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1、2022认知实习报告_管理认知实习报告 认知实习报告由我整理，希望给你工作、学习、生活带来便利，猜你可能喜爱“管理认知实习报告”。 重庆邮电高校光电工程学院 相识实习报告 专业：电子科学与技术 班级： 学号： 姓名： 实习时间：2022年06月28日 一、相识实习时间 2022年6月25日 二、实习地点：1101 三、主讲老师：王振 四、实习目的与内容 实习目的： 培育应用型人才基地，要培育德才兼备的高校生，不仅须要通识教化和专业教化，更要理论和实践相结合的正规化培训。实习是高校生必需参加的一项实践教学环节。是学生熟识多晶硅、单晶硅生产和半导体封装测试等生产过程的一种正规化的培训，以充溢理论教
2、学中不能学到的学问和技能。同时，把在理论教学中学到的学问和详细实际工作贯穿起来，做到学以致用，使学生成为既有理论学问，又有实际动手实力的人才。 自摩尔定律提出以来，微电子领域始终如神话般按其所预言的规律不断发展。微电子行业的进步使计算机的计算实力成倍增加，硬件成本大幅度降低，极大地推动了信息产业和工业的发展，是现代信息业和工业的基础。微电子专业主要培育驾驭集成电路、微电子系统设计、制造工艺及设计软件系统，能在微电子及相关领域从事科研、教学、工程技术及技术管理等工作的高级特地人才。 本次实习旨在提高学生的综合素养通过本次实习，开阔视野，增长见识，拓宽我们的学问面。了解本专业相关方面的学问，通过实
3、习，启发我们主动向上，努力学习。 实习内容：参观微电子工艺试验室，了解相关仪器。 五、实习收获与体会 本次相识实习时间为1个半小时，在此期间，通过对各试验室的参观， 我学到了许多东西，也对自己将来的学习和探讨方向有了肯定的规划。这次的参观实习丰富了我的理论学问，增加了我的视察实力，让我收获颇丰。集成电路设计与制造课是微电子学与固体电子学专业本科教学中的重要教学实践环节。目的是帮助学生理解课堂上学到的基本原理和学问，了解并驾驭集成电路设计与制造的基本方法，供应实际动手实力，以适应社会的需求。 1、相识到微电子器件试验课是微电子学与固体电子学专业本科教学中的重要教学实践环节。目的是帮助学生理解课堂
4、上学到的基本原理和学问，并驾驭晶体管基本参数的测量方法，供应实际动手实力。 基本原理及课程简介： 微电子器件课程讲解并描述了基本的半导体器件 BJT、JFET、MOSFET 的物理结构和工作原理，它主要针对半导体器件的主要电参数讲解并描述其测量方法和原理。它包含了三个试验：双极晶体管击穿特性测试、双极晶体管直流放大特性测试、晶体管特征频率的测量。 2、了解了基本原理及试验课程的简介：集成电路工艺基础课程讲解并描述了集成电路制造的基本工艺：扩散、离子注入、氧化、光刻、刻蚀、外延、化学汽象沉积、金属化和钝化等，介绍了这些工艺的基本原理及制造过程。的半导体器件BJT、JFET、MOSFET 的物理结
5、构和工作原理，它主要针对半导体器件的主要电参数讲解并描述其测量方法和原理。集成电路设计与制造试验包含了四个试验：氧化工艺试验、光刻工艺试验、硼扩散工艺试验和磷扩散工艺试验；并有一周的课程设计：将以上四个工艺试验按集成电路制造工艺流程结合起来，制造出一个集成电路重要的单元-双极晶体管并进行击穿特性测试、双极晶体管直流放大特性测试。 3、其次也了解硼扩散工艺试验过程，其基本试验原理为：扩散是微观粒子的一种极为普遍的热运动形式，各种分别器件和集成电路制造中的固态扩散工艺简称扩散，硼扩散工艺是将肯定数量的硼杂质掺入到硅片晶体中，以变更硅片原来的电学性质。硼扩散是属于替位式扩散，采纳预扩散和再扩散两步扩
6、散法， 第一步，预扩散硼杂质浓度分布方程为： N(x,t)=Nserfcx/2D1t) 表示恒定表面浓度（杂质在预扩散温度的固溶度），D1为预扩 散温度的扩散系数，x表示由表面算起的垂直距离（cm）,他为扩散时 间。此分布为余误差分布。 其次步，主扩散 硼再扩散为有限表面源扩散，杂质浓度分布方程为： N(x,t)=Qe-x2/4D2t/(D2t)，其中 Q 为扩散入硅片杂质总量：杂质分布为高斯分别。 4、了解了CMOS制作步骤如下： 1、双阱工艺； 2、浅槽隔离工艺； 3、多晶硅栅结构工艺； 4、轻掺杂漏（LDD）注入工艺； 5、侧墙的形成； 6、源/漏（S/D）注入工艺； 7、接触孔的形成；
7、 8、局部互连工艺； 9、通孔1和金属塞1的形成； 10、金属1互连的形成； 11、通孔2和金属塞2的形成； 12、金属2互连的形成； 13、制作金属3直到制作压点及合金； 14、参数测试。 浅槽隔离工艺：浅槽隔离（STI）是在衬底上制作的晶体管有源区之间隔离区的一种可选工艺。可分为三个主要步骤：槽刻蚀、氧化物填充、氧化物平坦化。槽刻蚀： 1、隔离氧化层； 2、氮化物淀积； 3、第三层掩膜，浅槽隔离； 4、STI槽刻蚀。 STI氧化物填充： 1、沟槽衬垫氧化硅； 2、沟槽CVD氧化物填充。 氧化物平坦化：抛光是最有效的一种平坦化技术，STI氧化层抛光氮化物去除的基本步骤如下： 1、沟槽氧化物抛
8、光（化学机械抛光）； 2、氮化物去除。 多晶硅栅结构工艺：晶体管中栅结构的制作是流程当中最关键的一步，因为它包括了最薄的栅氧化层的热生长以及多晶硅栅的刻印和刻蚀，而后者是整个集成电路工艺中物理尺度最小的结构。多晶硅栅的宽度通常是整个硅片上最关键的CD线宽。 多晶硅栅结构制作的基本步骤： 1、栅氧化层的生长； 2、多晶硅淀积； 3、第四层掩膜，多晶硅栅； 4、多晶硅栅刻蚀。局部互连工艺:晶体管以及其他钛硅化物之间布金属连接线，所用到的方法称为局部互联（LI）。形成局部互联氧化硅介质的步骤：1.氮化硅化学气相淀积2.掺杂氧化物的化学气相淀积3.氧化层抛光4第九层掩膜，局部互联刻蚀。制作局部互联金属
9、的步骤：1金属钛淀积 （PVD工艺）；2氮化钛淀积；3钨淀积（化学气相淀积工艺平坦化）；4磨抛钨。 大马士革：先淀积一层介质薄膜，接下来是化学机械抛光，刻印，刻蚀和钨金属淀积，最终以金属层抛光结束。最终在硅片表面得到一种类似精致的镶嵌首饰或艺术图案。 六、个人心得体会： 老师的讲解，使我相识和了解了微电子工艺，进一步相识了微电子学科的特点，理论基础的要求，技术指标和发展前景。同时使我更加明确了学习目标，增加了我们对所学专业的酷爱。 虽然是短短的半天时间，但我们也学到了许多的东西，微电子学是一门发展极为快速的学科，高集成度、低功耗、高性能、高牢靠性是微电子学发展的方向。信息技术发展的方向是多媒体
10、（智能化）、网络化和个体化。要求系统获得和存储海量的多媒体信息、以极高速度精确牢靠的处理和传输这些信息并刚好地把有用信息显示出来或用于限制。全部这些都只能依靠于微电子技术的支撑才能成为现实。超高容量、超小型、超高速、超高频、超低功耗是信息技术无止境追求的目标，是微电子技术快速发展的动力。微电子技术是当代发展最快的技术之一，是电子信息产业的基础和心脏。如今，微电子技术已成为衡量一个国家科学技术进步和综合国力的重要标记，微电子科学技术的发展水平和产业规模是一个国家经济实力的重要标记。 通过实习，我们有了机会去面对着专业性人员，听着他们对专业性的讲解以及亲自看到了很多的大型通信设备，这些都很有助于我
11、们对学问的理解以及与实际相联系，这些都很益于我们在以后的工作。通过实习，让我体会通信在国民经济发展中所处的地位和所起的作用，加深对微电子工艺在生产生活中的感性相识，了解这些企业生产和运营的规律，学习这些企业组织和管理学问，巩固了所学理论，培育了初步的实际工作实力和专业技术实力，增加了我在电子信息方面的学业背景和对本专业的酷爱。 我们也明白了德才兼备的高校生不仅须要广泛的通识教化、扎实的专业理论功底，更须要理论与实践相结合的正规化训练。学校和学生个人都有义务和责任将高校生培育成为既有理论学问、又有实际动手实力的综合型人才。实习是绝大多数高校生必需参加的一项实践教学环节，通过或长或短的实习，学生可
12、以更深化地了解本行业各岗位的工作性质，及该领域的发展状况和发展方向，以便能结合自己的实力特点和爱好爱好，尽早找寻到适合各人的工作定位，为自己制定更长远、更细致的职业规划。另外，学生在实践过程中也更易于懂得如何将理论学问与详细实际相结合，做到学以致用，不断提升自己的创建实力。 此次实习通过各种形式我了解当前产业的发呈现状以及美妙的前景。感受到了信息科技给今日带来的美妙生活，当然以后自己也要立志献身于通信与微电子事业，重点探讨新技术。 认知实习报告 认知实习报告大一后半学期的时候我还没有意识到电子信息工程对我来说意味着什么，在这时候，学校对大一新生进行了为期一周的认知实习，让我们对自己所学的专业有
13、所了解，在带队老师. 认知实习报告 认知实习报告学号：一.实习时间: 2022.6.17二.实习单位: 常德中联重科液压有限公司三.实习目的：实习主要是让我们把学习到的理论学问与实践更好的相结合，更好的理解理论，也让我们. IT认知实习报告 IT认知实习报告学生姓名：学号：班级： 指导老师：2022年 2 月 28 日一、实习目的、主要任务及要求1、实习目的IT认知实习是软件工程专业学习的重要一环，是让我们了解软件开发流程和. IT认知实习报告 IT认知实习报告淘宝电子商务网站内容设计分析我国随着互联网的普及，网上购物越来越普遍和流行。B2B模式，B2C模式，C2C模式在我国快速发展。如阿里巴巴，淘宝等网站顺势而生，使电子. 认知实习报告 一、实习目的实习的目的是理论联系实际，增加学生对社会、国情和专业背景的了解；使学生拓宽视野，巩固和运用所学过的理论学问，培育分析问题、解决问题的实际工作实力和创新精神；培. 本文来源：网络收集与整理，如有侵权，请联系作者删除，谢谢！第11页 共11页第 11 页 共 11 页第 11 页 共 11 页第 11 页 共 11 页第 11 页 共 11 页第 11 页 共 11 页第 11 页 共 11 页第 11 页 共 11 页第 11 页 共 11 页第 11 页 共 11 页第 11 页 共 11 页