e e ma i n k i n d s o f d i e l e c t r i c s y s t e m u s e d i n M L CC an d t h e f u t u r e r e s e a r c h
5、 d i r e c t i o n Ke y wo r d s：M L CC；d i e l e c t r i c c o n s t a n t；-T c h a r a c t e r；r e s i s t i v i t y ML C C由于具有 结构 紧凑、体积小、比容 高、介电损 耗低、价格便宜等诸多优点，被大量应用在 计算机、移动电话、收音机、扫描仪、数码相机 等电子产品中 ML C C特别适合片式化表面组 装，可大大提高 电路组装密度，缩小整机体积 这 一突出特性使 ML C C成为当今世界上发展最快、用量最 大 的 片 式 化 电子 元 件 在 过 去 几 年 里，ML
6、C C产 品 的年 均 消 费 量 一 直保 持 着 l 0 2 0 的增长率，2 0 0 3年 全球 ML C C的用 量大 约 有 5 0 0 0 6 0 0 0 亿 只 随着科技 的发展和人 民消费 水平的提高，将会有越来越多 的性能优异 的电子 产品进入人们的生活，ML C C也会有更加广 阔的 市场 ML C C的快速 发展和 良好 的应用前 景也 带 动 了与之相关的介 质材 料研究 ML C C的应用领 域决定了其介质材料必须具有以下性能：(1)高介电常数 众所周知，ML C C的 比容 c v与材料的介电 常数 e 密切相关，二者的关系可以用下式来描述：C v。C e (1)其
7、 中，C为 电容；V为体积；c v 为 比电容；e 为介电常数；t 为介 电层厚度 在介 电层厚度确定 的情况下，材料的介电常数越高，电容器 比电容越 大 电子产品设计人员在 电容温 度特性得到满足 的条件下，一般都会选择比电容大的电容器 介质 材料的介电常数越高，越易于实现电容器的小型 化，这 是 目前 电 容 器 的 一 个 发 展 方 向，自从 ML C C问世 以来，其 比容一 直不 断上升，介 电层 的厚度不断降低 如图 1所示 (2)良好 的介温特性 介温特性用来描述 电容 随温度变化情况一 般来说，在工作状态下，电容器 的电容随温度 的变 收稿 日期：2 0 0 3-O 9-1
8、6 基金项 目：国家 自然科学基金资助项 目(5 0 1 7 2 0 0 6；5 0 2 3 2 0 3 0)；教育都 留学回国人员科研启动重点基金 作者简介：王森(1 9 7 2-)，男，辽宁鞍山人，博士研究生；张跃(1 9 5 8-)，男，湖南省长沙市人，北京科技大学教授，博士生导 师 维普资讯 http:/ 2 2 8 材 料 与 冶 金 学 报 第 2卷 化越小越好 依据电容随温度变化情况，可以将 ML C C分 成不 同的规格，如 X7 R、Y5 V等等由 于电容随温度发生变化来源于介质材料介 电常数 的变化，因此要求介 电材料具有 良好的介温特性 (3)高绝缘 电阻率(4)介电损耗
9、小，抗老化 电容器用介电材料的研究已经有几十年的历 史 到 目前为止，人们 已经能够分别制造 出相对介 电常数最高达 3 00 0 0，使 用温度范 围内电容变化 小于 1 ，绝缘 电阻率达到 1 O Q c m，介电损耗 小于 1 ，9 5 0 V 3 5 0 8 0 0 h条件下无老化现象 的陶瓷介 电材料 2 叫 虽然人们现在还无法将这 些优异的性 能集合 于一 种介电材料上，但是在各 相关材料体系的研究却取得了较大的进展 _、n 蚕 毫 饕 丑 _、置 i、髓 壁 嗵 脚 9 3 9 4 9 5 9 6 9 7 9 8 9 9 0 o O1 0 2 年份 图 1 ML C C比容率和介
10、电层厚度历史走势 Fi g 1 Hi s t o r i c a l t r e n d s o f v o l u me t r i c e f f i c i e n c y a n d d i e l e c t r i ct I l i c k n e s s o fM 1 ML C C用高介电常数介电材料的 研 究现状 从 目前 的报道来看，不论 是 已经商业化 的还 是处于实验研究 阶段 的 ML C C用高介 电常数 的 介电材料都可 以归结为以下 3个体 系：B a Ti O 系 材料；(B a，C a)(Ti，Z r)03系材料；复合含 P b钙 钛矿系材料 1 1 B a
11、T i O 3系材 料 B a Ti O3 系材料是最早研究的用 于 ML C C的 介 电材料，也是最早实现商业化的 ML C C用介 电 材料 二战期间，人们在寻找替代云母的电介质材 料过程 中，意外地发 现 B a Ti O 3材料 在外 电场作 用下尺寸发生变化，如果对材料施加外力，材料则 表现出带电特性，材料较高 的介 电常数也引起 了 研究人员强烈的兴趣，随后对其进行 了大量深入 的研究 从 2 O世纪 6 O 年代初期到 7 O 年代末，为了实 现 ML C C贱金 属化，降低 电容 器 的成本，人们对 B a Ti O 3 体系介 电材料 的研究 多集 中在抗 还原方 面 常用
12、的手段 是向 B a Ti O3中添加 过渡元 素的 氧化物，这些元素的离子在还原气氛下俘获电子 发生变价，从而提高还原烧结 B a Ti O 3 材料的绝缘 电阻He r b e r t等人 5 先 后 研究 了 F e、C o、Ni、Mn在 B a Ti o 3中的抗还原作用，Da n i e l s E T 还研究 了 F e、Mn、Cr 的抗还 原作 用，其中具有 良好 的抗 还原 性 能 的 Mn至 今 还 是 商 业 化 ML C C 用 B a T i O3 系介 电材料最佳 的添加成分之一 上述过 渡元素良好的抗还原性能让人们相信贱金属电极 ML(可 以产业化 了 以 B a
13、Ti O3为介 质材料 的 贱金属 电极 ML C C问世不久就遇到 了麻烦：由于 受主掺杂 B a T i O3 材料 中氧空 位 的迁移，使用后 不久，材料 的绝缘 电阻就大 幅下 降，ML C C的性 能严重劣化E 8 抑制材料 中氧空位 的迁移 主要有 3种方法 早期人们通过将还原烧成 的 ML C C进行 轻微的 氧化来实现控 制氧迁 移 的 目的 一 般是 在 5 O 1 0 0 P a的氧分压下对材料进行再氧化处理 处理 温度一般在 9 0 0 1 1 0 0 之间，在选择处 理条件 时通常要考虑避免 N i 的氧化 这种处理方法抑制 氧空位迁移的机理还不清楚 进入 2 O世纪
14、9 O 年 代以后，人们开始采取 同时向材料 中添加施主和 受主离子来控制氧空位的迁移，施主和受主形成 高度稳定的复合物，即使在 纯氧的条件下也不会 被氧化，施主的存在还起 到可 以减少氧空位 的数 量的作用 经混合掺杂的 B a T iO 3 材料，其抗老化 性能可 以和空气气氛下烧成 的 B a Ti O3材料相媲 美 现在人们更倾 向于采 用 向 B a Ti O a中添加稀 土元 素的方法来抑制材料 中氧空位 的迁 移 已经 发现的几种稀土元素离子表现出了 良好的抗老化 能力，它们包括 y a+、Dy 3+、Ho。+u 等 这些离 子在 B a Ti O3晶格 中既可 以占据 B a
15、z+的位置又可 以进人 Ti +的位置，同时充 当着施 主和受主的角 色，同混合掺杂一样，既可 以抑制氧空位 的迁移，又可以减少氧空位的数量 虽然稀土元素的具体 作用机制尚不清楚，但从 目前报道的情况看，向 B a T iO 3 材料中引入稀土掺杂来提高抗老化性能 要 比前两种方法效果更好 人们对 B a Ti O 3 基介 电材料另一个感兴趣 的 研究方 向是提高它的介 电常数 在实际制作材料 的过程 中，由于要兼顾烧成 条件和材料 的介温特 性，通常向钛酸钡 中引入 助烧剂、移动剂等添加 成分，这样材料的居里点会向低温方 向移动，同时 维普资讯 http:/ 第 3期 王森等：ML C C
16、用高介 电常数 陶瓷介质材料的研 究现状及发展趋 势 2 2 9 介电常数峰值会下降 一般通过优化工艺和添加 改性成分来改善材料的介 电性能 优化工艺包括：采取合适 的 B a Ti o3 粉体 预烧温度，增 加 四方 相 B a TiO 3 含量；选择合适的浆料球磨条件以及烧成 制度；选 择合适 的助烧 剂和移动剂；控制 B a T i o3 的晶粒尺寸 理论计算的结果表明，钛酸钡铁 电相 和顺 电相的临界 尺寸为 1 1 0 n m 左右，而实验 表 明，当晶粒尺寸在 8 0 0 n m左右时，材料的常温介 电常数最高 罗金 玲 等人对 此现象进行 了解释，将材料 的介 电常数分解成两部分
17、：晶界介 电常数和晶粒介 电常数，后者 由电畴体介 电常数 和电畴壁介 电常数组成，在 8 0 0 l l t n左右，晶粒发 生了四方和假立方之 间相 转变过程，电畴体介 电 常数和 电畴壁介电常数上升，导致 晶粒 在 8 0 0 n l n 左右介 电常数 出现 突变 已见报道 的改性成分包 括 C e、Nb、Nd、C o等的氧化物 纯 B a Ti O。陶瓷材料 在不同温度存在多种相 变，尤其 以 1 2 0 (B a Ti o3的居里点)附近的相变 对介 电性能影响最大 B a Ti o3 在上述温度会产生 介电常数突然大幅增加的现象，并引起电容突变，影响电路的稳定 考虑到 电容器 的
18、工作温度通 常 在室温下，必须将居里点向低温方 向偏移，但纯钛 酸钡 陶瓷偏离 1 2 0 居里温度其介 电常数 就快速 降低 同时，为改善介 电常数 和温度 的关系，满 足 电容器实际使用条件，一般采取向材料中引入压 降剂来压低居里点处 的介电常数峰值，使介 电常 数随 温度 变 化 变得 平坦常用 的压 降剂 有：C a Ti O3、Mg Ti O3、B i z(Ti O3)3 等 由于不 同规 格型号 的电容器会有 不 同的介 温特性要求，对压 降剂的选择会存在差别，如果选择适当压降剂和 改性成分，则二者共 同作用既可 以提高材料 的介 电常数又可以使材料具有 良好的介温特性 此外，也可
19、 以通过控 制材料的微观结构 来改善 B a Ti O 3 材料 的介温特性 用 于 ML C C的 B a Ti o3 材料一 般具有壳一核结构 1 卅o ：以玻璃相和其它添加 成分为主的晶界层 为低介 电常数相，包裹在 主晶 相 B a Ti O晶粒周 围 由于晶界层 的膨胀 系数大 于主晶相的膨胀 系数，可 以在一定程度上抑制 主 晶相 的相变，从而改善材料的介温特性 壳 一核结 构的实现一是通过优化 工艺条件，包括烧成温度 和时间，以及保 温时间和烧成气氛等，另外还要 引 入促 进 烧 结 的 添 加 剂，如：B i 03、P b O、S i Oz、Al 2 o 3、B 2 o3 等L
20、 2 l J B a Ti O 3系材料 电气性能较稳定，在温度、电 压与时间改变时性能的变化并不显著，适 用于隔 直、偶合、旁路、鉴频等电路 B a T i O 3 系材料是一 种强电介质，因而能造出容量 比较大的电容器 1 2(B a C a)(T i Z r)03系材料 在 B a Ti O3中引入 Ca 2+和 Z r 件，二者分别进 入 晶格 中部 分 B a 抖 和 Ti +位 置，形 成(B a，C a)(Ti，Z r)0 3系材料，缩写成 B C T Z 进入 晶格 中的 C a 外有 3种作用 船 ：(1)修正居里温度 包括降低 居里点处介电常数峰值，使居里温度 向低 温方向
21、 偏移；(2)起受主掺杂的作用，进入晶格 中 Ti 的位 置，提高还原烧成气氛下材料的电阻率；(3)抑制 晶粒的长大，提高介 电常数 进 入 晶格 的 C a 抖如 果占据 了 T i +位置，还能增大晶胞体积，但是这 与性能的对应关 系还不清楚 与 B a 外相 比，C a 抖 对电子的亲和能力差一些，阴阳离子的束缚相对 较弱，因此 C a z+的引入会增 加 了材料 中氧空位 的浓度 Z r 4+的离子半径 为 0 0 8 7 n l T l，而 Ti +的 离子半径为 0 0 6 8 n m，半 径大 的 Z r 4+替代 Ti +离子后，能够增大 晶格 常数 同+一样，Z r 4+也
22、可 以降低居里点处介电常数峰值并使居里点温度 向低温方 向偏移 Z r 4+在化 学上 比 Ti +稳 定，不 会 因气氛的变化而产生 自身 化合 价的变化，导致 电导上升 因此，Z r 4+替 代 T i +可 以降低 材料 电 导率，减少介质层的漏电电流 另外，增加 B C T Z 体系材 料 中的 Z r 4+含量 还可 以减 小 晶粒 尺寸 Z r Ti 的数值 随材料体 系性能要 求不 同而变化，有报道称在 Z r Ti 摩尔 比值为 0 1 5 0 8 5时，引 入的 Z r 4+能够全部 固溶进入 晶格中 T 的位置，配合不 同 C a z+含量，Z r Ti 摩尔 比值 在 0
23、 1 0 9 至 0 2 o 8 之间都可以实现性能的优化 2引 B C TZ系材料明显的特点就是其常温介 电常 数高，朱文奕等人 2 通过调整+和 Z r 4+的比 例，选择合适的电学活性剂和烧成条件，研制出了 常温相对介 电常数 可 以达 到 1 5 0 0 0的 B C TZ系 介电材料，绝缘电阻率达到了 1 O Q e l n 但是，B C T Z系材料在使用温度范 围内的介 电常数变化 明显高于 B a Ti O 3系材料，此类材料 的容量、损耗 对温度和电压等测试条件较敏感 因此常用 于生 产比容较大的、标称容量较高的大容量电容器产 品 B C T Z系材料适合用来生产对稳定性要求
24、不 是很高 的电容器 B a T i Os 常见 的生产方 式有水热合 成和共沉 淀两 种 方法 一般 来说，水 热合 成 法 生 产 的 B a T i O3 颗粒分散性好，能耗 低，但是 固液分离难 度大，颗粒尺寸降低 时容易产生非铁 电相 的立方 相，不利于提高材料的介电常数 共沉淀法生产的 B a Ti O3 粉晶的最小尺寸可 以达 到 1 0-2 0 n m，通 过采用适当的烧成条件，成 瓷晶粒尺寸可 以控制 维普资讯 http:/ 2 3 0 材 料 与 冶 金 学 报 第 2卷 在 8 0 0 姗 左右甚至更低，但是热处理温度比水热 法高，且容易在沉淀过程中引入杂质 因此这两种
25、方法生产 的 B a Ti O3 各 有长处，在生产 过程 中 的 选择主要依靠具体 的工艺要求来确定 1 3 复合含 P b钙钛矿系材料 复合含 P b钙钛矿系材料介 电常数 通常 比较 高E ，例如当 P b(Mg l 3 Nb 2 3)0 3 一 P b Ti O3 复合 材料在介质层低 于 5 m 的时候，其相对介 电常数 可以达到 3 0 0 0 0 在提高 比容率，促进产 品小型化 方面，相对于 B a Ti O3 材料和 B C TZ材料而言，用 复合含 P b钙钛矿系材料制作 的电容器有着 明显 的优势 已见报道 的还有：(P b，B a)(Z n 1 3 Nb z 3)(Mg
26、 l 3 N b 2 3)T i O 3，此材料在 6 O 的相对介电 常数达到 1 40 0 0，在 0 1 2 5 范围内的介 电常数 变化小于 3 O ，非 常适合做小 型切换 电源 内使 用 的电容器；P b(Mg 1 2 W1 2)0 3-P b T i 0 3 一 P b(N i 1 3 Nb 。)03 一 W03，其介 电常数 随温度变 化平缓，具 有 良好的介 温特性；(P b o 6 3，B 3 7)E(Z r o 7 Ti 0 3)0 3 一 P b(Mg,3 Nb z 3)O 3，此类材料可以通过水热 合成 的方法 制备，其粉 末在 9 5 0 就可 以实现烧 结成 瓷，
27、烧结 后 的颗粒 尺寸可 以小 到 1 3 t m，并 且可以制出符合 E I A Y7 R标准 的多层 陶瓷 电容 器；此外还有 P b(Mg 1 3 Nb 2 3)03 一 P b(Ni 1 3 Nb 2 3)0 3 一 P b T i O3 等等 由组 成不 同 的 P b(Mg 1 3 Nb 2 3)0 3 一 P b(Ni,3 Nb z 3)0 3 一 P b Ti 03 和 P b(Mg 3 Nb 2 3)0 3 一 P b Ti 03 复合成的多层陶瓷电容器 的介温特性 能够很好地满足 E I A X7 R标准，复合材料 的常温 相对介电常数达到 7 0 0 0 但是，使用复合含
28、 P b钙钛 矿系材料生产 ML(的工艺复杂，存在层 间材 料烧成收缩不一 致，以及物理化学性能不 匹配问题，增加 了材料设 计和制造 的难度，同时会增加生产成本 另外，含 P b材料容易造成环境污染，由于大多数 工业 国家 对含 P b材料的生产有着严格的规定，含 P b材料 进入实用化还有待于进一步研究 3种材料的特点与适用条件见表 1 表 1 3种高介电常数材料特点比较 Ta b l e1 Ch a r a c t e r i s t i c c o mp a r i s o nf o rt h r e e k i n d s o fh i g h-6 d i e l e c t r i
29、 cma t e r i a l 2 ML C C用高介电常数介电材料的 研 究发 展趋 势 目前对 ML(、C用介 电材料 的研究 主要集 中 在 以下几个方向：进一步提高材料介 电常数，改善 介温特性；开发适 应 还原 烧成 ML C C用介 电材 料；进一步加强机理研究 2 1 提高材料介电常数 改善介温特性 小型化、大容量是 ML(发展 的一个方向 因此，开发高介 电常数 的 ML(用介 电材料是 目 前 主要的研究方向之一 主要手段包括：改进现有 材料体系，通过引进 添加成分，改进工艺，最终实 现材料微观结构和组成 的变化，从 而实现介 电常 数的变化与稳定 同钛酸钡单 晶相比，引入
30、掺杂成 分的钛酸钡基陶瓷材料在不 同温度区间内都有部 分晶粒发生极化，同时电畴壁应力增加，提高居里 点两侧的介 电常数 因此微 观 的非均匀结构有利 于实现良好 的介温特性 当前工作 的重点是如何 找到合适的添加成分，能够加强钛酸钡晶粒在高 温和低 温 区 间 的极 化 并 增 大 电 畴 壁 应 力；将 B a Ti O3 系材料 的相 对介 电常数 从 3 0 0 0提高 到 5 0 0 0，介温特性符合 E I A X7 R标 准；进一 步提高 B C TZ体系 的介 电常数并 改进 介温特性；开 发新 的材料体系，寻求更 高介 电常数 和更 加稳 定 的新 型介电材料 一 2 2 开发
31、适应还原烧成 的 M 用介电材料 近年来，ML C C的销售价格一直以每年平均 1 O 的速度下降，因此必须想办法降低 ML C C的 成本 采用 Ni 做 电极替代原 有 P d Ag电极 可以 大幅降低 ML C C的成本 采用金属 Ni 做电容器 内电极材料 已经成 为 ML C C一 个 发展 趋势 而 Ni 内 电极 ML C C在 烧成 时必 须 采用 强还 原气 氛，以防止金属 Ni 氧化 相应地要求 介 电材料具 有 良好的抗还原性 能，通常采用 的办法是 向材料 中添加过渡元素氧化 物来 捕获 氧空位 遗 留的 电 子，同时添加稀土元素来提高材料 的抗老化能力 在这方面，日本
32、的公司一直处于领先地位，国内的 公司和科研单位也一直从事着相关的研究，抗还 原陶瓷介电材料将是近期一个重要的发展方向 维普资讯 http:/ 第 3 期 王森等：ML C C用高介电常数陶瓷介质材料的研究现状及发展趋势 2 3 1 2 3 进一步加强机理研究 目前 比较深入 的理论研究多集中在钛酸钡 自 身 的铁电性能上，在引入其他组分后，钛酸钡基材 料性能发生 了很 大 的变化，但 是其微观机制和理 论计算等方面的研究还很不充分 例如：Z r 4+取代 Ti +进入晶格会使得钛酸钡居里点 向低温方 向移 动，并使居里点处的介电常数峰值下降，其作用机 理是什么?在抗还原钛酸钡基 陶瓷材料中引入
33、稀 土元素能提高材料 的抗老化能力，如何 在理 论上 对该现象进行解 释?因此，围绕钛 酸钡基陶瓷材 料 的理论研究也是今后该类材料 的一个重要 的研 究方 向 3 结语 介质材料的成本和性能直接决定着 ML C C 的成本和性能，也决定着 ML C C制造企业的竞争 能力和发展空间 随着电子信息产业的快速发展，对 ML(的容量和性能 的要 求也会促 进介 质材 料性能的不断改进 大比容、高稳定性、适应低成 本 ML C C用介质材料将会有广阔的市场前景 参考文献：E l 3 Y u k i o S a k a b e Mu l t i l a y e r c e r a m i c c a
34、p a d t o r s J C u r r e n t Op i n i o n i n S o l i d S t a t e Ma t e r i a l s S c i ence，1 9 9 7，2：5 8 4 2 3 H o ng C a i，Z h i l u n G u i，L o n g t u L i L o w-s i n t e r i n g c o mp o s i t e mu l t ip l a y e r cer a m i c c a p a c i t o r s w i t h X T R s p e c i f i cat io n J Mat e
35、r i als S c i en ce a n d En gi n e e rin g，2 0 01，8 3：1 3 7 3 Hi ros hi K i s h i，N o ri y u k i K o h z u，Y o s h i a k i I g u c h i Oe e u p a t i o n a l s i t e s an d d i e l e c t ric p r o per t ies o f l t r e e a r t h and Mn s u b s t i t u t e d B a T i O a J J o u r n a l o f t h e E u
36、 r o p e a n Ce r a mi c So c i e t y，2 0 01，2 1：1 6 4 3 1 6 47 4 3 D e t l e v F K，H e n n i n g s D i e l e c t ri c m a t e r i a l s f o r s i n t e r i n g i n r e d u c i ng a t mo s p h e r e J J o u r n a l o f t h e E u r o p e a n C e r a mi c So c i e t y，2 0 01，(21)：1 6 3 7 5 B u r n L M
37、n-d o r l pol y c r y s t al l i n e B a T i O a J J o Ma t e r Sc i，1 9 79，1 4：2 4 5 5 6 3 He r b e r t J M H i g h-per m i t t i v i t y cer a mi c s s i n t e r ed i n h y d r ngen J T r a n B r Cer a m S o e，1 9 6 3，6 2(8)：6 4 5 7 D a n i e l s J，Ha r d t l K E l ect ri cal con d u c t i v i t y
38、 a t h i g h t e mp e r a t u r e f o r d o n o r l o p e d b a ri u m t i t a n a t e cer a m i c s J Phi l i p s Re Re po rts，1 9 7 6，3 1：4 8 9 8 3 D e t l e vF，Henn i n g s K D i e l ect ri c ma t e ri al s f o r s i n t e r i n g i n r edu c i ng a tmo s p h e r es J J o u r n a l o f t h e E u
39、r o p e a n Cer a mi c S o c i e t y，20 0 1，2 1；1 6 4 2 9 S a h o&E f f e c t o f Y-D o p i ng o n r e s i s t a n ce d e g r a d a t i o n o f mu l t i l a y er c era mi c cap a c i t o r s wi t h Ni e l e c t r o des u n der t h e h i g h l y a c cel er a t ed l i f e t est J J p r L J o A p p 1 P
40、 h y s ，1 9 9 7，3 6：6 0 1 7 1 O 3 O k i n o Y Die l ect ri c p r o p e r t i es o f r a r e e a r t h o x i d e d o p e d B a T i O a c e r a m i c s f i r e d i n r e d u c i ng a tmo s p h ere J J p r L J Ap p 1 Phy s，1 99 4，3 3：5 3 9 3 1 1 3 C h a z o n o H，O k i n o Y，K o h z u NE f f ect o f S
41、r a n d Ho a d di t io n o n t he mi c ros t r u c t u r e a n d e l e c t r ic al p r o pe rti es i n ML C C wit h Ni i n t e r n al e l ect r o d e J Cer a mi c Tr a ns a c t ion s，1 9 9 9，9 7：5 3 1 2 we r I L i，J ia n q u a n Q i，Y o n g l i Wa n g，e t a 1 Do p i n g b e h a vio rs o f Nb z Os an
42、 d Co z 03 i n t e mp era t u r e s t a bl e&【T i 0 3-b a s e d cer a m i c s E J Ma t e r i al s L e t t e r s，2 0 0 2，5 7：1 1 3 3 P a r k Y，Ki m Y H，Kim H G T h e e f f ect o f g r a i n s iz e o n d ie l ect ri c b e h a vi o r o f B a T i 0 3 b a s e d X 7 R ma t e ri al s J Mat e ria l s Le t t
43、 e rs，1 9 9 6，2 8：1 0 1 1 4 Mi t i c VV，Mi t rovi c L T h e i n f l u e n c e o f N b z 0 5 o n B a T i()3 c era m i c s d i e l ect r i c p ropert i es J J o u r n a l o f t h e E u r o p e a n Ce r a mi c S o c i e t y，2 0 01 21：26 9 3 1 5 罗金玲，周志刚亚纳米铁 电陶瓷介电性能的粒度效应 J 无机材料学报，1 9 9 5，1 0(2)：2 1 6 3李世
44、普 特种陶瓷工艺学 M 武汉：武汉工业大学出版 社，1 9 9 0 2 2 0 1 7 3 C h i a n g S K，L e e W E，R e a d e y D C o r e-s h e l l s t r u c t u r e i n d o p e d B a T i O a J A m C r a n L S o e B u l L，1 9 8 7，6 6：1 2 3 0 1 8 C h o i C J，P ark Y T h e X 7 R p h e n o m e n o ni nt h e cor e-s h e l l s t r u c t u r ed cer
45、 a m i c s J I n Cer a m i c T r a n s a c t i o n s Ame ric an Ce r a mi c S o c i e t y。1 9 9 0，8 4；1 4 8-1 5 6 1 9 Ku l wic k B M Gr ai n B o u n dar y P h e n o m ena i n E l ect r o n i c Cersm i c s E J A m C e r a l T L S o c ，Col u mb u s，1 9 8 1：1 3 8 2 0 3 王永龄 功能陶瓷性能与应用 M 北京；科学 出版社，2 0 03
46、9 7 2 1 Wa n gSca-F u e，T h o ma s C K，Wa n g Y u h-R u e y E f f ect o f g l a s s compo s i t i o n o n t h e d e ns ificat i o n a n d d i e l e c t ric p ropert i es o f mT i C h D Cer a mi cs I n t e r n a t i o n a l，2 0 0 1，2 7：1 5 7 2 2 A z o u g h F，S a f f ar R A I，F r e er I L A t r ans m
47、 i s s i o n e l e c t r o n mi c ros c o pe s t u d y o f co mme r c i a l XT R-Ty p e mu l t i l a y er c era mi c c a pac i t o r s J J o u r n a l o f t h e E u rop e a n Cer a mi c S o c i e t y，1 9 9 8，1 8：7 5 1 2 3 H e n n i n g s D F K，Hs c h r e i n e ma c h er C a-a c cep t o r s i n d i e
48、 l ect ri c c er a m i cs s i n t e r ed i n r edu c t i v e a tm o s p h e r es J J o u r n a l o f t h e Eu rop e a n Ce r a mi c S o c i e t y，1 9 9 4，1 5：7 9 8 2 4 朱文奕，张树人，周小华，等 镍 内电极多层 陶瓷电容器介 质材料的研究 J 功能材料，2 0 0 0，3 1(3)：2 9 2 2 5 3 R u z h o n g Z u o，L o n g t u L i，C h e n g x i a n g J L A
49、n e w t y p e o f die l ect ric compo s i t e wi t h X7 R c h a rsc t e r i s t i c an d l li gh di e l ect ri c con s t ant J Ma t e r i als Let t ers，2 0 0 1，4 8：2 6 2 6 Y a m a s i ta Y，K a n a i H，F u r u k a w a O，e t 4 z R e l a x o r di e l ec t ric ma t e r i als for mu l t i l a y er c e r
50、a mi c c a p a c i t o r i n high t e m p e r a t u r e a p p l i cat i o n s J J p n J A p p l P h y s，1 9 9 5，34：5 3 6 4 2 7 3 U c h i k o b a F，N a k a j i ma&X 7 R l e a d-c o mp l e x p e ros k i t e d i e l ect ric s wi t h i n h omo g e ne o us co mpo s i t ion al di s t rib ut i o n J J p n