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1、 3 6 材料导报 A：综述篇 2 0 1 2年 3月(上)第 2 6 卷 第 3期 S i C陶瓷基片的烧结工艺与 S i Cp Al 复合材料的制备方法 王志勇，彭超群，王 日初，王小锋，李婷婷，刘 兵(中南大学材料科学 与工程学院，长沙 4 1 0 0 8 3)摘 要 概述 了电子 封装基片材料 的基本性 能要 求；讨论 了 S i C陶瓷基 片常用的 4种烧 结工 艺，即常压烧 结、热 压 烧结、反 应烧 结和放 电等 离子烧 结；介绍 了 S i C】A1 复合 材料 的制 备 方 法，即搅拌铸 造 法、无压 渗透 法、喷射 沉积 法、粉 末冶金 法；据 此进一 步提 出了 S i
2、C陶瓷基片材料的发展 方向。关键词 S i C 热导率烧结工艺S i C。A 1 复合材料 S i nt e r i n g Te c h no l o g i e s o f S i C Ce r a mi c S u b s t r a t e a n d Pr e p a r a t i o n Me t h o d s o f S i C p Al Co mp o s i t e s W ANG Z h i y o n g，P ENG Ch a o q u n，W ANG Ri c h u，W ANG Xi a o f e n g，LI Ti n g t i n g，LI U Bi n
3、 g (S c h o o l o f Ma t e r i a l s S c i e n c e a n d En g i n e e r i n g，Ce n t r a l S o u t h Un i v e r s i t y，Ch a n g s h a 4 1 0 0 8 3)Ab s t r a c t Th e e l e me n t a l r e q u i r e me n t s f o r e l e c t r o n i c p a c k a g i n g s u b s t r a t e ma t e r i a l s a r e i n t r
4、o d u c e d F o u r s i n t e r i n g t e c h n o l o g i e s a r e a n a l y z e d，i e p r e s s u r e l e s s s i n t e r i n g，h o t p r e s s s i n t e r i n g。r e a c t e d s i n t e r i n g a n d s p a r k p l a s ma s i n t e r i n g T h e p r e p a r a t i o n me t h o d s o f S i C p A1 c o
5、 mp o s i t e s a r e d e s c r i b e d，i e s t i r c a s t i n g me t h o d，p r e s s u r e l e s s i n f i l t r a t i o n me t h o d，s p r a y d e p o s i t i o n me t h o d，p o wd e r me t a l l u r g y me t h o d Fu t u r e t r e n d s a r e p u t f o r wa r d a c c o r d i n g l y Ke y wo r d
6、s S i C，t h e r ma l c o n d u c t i v i t y，s i n t e r i n g t e c h n o l o g i e s，S i Cn A1 c o mp o s i t e s 0 引言 的烧结工艺及s ic A 复合材料的制备方法。电子封装基片是一种底座电子元件，主要用于 电子元器 件及其相互联，起机械承载支撑、气密性保护、电气设备的散 热等作用。基片材料必须与置于其上的元器件在物理性能、化学性能和电学性质方面保持 良好 的匹配。因此，封装基 片 应具有以下性质(。_ ：(1)热导性能良好。该性能是电子封装 材料的主要性能指标之一，电子元
7、器件产生的热量如不及 时 散发，将导致芯片的工作温度升高，严重影 响工作寿命。(2)线膨胀系数匹配(主要与 S i 和 G a A s)。若热膨胀系数相差较 大，电子器件工作时易产生热应力。(3)高频特性 良好，即应 具有低的介 电常数和低 的介 电损耗。高速传导信号 的布线 电路上，信号延迟时 问与基片材料介 电常数平方根成正 比。(4)强度高，力学性能高。(5)电绝缘性能好，化学性质稳定。目前，电子封装基片材料 的种类很 多，常用 的基片分为 金属封装基片、塑料封装基片和陶瓷封装基片 3大类，其中，陶瓷封装基片热导率高，是一种综合性能较好 的气密性封装 方式。常见的陶瓷基片材料 主要有 A
8、l O。、A1 N、B e()、B N 和 S i C等。而 S i C陶瓷基片具有 耐高温、耐腐蚀、抗 冲刷、抗热 震、耐磨损、与 s i 相匹配 的线膨胀系数及 良好 的热传导等优 良性能。但由于 S i C介电常数偏大，限制 了其 在高密度封装 和集成电路中的应用。本文 主要 简要介绍 了 S i C陶瓷基 片 1 S i C陶瓷 的烧结工艺 1 1 常压烧结 1 1 1 固相烧 结 单一陶瓷粉体烧结常常属于典型的固相烧结，即在烧结 过程 中没有液相形成。陶瓷坯体的致 密化主要是通过蒸发 和凝聚、扩散传质等方式来实现的。其烧结过程主要 由颗粒 重排、气孑 L 填充和晶粒生长等阶段组成_
9、5 。同时，固相烧 结 可以通过合适的颗粒级配、适当的烧结温度和较短的保温时 间等工艺参数来实现致密化烧结。自 2 0世纪 7 O年代，P r o c h a z k a l 6 在高纯度的 S i C中加人 少量的 B和 C作为烧结助剂，在 2 0 5 0 成功地固相烧结出致 密度高于 9 8 的 S i C陶瓷 以来，固相烧结就一直很受关注。虽然 S i C-B-C体系固相烧结 S i C需要较高 的烧结温度，烧结 晶粒粗大，均匀性差，而且 S i C陶瓷具有较低的断裂韧性、较 高的裂纹强度敏感性和典型的穿 晶断裂模式，但是 固相烧结 的烧结助剂含量低，杂质少，晶界几乎不残 留低熔点物质，
10、烧 结后的 S i C陶瓷高温稳定性好、热导能力强l 7 剖。因此，固相 烧结在 S i C陶瓷烧结 中具 有潜在 的应 用价值。目前，采 用 S i C-B-C烧结体系来进行固相烧结 S i C陶瓷的厂家主要有美 国的 GE公 司。*国家 民 口配套科研项 目(MKP r r _ O 3 1 8 2)王志勇：男，硕士生，研究方向为电子封装陶瓷基片材料 彭超群：通讯作者，教授，博士Te l：0 7 3 1 8 8 8 7 7 1 9 7 E ma i l：p c q p c q C S U e du e n S i C陶瓷基 片的烧结工艺与 S i C p A1 复合材料 的制备方法 王志勇等
11、 3 7 1 1 2液相 烧 结 由于陶瓷粉体中总有少量的杂质，大多数材料在烧结过 程中都会或多或少地出现液相。另外，即使在没有杂质的纯 固相系统中，高温下还会 出现“接触”熔融现象，因而纯粹 的 固相烧结实际上不易实现，大多数 的烧结实属液相烧结 。液相烧结是以一定数量的多元低共熔点氧化物为烧结助剂，在高温下烧结助剂形成共溶液相的烧结过程，烧结 晶粒细小 均匀呈等轴晶状。其烧结体系的传质方式为流动传质，可降 低致密化所需要的能量，容易实现低温下 的烧结致密化，缩 短烧结时问。同时，低共溶液相的引入和独特的界面结合弱 化，使材料的断裂模式为沿晶断裂模式，材料的断裂韧性和 强度显 著提高。Na
12、k a n o等_ g 利用 B e O 的高热导能力 以及 S i C与 B e O在烧结过程中形成液相 的特点，最终制备 出热导 率高达 2 7 0 W(m K)的 S i C陶瓷。Ta k a d a等l_ 1。在 2 2 0 0 烧结平均粉末粒径为 0 5 F ro的 S i C陶瓷的过程中，加入烧结 助剂 2 B e()、0 2 O 4 B C和 0 2 O 3 c(质量分 数)，无压烧结 0 5 h，获得材料的电阻率和热导率分别为 5 l O Q c m和 1 4 0 w(m K)。在烧结过程中，均匀分布在 S i C表面的 B原子和 C原子与 S i 原子反应，生成 GB-C、S
13、 i B-C、s i 一 s i 和 S i DS i 键，促进 S i 原子 的扩散，提高 S i C陶瓷 的致密度。1 2 热 压 烧结 热压烧结是指在 S i C加热烧结 的同时，施加一定 的轴向 压力而进行的烧结。热压烧结可增大 S i C粒子间接触面积，降低烧结温度，缩短 烧结时 间，增加烧结体 的致密化，促进 S i C烧结。为了使 S i C粒子更容易烧结，热压烧结通常需要 在 S i C粉体中加入 B、C、A l、C、Y O。、A 1：O。等烧结助剂来 促进烧结l】。B、Al 或 B C固溶于 S i C中，降低 S i C的界 面能，C主要与 S i C粒子表面的 S i O
14、。反应形成低温液相，促 进 B、A 1 的扩散 。L i u 等 以 Y 2 o。和 A l。0。为烧结助剂，在 2 0 0 0、3 0 MP a的烧结条件下进行烧结，烧结 出 S i C陶瓷 的致密程度为 9 7 9 9 3，而烧结过程 中 Y2 和 Al ()。生成热导率 N x,t 较低 的第二相 YAG，致使室温下的 S i C的热 导率仅为 9 2 w(mK)。Z h u o等。在 2 0 0 0、4 0 MP a条件 下，以Y 和 L a 03 为烧结助剂热压烧结 S i C陶瓷 2 h，获得 热导率 为 1 6 6 W(m K)的陶瓷基片，一方 面，所添 加的 Y O。具有驱氧能
15、力，从而净化 晶格，减少晶格缺陷，增大 晶 粒纯度，提高热导率；另一方面，以 L a O。代替 A1 O 可以确 保 Y。0。不形成低热导率 的 YAG，提高其导热能力。热压烧 结能很好地实现陶瓷烧结体 的致密化，是制备高性能 S i C陶 瓷材料的有效途径，但其 工艺生产复杂、设备 昂贵、成本高，难 以制造出形状复杂的 S i C部件，不利于工业化生产。1 3 反应烧结 反应烧结 S i C是利用含 C粉和 S i C粉成型体 与气相 S i 或液相 S i 在高温下反应得 到 S i C的烧结体。其烧结过程不 需要添加任何烧结助剂，晶粒 中缺 陷少，晶界纯度高，对材料 的热导性能影响小。原
16、料中的 C与外部的 反应，一方面可 以生成 S i C，另一方面引起致密化作用，反应烧结后烧结体 内 的气孔进一步由 S i 填充，得到致密且收缩极小 的烧结体，可 应用于 S i C电子陶瓷领域 。自 2 0世纪 5 O年代利用反应熔 渗烧结法制备 S i C陶瓷以来，为了减少材料 的结构缺陷并提 高材料的性能，研究者通过不断改进成型方式和改善工艺，提高反应烧结的性能。刘红等_ j 将熔融态的 S i 通过毛细作 用渗入坯体 中与碳粉反应，新生成的 S i C将原来 的 S i C晶须 和 S i C结 合在 一起，得 到致 密度 高、缺 陷少、弯 曲强 度 为 2 4 3 MP a、断裂韧
17、性值(KK：)为 6 4 3 MP a 。、热导率为 1 2 5 3 w(m K)的 S i C S i C复合 材料。其与反应烧结的 S i C (R B-S i C)陶瓷的性能列 于表 1。目前，反应烧结 S i C陶瓷制 品主要有英国的 UKAE A的 Re f e l-S i C和美 国 C a r b o r u n d u n 公司的 KT-S i C。国内在山东有数家厂家采用反应烧结制备 S i C陶瓷，生产工艺成熟，产品性能稳定。表 1 R B-S i C和 S i C(S i C的物理性能和力学性能”Ta b l e 1 Ph y s i c a l a n d me c h
18、 a n i c a l p r o p e r t i e s o f RB-S i C a n d S i C()S i C 1 7 1 4 放电等离子烧结 放电等离子烧结是利用脉冲大电流直接施加于模具 和 样品上加热，使被烧结样品快速升温而进行的烧结。放电等 离子烧结具有升温速度快，烧结速率快、时间短，构成 的组织 成分可控性强，环保节 能等鲜明优点，是一种具有 广阔应用 前景的制备技术。在烧结过程 中 S i C粉体 的烧结机理主要 有：低温下是焦耳热和电场 的共同作用加速原子的扩散和物 质的传输；高温下是放 电效应、焦耳热和 电场的共 同作用促 进原子的扩散和物质的传输l l。在烧结
19、过程中，颗粒间的瞬 间放电和高温等离子体可以破碎或去除粉体颗粒表面杂质 和吸附的气体，活化粉体 颗粒表面，提高烧结质量 和效 率。一些研究 者 以 S i C微 粉为 原料，添加质 量分 数为 1 O 的 Al ()3 和 Y。(物质的量 比为 5：3)为烧结助剂，在 1 6 0 0、5 0 MP a、5 mi n的烧结制度下，采用放电等离子烧结技术制备 出 S i C陶瓷烧结体，其致密度为 9 9 O 9 ；烧结体内 S i C陶瓷 晶粒尺寸为 1 2 m，较好地控制了晶粒尺寸，很大程度上降 低 了烧结温度，减少了生产成本_ l。2 S i C。A!复合材料 的制备方法 S i C陶瓷基片的
20、高介 电常数和高介电损耗，限制了其在 航空航天等高频领域的应用。对 S i C陶瓷进行金属化，如制 备 S i C A 1 复合材料，可 以降低其介 电常数；通过改变 S i C 的体积分数来调节其热膨胀系数，得到与基板材料相匹配的 热膨胀系数，减少热应力破坏，使材料适合高密度的封装，同 时也可以满足航空航天等高频领域的应用。目 前，S i C。A 1 复合材料的制备方法主要有搅拌铸造法、无压渗透法、喷射沉积法和粉末冶金法。由于所选制备工 3 8 材料导报 A：综述篇 2 0 1 2年 3月(上)第 2 6卷第 3期 艺的不同，产 品的微观组织、性 能各不相 同，主要表现在 S i C。颗粒增
21、强相的分布均匀程度以及界面结合状况等。下面简 要介绍几种制备方法的工艺及产品性能特点。2 1 搅拌铸造法 该法采用 电磁或机械搅拌，在基体完全是液相状态或半 液相状态时向其中加入颗粒，继续搅拌使颗粒分散，待颗粒 等增强物得到润湿、分散均匀后铸入金属模 型中，制成复合 材料l_ 2。搅拌铸造法突出的优点是对设备要求低、工艺简 单、易于实现，是 制造铝 基颗粒增 强 复合材料 最常 用 的方 法_ 2 。该方法制得 的材料没有粗 大的树枝晶，晶粒细小均 匀，可以消除颗粒在熔体 中的偏析，适 当的搅拌 速率能解决 S i C。和 Al 基之间的浸润性 问题，但工艺过程 中的粘度难 以控制，残 留在
22、Al 金属液中的气体和夹杂物不易排除，在界 面上容易析出脆性相，存在“颗粒推移效应”，Al 增强相容易 在枝晶间析出。目前，搅拌铸造法还处在实验阶段，难 以进 行 工业 化生 产。2 2 无压渗透法 无压渗透法的制备过程是把增强相 S i C。制成预制块，让 A1 或 Al 合金液在压力作用下渗入预制块内，制成复合材料。该方法必须满足：合金 中含 Mg，用来 改善 S i C 和 Al 之间 的润湿性；需要氮气作为保护气氛，防止金属元素氧化。该法设备简单，工艺可控性强，如通过合理地控制合金成分、温度、保温时间等工艺因素，使渗透 自发进行，可制备出组织 均匀、结构致密的 S i C。A1 复合材
23、料，具有潜在的实用经济价 值。石峰等 认为，无压渗透法制备出的 S i C AI 复合材料 存在界面反应，生成的 S i、A1：()和 Al c j 影响材料的力学性 能。褚克等 采用压 力熔渗技术制备 出的 S i C。A1 复合材 料 的热导率为 1 3 0 w(m K)，认为少量的 A1 C。有利 于提 高 S i C A1 复合材料的热导性能。2 3喷射沉积法 喷射沉积法的工艺流程是将液体金属在高压下雾化，当 金属从漏斗中流出时，再将 S i C 粒子喷入金属液流 中，两相 混合的雾化液滴沉积在容器中形成 复合材料。该法制备过 程中冷却速度很快，S iC Al 之间的界面反应受到抑制，
24、S i C 和铝界面之间有害的化学反应来不及完全进行 因此强化颗 粒分布均匀【。由于增强体粒 子在气流推动下高速射人熔 体，因此对界面的润湿性要求不高，且可 以消除颗粒偏析等 不 良组织，但 S i C。与基体金属是机械结合，使得材料的抗拉 强度有 限。何玉松等 对喷射沉积的 7 7 5 Al S i C 复合材 料进行拉伸实验，发现板材的最大延伸率可达 7 l1 O 7 ；高温 流变应力随着变形温度的升高而减小，随着应变速率的加快 而增加。2 4 粉末冶金法 粉末治金法的制备过程是将 S i C A1 粉和成型剂混合均 匀后压制成形，再脱脂，烧结成 S i C A1 复合体。该法是在真 空或
25、保护气氛中烧结，可避免结晶过程中的常见缺陷，如 晶 粒过大、成分不均匀等，在人 工控制烧结条件下使制 品具有 较高的力学性能和化学稳定性。粉末冶金法的最大优点 在于成分的 自由度宽，可以很好地控制复合材料 的成分l。许富民等口 9 _ 采用粉末冶金法制备 S i C 为增强相的铝基复合 材料，S i C 与铝基体可以良好地融合成一体，在 S i C 含量不 同时层间没有明显的界面，但疲劳裂纹从高含量层向低含量 层扩展时会发生偏析和分枝，出现裂纹延滞现象。美 国铝产品公司自 1 9 8 0年起一直致力于铝基复合材料 的研究，并成功地将体积分数为 7 O 7 3 的 Al 基复合材 料用于半导体的
26、封装，提高了封装的可靠性和散热能力。国 外学者研究 的 S i C Al 复合材料的线膨胀率和热导率随 S i C 颗粒体积分数的变化规律如图 1 1 3 o 所示。图 1 S i C A I的线膨胀率和热导率与 s i C p 颗粒 体积分数的关系l 3。F i g 1 I n f l u e n c e o f S i C p A l l i n e e x p a n s i o n a n d t h e r ma l c o n d u c t i v i t y wi t h v u me c o n t e n t o f S i C 华小珍等 3 采用 S i C预件无压渗透法
27、，可以低成本地制 备出组织均匀、致密的高体积分数电子封装 5 5 S i C Al 复 合材料，并且其热膨胀系数 为(7 2 3 9 3 7)x 1 0 一K，热导 率为 1 4 6 5 1 7 2 3 w(m K)，可很好 地满足高频 电子行 业领域的使用要求。而且，S i C。A 1 复合材料的制备工艺灵 活，热物理性能优异及可设计性强，将使其在航空航天、先进 武器系统、光学精密仪器、电子器件、汽车工业和体 育用品等 领域得到更加广泛的应用。3 结束语 目前，大功率密度封装中 片所产生的热量主要是通过 基片材料传热到外面而散发出去的，不同的基片材料其传热 效率各异。而高热导的 S i C陶
28、瓷基片，可以满足芯片在正常 工作温度下 的散热要求，延长芯片 的使用寿命。S i C陶瓷 的 热膨胀系数与 s i 相近，这样各类集成芯片和电子器件可以直 接附在 S i C陶瓷基片上，而不需要过渡片，简化 了工艺，降低 了生产成本。为了使 S i C陶瓷基片更能满 足电子封装材料 市场的发展需求，今后需在以下几个方 面进行加强：(1)优异 的 S i C粉体能加大烧结推动力，实现陶瓷低温的致密化。在 S i C陶瓷基片的烧结工艺与 S i C Al 复合材料的制备方法 王志勇等 3 9 溶胶一 凝胶法、自蔓延高温合成法、气相反应法和热分解法的 基础上，进一步研发 出高效率、低污染 的 S i
29、 C粉体制备技术。(2)目 前，常压烧结 出的 S i C陶瓷致密度不高，综合性能不是 很稳定，对于其烧结 机理 的研究还有待进一步深入，应提高 其常压烧结效率，降低生产成本。(3)以 S i C为增强相 的金 属基复合材料，将成为市场 的主体发展方向，共价键结合的 S i C与金属之间的界面仍是 目前急需解决的问题。参考文献 1 李婷婷，彭超群，王 日初，等 电子封装陶瓷基片材料的研究 进展I-J 中国有色金属学报，2 0 1 0，2 0(7)：1 3 6 6 2 杨会娟，王志法，王海山，等 电子封装 材料 的研究 现状及进 展 J 材料导报，2 0 0 4，1 8(6)：8 6 3 张兆生
30、，卢振亚，陈 志武 电子封 装用 陶 瓷基 片材 料 的研究 进展I-J 材料导报，2 0 0 8，2 2(1 1)：1 6 4 张强，孙东立，武高辉电子封装基片材料的研究进展E J 材料科学 与工 艺，2 0 0 8，8(4)：6 6 5 王昕，田进涛 先进陶瓷制备工艺I-M 北京：化学工业出版 社，2 0 0 9：1 2 5 6 P r o c h a z k a S S i n g t e r i n g o f s i l i c o n c a r b i d e E J Ma t e r S c i Re s，1 9 7 4(9)：4 2 1 7 武卫兵，靳正国 碳化硅陶瓷的液相烧
31、结及其研究进展f J 山东陶瓷，2 0 0 2，2 5(1)：1 4 8 陈字红，杨和平，贾学荭，等 碳化硅一 二硼化钛复合材料烧结 工艺研究 J 2 陶瓷学报，2 0 1 0，3 1(1)：2 9 9 Na k a n o H，wa t a r i K，I s h i z a k o K Th e i n f l u e n c e o f m i c r o s t-r u c t u r e o n t h e r ma l c o n d u c t i v i t y o f S i l i q u i d-p h a s e-s i n t e r e d wi t h B e()
32、a d d i t i o n J J S o c Ma t e r S c i，2 0 0 5，5(6)：5 5 9 1 0 Ta k e d a Y，Og i h a r a S，M a e d a K E f f e c t s o f a d d i t i v e s o n t h e r ma l c o n d u c t i v i t y a n d e l e c t r i c a l r e s i s t i v i t y o f S i c e r a mi c s b y p r e s s u r e l e s s s i n t e r i n g J
33、Yo g y o-Ky o k a i-S h i，1 9 8 8，9 6(1)：1 02 1 1 B i a mi o n S，An t o n i n i A，Ei s e n me n g e r-S i t t n e r C，e t a 1 Mu l t i l a y e r S i C f o r t h e r ma l p r o t e c t i o n s y s t e m o f s p a c e v e h i c l e s wi t h d e c r e a s e d t h e r ma l c o n d u c t i v i t y t h r
34、o u g h t h e t h i c k n e s s E J J E u r C e r a m S o c，2 0 1 0，3 0(8)：1 8 3 3 1 2 J a n g K B，Sa k k a YI n f l u e n c e o f mi c r o s t r u c t u r e O i l t h e t h e r mo p h y s i c a l p r o p e r t i e s o f s i n t e r e d S i C p c e r a mi c s J J Al l o y s Co mp d，2 0 0 8，4 6 3(1-2
35、)：4 9 3 1 3 R o j a s R F，Or t i z A L，L o p e z B O，e t a 1 E f f e c t o f A r o r N 2 s i n t e r i n g a t mo s p h e r e o n t h e h i g h-t e mp e r a t u r e o x i d a t i o n b e h a v i o u r o f p r e s s u r e l e s s l i q u i d-p h a s e-s i n t e r e d mS i C i n a i r E J J E u r Ce r
36、 a m S o c，2 0 1 0，3 0(1)：1 1 9 1 4吕振林，高积强，金志浩 碳化硅陶瓷材料及制备 J 机械丁 程材料，1 9 9 9，2 3(3)：1 1 5 Li u D M O，Li n B WTh e r ma l c o n d u c t i v i t y i n h o t-p r e s s e d s i l i c o n c a r b i d e J C e r a m I n t，1 9 9 6，2 2(5)：4 0 7 1 6 Z h o u Yo u。Hi r a o K。Wa t a r i KTh e r ma l c o n d u c t
37、 i v i t y o f s i l i c o n c a r b i d e d e n s i f i e d w i t h r a r e-e a r t h o x i d e a d d i t i v e s【J J Eu r Ce r a m S o c，2 0 0 4，2 4(2)：2 6 5 1 7刘红，方敬忠，陈益，等反应烧结法制备 S i C (S i C 光学 结构件复合材料 J 光电工程，2 0 0 6，3 3(1 2)：1 3 2 1 8徐强，朱时珍，曹建岭，等S i C 陶瓷的S P S烧结机理的研究 口 稀有金属材料与工程，2 0 0 7，3 6(增刊
38、1)：3 4 1 1 9张勇，何新波，曲选辉，等放电等离子烧结工艺制备致密 s i C 口 陶瓷 J 机械工程材料，2 0 0 8，3 2(3)：4 5 2 O延磊，贾成厂，曲选辉，等S A1 复合材料的研究方法现 状 J 粉末冶金技术，2 0 0 5，2 3(4)：2 9 6 2 1谭锐，唐骥 铸造法制备 s A1 复合材料的研究现状I-j 铸 造，2 0 0 5，5 4(7)：6 4 2 2 2王文明，潘复生，等 搅拌铸造制备 S i C。A1 复合材料的研究 进展 J 轻合金加工技术，2 0 0 4，3 2(4)：1 2 3王传廷，马立群，尹名勇，等搅拌工艺参数对 S i C Al 复合
39、 材料颗粒分布的影 响 J 特种铸造及有色合金，2 0 1 0，3 0 (5)：4 3 8 2 4刘树杰，关荣峰，王杏 无压渗透法制备 S Al 复合材料工 艺优化研究 J 材料导报，2 0 0 8，2 2(专辑X)：2 2 7 2 5石锋，钱端芬，吴顺华 无压渗透法制备 颗粒增强铝基 复合材料的研究I-J 天津大学学报，2 0 0 3，3 6(4)：4 1 8 2 6褚克，贾成厂，梁雪冰，等 注射成形与压力熔渗方法制备高 体积分数 S i C A1 封装盒体及其热导性能分析 J _粉末冶 金技术，2 0 0 7，2 5(5)：3 4 8 2 7何玉松，高文理，陆政 喷射沉积 7 O 7 5
40、A 1 s i C。铝基复合材料 板材的高温拉伸变形行为 J 中国有色金属学报，2 0 0 7，1 7 (9)：1 5 1 6 2 8陈百明 粉末冶金特殊高性能材料的应用与发展 J 兰州 工业高等专科学校学报，2 0 0 7，1 4(4)：2 7 2 9许富民，齐民，朱世杰，等S i C。颗粒增强铝基梯度复合材料 的制备与性fl E J 金属学报，2 0 0 2，3 8(9)：9 9 8 3 0 Zwe b e n CM e t a l ma t r i x c o mp o s i t e s f o r e l e c t r o n i c p a c k a g i n g J-1 J OM，1 9 9 2，4 4(7)：1 5 2 2 3 3 1华 小珍，邹爱华，周贤 良，等 电子封装 材料 S i C。Al 复合 材 料的制备与性能口 铸造技术，2 0 0 7，2 8(8)：1 1 2 1 (责任编辑林芳)欢 迎 投 稿 订阅 及刊 登 广 告薹。Q 口 。3。口 ，0 nuo 0 nu0